H01C — Резисторы

Номер патента: 1018155

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Лен, Тимашов

МПК: H01C 17/08

Метки: заготовки, осаждения, парогазовой, покрытий, резистивных, резисторов, фазы

...оставовками,.:вызванными работой электромагнитных,клапанов,цель изобретения - повышение качества покрытия и. производительностиэ рабоче,.Поставленная цель достигается тем,что устройство. для осазщения резистивиых покрытий из: парогазовой .фазы. на 5 Озаготовки рези"торов, содержащее механизм загрузки заготовок резисто- .р 6 в, вертикально установленную на основании реакционную трубу с нагревателем, механизм регулиррваиия скорости перемещения заготовок в реакцион ной трубе и систему подачи парогазо"вой.смеси в реакционнукг трубу, снабжено накопителем обработанных загото.вок, располоаенньм иа выходе реакциоиной труфы, соединенным с системойподачи парогазовой смеси в реакционную трубу, причем механизм регулирования скорости...

Номер патента: 1019500

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Астров, Карпеченков, Слушков, Теплицкая, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, идиоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:ВольФрам 10-20Кремний 15-25Диоксид марганца .15-30Диоксид церия .8-36Хром ОстальноеВведение в известный резистив-ный материал двуокиси церия - оксицаметалла с большим атомным весом "позволяет .расширить диапазон удельных сопротивлений реэистивных пленок,получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком (длявысокоомного диапазона) ТКС в пределах (.150-400) 10 1/С и при сохранении во всем. диапазоне высокой стабильности их свойств во времени притемпературе окружающей среды от -60до +155 С.П р и м е р. Для получения мишенейиэ резистивного материала готовят...

Номер патента: 1020869

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Голдованский, Готра

МПК: H01C 17/075

Метки: подгонки, резистора, сопротивления, тонкопленочного

...резистивной пленки импульсами лазера, передкаждьм импульсом лазера осуществляют предварительный нагрев реэистивнойпленки пропусканием через нее импульса электрического тока длительностью 50-100 мс.На чертеже схематически изображеноустройство для осуществления предлагаемого способа,Устройство состоит из импульсногооптического генератора 1, оптическойсистемы 2, блока 3 питания, координатного стола 4, подгоняемого резистора 5, омметра б, коммутатора 7,игольчатых щупов 8, контактных площадок 9, формирователя 10 импульсовтока и задающего генератора 11.Оптическая система 2 служит дляфокусировки лазерного излучения 12.Координатный стол 4 служит для перемещения подгоняемого резистора 5 впроцессе подгонки. Измерение сопротивления в процессе...

Номер патента: 1022226

Опубликовано: 07.06.1983

Автор: Ворожцов

МПК: H01C 17/00

Метки: параметрам, радиодеталей, сортировки, электрическим

...с раэбраковочной шахтой, нафиг. 3 - держатель-заготовка резис-.торов на многоконтактной колодкена фиг. 4 - схема работы диска программного блокаУстройство содержит.шаговый транспортер 1 для перемещения заготовки2, разделенной на отдельные резисторы металлизированными поясками,контактный механизм выполнен в видемногоконтактной колодки 3, захват4 и вожи 5 и 6, раэбраковочную шахту 7, состоящую из нескольких отдельных секциЯ, имеющих на боковойстенке в верхней части приемныеотверстия, механизм 8 перемещенияразбраковочной шахты, приемную тару9 и программный блок в виде диска10, снабженный группами штырей 11,,каждая иэ которых состоит иэ рядов, 30 количество которых равно количест-ву классов точности измеряемых ре"эисторов, а...

Номер патента: 1023409

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Добжинский, Репях, Санталов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...удельного сопротивления.Наиболее близким к изобретению является резистивный материал, включающий портландцемент,порошок углерода, песок кварцевый и воду 21Недостатки известного резистивно го материала заключаются в низком коэффициенте нелинейности и узком диапазоне удельного сопротивления.Цель изобретения - увеличение козффициента нелинейности и расширение 2 диапазона удельного сопротивления в высокоомную область.Цель достигается тем, что резистивный материал, включающий портландцемент, порошок углерода, песок квар"25 цевый и воду, дополнительно содержит оксид цинка при следующем количест". венном соотношении компонентов, мас.Ъ;Нортландцемент 29-43Порошок углерода 6-29Песок кварцевый 4-34Оксид цинка 10-25Вода ОстальноеДля получения...

