326915

) 3269 Б ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ СОюз Советских Социалистических(22) Заявлено 0 4.7 51) М. 1,л. Н 011 аявки М присоединением осударственный комитет Совета Министров СССР(088.8) по делам изобретении н открытий(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРИзобретение относится к способам получеНИ 51 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МНОГОСЛойНЫХ СТРУК- тур с р - )г-переходами, например высоковольтных, быстродействующих диодных, транзисторны.( и тирцсторных.Известсн ц широко применяется способ цолучсшгя структур с р - а-переходами диффузисй атомов ал)оминця в полированную крезНисвуто пластину из заранее созданного источника дцфВузии, например шлифованной кремниевой пластины, покрытой раствором диффузанта, в потоке нейтрального газа.Предлагаемый способ получения полупрогодциковых структур отличается от известного тем, что обрабатываемые пластины кремния чередуют с шлифованными кремниевыми пластинами-цсточникамц диффузии, причсм рясст 05 нпс вс)кду источника)и диффузии ц полированными пластинами постоянно и не прсВышаст тОлццны пластины, я концеирация диффуззцтя В растворе, нанесснно) Ня пластину-источник, составляет 0,01 - 0,1 оо.ПРП ТЯКОМ СПОСООЕ Ст)ан)1)отС 5 01 ОВИЬ)С приптны боль)ого разброса элсктрофизцческ.х свойсгв дффузпонного слоя:- наличие потока газа нецосрсдствецо над ряоочей поверхностью пластин;- гтсрявно:)ерпость источника диффузии; - большие размеры и отсутств;)е цлоскопаряллслы)ост 1 зазора меькду источником диффузии и рабочей поверхностью пластины,Г 1 римсненис цластцц-источников позволяеттех;Пчсскц просто умсцьшцть этот зазор додолсц миллиметра цри выполнении самых вы 5 соки:; требований к его цзОскоцазаллсльности, Крохе того, обеспечивается одноро,цюстьэлектро(рцзцчсских свойств диффузн)нныхслоев и восроизводцмость процесса лсгцроВян 1.5 (разброс ПОВсхцостнО;1 конценрациисоставл)1 ст 2 - 0 я тт)кхкс возможность проВСД(ЦИ 51 ДВУХСТОР)ЦЦСЦ ДцУЗИИ В ЦОЛЦРОВ 11 пцО пл Ст 1 ц) кремния,Фиг. 1, 2 поясняют получение трцоднойструкгур 11 прсдляясмым сОсооом.Ия ювс,)хцост )лисОвяпцоц цл;стцць 1лОбгГО тцц Н)ОВОчпмостц ц ,дсльцого (ОНООтцвлецця цяцоситс 5 Лцз)нт в вцд(. раствора солей Ялюмцця. Гол.р;)Ваццыс с однойигп 1 двух сто Он рябочцс цластццы 2 рязмс 20 ца зтс 5 мся; 1 цзЯстцп: .ли-.1:точнцкгмц срректор В. Гута)аи Т)Граса 760 Совета Министро открытий паб., д. 4,5Изд.1712сударствсиного комитетпо делам изобретенийМосква, Ж, Рауиска Под)ГсносСССР ип. Хары(. фил. пред. Патент ВяЛЬПОГО 110 роиКд. Г,сК ПОГ(ссЗЫВЯ 10 т ЭКСГСр 1- МСНТс.