H01C — Резисторы

Номер патента: 900320

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Демидов, Маринчик, Михо

МПК: H01C 7/00

Метки: варисторов

...полимер зации Г 23.Недостатком варисторомых этим способом, являестабильность электрическ сного Знаме иим. И.И. Мечникова - "формула изобретения Составитель М. Мессерер Редактор В. Иванова Техред А. Бабинец Корректор М. ПожоЗаказ 12191/68 Тираж 757 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 900 да кремния в растворе одной из солей этих элементов или путем нанесения ионов этих элементов при электростатическом распылении их солей. Ионы щелочных металлов подавляют каталитическую активность пленки окиси кремния на поверхньсти карбида кремния, что повышает стабильность электрических параметров...

Номер патента: 900321

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Овласюк, Петров, Хальков

МПК: H01C 17/075, H01C 17/22, H01C 17/24 ...

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...геометриирезистор 1 соединен противоположны"ми выводами с пленочными металлическими контактами 2 и 3. По краю резистора напылены два дополнительныхэлектрода 1 и 5, соединенные соответственно с пленочными контактами 2 ти 3. По нормали к дополнительным резисторам при удалении материала образуются дорожки 6 грубой настройкии дорожки 7 и 8 точной настройки,состоящие из наложенных друг на дру- зВга и частично перекрытых лунок 9(и - количество лунок, 1 - шаг настройки),Подгонка резистора осуществляетсяследующим образом. В исходном состоянии сопротивление резистора минимально. Для ступенчатого увеличениясопротивления на большую величину используется дорожка 6. Дорожка образуется, например лазерным лучом, изпоследовательно наложенных друг...

Номер патента: 902081

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Клюйков, Поливанов

МПК: H01C 1/032

Метки: высоковольтный, измерительный, резистор

...внутренним2 и внешним 3 цилиндрами металлическогозазеМленного радиатора. Микропроволочныйрезистор 1 изолирован от внутренней поверхности внешнего цилиндра 3 и внешней поверхности внутреннего цилиндра 2 слоями 4 и 5твердого диэлектрика. Вся конструкция размещена в металлическом заземленном бакеб с изоляционной жидкостью, Стержневыеэлектроды 7 и 8 круглого сечения размещены таким образом, что один из них (7) установлен на оси резистора, а остальные (8)в зазоре между внешней поверхностью наружного цилиндра 3 радиатора и стенкой метал.лического заземленного бака 6. Нижние концы электродов 7 и 8 изолированы друг отдруга, от радиатора и стенок бака слоем жид.кого диэлектрика, их верхние концы черезсоединительный элемент 9 подключены к...

Номер патента: 902082

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Ленных, Макордей

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...получения реэнстивного материала го. товят две смеси компонентов, каждая из которых содержит водные растворы азотнокислых солей никеля и кобальта, г: М(ЙОз)г 264,7 и 291,1 и Со(ИОз)г 5295 и 5031 Соотношение по металлу никеля к кобальту составляет 1:2 как стехиометрическое для наиболее полного превращения и образования кобальтита никеля со структурой шпииели.Каждую смесь готовят следующим образом.Готовят смесь 10%-ных водных растворов азотнокислых солей кобальта и никеля, нз нее 10%-ным раствором аммиака (рН) при 80 С осаждают при деремешивании смесь гидроокисей кобальта и никеля. Подученный оса. док отгоняют на лабораторной центрифуге ЛПУ - 1, в течение нескольких дней высушив сушидьном шкафу при 100 - 120 С,растирают и отжигают при...

Номер патента: 902083

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Васильев, Субботин

МПК: H01C 17/00

Метки: подгонки, проволочных, резисторов, сопротивления

...1,При нажатии на кнойку "Пуск" начинается смотка, разрушение изоляции провода иконтактирование с жилой движущегося прово.да, измерение величины сопротивления провода при вращении катков 1, которые вращаетэлектродвигатель 2, управляемый блоком 8управления, получающим сигнал от блока 5измерения и цифрового индикатора 7,При достижении заданной величины сопротивления проволочного резистора выдается 4сигнал на блок 8 управления, который выключает электродвигатель 2,еПосле этого происходит приварка илиприпайка провода к выводу резистора 4.Цифровой индикатор 7 показывает точность окончательно изготовленного резистора.При подгонке следующего резистора циклработы устройства повторяется.Для уменьшения влияния колебания температуры окружающего...