Номер патента: 1026169

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Лысенко

МПК: H01C 3/02

Метки: резистор

...зле мента.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистор, содержащий каркас с размещенным на его поверхности резистивным 20 элементом в виде двух эквидистантно расположенных винтовых резистивных дорожек., соединенных между собой на одной стороне каркаса. Каркас установлен на эластичном теле и помещен в теплопоглощающее вещество 2).Однако и этот резистор без увеличения габаритов не позволяет расширить диапазон изготавливаемых резисторов.Цель изобретения - расширить диа" паэон номиналов резистора.Поставленная цель достигается тем, что в резисторе, содержащем каркас с . размещенным на его поверхности резис. тивным элементом в виде двух эквидис.З 5 тантно расположенных винтовых резистивных дорожек, соединенных...

Номер патента: 1026170

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Глот

МПК: H01C 7/108

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...ренциальное сопро- тивлексид исмут Коэффици ент нели нвйности иоксид ремния 5 7 80 6,5 0-" 0 93 7 300 800 Составитель Ю.Герасичкактор Е,Лушникова Техред А, Бабинец к писное омитета ССС открытийушская наб., д, 4/5 илиал ППП Патент, г.ужгоро ектная,Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в техналогии изготовления нелинейных резисторов.Известен материал для нелинейныхрезисторов, представляющий собой состав стекла системы Ав " Те - Г (1).Недостаток известного материаласостоит в низком коэффициенте нелинейности (до 4)Наиболее близким к предлагаемомутехническим решением является материал для нелинейных резисторов, включакщий оксид висмута и диоксид кремния (2) .Недостаток заключается в низком...

Номер патента: 1026171

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Ивон, Черненко

МПК: H01C 7/108

Метки: переключателей, пороговых

...- уменьшение раэ-З 0броса порогового напряжения,Поставленная цель достигается тем,что в способе изготовления пороговыхпереключателей, включающем приготов,ление шихты из .смеси оксидов ванадия, 35Фосфора и меди, варку из нее стеклапри 1100-1300 ОС, введение в него платиновых электродов и электрическуюФормовку порогового переключателяприложением напряжения к платиновым 40электродам, электрическую формовкуосуществляют в течение 1-10 мин при600-1200 С и напряжении между платиновыми электродами на порядок нижепорогового напряжения. 45Эффект переключения в ванадиевофосфатных стеклах проявляется благодаря Фазбвому переходу полупроводник - металл в кристаллах оксида ванация, образукщегося вканале переключения в процессе...

Номер патента: 1026172

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Векслер, Заславский, Попов, Теплинский, Тиханов

МПК: H01C 17/00

Метки: переменного, шунта

...индуктивности, то небольшое увеличение этой индуктивности вызываетзаметное снижение верхней частотнойграницы применения границы шунта.Цель изобретения - расширение частотного диапазона шунта,Поставленная цель достигается тем,что в способе изготовления шунта пе ременного тока, включающем Формирова"60нив рисунка токоввдущих полос на реэистивной пластине, складывание резистивиой пластины пополам, введениеизолирующей прокладки между половинами рвзистивной пластины, последующее 65 склеивание с нвй половин резистивнойпластины и подгонку сопротивления кноминальному значению, одновременнос Формированием рисунка токоведущихполос на обеих половинах рвзистивнойпластины Формируют идвнтичныв звркайьно расположенные рвгулировочные,полосы и...

Номер патента: 1026173

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Врублевский, Жаворонков, Захаров, Николаева

МПК: H01C 17/00

Метки: высоковольтного, объемного, резистора

...цель достигается темчто в способе изготовления высоковольтного объемного резистора, вклю"чакщем приготовление сухой одйород 1 ной резистивной смеси перемешиваниемчастиц токопроводящего компонента наоснове графита и диэлектрическогозаполнителя, присоединение к диэлектрическому корпусу электрода, введениерезистивной смеси в диэлектрическийкорпус с последующим присоединениемвторого электрода к резистивной смеси, введение резистивной смеси в диэлектрический корпус осуществляютпослойно с последукщим послойным уп-,лотнением ее давлением 10 - 200 кПа, .а присоединение второго электродаосуществляют прн давлениипослойногоуплотнения резистивной смеси, причемдля приготовления резистивной смесииспользуют. частицы...

