H01C — Резисторы

Номер патента: 873285

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Нефедов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистивных, тороидальных, элементов

...оправки 4, На концах подвижных рычагов 6 установлены на осяхдополнительные 11 и обжимные 12 ролики. На торцах обеих частей оправкии на неподвижном буртике 14 выполнены направляющие фаски 13, В корпусе3 выбран цилиндрический паэ 15.На каретке 5 закреплен нижний пуансон1 б, а в кронштейне 8 установлен под. -вижный пуансон 17. Все движения исполнительным механизмом передаются черезсистему рычагов от кулачкового вала не 5показано.,Устройство для изготовления тороидальных резистивных элементов работаетследующим образом,Резистивная проволока 18 подается механизмом 1 подачи в механизм гиб- .ки до упора между оправкой 4 и 9 иобжимными роликами 12, нож 2 отрезаетчасть проволоки. При перемещениивверх каретки 5 происходит свертыва 35ние...

Номер патента: 879657

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Левкин, Макевнина, Проценко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...вес,йтПалладий 17,87-18,61Серебро 42;33-44,06Окись серебра 14,27-18,85Окись индия 7,06-7, 34Окись висмута 1,77-1,84Стеклосвязка 14,70-13,30.Для получения реэистивного материала были приготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.йтЗаказ 9731/23 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная 4 Каждую смесь приготовляли путемнеремешивания указанных компонентов,усреднения пятикратным просевом через капроновое сито с ячейками 65 мкмдобавления органической связки1,22 вес.Ж от веса порошковой композиции), состоящей из ланолина, вазелинового масла и циклогексанола, взятых в отношении 15:3:1, и...

Номер патента: 879658

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Капитонов, Коконбаев, Петров, Ташкулов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...количественном содержании компонентов, мас.ХМетилцеллюлоза 4,0-12,0 Хлорпреновый каучук 1,0-3,0.Диспергатор 0,1-1,0 Прокаленная тонкодисперсная сажа 3,0-5,0Вода Остальное Ниже приведены.конкретные примеры приготовления резистивных материалов предлагаемого состава с различным содержанием исходных компонентов с минимальным, средним и максимальным содержанием исходных компонентов.Приготавливали раствор метилцеллюлозы в воде, который после фильтрачастями вводили тонкодисперсную прокаленную сажу при работающей мешалке и перемешивали до достижения однородной массы.Полученную массу наносили на предварительно подготовленные керамические стержни (заготовки) соответствующих резисторам типа КЭВ для изучения электКоличество компонентов, .мас.%...

Номер патента: 879659

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Васильчук, Лускалова

МПК: H01C 10/46

Метки: магазин, малых, переменного, проводимостей

...недокомпенсацию реактивной составляющей резисторов для набора проводимостей более 10 ф См либо перекомпенсацию проводимостей менее 1 0 См.Так как значительное увеличение ,частотной погрешности обуславливает,ся емкостъю между контактами переклю, чателя 2 и 10, то для уменьшения проходнойемкости и, соответственно, частотной погрешности между подвижным 2 и неподвижным 10 контактами переключателя (Фиг, 1, 3) вводится комбинированный экран 11 и 15, соединенный электрически с корпусом 3, Комбинированный экран состоит из неподвижной 11 и подвижной 15 металлических экранов- шторок с системой отверстий 17, 18 в них. На основании толкателя подвижного контакта 21 укреплен клиновидный упор 16 подвижной шторки.В выключенном состоянии контакты 2, 10...

Номер патента: 881881

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Беляев, Петров, Семехина

МПК: H01C 3/02

Метки: низкоомный, резистор, четырехзажимный

...1, что приводит к изменению величины взаимной индуктивности М между токоподводом 1 основного резистора и плоским резистором 5, т.е, к уменьшению реактивнойсоставляющей всего резистора в целом.Рассмотрение эквивалентной схемы резистора (фиг. 2) показывает, что можно пренебречь емкостной связью между бифилярными плоскостями активной части основного резистора 2, между плоским резистором 5 и токоподводами 1. Размещение плоского резистора 5 на плоскости токоподводов 1 и включение его параллельно активной части 2 1881 4основного резистора приводит к следующему изменению параметров основного ререзистора: й где В, я - активное сопротивлениеи собственная индуктивность четырехзажимногонизкоомного резистора,снабженного плоским резистором...

