Патенты с меткой «высокоомный»

Номер патента: 28553

Опубликовано: 31.12.1932

Авторы: Архангельский, Улитовский

МПК: H01B 7/42

Метки: высокоомный, проводник, электрический

Номер патента: 103616

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Городовский

МПК: G01R 17/20

Метки: высокоомный, низкоомный, постоянного, потенциометр, пятидекадный

...декад 1, 11, 111 и 1 Ъ с симметричным разветвлением тока в рабочей цепи (в десятичном отношении), т. е. 11= -- :== 101, - . - . 1001,-, и 1., = 101 . 1001Прп этом токи в симметричных параллельных ветвях должны быть со. ответственно равными:12 1 е 14 15Компенсационное напряжение С 1,.: 10 П; -4- П, + 0,1 Пе + 0,01 П + + 0,001 П-, (ой) = 1,г,П, + 1,г,П 1 + +1.,г,П, + г, 1,П, - 1-,г-,П-,(пг 1), где ПП П., Пи П., - число включенных ступеней сопротивления соответствующих измерительных декад,Для сохранения постоянства рабочего тока 1 на первых четырех декадах предусмотрены замещающие сопротивления со ступенями г г г; и г,. Для. пятой декады используются ступени четвертой декады.Кроме того, для первых двух декад предусмотрены...

Номер патента: 104555

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Маслов, Махонин

МПК: G01R 17/00, G01R 19/18

Метки: вольтметр, высокоомный

...А. Маслов и Г, М. ЧахоннВЫСОКООМНЫЙ ВДЬТМЕТР т 1 И";)Ое (О 1 Р;этяпя"э Г, )о .О т 9 Я -.За)О .Чстоост"О э:(ектрО. Ск(носко итомыг(с)(осте (,(.(,П Р Р Л .;( Р т и О.;т Р т Р и и Я 11 ээор)СТО(,с Отпосигс;т к иясок Оииисмвольтметрам тля э)ерсния цир)циЦ)СТОЯИИОГО то(й, В К(ОТОт); Ц(тент)От.)МСр)тсльньи и)100 р полк;1 Очси к .ыкт )Т( иО)." ( ы 1 и 0 с т ( ; О и л Р . с ( т 1 и и,) ( (ЬС С и (. ), Ил ИОТО, ык лй ИР- ,1(,.: - С:1(йИЛ. 1 1 а 1 Р "Т(. Лц Ь(тРикй в Пх ПРимсит.ц ойГОРИ,.л с Л(электрической рониц)смет,О, )йгисяцсй О(1(ЯИОЯКРПНОСГИ РИ:(О(СИОГ,) Э СКТ)птРСК(:О ПОЛЯ.Мост питается Ртйоп (изировнньм и Я К(.)ЕМ) 1 сСМ(ИЦ(ГО) ТОта.и Т,т.)Ттй питания нет, мст сот)лй)ь цроОйи. Прц цолйче нй вкт в);,)м(т. в,ИОГисиил(. и ви:;( Т О йзи)г(...

Номер патента: 177075

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Бокшицкий, Елютин, Рогова, Сорокин, Центральный

МПК: C22C 19/03, H01C 7/06

Метки: высокоомный, сплав

...И, П. Бардина В ООМНЫЙ СПЛАВ ава позволили гал с удельным 25 - 40лс ки (старения) лавов стабилен 1/град. ия 0 й никель и с целью повойств, он ав (в %): В вьпиме5 НикельМарганецВанадий 42 - 50 40 - 46 4 - 18 1 одписная группа161 Для изготовления применяемых в радиоэлектронике, автоматике и измерительнои технике постоянных и переменных электросопротивлений, образцовых сопротивлений и тензодатчиков используют сплавы, обладающие повышенным удельным электросопротивлением и малым температурным коэффициентом сопротивления в интервале температур 20 в 1 С (константан, мапганин, нихром и др,), Однако известные сплавы на металлической основе, в том числе сплавы никеля и марганца, имеют удельное электрическое соОлс лслс 2 противление, не...