Номер патента: 1027781

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Подольский

МПК: H01C 17/00

Метки: крепления, основании, резистора, трубчатого

...размещенный внутри трубо т л и ч а ю щ е е с я тем, что стержень снабжен эластичными втулками, размещенными на концах полок-образного конца стержня. 2чатого резистора стержень, один конец которого выполнен с резьбой иразмещен в отверстии скобы, закрепленной на основании, скоба выполнена 0 -образной, при этом каждаяполка скобы выполнена разрезной сдвумя лепестками, один иэ которыхотогнут перпендикулярно наружнойповерхности полки, а другой лепесток размещен виутри трубчатого резисторапрИЧем отверстие в скобевыполнено в ее основании, а незакрепленный конец стержня выполненМ-образным.Стержень выполнен в виде плоскойпластины,Стержень снабжен эластичными втулками, размещенными на концах полокЧ.-образного конца стержня.на фиг. 1...

Номер патента: 1029239

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Ленных, Макордей, Чепельчук, Шапкина

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный, резисторов, толстопленочных

...технике и может быть использовано,например, в микроэлектронике приизготовлении толстопленочных элементов интегральных схем.Известен реэистивный материал 5для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтит никеля со структурой шпинели и переходный металл,выбранный иэ ряда, состоящего из ванадия, хрома и железа 1), 30Наиболее близким к изобретению нотехнической сущности является резистивный материал для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтитникеля со структурой шпинели и марга нец в качестве модифицирующей добавки 2),Недостаток известных резистивныхматериалов состоит в узком диапазонеудельного сопротивления.20Цель изобретения - расширениедиапазона удельного сопротивленияЦель достигается тем,что резичтивный материал,...

Номер патента: 1029240

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Ананьева, Гурова, Лобанов, Орлов

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

...элемента 21,.Недостатки известных терморезис.; тивных материалов состоят в низкой. 15 температурной стабильности и узком диапазоне рабочих температур,Цель изобретения - повышение температурной стабильности и расширен 20 ние диапазона рабочих температур,Цель достигается тем, что терморезистивный материал, содержащий диоксид церия и оксид редкоземельного элемента, содержит в качестве оксида редкоземельного элемента оксид празеодима при следующем количественном соотношении компонентов, вес.:Диоксидцерия 90-97 30 Оксидпразеодима 3-10Для получения термореэистивного материала готовят три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.: диоксида церия 97, 95, 90 и оксида празеодима 3,5,10.Каждую смесь получают следующим образом.Диоксид церия...

Номер патента: 1030863

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Белькович, Власенко, Врублевский, Гайдук, Жаворонков, Катков, Киселева, Манчук, Тушинская

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...тех: ническим решением является резистивный 15материал, содержащий пиролизованный торф," легированный алюминием, и силикатноесвязующее 2,Недостатки . известного реэистивногоматериала заключаются в низкой энергии 20рассеяния и высоком удельном. электрическом сопротивлении,Пель изобретения - увеличениеэнергиирассеяния и уменьшение удельного электрического сопротивления . 25Цель достигается тем, что резистивныйматериал, содержащий пиропизованный торфлегированный алюминием; и силикатноесвязующее, содержит указанные компонентыв спедуккцих количествах, вес. %: З 0Пиролизованный торф, легированный алюминием 14-61Силикатное связующее 39-86Сущность изобретения состоит в том,что с увеличением в составе реэистивного З 5материала...

Номер патента: 1030864

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Буренин, Мандрыгин, Фитасов

МПК: H01C 17/00

Метки: непроволочных, номинал, подгонки, резисторов

...переклкиатщв коммутатор, первый, второй 64 .2и третий входы которого соединены соответственно с выходами блока моделирования шага, блока памяти и блока контроля номинала, а выход - с блокомнарези подгоняемого резистора через блокусилителя мощности и блок злектропрвода, введен дополнительный блок памяти,вьциа которого соединен с четвертымвходом коммутатора, который снабженвторым двухполюсным переключателем,причем первые и вторые контакты, атвицке первый и второй общие контактыдвухполюсных переключателей соединенысоответственно с первым входом, выходом, вторым и четвертым входами коммутатора, при етом общие ксатакты двухполюсных контактных переключателейподключены к раэноименным контактамТакое, техническое решение позволяетсорвать...

Номер патента: 1034078

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Манылов, Шендрик

МПК: H01C 1/028

Метки: высоковольтный, резистор, сильноточный

...в корпусе с изолирующей жидкостью каркас, обмотку проводника и выводы Г 13Недостаток известного .резистора 10 состоит в низкой надежности.Наиболее близким к предлагаемому является сильноточный высоковольтный резистор, содержащий размещенные в корпусе с изолирующей жидкостью 15 Каркас с расположенной на нем обмоткой резистивного провода и выводы с концевыми заглушками 1 21.Недостаток такого резистора заключается в нйзкой надежности из-за 20 возникновения электроэрозии.Цель изобретения - исключение электроэрозии и повышение надежности.Указанная цель достигается тем, 1 то в сильноточном высоковольтном резисторе, содержащем размещенные в корпусе с изолирующей жидкостью каркас с расположенной на нем обмоткой резистивного провода и...