Номер патента: 883983

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Зырянов, Орлов

МПК: H01C 17/00

Метки: маркировки, радиодеталей

...радиодеталей, содержащем маркировочный диск и пластинчатые ножи для снятия излишков краскис поверхности маркировочного диска, ножи подпружинены, установлены под острым углом к торцевым поверхностяммаркировочного диска и прелегают к ннмсвоими рабочими гранями, причем рабочие грани ножей выступают эа щщиндрическую поверхность маркировочного диска, образуя щель для прохода краски,На фнг. 1 изображено устройство,общий вид; на фиг. 2 - то же, в разреэееУстройство содержит основание 1, накотором закреплена ванна 2 с маркнровочиой краской. В ванне 2 расположенмаркировочный диск 3, закрепленный навалике 4, установленном в корпусе ванны 2, На конце валика закреплено зубчатое колесо 8, К корпусу ванны 2 закреплен кронштейн 6, на котором...

Номер патента: 886063

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Важенцев, Вачьян

МПК: H01C 1/00

Метки: ограничитель, поворота, потенциометрического, устройства

...чертеже представлен ограничитель ново.рота потенциометрического устройства, кинематическая схема.886063 ВНИИПИ Заказ 10567/81 Тираж 787 Подписное Филиал ППП "Па т", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Ограничитель поворота содержит валик 1, два закрепленных на валике поводка 2 и 3, кулачковые шайбы 4 и 5, упоры 6 и 7, пру. живу 8 возврата, потенциометры 9:и 10, ручку 11.Ограничитель поворота работает следующим образом.Прн вращении ручки 11 по часовой стрелке выступ поводка 3 увлекает за собой кулач. ковую шайбу 5, которая поворачивает под. вижный контакт потенциометра 9 до упора 7,и заводит пружину 8. Выступ упора б удер щцвает шайбу 5 от поворота.Если ручку 11 отпустить, пружина 8 повернет шайбу 5 в первоначальное положение,При...

Номер патента: 886064

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Климанова, Кошкина, Просвирнина, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...Для получения реэистнвнои композиции го товят три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: сажу 12,0.; 15,0; 22,0; графит 0,1; 4,1; 7,0, слюду молотую 9,0; 5,0;0,1, дибутилфталат 15,0; 26,0; 30,9, крезольноформальдегидную смолу 63,9; 49,9; 40,0.Каждую смесь готовят следующим образом,В приготовленную смесь сажи, графита и слюды молотой добавляют этиловый спирт, тщательно перемешиваютсмесь в течение, 2- 3 ч на быстроходных смесителях, фильтруют и подвергают диспергированню на валковой краскотерке с добавлением дибутилфталата,Характеристики полученных резистнвныхпаст и резисторов на нх основе представленыв табл. 1 и 2 соответственно.Коэффициент Коэффициент термоувлажнения старения эа 1000 ч, за 100 ч, %-3,1 + 7 200 - ....

Номер патента: 886065

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Климанова, Кошкина, Просвирнина, Рублевская, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...количественном соотношениикомпонентов, вес.%:Сажа 3 - 25Трафит . 0,1 - 22Слюда молотая. 0,1 - 10Бензиловый Для получения резистивной пасты готовяттри смеси компонентов, содержащие каждая, 1вес.%: сажа 3; 15; 25, графит 0,1; 12; 22, слюда молотая 10; 5; 0,1, бензиловый спирт 6,9; 15; 22,9 и полнфениленоксифениленме.тилен 80; 53; 30. 20 Каждую смесь готовят следующим образом. Сажу, графит, слюду молотую и полифе. ниленоксифениленметилен тщательно перемешивают 2 - 4 ч на быстроходных смесителях,по% % Уров ен шумов вращения) мВ+1,3 + +3,1 123,6 2,8 3,1 0,1 - 10 6,9 - 22,9Остальное. Слюда молотаяБензиловый спиртПолимерное .связующее 45 ВНИИПИ Заказ 10567/81 Тираж 787 Подписное Филиал 11 ПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4...

