H01L 21/208 — жидкостным напылением

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 1382303

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Буров, Волков, Липатов, Овчинников

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов, кремниевых

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов путем наращивания эпитаксиальных слоев на легированные бором подложки, включающий приготовление раствора-расплава кремния в олове и введение в него легирующей добавки, изотермическую выдержку при температуре начала процесса, приведение раствора-расплава в контакт с подложками, травление подложек путем нагрева системы и последующее принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет устранения включений олова на границе p-n-перехода, дополнительно вводят в раствор-расплав 0,001 - 0,01 мас. % индия или галлия, изотермическую выдержку осуществляют в вакууме при давлении не более 0,13 Па, причем...

Номер патента: 1424631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров

МПК: H01L 21/208

Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Номер патента: 1496557

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Волков, Коняхин

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиальных, выращивания, кремния, расплав, слоев

Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния, содержащий кремний, олово и добавку металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления слоев, в качестве добавки металла расплав содержит титан при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний - 0,05 - 10Титан - 0,008 - 4Олово - Остальное

Номер патента: 1181461

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Даровский, Лозовский, Майстренко, Скоков

МПК: H01L 21/208

Метки: зон, локальных, металлических

1. Способ изготовления локальных металлических зон для зонной перекристаллизации в поле температурного градиента, включающий нанесение на поверхность кремниевой подложки защитного слоя, вскрытие в нем окон, приведение подложки в контакт с жидким металлом - растворителем и удаление жидкой фазы с поверхности защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и улучшения качества зон за счет повышения их однородности и уменьшения потерь летучих компонентов, изготавливают окна в защитном слое шириной 4,5·10-4 ÷ 4·10-3 см, а контактирование осуществляют при температуре 670-1200°C в течение 0,01 ÷ 10 с.2. Способ по п.1,...