Номер патента: 1034079

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Гришаева, Майдукова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...Ю. ГерасичкиРедактор Н,безродная ТехредМ.Костик Корректор И. Ватрушкина акаэ 5634/54 Тираж 703 ВНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб, одписно 4/5 Фйлиал ППП "Патентф, г,ород, ул. Проект Изобретение относится к электрон-ной технике и может быть использовано в технологииизготовления терморезисторов для термочувствительных датчиков.Известен материал для тврчорезис-. 5 торов, содержащий оксид висмута и добавку оксидов цинка й марганца (1,Недостатки известного материала .для терморезисторов состоят .в низком начальном сопротивлении (,10" Ом/см, 10 невысоком коэффициенте термочувствительности (8200 0 К) и узком интервале рабочих температур (де 8000 С ).Наиболее близким к предлагаемому...

Номер патента: 1035646

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Власенко, Врублевский, Жаворонков, Катков, Маевский, Манчук, Семикин, Юдин

МПК: H01C 17/00

Метки: объемных, резисторов

...1000-1500 кгс/см, выдержку сухой смеси осуществля-.ют 30-60 мин при том же давлениипри одновременном ее водонасыщениии после распрессования резисторысушат до постоянного веса при 105110 С.Вода, поступающая снизу в смесь,поднимается по капиллярным порамсмеси вверх, вытесняя при этом пузырьки воздуха, оставшиеся в смесипосле установления давления. Приэтом в результате вытеснения объемавоздухаи одновременной гидратациицемента, т.е. перехода. частиц цемента иэ твердого состояния в коллоид"ное, происходит релаксация давленияи дополнительное уплотнение смеси.Объем продуктов твердения цементав 2-2,5 раэ превышает объем исходныхчастиц, что способствует снижениюпористости,Большая стабильность электрических и механических...

Номер патента: 1038970

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Чернявский, Шемякин

МПК: H01C 17/242

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, цилиндрических

...под" точках и дополнительный рез осуществгонки пропорциональна величине при" ляет в середине эоны разрыва паралращения сопротивления при испаре" лельно кромке резистора. нии одного точечного участка.реэис- . На фиг. 1 изображено взаимноеютивнои пленки,При нарезании спираль расположение резов; на фиг. 2 - .экси инои иэолируюшеи канавки одновре- , периментально полученные кривые заменннно с двух сторой градиент на" висимости приращения сопротивления4 Ср сопротивления в момежт при трех различных углах повороастания содЕокончания подгонки практически . тв окончания одной и начала другой вдвое превышает значение, соответст- половин спиралей относительно продоль вующее случаю одностороняего нареза- ной оси резистора; на фиг,3 -...

Номер патента: 1038971

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Коробов, Петренко, Рождественский

МПК: H01C 17/26

Метки: микросхем, пленочных, подгонки, резисторов

...устройства состоит в необходимости индивидуальной установкй игл-электродов на кон- тактные площадки.Наиболее близкой пЬ технической .сущности к изобретению является зондовая головка для установок контроля и измерения схем, содержащая эластичноепрозрачное основание с нанесен , ными на него пленочными измерительны ми контактами с микронаконечниками 2 .Недостатком указанного устройства является невозможность осуществле. ния подгонки сопротивления резисторов электролитическим способом непосредственно в процессе контроля.Цель изобретения " расширение функциональных возможностей контактного устройства путем группового выполнения операций подгонки и контроля, снижения трудозатрат при совме; щении устройства с микросхемой и тру доемкости...

Номер патента: 1042086

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Гареев, Кудренко, Леднева, Медведев, Снеговая

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: варисторов, материал, резистивный

...нелинейности достигается тем, что резистивный материал для варисторов, содержащий оксид цинка и добавки оксидов кобальта, висмута, сурьмы, марганца, в качестве оксида кобальта содержит смешанный оксид кобальта Со 04 и в качестве оксида сурьмы - 5 Ь,Ои дополнительно содержит диоксид олова п Ои оксид бора ВО при следующем соотношении компонентов, мол,:Смешаный оксидкобальта СоО 0,4-0,5Оксид висмутаВ 101Оксид сурьмы2,25-3,6Диоксид марганца МоОДиоксид олова5 п О 0,4-0,9Оксид бораВООксид цинка"пО ОсгальноеСогласно способу получения резистивного материала для варистороввключающему смешивание оксида цинкас добавками и термообработку, смешивание оксида цинка с добавками осуществляют введением в водный раствороксида цинка карбоната аммония...