Номер патента: 886066

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Асламазова, Виноградова, Грибова, Елисеева, Климанова, Коршак, Кошкина, Морозов, Морозова, Просвирнина, Терешкова

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...получения резистивной пасты готовят девять смесей компонентов, содержащие каждая, вес,%: сажа 5,0; 25,0; 35,0, графит 0,1;5,0; 10,0, слюда молотая 8,0; 4,0; 0,1, полифениленоксифениленметилен 81,9; 63,5;53,9 и отличающиеся друг от друга содержавием полифосфината металла, введенного в смесь последовательно, вес.%: полидигептил.886066 Таблица 1 Смесь Вязкость, Сопротивление, Ом Выход изделийс в номинал,-122+170 9 2800 152 фосфинат цинка 5,0; 2,5; 1,0 полидифенилфосфинат марганца 5,0; 2,5; 1,0, польщифенилфосфинат хрома 5,0; 2,5; 1,0,Каждую смесь готовят следующим образом,Готовят смесь сажи, графита, слюды.молотойполифосфинатов указанных металлов иполифениленоксифениленметилена, тщательноперемешивают ее 2-4 ч на быстроходных...

Номер патента: 886067

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Барелко, Бокова, Жуков

МПК: H01C 17/00

Метки: стабилизации, цепях, электрических

...тепловой нагрузки, соответствующее выбраннойжидкости,В указанных условиях на поверхности проволочного сопротивления образуются две эоныкипения, различающиеся температурным режимом: на части проволочного сопротивления,на которой кипение происходит в пузырьковом режиме, установится температура, близкая к температуре кипения жидкости, надругой части, где кипение идет в пленочномрежиме, температура будет значительно выше,Если напряжение питания постоянно, то возникшее температурно-неоднородное состояниепроволочного сопротивления будет стационарно и устойчиво. При увеличении напряжениявысокотемпературная зона начнет волной вытеснять низкотемпературную, и этот процессбудет длиться до тех пор, пока возрастающеесопротивление проволоки не...

Номер патента: 886068

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Демьяненко, Сердюков, Шумейко

МПК: H01C 17/30

Метки: резисторов, термической, тонкопленочных

...метрологических параметров резисторов и резисторных схем из металлосилицидных сплавов. Ограничение объема воздухас удельной нормой не более 0,02 см/смповерхности обрабатываемых слоев при термической обработке приводит к достаточномууменьшению окисления контактных площадок.Степень окисления контактных площадок темменьше, чем меньше воздуха остается в приспособлении. ПриФэтом обычно сохраняется адсорбированный на обрабатываемой поверхностирезистивной пленки кислород, необходимый и, достаточный для окисления резистивной пленки и стабилизации метрологических парамет.ров резисторных схем,Определение оптимального режима термической обработки в ограниченном объеме воздуха, проведенное симплексным методом,представлено в табл. 1....

Номер патента: 888218

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Джариашвили, Члаидзе

МПК: H01C 10/10

Метки: переключатель

...соединен с одним из полюсов источника тока, а каждый из резисторов - с нагрузкой.На фиг. 1 схематично показан предлагаемый переключатель, общий видна фиг. 2 - то же, вид сверху.Переключатель содержит корпус 1со сферической полостью, в которойдиаметрально расположены четыре резистора 2, 3, 4, 5, соединенные снагрузками 6, 7, 8, 9, рукоятку 10с переключающим элементом 11 в видеподпружиненного усеченного шара сконтактом в виде кольца 12, котороесоединено с одним из полюсов источника тока 13,Устройство работает следующим образом.В нейтральном положении рукоятка 10 находится в вертикальном положе 88821нии, а кольцо 12 расположено нижерезисторов 2, 3, 4, 5, при этом цепьразомкнута,При отклонении рукоятки 10, напри"мер, влево...