Номер патента: 902084

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Бабичев, Белянин, Федосеев

МПК: H01C 17/26

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...по обычной технологии изготовления тонкопленочных резисторов.Сопротивление тонкопленочных нагреватель.ных элементов (тонкопленочных резисторов)составляет 170 - 180 Ом, При подгонке черезтонкопленочный резистор пропускают импуль.сы тока с параметрами: длительность 15 мс,частота следования 10 Гц, амплитуда плавнорегулируется: в диапазоне от 11 до 20 22 В,Одновременно с пропусканием импульсов тока тонкопленочный резистор охлаждается сжатым воздухом (давление в магистрали неменее 2-3 ат).Подгонка проводпся следующим образом.К тонкопленочному резистору при номо.щи зондов подключают источник импульсовтока и омметр через коммутатор. Измеряютначальное сопротивление, Далее на тонкопле.иочный резистор подают 8-12 импульсов(первый этап) в течение...

Номер патента: 907591

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Бадинтер, Балабан, Гришанов, Друбецкий, Сугак, Шуб

МПК: H01C 17/232

Метки: подгонки, проволочных, резисторов, сопротивления

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 проволочного резистора, изготовленного изтермостойкого резистивного материала, наносят слой легкоплавкого электропроводящегоматериала, например припой, который затемрасплавляют и смещают, например жалом 5электрического паяльника, вдоль тела резис.тора, уменьшая или увеличивая протяженностьрасплава до подгонки сопротивления прово.лочного резистора в номинал,П р и м е р 1. В датчик, образованныйизмерительным мостом из микропроволочныхтензорезисторов, для уравновешивания мостанеобходимо включить в одно из плеч добавочный резистор 0,35 Ом с погрешностьюсопротивления 0,05%, .исключив при этом по...

Номер патента: 911628

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Хлавнович, Шкода

МПК: H01C 1/082

Метки: балластный, реостат

...реостата исключено влияние предыдущих охлаждаеьых элементов на эффективность охлаждения последующихэлементов. Достигается это /расположением охлаждаемых элементов спира-лей реостата в плоских изоляторах(галетах)конструкция которых обеспеиивает крепление спиралей и образует систему каналов для прохожденияохлаждающего воздуха.Охлаждающий воздух поступает.изокуружающей среды в радиальные кана"лы галет, обдувает каждую спиральотдельно и после этого попадает в об/щий канал в центре пакета из галет,откуда выбрасывается вентилятором в 25 окружающую среду.На фиг. 1 показан балластный реостат на фиг. 2 разрез А-А на "фнг.1.Реостат состоит кз набора термостойких плоских галет 1, спиральных ЗО резистивных элементов 2, лежащих в911628 формула...

Номер патента: 911629

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...

Номер патента: 911630

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Карабанов, Рябов, Соломенников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...от состава исходной смеси.Прн изменении содержания двуокиси кремния в реэистивном материале 20-80 ТКС имеет положительную величину.В зависимости от состава величина ТКС измеряется в широких пределах. Для состава, содержащего 15 СгО г ве" личина ТКС равна 10 1/оС, а для состава с 30 СгоОк - 55 1/оС. При содержании СгОг более 90 величина ТКС становится отрицательной.Температурная зависимость сопротивления аналогична температурной зависимости сопротивления позисторов. Удельное сопротивление резистивнога материала в области низких температур составляет 10-10 ь Ом см,что позволяет изготовлять микрорезнсторы для микроэлектронных схем.Ниже приведены конкретные примеры изготовления реэистивных материалов ;предлагаемого состава с различньм. т...

Номер патента: 911631

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Былина, Косицына, Нестеренко, Преснов, Ротнер

МПК: H01C 7/04

Метки: термистор

...3 и термоустойчив.е покрытие 5. Термистор помещен в корпус из кварцевого стекла(не показан).Термистор работает следукщим образом.5С помощью выводов 3 термистор подсоединяется к измеряемому объекту. Измерительнья мостом .сопротивления измеряется сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивления термистора от температуры объекта. При изменении тем-. пературы объекта термистор меняет свое сопротивление. Это изменение регистрируется и по градуировочной кривой оценивается соответствующее изменение температуры измеряемого объекта .в данный момент времени.Термистор изготовляют следующим образом. 20Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазным порошком и выдерживают загрузку в камере...