ЛЬПЫС ПССЛСДОВсП 51,;ЯВЛСИ 1 С с)01 Дифс,ЗДПГс 1 В Зс 30)С СТсц 1 ДВЛИВДСТС 5 0 С.11 быст )о. -)ТИГ 1:рс,ОГврс)щсстся иоявлсппс НС 1)ОБПОСТСЙ ф)0 Ггс ДПС)фУЗИП В ХГССТс)Х НСПО. средстцсицого коцтйкта пластин и ысстах, гдс СОПРПКОСПОВСПП 51 ПСТ.1(,с)пцсптрЯИИ 5 ДИСГ)1)уздГтс ЯЗОТГГОГ(СЛОГ) алюыпшя прп Г;тсутстгиш кГслорода в зоис. Дцфс) , Зии 5 ВЛ 5 СТ(51 ПОСТОЯНПОИ И СОСТс 3,151 СТ 0,01- О,ъ.ПрГГ ко 111 спт)ЯГИГГ дзотеокслого й:Омпнпя большс 0,1% иа полироваццой повсрхио- СТП 1 РС)ГНП 51 П 05 ВЛ 51 ОТС 51 РЯЗВОДЫ, Т. С. ВЬ 1 ДСЛ 51 С.ГСЕ )КИДКГЯ С 1)йзй П ОКПСПЬИ СЛОИ )Оа.При описьВдсыоы сиособс чсрсдовдипсм пластин устрдпстся сдувдцис диров а,поми- НИЯ С )счбосС ОВСЕ)ХГОСТГ Г, С;СдовйтСЛГПГО, ВЛП 51 С СКО)ОСТ ПОТОКЯ Нй РС;1 ПЧППУ ОВС)Х- ЦОСтппй КсзГЦСПТРЯЦЕ 11, УЛУЧШЯСТСЯ СЕ РаС - 11 РСДС ГСППС ПО ПЛОИс 1 ДП П ВОСПРОПЗВО;ИМОС.ТЬ парамстров рг-исрсхо 7 д.ЗтОт спосоо ъ 0)кст прГмсп 5 ГГВС 5 и) и про. ВСДС 11.Ги ОДЕГОВРСЫСГГПОГ ДиффУЗПП В ПОЛППО- вациыс и п)лпфовдипыс пластины для Олучени сиыыстричиых р - -и - р-структур при послс.:ОВятсльпох 1 яессснип,ис 1)фузянтй пд ка)Г(,Суо из сторон пластины-источцика для полУс 1 снп 5 сзспГ)стРпсппх, - )г - 7)-ст)УКГ Р И, К)ОЪГС ТОГО, ДЛ 51 ГОЛУсГСН 51 СТУПСП 1 ДТЫХ р - Гг- Срсходов путсы локальной маскировки повсрхцости толщиной окисла 510, зддср)кивающей диффузию ид рсгулирусмос Врсы.ВОЗМСК 0 ГГГОГОКЕ)сТИОС ПСПОЛЬЗОВДЦПС ПЛаСТИЦ-ИСтОЧ НИКОГ, С ГГРОХСжУТОсиО 1 МСхЯИИ 1 сской и хп)1 ичсскои Об)йооткоГ их и ИОВТООНЫМ Па НСССНПСЫ ДиффУЗс)ЦТД.Предлагаемы) способом мо)Г(ио получатьбьстродсеСтвуОщпс высо(Овольтныс )г - ) - 5 )г - р-структуры. При этом создаот асимметричную р - )г - р-структуру в полированной с ;Вух сто)он плястпис к)саПя, неГрп.5 ср, зд счст последовательного цанссе;Ия дис)фузанта иа кажду 0 пз сторон пластины, затсм в 10 р-слое с болсе мелким залегдцисы,) - п-ис)схода создают внешний п-слой, послс:сго плйстпцу подшлифовывйют, нс еярушй 5 ф)0 Г- та,ис)узии, а затем одцпм из извсстцых сиосооов получают омичсскпс контакты.15ПредЫст изобретсц я1. Способ получения ГОлуирово;пиковыхструктур диффузией атомов аломпнпя из сго солсй в иолированпую креыцисвуо пластину 20 в Ятыосфсрс инертного газа пз источцикадпффузш, иапрпмср шлифоваццых крсмиисвых пластин, покрытых раствороы дпффузанта, ОТЛиса)ОЩиггСЯ тСМ, ЧтО, С ЦЕЛЬЮ УЛУЧШС- пи элсктричсских и врсмсиных хйрактерис тик приборов, обрабйтывасмыс Глдстииы срсдуют с источниками диффузии, прпчсм расстояцис ысн(ду источцикоы диффузии и пластпцой постоянно и нс ирсвышаст толщину ил астины.30 2. СПОСОО ПО П, 1, ОТЛгса)ОИийт тСЫ, ЧтО,с цслью обеспечения гомогсццости и идснтичности свойств ДГГ(1)с)узиоицых слосв ца бол- шой площади пластииь, коццсцтрацпя дпффузйита в растворс, нанесенном ца пластпну источник диффузии, составляст 0,01 - 0,1,С.