Номер патента: 890449

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Абдурахманов, Магрупов, Хамраев, Юсупов

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...С для удаления адсорбированных газов, влаги иувеличения реакционной способности,развития микропористости частиц, загемматериал обрабатывают 101-ным раствором сополимера акрилонитрила с метилакрилатом и итаконовой кислотой в диметилформалиде. После удаления из полученной системы растворителя при 120180 С с последующей термообработкой.м10 - 10 0,08-0,06 60 Как видно из таблицы, использование каолина или двуокиси титана, частицы которого покрыты пленкой из термообработанного сополимера, дает воз. можность получить разистивную композицию, обладающую сопротивлением в9широком диапазоне 10-10 Ом. при следующем количественном соотношении компонентов, вес,3:36 Наполнитель 28,0-35,0Сополимер акрилонитрила с метилакрилатом и итаконовой кислотой...

Номер патента: 890450

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гладышевский, Карымов, Левин, Луцив, Минеев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...исходных составгяющих (Та 5 Мо 5Т 5 ),взятые в необходимых пропорциях,подвергаот мокрому смешиванию в средеэтилового спирта (200 мл на 1 кг по 1 врошка) в течение 6 ч, Затем полученную смесь сушат в термошкафу при60-80 С и подвергают просеиваниючерез сито с сеткой У 0063 для разрушения конгломератов, 15Готовую смесь прессуют под давлением 3 т/и с помощью гидравлическо 2го пресса Пв брикеты ф 20 мм иподвергают высокотемпературой вакуумной обработке в вакуумной печи 26СГН 2,3/15-,2 при остаточном .давлении3-7 10 Па и температуре 1300-1400Спеченные брикеты извлекают из вакуумной печи, пробят в механическойступке СМВЛ и отбирают пробу для рентгеновского фазового анализа, которыйпроводят на дифрактомере ДРОН. Затем на рольганговой мельнице с...

Номер патента: 890451

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гудков, Прокофьева

МПК: H01C 7/12

Метки: резистор

...основание, на котором расположен реэистивный элемент, два колпачка с выводами, закрепленные на торцовой поверхности основания, и изоляционное покрытие, полость между торцовой поверхностью диэлектрического основания и колпачком в месте размещения вывода эапрофенолом, образуоцимлратуре ниже температурния резистора.На чертеже схематичрезистор, общий вид, .р20Резистор содержит дкое основание 1, на коложены реэистивный элепачка 3 с выводамипокрытие 5, при этом и890451 ристик. Составитель Ю, Герасичкидактор М, Дылын Техред Т. Маточка орректор А. Ференц Тираж 787осударственного коми ам изобретений и отк сква, Ж, РаушскаяП "Патент",г, Ужгород, ул. Проектная,илиал диэлектрическим основанием 1 и колпачком 3 в месте размещения...

Номер патента: 890452

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Бутерус

МПК: H01C 10/24

Метки: многооборотный, потенциометр

...цилиндрический каркас 1, вы 5полненный из электроизоляционного материала, намотана калиброванная проволока 2, один виток которой огибаеттокосъемный контакт 3, выполненныйв виде подпружиненного стержня, рас- оположенного параллельно оси вращениякаркаса 4. Токосьемный контакт 3 жест.ко закреплен на раме 5, снабженнойшарнирами 6. Рама подпружинена упругим элементом 7. Калиброванная проволока 2 закреплена одним концом наизоляционном каркасе 1, а другим концбм - на металлическом подпятнике 8так, что один виток огибает токосъемный контакт 3. К раме 5 и подпятнику8 подсоединены токоподводящие провода 9 взращение каркаса осуществляетсяруцкой 10. На оси каркаса 1 установлена шкала 11,Многооборотный потенциометр работает следующим...