Номер патента: 911632

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бадинтер, Геллер, Любчак, Старуш, Шнайдерман

МПК: H01C 17/00

Метки: изоляции, микропровода, резистивных, стеклянной, элементов

...50 мкм.Цель изобретения - повышение выхода годных прн диаметре микропроводаменее 50 мкм.Указанная цель достигается тем,что в способе изготовления резистивных элементов из микропровода в стеклянной изоляции, заключающемся в намотке микропровада при температуре размягчения стекла и постоянстве величины произведения межвиткавого данления на температуру,намотку микропроэада ведут совместно с наматкой стекловолокна,а величину произведения межвиткового давления на температуру для стекловолокна выбираютбольшей величины произведения давленияна температуру для микропровода.Совместная намотка микропроводаи стекловолокна обеспечивает сохранение целостности микропровода с диаметром менее 50 мкм и, как следс 1- вие - повышение выхода годных...

Номер патента: 911633

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Водяников, Водяникова, Лопухин, Явнов

МПК: H01C 17/245

Метки: интегральных, подгонки, симметричных, схем

...от номинала, затем изменяют величину подстроечного резистора другой части и доводят до получения номинала, выходного параметра этой части.На фиг. 1 изображена принципиальнаяэлектрическая схена симметричного мультивибратора, подлежащего подгонке; на Фиг,2 - процесс подгонки по известному способу; на фиг.3 - то же, по предлагаемому способу; наФиг,4 - пример конструкции двух резисторов с общей стороной, приспособ"ленных для подгонки по предлагаемомуспособу; на фиг.5 - результат,испарения лазером общей стороны при одновременной подгонке резисторов; на Фиг.б - результат дополнительногоиспарения резистивной пленки резистора 8. 55Рассмотрим процесс подгонки наГ примере симметричной интегральной схемы (фиг. 1), содержащей подстроеч 3 4ные...

Номер патента: 917217

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Волков, Врублевский, Жаворонков, Кузишина, Сурогин, Фролов

МПК: H01C 7/18

Метки: мощных, объемных, резисторов

...758 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Носква, Н, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгорощ, ул. Проектная, ч 3 91721высота микровыс ту пов мет аллиэированного слоя была не менее 0,2 мм, накоторый наносят тонкий слой не содержащего электропроводного наполнителя,диэлектрического термостойкого органического или неорганического полимерного материала, обладающего хорошейадгезией к металлизированной поверхности и способного в дальнейшем кзатвердеванию (например, эпоксидная 10смола, клей Бф,жидкое стекло ит. и.),Подготовленные таким образом резистивные диски в струбцине собираютв реэистивный столбик, который при 1помощи струбцины обжимают усилием 320 кг/см , обеспечивающим...

Номер патента: 917218

Опубликовано: 30.03.1982

Автор: Омельченко

МПК: H01C 10/18

Метки: переменный, резистор

...с помощью ймеханической (например зубчатой) пере.дачи 7 с передаточным числом большимединицы.Роторная система 8 резистив 8 4ного элемента 6 жестко закреплена наоси 9 управления переменного резистора. Резистивные элементы 3 и 6 снабжены упорами 10 " 12 (соответственно) для ограничения рабочей зоны регулирования. Выводы 13 резистивного элемента 3 и выводы 1 ч резистивного элемента 6 смонтированы на корпусе 1 резистора.При этом связь выводов 1 ч с контактными зажимами 15 резистивного элемента 6 осуществля" ется с помощью гибких проводников16, свитых в виде спирали и размещенных о полости оси 17 корпуса 5, которая имеет сквозное отверстие по геометрической оси вращения, Корпус 1резистора выполнен разъемным и состоит из двух симметричных...

Номер патента: 917219

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Аврам, Димитраки, Настас

МПК: H01C 17/04

Метки: изоляции, микропровода, намотки, стеклянной

...попе.ременно меняется.Использование предлагаемого изобрететения позволяет автоматизировать процесс намотки резисторов из микро- провода встеклянной изоляции в расширенном диапазоне номиналов при повышенной точности,5 91 72Переключатель 3 устанавливают вположение А и тем самым исключаютиз цепи измерительного контура управляемое сопротивление 11 (первой кон 1тактной группойпереключателя 13сопротивление 11 закорачивается),При выводе сопротивления 11 из цепи иизмерительного контура, первый блок15 установки баланса блока 11 сравнения обрабатывает величину сопротивления датчика 12 тока до величины,при которой падение напряжения нанем, умноженное на коэффициент пре"образования усилителя-выпрямителя17 станет равным напряжению на выходе...

