Способ изготовления выпрямительного элемента симистора

Номер патента: 1277381

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: многофункциональный, структуры, цифровой, элемент

...12 напряжение высо" кого уровня - сигнал "1".При подаче на все управляющие входы 16 и 17 сигнала "1" состояние на выходе 12 зависит от изменения напряжения на сигнальном входе 15. При переходе этого напряжения от уровня "1" к уровню "0" током через резистор 14 и базоэмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 отпирается транзистор 11 и формируется сигнал "0" на выходе 12. Отпирающий ток существенно возрастает за счет добавочного тока емкости нагрузки через транзистор 10 в базу транзистора 11.Данное увеличение базового тока и обуславливает возрастание нагрузочной способности элемента.Через некоторое время после отпирания транзистора 11 откроется и перейдет в режим насыщения транзистор 8, что вызовет запирание транзисторов 10 и 11, и на...

Номер патента: 88932

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Аксенов, Терентьев

МПК: H02H 7/125, H02M 7/02

Метки: выпрямитель, ртутный, сетками, управляющими

...постепенн В, конденсатор С, названная э.д.с. тем саым сдиае фазу импульлем таким образом, что прохожде.88932ки трансформаторов тока Трь установленных в первичной цепи анодного трансформатора выпрямителя.Если короткое замыкание в цепи нагрузки происходит несколько раз подряд, то реле РП, через реле многократного действия РМ, производит отключение питающего масляного выключателя МВ.Выбором коэффициентов трансформации трансформаторов тока Тр, и Тр, и величины шунтирующих сопротивлений Л, и Я определяется величина напряжений, действующих в цепи СЯ.Для того, чтобы нормальные токи, протекающие через первичные обмотки трансформаторов Тр и Тр, не оказывали влияния на работу лампы Л, на вентили В, и В заданы постоянные отрицательные...

Номер патента: 327464

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Васильева, Малютин, Ордена, Телемеханики

МПК: G06F 1/00

Метки: n51if«ltfift•, suiilriei, однородной, структуры, уид, элемент, —г

...Х,=О, Х 2=1. В этом случае вклочецы элементы ЗАПРЕТ 4 н 6. Для разрыва цепи устройства должны быть включены все элементы ЗАПРЕТ в плечах моста, т. е. Х =1, Х 2=1.В диагональ моста, в которой осуществляется однонаправлеНое движение информации, Вклочен настраиваемый логический элемент на двух схемах ЗАПРЕТ 5 н 12, реализующий функцкчо Г =Х и, Хз-СХ Хз, которьй В завГ 1 симости От настройки ВыОляст фуцкциО повторения (Хз -- 0) или инверсии (Хз=1) ВходноГО сиГала Л ю.Однонаправленность двнжсцця иформации в диагонали моста обеспечивается совокупностью шиц 23 - 25, которые воздействуют только на диагональный канал. Одновременно с этим шины обеспе иваОт задержку передаваемой устройством информации на один такт.Пусть в наиболее общем случае...

Номер патента: 453689

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Немшилов, Петров

МПК: G06F 7/06

Метки: однородной, структуры, элемент

...входами соответственно, вы 2ход схемы Исключающее ИЛИ соединен со входом первой схемы И, другой вход которой соединен с третьим настроечным входом, являющимся парафазиым ио отношеншо и первому настроечному входу,На чертеже представлена схема предложегтного элемента. Элемент содержит информациониыс входы 1 и 2, информационные выходы 3 и 4, схему Исключающее 11 ЛИ 5, схемы И 6 - 9, схемы ИЛИ 10 и 11, настроечные входы 12 и 13, причем входы 12 являются парафазными.Элемент работает следующим образом.Пусть иа шформацион 1 и 10 входподана переменная 1, а иа информационный вход 2 - переменная 1. Обозначим состояния парафазиых настроечных входов 12 через а и и, состояние настроечного входа 13 в чер ).В зависимости от значений и и Ь на...

Номер патента: 1765129

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Бывалин, Длугач, Изынеев, Копылов, Кравченко, Ормонт

МПК: C03C 23/00, G11B 11/03

Метки: интегрально-оптических, материал, нем, прозрачный, рефракционных, структур, формирования, электронно-лучевого, элементов

...радиационные свойства стекол, 20Применение фосфатных стекол указанного выше состава по новому назначениюстало возможным благодаря эффекту, заключающемуся в том, что при энергии3 - 30 кэВ и дозе поглощенных электроновб 10 эл/см остросфокусированный электронный пучок производит вфосфатных стеклах физико-химические изменения, приводящие к существенному увеличению их показателя преломления, 30В указанном узком интервале концентраций стекла сохраняют практически одинаковую способность изменять показательпреломления под воздействием электронного пучка, что было установлено с помощью интерференционно-микроскопических измерений, Также было установлено, что электронное облучение изменяет не только показатель преломлениястекла, но и его...