Номер патента: 890453

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Молодцов, Пасичный

МПК: H01C 17/00

Метки: конденсаторов, подгонки, тонкопленочных

...положительной полуволны напряжения достигает пробивного значения Опг (фиг. 2) для подгоняемого конденсатора 8, последний пробивается, напряжение на нем падает до нуля и переходит на резистор 6, так как величина его сопротивления много больше величины сопротивления пробитого подгоняемого конденсатора 8. В этом случае резистор 6 играет роль ограничителя тока через подгоняемый конденсатор 8. При отрицательной полуволне напряжения диод 2 заперт, диод 3 открыт, а через резистор 4 напряжение от источника переменного напряжения 1 подается на резистор нагрузки 10, Цепочка резисторов 4 и 10 образует делитель напряжения, причем величина сопротивления резистора 4 (1-5 кОм) ,больше величины сопротивления резистора 10 (10- 100 Ом), поэтому при...

Номер патента: 892482

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Тамбовцева, Чиркин

МПК: H01C 10/30

Метки: потенциометр

...лля слу2482Использование изобретения позволитнезависимо от сроков хранения потенциометров повысить их надежность,так как оно обеспечивает удаление сконтактной, дорожки окислов и продуктов загрязнения, образовавшихся впроцессе длительного хранения и приводящих к резким колебаниям снимаемого.с потенциометра сигнала, умень- О шающим точность отработки системуправления.Испытания показали достаточную эФфективность предлагаемого изобретения.Формула изобретения Пластины 1 О и 11 должны быть изолированы от пружины с основным контай 20 . том в случае, если необходимо, чтобы дополнительные контакты не влияли на величину снимаемого основным контактом сигнала,Б процессе работы потенциометра ось4 вращает пружину 6 с контактами 7-9, которые...

Номер патента: 892483

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Богатырев, Жакевич, Игнатьев, Фитасов

МПК: H01C 17/00

Метки: контактных, преимущественно, резисторов, снятия, узлов

...зону механизма снятия контактныхузлов.40Во время перемещения резистора 22с позиции, предшествующей позицииснятия контактного узла, зксцентри-.ковые ролики 7 и 9 расположены такимобразом, что между роликами 6 7 и8, 9 образуются зазоры для, прохода43 ф выводов резистора. Во время остановкидиска 2 происходит прижим выводов роликами 7 и 9 к роликам 6 и 8 и сво 3, 4бодное снятие контактных узлов за счет расширения нагретых колпачков, которые после их снятия при образовании зазора между роликами 6, 7 и 8, 9 падают на лотки 19 и 20, по которым скаты ваются в ящик 21.При снятии контактных узлов метал- лизированное основание удерживается на месте с помощью прижимного ролика 5, После этого производится поворот транспортирующего диска 2 на шаг....

Номер патента: 894800

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Бабенко, Бригинец, Заяц, Ильин, Литвишко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, токопроводящий

...марки С - 1 с размером частиц4:6 мкм диспергируют на воздухоструйных мельницах с плоской помольной камерой МВСП - 25894800 т- Минимальное содер.жанне связующего и раство- рителя 1Максимальное содержание свя. эующего и раство. ритедя Минимальное содержаниеграфита Состав, У 29 14 17 17 14 50 37 50 37 28 20 27 27 20 30 20 20 60 14 20 25 25 14 34 18 37 37 18 18 17 30 60 20 20 60 20 14 25 25 34 18 37 37 18 18 17 18 15 60 30 15 60 Перхлорвиниловаясмола 14 30 20 30 38 16 16 Циклогексанон Тетралин12 10 15 10 при давлении воздуха 8 атм., расходе его7 м/ч и подаче графита 10 - 20 кг/ч. Графитподвергают 3 кратному размолу до получениясреднего размера частиц 1-3 мкм. После перемешивания порошка графита с...