Номер патента: 918979

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Мальчуков, Никоненко

МПК: H01C 3/02

Метки: безындуктивный, высоковольтный, резистор

...содержащийкорпус с размещенным в нем токопроводящим элементом, выполненным изметаллической гофрированной ленты, покрытой теплостойкой изоляционнойпленкой, снабжен дополнительной ме- ;.таллицеской гофрированной лентой, при Мем гофры одной ленты расположены меж.ду гофрами другой и смещены относительно друг друга на 90 ф.Предложенное расположение металлических лент позволяет заполнить за- взары между гофрами, что приводит кувеличению объемной монтажной плотности,Уроме того, при такой конструкциирезистора каждая лента токоведущегоэлемента выполняется непрерывной,что повышает надежность.На фиг. 1 изображен безындукционный высоковольтный резистор, продольный разрез; на фиг. 2 - сечение А-Ана фиг. 1; на фиг, 3 - токопррводящий...

Номер патента: 918980

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Аввакумов, Мартыненко

МПК: H01C 17/00

Метки: намотки, резисторов

...бобину для наматываемогопровода, раскладчик, блок измерениясопротивления наматываемого резистора,датчик положения раскладчика и блоксравнения сопротивления наматываемого резистора с заданным, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повыше,ния надежности устройства в работе,раскладчик снабжен копиром, а датчикположения раскладчика выполнен в виде размещенного на планке тенэореэистора, причем планка одним концом жестко закреплена на станине с воэмож-.ностью взаимодействия свободным кон".цом с копиром.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРй 514359, кл. Н 01 С 17/00 у 10.05.78,3 91898 но связанным с раскладчиком 6. Напряжение Я и О с блоков 4 и 8 подключены к нуль"органу 10, который через...

Номер патента: 918981

Опубликовано: 07.04.1982

Автор: Гончаров

МПК: H01C 17/00

Метки: выводами, осевыми, параметров, радиодеталей, электрических

...основанием); на Фиг. 3 - вид 5 на фиг, 1 (контактное устройство с регулируемым ,упором); на фиг. 4 - сечение В-В на%9189фиг. 3 положение контактов послерегулировки).В корпусе 1 устройства для контроля электрических параметров радиодеталей с осевыми выводами на направля" 5ющих смонтированы две части подвижногооснования 2 и З,управляемые электромагнитами 4 и 5. Основание 2, имеющее подвижные упоры 6 и 7, возвращается в исходное состояние пружинами 8 щи 9. Основание 3 снабжено разновысоким отсекателем, состоящим из непо"движной пластины 10 и регулируемойпланки 11. Возврат основания в исходное положение осуществляется пружинами 12 и 13. Основание 3 имеет пазы 14,с которыми связаны подвижные ограничители 15 и 16.Иеханизм изменения...

Номер патента: 918982

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Димитраки, Кандраман, Настас

МПК: H01C 17/04

Метки: подгонки, проволочных, резисторов

...сопротивление К. прово" да между подвижными контактами е и Й, одно плечо, и последовательно вклю;ценные: образцовый резистор 5 сопротивления к и магазин 6 сопротивления, на котором устанавливается со" противление Ьйо, равное избыточному отклонению сопротивленияьй изготавливаемого резистора от номинального значения, другое плечо. Два других плеча моста составляют резисторыи 8 сопротивлением В 1 каждый. Питается образованный мост от источника 9постоянного тока. ,Баланс образованного моста устанавливают по индикатору 10. Баланс моста ведется путем изменения сопротивления декад магазина 6. Величина сопротивления на магазине в результате баланса моста равна. После баланса моста переключатель 4 переводят в положение 2. Этим самым...

Номер патента: 920854

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Беспалов, Булатов, Коневцев, Коштаков

МПК: H01C 17/00

Метки: радиодеталей, сборки

...в пластине ин;уктора, Сбрасыватель выполнен в виде толкателя 12 с пружиной 13. Виток 6 пластины, прок",адки 5, корпус питателя 1 и заземляющая планка 11 соединены крепежными болтами 14. На изоляционном основании 2 осуществляется сборка цилиндрического корпуса 15 и колпачков 16, Основание 2 и пластина 17 являются изоляцией для токоподводов 7 индуктора 3. Щель 9 пластины 4 выполнена по касательной к рабочему отверстию 8 в направлении витка 6. Изоляция 10 щели 9 и токоподводов 7 выполнена из пленки и охватывает обе стороны токо- подвода.Устройство работает следующим обраЦилиндрический изоляционный корпус5 подается в приемник питателя, захватывает металлический колпачок 16 и поступает в рабочую зону индуктора 3. В этот момент...

