Способ изготовления полупроводнико-вых приборов c поверхностым барьером

(22) Заявлено 230876 (21) 2397358/18-2 (51) М. КЛ. с присоединением заявки Йо(23) Гриоритет Н 0121/02 Государственный комитет СССР ло делам изобретений м открытий(71) Заявитель Ордена Ленина физико-технический институт им. А.ф. Иоффе(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУГ 1 РОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПОВЕРХНОСТНЫМ БАРЬЕРОМлов 1 . Изобретение относится к области электронной техники, а именно к тех. нологии полупроводниковых приборов с поверхностным барьером, .и может 5 быть использовано при изготовлении поверхностно барьерных фотоприемников .Известен способ изготовления поверхностно барьерных приборов посред ством химического осаждения металНедостатком способа является плохая адгезия металла и недостаточнохорошая воспроизводимость результатов.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ изготовления полупроводниковых приборов с поверхностнымбарьером путем осаждения слоя металла на освещаемую поверхность полупроводника с последующим присоединением токоподводов 2,Для того чтобы этим способом изготовить фотодиоцы, обычно уменьшаюттолщину слоя металла таким образом,чтобы он был полупрозрачен, Это резко уменьшает выход годных приборовиз-за того, что тонкий слой металлаимеет плохую адгезию к поверхности , 30 полупроводника, и при пайке токопровода часто проплавляется,Цель изобретения - повышение выхода годных приборов за счет предотвращения проплавления слоя металла впроцессе присоединения токоподводов.Это достигается тем, что предварительно перед осаждением металлана части освещаемой поверхности полупроводника создают область с нарушен.ной кристаллической структурой, например, селективным травлением и всюповерхность активируют в водном растзоре соли палладия при температуревыше 80 С,Если слой металла имеет хорошуюадгезию к поверхности полупроводника,то на нарушенной поверхности скоростьосаждения слоя металла выше, чем нагладкой полированной поверхности.Хорошей адгезией к поверхностиполупроводникового кристалла обладают кристаллические слои палладич.Переход от аморфного состояния слоевпалладия к кристаллическому происходит при температуре близкой к 80 С,опоэтому операция активации проводится при температуре выше 80 ОС,Благодаря этим операциям получают структуру с тонким споем металла582710 Формула изобретения Составитель В. МякиненковРедактор Т, Колодцева Техред Е. Гаврилешко Корректор М. Вигула Заказ 1646/45 Тираж 784ВНИИПИ. Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4(10-20 нм) в центре и толстым слоемметалла на той части кристалла, гдебыла. поверхность нарушена.Токоподводы припаивают к болеетолстому слою металла, что исключаетпроплавление барьерного контакТа.П р и м е р. Изготавливают поверхностно барьерные фотодиоды на основеца А 5, На одной стороне пластины9 а А 5 изготавливают,омический контакт, а на другой проводят глубокоеселективное травление на части рабочей поверхности в растворе 98СНВОН + 2 Вг, а затем пластину9 а А 5 погружают в водный раствор хлористого палладия с концентрацией1,5, нагретый до 80 С на 3 с, промывают, опускают в водный раствор, содержащий 4 г/л НАоС 14 + 100 мл/л НГ,на 45 с для осаждения слоя золота.Толщина слоя золота, как установленос помощью прибора МИИ, составляет20 нм, а на поверхности с нарушеннойкристаллической структурой 80-100 нм.К этому более толстому слою металлаи проводят подпайку проволоки с помощью индиевого припоя. При использовании этих операций барьерный контакт не проплавляется и выход годных приборов повышается по крайнеймере в 10 раз,При использовании этих операцийосновные параметры приборов практически не меняются, в частности емкость остается постоянной,так какширина слоя объемного заряда не зависит от толщины металла; темновойток не изменяется, так как плошадьбарьерного контакта та же, квантоваяэффективность не изменяется в связи с тем, что толщина слоя металла на рабочей поверхности остается постоянной.Таким образом, использование перечисленных операций позволяет увеличить выход годных приборов при массовом производстве беэ ухудшения их параметров,Способ изготовления полупроводниковых приборов с поверхностным барьером путем химического осаждения слояметалла на освещаемую поверхность15 полупроводника и последующего присоединения токоподводов, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счетпредотвращения проплавления слоя ме 20 талла в процессе присоединения токоподводов, предварительно перед осаждением металла на части освещаемойповерхности полупроводника создаютобласть с нарушенной кристаллическойструктурой, например, селективнымтравлением и всю поверхность активируют в водном растворе соли палладияпри температуре выше 80 С.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Гольдберг Ю.А, Методика изготовления поверхностно барьерных структурхимическим осаждением металловна поверхность полупроводников.-"Приборы и техника эксперимента" АН СССР,35 1971, Р 3, с, 207-209.2. Авторское свидетельство СССРР 392845, кл. Н 0121/02, 1975.