Номер патента: 894801

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...10,5Хром 14-17Ванадий 5 - 7Титан 2 - 3Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материалаготовят три смеси компонентов, содержащиекаждая (вес.%) кремния 37,5;39,1 и 40,5;0железа 11; 12,2 и 13, алюминия 8,5; 9,5и 10,5; хрома 14; 15,4; и 17, ванадия 5;6,2 и 7, титана 2, 2,6 и 3 и вольфрама -остальное,Каждая смесь компонентов в виде гранулзагружается в кварцевый тигель, который помещается в открытый высокочастотный индуктор, и подготовленная шихта плавится в течение 85 мин, Полученные слитки измельчаютна щековой дробилке и механической ступкедо порошка с размером зерна менее 125 мкм,Порошок испаряется в вакууме с вольфрамового испарителя в течение 30 сек, кондея.сируется на поверхности подложек, которые89480 следующем соотношении...

Номер патента: 894802

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Аникин, Ведь, Григорьев, Гусев, Симбирский

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...(вес.ч) порошка платиньпорошка палладия 7,5; 20 и 25,кремния 25, 15 и 7,5, окиси ал5,5 и 3, окиси бора 5; 1,5 и 1рия 5; 1,5 и 1,5, окиси кальции органического связующего -Наиболеявляется репорошокалюминия, о иэким тех еским решением истивнь иал, содержащиикремиия, окисьь бария, окисьэующее 21. те платины, двуокись кись бора, оки иальцня и Недо ста органическое свяок реэистивног ериала состо фициенте соЦель иэобого коэфф тивления тения . - снижеента сопротивле е темп относительно высоком температурном коэф 7,5 - 257,5 - 257,5 - 253 - 101,5 - 51,5 - 51,5 - 530 - 40материала прв, содержащее75;20 и 25двуокиси .юминия 10;Каждую смесь получают перемешнваниемкомпонентов и наносят на подложку методомконтактной печати с последующей...

Номер патента: 894803

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...с ГОСТ 7113 - 77 имеют аВ:а) в области положител+ 1200 10 6 К .Недостатком известногонизкий выход годных издвенной адгезии металлизирорамической подложке, вслеверхности керамики на техн оявляются царзпины, риски ль изобретения - повышениЗаказ 11501/83 Тираж 787 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Ванадий 4,5-7,5Титан 2,5-3,5Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материала го. товят шихту иэ компонентов следующего состава, %:Кремний 54Хром 12,8Алюминий 9,7Вольфрам 14,9Ванадий 5,8Титан 2,8Плавка проводится в открытом индукторе высокочастотной установки в кварцевом тигле. Полученный слиток...

Номер патента: 894804

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Астров, Горькова, Карпеченков, Слушков, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...2 30Хром ОстальноеВведение в известный реэистивный материал двуокиси марганца позволяет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств во времени при температуре окружающей среды до + 200 С.894804 Таблица 1 Окись марганца Мп 01 КремнийСмеси Хром ВольфрамСг В 12 15 10 63 94 30 10 45 10 83 Таблица 2 Сплав Удельное сопротивление, Ом/г 1 ТКС, 101/ С 5 - 5000,8 - 150 50 - 5000 150 - -100 300 -- 15 150 - -150 0)8 - 250 150 -- 50 ВНИИПИ Заказ 1150 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Кроме того, введение МОО, способствует стеклообразованию, что позволяет получать более прочные мишени для ионно-плазменного юпы пения,В...

