Патенты с меткой «полупроводнико-вых»

Номер патента: 582710

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Гольденберг, Львова, Царенков

МПК: H01L 21/02

Метки: барьером, поверхностым, полупроводнико-вых, приборов

...80 ОС,Благодаря этим операциям получают структуру с тонким споем металла582710 Формула изобретения Составитель В. МякиненковРедактор Т, Колодцева Техред Е. Гаврилешко Корректор М. Вигула Заказ 1646/45 Тираж 784ВНИИПИ. Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4(10-20 нм) в центре и толстым слоемметалла на той части кристалла, гдебыла. поверхность нарушена.Токоподводы припаивают к болеетолстому слою металла, что исключаетпроплавление барьерного контакТа.П р и м е р. Изготавливают поверхностно барьерные фотодиоды на основеца А 5, На одной стороне пластины9 а А 5 изготавливают,омический контакт, а на другой проводят...

Номер патента: 833383

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Андреев, Кобылянский, Полянин, Утробин

МПК: B23K 1/20

Метки: полупроводнико-вых, приборов

...В. Синицкая Редактбр Н. Бушаева Тираж 1148 Подписное ВНИИПИ Государственного комитЕта СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Заказ 3864/11 филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул. Проектная, 4 величиной механической нагрузки итемпературой пайки.,П р и м е р. Проводится сборкаполупроводникового СВЧ р 1-п-диода,Выводы диода изготавливаются иэ молибдена цилиндрической формы. Диаметрвывода 2,9 мм, высота 1,5 мм. Р 1-п-структура представляет собой кремниевый кристалл с Рфи М+-1 переходами. Боковая поверхность кристалла предварительно защищается слоем электрофоретическн осажденного стекла толщиной 20-40 мкм. На торцовую поверхность р 1-п-структуры напыляются слои А 8 толщиной 1,5 2 мкм. Диаметр р...