Номер патента: 920855

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Буренин, Мандрыгин, Петухов, Толуков

МПК: H01C 17/245

Метки: номинал, подгонки, резисторов

...материала, имеет гнездо для расположения колпачка резистора и отверстие для прохода вывода резистора, а на поверхности ее имеется токосъемное кольцо 7, электрически и механически связанное с частью цанги 3, служащей для закрепления резистора.Токопроводящая часть контактной зажимной цанги 3 опорным торцом своим установлена на дополнительном крепежном элементе 8, жестко соединенным со шпинделем 9, связанным с механизмом 4 вращения цанг и укрепленным в подвижной опоре 6. Дополнительный крепежный элемент 8 выполнен из изоляционного материала, например из капролона.Выводы резистора 1 через токопроводящую часть цанги 3 и токосъемные кольца 7 связаны со входами блока 10 контроля номинала сопротивления резистора, выход которого связан со...

Номер патента: 924764

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Аверьянов, Кладов

МПК: H01C 1/01

Метки: переменных, резисторов

...втулку 1, навинченнуюна резьбовую часть 2 корпуса резистрра и закрепленную гайкой 3 на 15панели 4 прибора (не показан) ,подвижную втулку 5 с наружной конической поверхностью А, взаимодействующей с внутренней конической поверх-ностью Б втулки. Втулка 5 охватывает 2 ооси 6 резистора и подпружинена в осевом направлении пружиной 7. Втулка5 снабжена закрепленным в ней штифтом 8, расположенным поперек оси резистора со стороны лыски С оси б, и 25цельным хвостовиком 9 с торцовымшпицем 10 под отвертку (фиг,1) или снакаткой 11 для работы без вспомогательного инструмента, В последнемслучае хвостовик длиннее, чем в пер- зОвом.Устройство работает следующим образомПри регулировке резистора необходимо надавить на хвостовик 9 при по- З 5мощи отвертки...

Номер патента: 924765

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомных, материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись 15 кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ф:Хром 12- 10Железо 1-10Алюминий 10-20 20Окись кадмия 2-15Смесь окисловкремния и алю"миния ОстальноеВводимая в предлагаемый резистив ный материал окись кадмия смещает Средние зна чения велиДиапазонполученных значений ТКС101/Со Алюминий Окиськадмия чин поверхностного сопротивлениярезистивныхпленок окисловкремнияи алюминия-10- +30 16 17 50 Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем...

Номер патента: 924766

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Виноградов, Краснов, Смолин, Фрухтман

МПК: H01C 17/00

Метки: герметизированных, прецизионных, проволочных, резисторов

...большой длине провода на резисторе (от единиц до сотен метров )величина и количество дефектов изоляции сильно изменяются от резисторак резистору в зависимости от качества провода, колебаний натяжения принамотке и других ,причин. Результатом всего этого является большаядисперсия необратимого изменениясопротивления л К на различных отрезках, взятых с одной катушки (изЭЗодной партии ) провода; для микропровода в стеклянной изоляции ьйможет колебаться в пределах от0,01 8 до 0.06 К на резисторах с одчной катушки, что сводит на нет всепреимущества, изложенные ранее.Способ включает термостабилизацию загерметизированной обмотки,т.е. обмотки , провод которойзащищен от окисления , величинанеобратимого изменения становится намного...

Номер патента: 924767

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Виницкий, Глот

МПК: H01C 17/00

Метки: варисторов, высоконелинейных, заготовок

...экспериментов и результаты измерения вольтамперных характеристик.В табл. 2 приведена зависимость показателя стабильности вольт-амперных характеристик.В табл. 2 приведена зависимость показателя стабильности вольт-амперных характеристик варисторов от температуры первого и второго обжига.Показатель стабильности определяется формулойЯ =103- 10 3гдеи- плотность тока при напряженности электричеслкого поля Е = 3-10 В(на низконелинейномучастке) измеренная соответственно до и после 7 4пропускания через образцы сильного постоянноготока 2 = 5 10 А см,Способ осуществляется следующимобразом.Предварительно просушенные до постоянного веса компоненты взвешивают.Для приготовления керамики используется следующий компонентный состав(мол.Ф): 89 Еп 0, 5...