Номер патента: 894805

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Айвазова, Холодарь

МПК: H01C 7/04

Метки: позистор

...кубической модификации,легированного кислородом.На фиг, 1 представлен позистор, общийвид; на фиг. 2 - график температурной зависимости его удельного сопротивления.5Позистор состоит из чувствительного элемента 1, к которому подсоединены омическиеконтакты 2, и который заключен в корпус 3,Позистор работает следующим образом,Прн включении в цепь с напряжением3 - 5 В, через поэистор протекает ток 1 - 10 мА,При повышении температуры до 500 - 1200 Кпри том же напряжении в цепи ток падает,так как сопротивление чувствительного элемен та в этом интервале температур увеличивается в 10-15 раз. Увеличение сопротивления карбида кремния, легированного во время роста кислородом, вызывается собственными дефек. тами решетки, которые действуют как...

Номер патента: 894806

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Лысенко

МПК: H01C 10/14

Метки: переменный, резистор

...из изоляционного материала, Крышка.регулятор 2 имеет боковую цилиндрическуюстенку 3 н неподвижно закрепленный в центрекрышки-регулятора вал 4, расположенный стой же стороны, что и боковая стенка. Навнешней стороне боковой цилиндрической стен.ки имеются две токопроводящие дорожки 5и 6, На валу жестко закреплен своим внутренним концом резистивный спиралевидныйэлемент 7, выполненный в виде упругой ленты,внешний конец которой неподвижно закреплен б 4на внутренней стороне цилиндрической стенки 3, В корпусе 1 выполнена спиралевидная канавка 8, повторяющая форму спиралевидного элемента 7, имеющая в центре полость 9, равную радиусу скрученного спиралевидного элемента 7, В полости 9 имеется отверстие 10 для уста ковки вала 4. Вокруг...

Номер патента: 894807

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Кацман

МПК: H01C 10/34

Метки: потенциометр

...и выходной клемНа фиг. 1 и потенциометра; на фиг. 2 потенциометр, разрез; на фи вид сверху со снятой крышк В корпусе 1 на изолирую закреплен кольцевой резистив с которым контактирует подл косъемник 4, установленный шатуна 5, шарнирно эакрепл894807рии шайбы 6, жестко сочлененной с выходнымвалом 7,Второй конец шатуна 5 шарнирно соединенсо стержнем 8, установленным в направляющихпоступательных перемещений 9. 5Шатун 5 и стержень 8 выполнены иэ элект.ропроводящего материала н соединены"междусобой и с выходной клеммой 10 гибкими то.копроводами 11. Реэистивный элемент 3 соединен с клеммами 12 и 13. 1 ОПотенциометр работает следующим образом.,При повороте выходного вала 7 шайба 6приводит во вращение токосъемник 4, закрепленный на шатуне 5,...

Номер патента: 894808

Опубликовано: 30.12.1981

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/00

Метки: микросхем, подгонки

...работает следующим образом,В исходном положении контакты реле 11разомкнуты, на блок 9 регистрации и управления подано напряжение питания,При подаче напряжения питания на подгоняемую микросхему на ее выходах 4 и 5 воз. Для более полного объяснения работы устройства рассмотрим пример реализации устрой. ства для балансировки нуля дифференциального усилителя в интегральном исполнении согласнофиг. 2,Для балансировки нуля вход микросхемызамыкается накоротко, При этом на выходныхклеммах 4 и 5 появляется напряжение первич. воды, подгоняемый резистор 6, электролит 7 никает напряжение под действием которогобеж 9 регистрации и управления включаетреле 10, и контакты 11 замыкают цепь като.да 8, по которой начинает протекать ток...

Номер патента: 898517

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Пушкина, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов

...параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влаж. ности (98%) не более й 1% и ТКС не более 100 101/С.П р и м е р. Порощкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по мешают в корундовый тигель и проводят син.8517 4нической связкой, наносят на подложки изкерамики "22 ХС" и вжигают в конвейернойпечи при 800 - 850 С, Приготовляют четыре со.става предлагаемого материала для резисторов.Соотношения исходных компонентов материалаи электрофизические характеристики получен.ных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ С 10 6 Стабиль. при 25-125 С ность, %+2,8 Известный 24 71 5 в 5 Из таблицы следует, что...