Номер патента: 1042087

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Берлянд, Дорофеева, Жуков, Клевцов, Стаднийчук, Шляханова

МПК: H01C 17/00

Метки: жидкость, маятниковых, приборов, электропроводная

...близкой к изобретению является электропроводная жидкость для маятниковых приборов, содержащая метиловыйспирт хлористый литий, изовалериановую 15кислоту и трикрезол 2.Однако у известной электропроводнойжндкости низкая электропроводность(1 10 Ом см ) и невысокая электрохимическ ая стабильность. щ 0Бель изобретения - повышение электропроводности и электрохимической стабильности.Поставленная цель достигается тем, что электропроводная жидкость для маят- д 5 пиковых приборов, включающая метиловый спирт и добавку на основе соединения хлора с литием содержит в качестве добавки перхлорат лития при следукюцем ко- личественном соотношении компонентов, мас,1 И П 1 Зяк и7 1 37/52 Фппп:" П 11 П "Ьт. пт", г. Метиловый спирт93,5...

Номер патента: 1045279

Опубликовано: 30.09.1983

Автор: Илюшенко

МПК: H01C 3/02

Метки: варианты, высокоомный, его, непроволочный, резистор

...кольцом 7 изпроводящего материала, выполненным свозможностью перемещения и фиксации.Работа резистора в электрическойцепи не отличается от. известных, однакообласть рабочих частот существенношире (выводы 8 и 9 соединяются собщим выводом схемы),На эквивалентной схеме преалагаемого резистора (фиг 2 ) (болев точнаяэквивалентная схема увеличивает раопрвделенный характер индуктивного ирезистивного сопротивлений перфорированного цилиндра) приняты следующиеобозначения:- сопротивление резистора;- паразитная емкость резистора;Ср - распределенная емкость рвзистивного слоя 2 на полыйцилиндр 6;С, - емкость резистивного слоя 2на кольцо 7;- индуктивность полого цилиндра 611( - резистивное сопротивлениеполого цилиндра 6;1,811 - сопротивление...

Номер патента: 1045280

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Озолс, Скобленко, Смеркло

МПК: H01C 7/00

Метки: микросхемы, резистивной, тонкопленочной

...: точки зрения механических напряжечий резистлвная пленка, позво.пяющая подбором толщин и материаловслоев получать заданное значение ТКС,Однако лзвестный способ имеет ряднедостатков, упомянутая компенсациявозникающих механических напряженийНЕ ВСЕГДВ ВОСПРОИЗВОДИМа И ЗВВИСИТот технологических параметров Осаждения, - в результате ТКС отдельныхТПР может быть различным; усложненПрОцЕСС ОоаждЕНИя рЕЗИСтИВНьХ ПЛЕНОК,поскольку требует нанесения трехразнородчых материалов,Цель изобретения - уменьшение темПЕРВТУРНОГО КОЗОф гЦИЕНта СОПРОГИВЛЕния рс;исто 3 ОВ Глкрос:еиы,, К" З с .,Е Ь .,ОС. ЛпаЕтСЯ ТЕИ,ЧтО СОГ".1 С О 01 ОСОбу ИЗГОтВЛЕНИЯ рЕЗЛСТИ.сОЙ ОНКОПЛЕНОга 0 й МИКРОСХЕМЫ,влючаюцему последовательное чанесеие; а дизлВктричзс.ую п 3;ложурези сть...

Номер патента: 1045281

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Блинов, Валюнин, Егорова, Филатов

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...для е-о перемещения и фиксацииП )и этом ра)Оцл 1 коне,- д:О 1 Рик :ОВМЕЩРН С КОНЦОМ аМПУЛЫ Оаоочо 0 электрода.На ертеже представлено устрсйстнс для подгонки, сецение,Устройство содержит дьпулу 1 1)дбо це 1 о эгеТродд, заполнен- уо пооистым материалом , с капиллярной структурой /,нагример, поролон, во,Лок и т. ,1, пропитанным электролитом (например, Г:1)-ььй раствор борной ил нигной кислоты, деиоьизованная вода) наконечник 3 из пористого материала с капиллярной структурой и электрод 1. ВЫПОЛНЕ)1 Н 11 й ПОДВИЖНЫМ,. Е ДРЧНО) СЛУ чае пс при )ц пу винтового соеди неи я с Фиксируюшей гайкой 5, ,причем наконечник 3 и электрод ) погружень в порИстый материал 2, Наконечник 3 здключе- в ксжух 6 из твердого и прочного диэлектрического атериалд...