Номер патента: 326643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомный, материал, резистивный

...ль достигается п олиителя мелкодис (аэросил), иолучае 1 редм зоб ения 1, Высокоомиь резистивиьдержащий сажу, смолу и миис 0 цитель, ог,тичатощтся тем, чт и материал, со рдльцый цаполо, с целью полуИзобретение относится к р;диоэсеЕ(троп и КЕ, Е ИМЕИИО К ИРОИ 3 ВОДСТВУ ИСИРОВОЛОЧПЬХ резисторов,При известных способах производства высокоомцых непроволочцых резисторов ца основе лакосажевых композиций сажа вводится непосредственно в связуЕощу о основу, поэтому предельная величица сопротивления огрдцичивается мииимальцым объемом сажи, при котором сохрдияется однородность и воспроизводимость свойств композиций. С целью дальнейшего повышсция сопротивления сажу Вводят в связующую основу в виде предварительно измельченной композиции с лаком и...

Номер патента: 359703

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бадинтер, Зеликовский, Зотов, Кейсер, Кишиневский, Нестеровский

МПК: H01C 1/02, H01C 10/46

Метки: высокоомный, резистор, секционированный

...одной из секций в процессе изготовления или эксплуатации приводит к выходу из строя всего резистора, так как заменить поврежденную секцию 1 нельзя.Цель изобретения - упрощение изготовления и эксплуатации резистора. Это достигается тем, что каркас предлагаемого резистора выполнен из отдельных секций, соединяемых 1 одна с другой. Плоскости соединения металлизированы проводящей металлической пленкой, составляющей одно целое с близлежащими металлизированными площадками для заделки контактного узла. 2Каждая секция каркаса может иметь с одной стороны выступ, а с другой соответствующую ему по профилю впадину.Резистор снабжен пружинными шайбами, соединяющими секции каркаса в одно целое. 2На фиг. 1 показаны секции предложенного резистора; на...

Номер патента: 396725

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Волков, Прасол, Шепелев

МПК: H01C 1/02

Метки: высокоомный, резистор

...езинем тизского матеальсифер и енныи в виде ного на каремента с выто, с целью ости модуля работе рези- повышенных ен из магниИзобретение относится к области электронной техники и может найти широкое применение в радиоэлектронных устройствах, в частности в аналоговых вычислительных машинах, и в измерительной технике.Известныс конструкции проволочных р сторов содержат корпус и размещенный в намотанный на каркас проволочный резис ный элемент с выводами.Целью изобретения является уменьшение частотной погрешности модуля комплексного сопротивления при работе резистора в цепях псременного тока повышенных частот.Указанная цель достигается тем, что каркас резистора выполнен из магнитоэлектричсского материала. Такое выполнение...

Номер патента: 381104

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01C 3/00

Метки: безреактивный, высокоомный, резистор

...собой общей обоймой.Конструкция, предлагаемого резистора представлена на чертеже.Безреактивный высокоомный резистор представляет собой цилиндрический резистивный элемент 1 с аксиальными выводамп, помещенный в цилиндрический корпус 2. В корпусе 2 на некотором расстоянии дртг от друга укреплены две ирисовые диафрагмы 3, соединенные между собой общей обоймой (не указанной на чертеже), позволяющей производить син= хронное раскрытие диафрагм. В растворе диафрагм помещен свернутый в цилиндр со спиральной направляющей лист упругой металлической фольги - экран 4, который электрически соединен с корпусом и диафрагмами и при работе резистора в измерительной схеме заземляется. Распределенная емкость ре зистивного элемента 1 на экран 4...

Номер патента: 440755

Опубликовано: 25.08.1974

Авторы: Батыгин, Бежанов, Иноземцева

МПК: H02N 1/08

Метки: высокоомный, резистивный, токоведущий, элемент

...напряженности электрического поля, конфигурация электрическихэквипотенциалей. На поверхность этих пазовнанесено металлическое покрытие, например,путем высокотемпературного вжигания, проникающее вглубь керамики и образующее переходную структуру толщиной десятки - сот 10 ни микрометров, Г 1 ереходная структура повторяет конфигурацию паза, а следовательно,и профиль индуктора и имеет плавно увеличивающееся удельное электрическое сопротивление от сопротивления металла до сопротивле 1 б ния керамики. К металлизированной поверхности пазов припаяны металлические индукторы,На фиг. 1 показан участок выравнивающегостатора с открытыми пазами, отродольный раз 20 рез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез;на фиг. 3 - участок статора с закрытыми...