Номер патента: 928426

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Агароник, Базжин, Гордеева, Конева, Николаева, Ольша, Розонова

МПК: H01C 17/00

Метки: тензорезисторов, фольговых

...200 до +700 ОС.Цель достигается тем, что согласно спосо.бу изготовления фольговых тензорезисторов,включающему отжиг фольги и фотолитографическое изготовление на ней топологии тензореэистора, используют фольгу из ннкельмолнбденового сплава, легированного 1,8 -;2,2 вес,% алюминия и .2,5 - 2,9 вес.% хрома,а отжиг проводят в вакууме при 440 - 480 Св течение 2-3 ч. Способ изготовления фольговых тензорезисторов осуществляется следующим образом,Три нартни фольги из ннкельмолибденового сплава, легированной 1,8 - 2,2 вес.% алю. минна и 2,5-2,9 вес,% хрома, обезжиривают в бензине и отжигают в вакуумной печи первую партию при 480 С в течение 2 ч, вторую партию при 460 С в течение 2,5 ч и третью партию при 440 С в течение 3 ч. Подготовленную фольгу...

Номер патента: 930396

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иванов, Передрей, Телегин

МПК: H01C 17/00

Метки: проволочного, резистивного, резистора, элемента

...11. Микропровод 2гический брак. закрепляется на каркасе и включаетсяБолее близким по технической сущнос- процесс намотки.Лак, находящийся в поти является устройство для изготовления лости 10, смачивает каркас и при цвижерезистивных элементоВ проВолочных Резис нии расклацчика 3 в направлении стрелкиторов, содержащее оправку для каркаса гЗ 2, наносится на каркас тонким слоем.раскладчик микропровода, емкость для Плавность перехоца от плоскости 10 клака, в которой выполнено отверстие 121 отверстию 7 и малость зазора гарантиВ процессе намотки микропровода- рует соосность расположения каркаса 8на каркас происходит приклеивание его. в отверстии 7. Толщина пленки лака неОднако известное устройство также не ли-З 0 превышает зазора Ь =0,5(2 -...

Номер патента: 932568

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Гришанов, Мирошниченко, Спивак, Фрухтман

МПК: H01C 17/00

Метки: изоляции, малогабаритных, микропровода, резисторов, стеклянной

...не оказываетбольшого влияния на температуру в камере,Второй этап термообработки 190200 С протекает одновременно с полиме.оризацией нанесенного покрытия. Приэтом полимеризация осуществляется бо"лее равномерно во всехслоях, так каквнешний и внутренний нагрев (от обмотки 1 одинаковы. Такое состояние обепечивает высокое качество нанесенного покрытия и ускоренный процесстермостабилизации за счет термостатирующих свойств нанесенного покрытия,На чертеже представлена схемаустройства, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит камеру 1 напыления, в которой образуют средупсевдоожиженного полимерного порошка2, подаваемого через сопло 3 изпитающей камеры 4, к которой по трубо.проводу 5 подведен сжатый воздух.Поступающий в камеру 1 порошок...

Номер патента: 932569

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Бей, Игнатенко, Шаповалов, Шульженко

МПК: H01C 17/00

Метки: выводов, присоединения, радиоэлектронному, элементу

...5 Поставленная цель достигается тем что в способе присоединения выводов к радиоэлектронному элементу, включающем нанесение на контактные площадки токопроводящего клея, после введения выводов в токопроводящийклей на него наносят дозированную капЛю цианакрилатного клея, а отверж дение токопроводящего клея осущест" вляют при температуре 15-35 оС в те" чение 10-15 мин,Способ присоединения выводов радиоэлектронных элементов осущест" вляется следующимобразом.Ситалловую подложку с контактными площадками, находящимися на рассто" янии 1,5 мм друг от друга, полученными методом вжигания серебряной пасСоставитель Ю,ГерасичкинРедактор Н.Гришанова Техред М, Тепер,Корректор И.Мускае Ме ееееев нее ееЗаказ 3794/73 Тираж 758 ПодписноеВНИИПИ...