Номер патента: 1046776

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Бондаренко, Гараймович, Соколов, Ясинский

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, резистивный

...металлических нитей Ф и связующего 3.Композиционный резистивный материал изготавливают из монокристаллических нитей полупроводника 6 с р-типом проводимости (например кремния) и монокристаллических нитей металла (например Сг, И, М 1 и др.) с близкими удельными сопротивлениями (удельное сопротивление полупроводника должно быть близко к удельному сопротивлению металла) и температурными.коэффициентами сопротивления, одинаковыми по величине и разными по знаку.25 50 Нити полупроводника и металла берутв равных крличествах. Такое сочетание компонентов позволяет значительно снизить температурный коэффициент сопротивления резисторов.Технология изготовления композиций на основе монокристаллицескихнитей подобна технологии изготоеле"ния обычных...

Номер патента: 1046777

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Галанская, Семкин, Сотников

МПК: H01C 10/02

Метки: жидкостный, резистор

...с электролитом, размещенныее нем подвижный и неподвижный электроды, причем подвижный электрод соединенс приспособлением для его перемесценияГ 21Однако данный резистор не обеспечивает автоматическое изменение расслоениямежду электродами при изменении сопротивления резистора, как при измененииего при протекании тока, так и при изменении температуры окружающей среды.Это затрудняет использование такихрезисторов в ряде случаев, в частности 40для делителей напряжения в условияхбольших перепадов температур, напримерразмешенньа на открытом воздухе,Пель изобретения - повышение стабильности сопротивления от температуры, 45Поставленная цель достигается тем,что жидкостный резистор, содержащийдиэлектрический Корпус с электролитом,размещенные в...

Номер патента: 1046778

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Рыжаков, Цапулин

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионных, резисторов

...термоциклирование, подгонку, герметизацик и эпектротермотренировку, поспе герметизации резисторыохпан дают до температуры жидкого азота и эцектротермотренировку осуществпяютпутем нагрева резисторов пропусканиемпостоянного тока вепичиной в 5-10 разпревышающей номинапьную, Р течениевремени репаксации вепичины сопротивпэния резисторов.Использование эпектронагрева резистора при температуре жидкого азота позвопяет эффективно выявить резисторы сослабой адгезией (потенциально надежныерезисторы бракуются), так как происходит разрушение резистора, локальныеучастки со спабой адгезией выжигаются.Это прив одит к повышению стабипьностирезистора,Использование эпектронагрева резистора постоянным током обеспечиваетэффективное раскрытие и развитие...

Номер патента: 1048523

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Березина, Иванов, Олеск, Павлоцкий, Троицкая, Ульянова, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...комитета СССРй и открытийушская наб., д, 4/5 филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится.к электрон иой технике и может быть использовано в технологии изготовления постоянных и переменных резисторов и интегральных микросхем. ъИзвестен резистивный материал, со держащий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло 13.Недостаток известного резистивного материала состоит в высоком температурном коэФФициенте сопротивле ния.Наиболее близким к изобретению является реэистивный материал, содержащий диоксид рутения и свинцовобо-, росиликатное стекло 2(, 15Однако у известного, реэистивного материала высокий температурный коэффициент сопротивления.Цель изобретенияуменьшение температурного коэффициента сопротивления.Цель...

Номер патента: 1048524

Опубликовано: 15.10.1983

Автор: Чернявский

МПК: H01C 17/242

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...блок электроприво"да перемещения поверхности резистора:относительно луча лазера, контактныезажимы, соединенные с первым и вторым входами блока контроля сопротивления, введены последовательно соединенные триггер, формирователь импульса задержки, элемент 2 И, а такжеэлемент 2 И-НЕ, причем вход триггераи первый вход элемента 2 И-НЕ соединены с выходом блока контроля сопротивления, выход Формйрователя импульса задержки соединен с вторым входомэлемента 2 И-НЕ, второй вход элемента 10 2 И соединен с выходом элемента 2 И-НЕ,при этом выход триггера соединен спервым входом блока электропривода итретьим входом блока контроля сопротивления., а выход элемента 2 И - свходом блока лазера и вторым входомблока электропривода перемещения. 20 На...