Номер патента: 514028

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Буров, Иофис, Персиянинова, Пирогова, Савельев, Савицкий, Троян

МПК: C22C 19/00

Метки: высокоомный, никеля, основе, сплав

...700 1/град; электросопротцв.215 мк Ом см. бласти получеоснове никеля , в частности, в о ов элект оваффициент эстава, %: 20;ремнця, нцнтервале те10 4 1/град,- 900 С (5 -енге при ектро- вольель - мперав ин- ) 10 -900 С Изобретение относится к ония высокоомных сплавов наи может быть использованокачестве црямонакальных кат д Р куумных приборов.1 Лзвестен высокоомный сплав, содержащий (в %): 3 - 6 вольфрама; 20 25 рения; 0,05 - 0,2 гафния; никель - остальное.Недостатком указанного сплава является его невысокое электросопротивление, которое составляет при 25 С 90 в 1 мк Ом см и при 800 С 130 - 133 мк Ом см,Для увеличения электросопротивления предлагаемый сплав дополнительно содержит ванадий;л кремний прц следующем соотношении...

Номер патента: 1045279

Опубликовано: 30.09.1983

Автор: Илюшенко

МПК: H01C 3/02

Метки: варианты, высокоомный, его, непроволочный, резистор

...кольцом 7 изпроводящего материала, выполненным свозможностью перемещения и фиксации.Работа резистора в электрическойцепи не отличается от. известных, однакообласть рабочих частот существенношире (выводы 8 и 9 соединяются собщим выводом схемы),На эквивалентной схеме преалагаемого резистора (фиг 2 ) (болев точнаяэквивалентная схема увеличивает раопрвделенный характер индуктивного ирезистивного сопротивлений перфорированного цилиндра) приняты следующиеобозначения:- сопротивление резистора;- паразитная емкость резистора;Ср - распределенная емкость рвзистивного слоя 2 на полыйцилиндр 6;С, - емкость резистивного слоя 2на кольцо 7;- индуктивность полого цилиндра 611( - резистивное сопротивлениеполого цилиндра 6;1,811 - сопротивление...

Номер патента: 1067538

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Илюшенко

МПК: H01C 3/02

Метки: высокоомный, резистор

...резистора (Р).Емкость С увеличивает общую параэитную емкость резистора, а .емкости С малы и несущественно вли 1яют на его диапазон рабочих частот. Учитывая, что на частотные свойства резистора наиболее существенно влияют емкость С, эквивалентная схема высокоомного резистора при заземлении контактного вывода 8 токопроводящего элемента (установленного на равных расстояниях от торцовых выводов 4 и 5) может быть представле" на как показано на фиг.,3. Токопроводящий элемент совмещает в себе емкость С , образованную первым витком спирали б и реэистивным элементом 2 (зта емкость практически не" зависит от количества витков спира,ли), и индуктивность (, , образо-. ванную всеми витками спирали 6.Токопроводящий элемент делит аопротивление...

Номер патента: 1504791

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Васильчук, Данилюк, Пацарнюк, Чернов, Шморгун, Яцук

МПК: H03H 11/40

Метки: высокоомный, имитатор, сопротивления, электрического

...большого коэффициента усиления операционногоусилителя 2 напряжения между еговходами должны выравняться, При этомво второй выходной цепи операционного усилителя 2 устанавливается ток,обеспечивающий равенство напряжениймежду входами операционного усилителя 2, что соответствует равенствунапряжений на выходах высоковольтного делителя 1 напряжения и управляемого резисторного делителя 3 напряжения.Если коэффициент деления управляемого резисторного делителя 3 напряжения равен р, то напряжение Бна втором выходе операционного усйлителя 2 можно определить из выражения 11 ощк др ф где К- значение сопротивления управляемого мультирезистора 4,В соответствии с (1), (4) воспроизводимое трехзажимным высокоомным имитатором сопротивление К равно(5) Кн=Р 1...

Номер патента: 1517124

Опубликовано: 23.10.1989

Автор: Розенсон

МПК: H01C 13/02

Метки: высокоомный, магазин, сопротивлений

...операционного усили - теля 7 (ОУ).Выход ОУ 7 подключен к выводу первого дополнительного резистора 4.1 и к инвертирующему входу ОУ 7, а неинвертирующий вход ОУ 7 соединен с первым входным зажимом 1.Такое включение ОУ 7 обеспечивает его работу в режиме неинвертирующего повторителя. 35Соотношение сопротивлений образцовых резисторов 2.1-210 выбрано равным соотношению сопротивлений соответствующих дополнительных резисторов 4.1-4,10, связанных через ключевые 40 элементы 3.1-3.11 с измерительными образцовыми резисторами 2.1-2.10.При замыкании одного из основных ключевых элементов, например предпоследнего 3.10, и замыкании соответствующего дополнительного ключевого элемента 5.10, соединенного с основным по цепочке измерительных образцовых...

Номер патента: 1582209

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Гуркин

МПК: H01C 1/02

Метки: высокоомный, резистор

...проволочного резистора ретением позволяет уменьшит. ты и упростить изготовление зистор в разрезе с последов расположением секций, на Аи мен ранее изданног секции 1, выполненные одинаковымипо высоте, размещенные кеаксиальноили последовательно друг другу.Каждая секция снабжена фланцами 2одной и той же высоты, причем наружныи размер каждого из фланцев совпадает с размером предыдущей частирезистора. С торцов резистор снабжендисковыми контактами 3, которые соединены с резистивным элементом,выполненным из проволоки 4, навитой на каждую секцию, Использованиепредложенного резистора позволяетуменьшить габариты резистораРа р з не отличается от работы известных резисторов. При подаче на дисковые контакты 3 электрического напряжения, по...

Номер патента: 1644237

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Гуркин

МПК: H01C 1/02

Метки: высокоомный, резистор

...изображен высокоомный резистор с последовательным расположением секций, разрез; на фиг. 2 - то же, с параллельным расположением секций со складной трубкой (уменьшенного габарита).В ысокоомный резистор содержит секции 1, выполненные одинаковыми по высоте, размещенные коаксиально или последовательно одна другой. Каждая секцияснабжена фланцами 2, которые также выполнены одной и той же высоты, причем наружный размер каждого из них совпадает с размером предыдущей части высокоомного секционированного резистора. С торцов резисторы снабжены дисковыми контактами 3. Секции 1 установлены внутри составной трубки 4, которая также выполнена из секции 5 с фланцами, входящими друг в друга коаксиально или последовательно, причем трубка 4...

Номер патента: 1665317

Опубликовано: 23.07.1991

Автор: Розенсон

МПК: G01R 27/00

Метки: высокоомный, магазин, сопротивления

...тельных резисторов 4.1-4.10 выбрано ра ным соотношению сопротивлени соответствующих резисторов 2.1-2.10.Инвертирующий вход ОУ 8 подключен , выводу основного резистора 2,10, выход О,8 подключен к выводу дополнительного рзистора 4,10 и вторым выводом основног 3.11 и дополнительного 5.11 ключевых эл ментов, неинвертирующий вход и вывод нлевого потенциала ОУ 8 подключены , входному зажиму 6.Высокоомный магазин сопротивлени , по схеме фиг.1 работает следующим обр , зом.При замыкании одного из основны ключевых элементов, например предпо леднего 3,10 и замыкании соответствующ го дополнительного ключевого элемент 5,10, по цепочке основных резисторов 2.1 2.9 и замкнутым основному 3.10 и дополн тельному 5.10 ключевым элементам о . первого...