H01C — Резисторы

Номер патента: 1810914

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Антипина, Жилин, Жилина, Подорожный, Степанов

МПК: H01C 17/24

Метки: вращения, нарезки, привод, резисторов

...двигателя 1 передается водилу 2 и сателлитам 3. В начале технологического процесса нарезки резистора диск 9 муфты сцепления 9 находится в контакте с корпусом 8 и зубчатое колесо 6 перемещается только на величину деформации упругих элементов 7. Сателлиты 4 вращают1810914 Формула изобретения Составитель Ю.ВолкоТехред М,Моргентал ректор Л.Ливр едактор каз 1447 ВНИИП Тираж Подписноесударственного.комитета по изобретениям и открытиям при Г 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагар ся вокруг своих осей на водиле 2 и за счетинерции дебалансов 5 передают на солнечное колесо 3 одновременно с равномернымвращением колебательное движение динамического возбудителя колебаний....

Номер патента: 1812558

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Исламова, Кудратиллаев, Султанов, Юлдашев

МПК: H01C 7/12

Метки: защиты, перенапряжений

...надо будет осуществлять осадков в промежуток между фланцеми ко-:йепосредственно-к корпусу 2, что усложняет жухами;:,: .:. . конструкцию устройс;ва и уменьшает устой- Нижний торец нижнегокожуха н.: чивость положения кожухов, При этом кожуд ф а; то йеоб.хй надо будет .выполнять разными.по воздушного 35 диаметру, и во время осадков капли влаги, Расстояние; стекая с внешней боковой поверхности кои Верхним ": жухов малого диаметра, могут попасть в поторцем фланца выбирается из условйя иск- . лость между боковой поверхностью корпуса лючения прямого пбпадайия осадка и лучей 2 и внутренней поверхностью кожуха 6, что солнца на пакрыаку 40 нежелательно из-за увлажняемости поверхДиаметр окружности торцев кожуха вы.ности корпуса и снижения его...

Номер патента: 1812559

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Игнатьев, Шлугер

МПК: H01C 10/02

Метки: малых, механических, перемещений, реостатный

...пропускают ток строго постоянной силы, Внутри преобразователя ток 10 проходит через проволочный резистор и систему электропроводных жидкостей. Активный участок резистора, который включается в мостовую схему, располагается в промежутке от границы раздела фаэ бинарной си стеглы жидкостей до места крепления к резистору токоподводящего проводника.Под влиянием тога или иного внешнего воздействия предмет изменяет свое пространственное положение и перемещается 20 на некоторое расстояние от своего исходного положения. Точно йатакое же расстояние перамещзется расположенный в капилляре резистор. Изменение длины резистора относительно границы раздела фаз двух не смешивающихся жидкостей, а следовательно, пропорциональное ему изг 4 енение...

Номер патента: 1812560

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Житник, Рыбальченко, Симененко

МПК: H01C 13/02

Метки: блок, резисторов

...3 прикреплена панель 4. Стенка 5 крепится разъемным соединением к отогнутым частям корпуса 2, Кронштейны 6 неразьемным соединением скреплены со стенкой 5, а крышка 7 - с корпусом 2 и скобой 8 для транспортировки.В предложенном блоке резисторов выполнение кронштейнов 6 прямолинейными, и упругими и установка их на стенке 5 упрощает их конструкцию и уменьшает металло- емкость и габариты блока резисторов,Выдавливание на кронштейнах 6 выступов обеспечивает практически постоянную силу прижима магазинов резисторов.Использование блока резисторов осуществляется следующим образом,При снятой стенке 5 магазинынавливаются на днище 3 друг на др полняются необходимые электрисоединения магазинов 1 с панелью 4, Затем стенка 5 устанавливается так, чтобы...

Номер патента: 1812561

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионных, резисторов, тонкопленочных

...превышающей уровень +0,05%. Эта достигается эа Счет решения вопроса повышения тепло- стойкости реэистивных пленок путем дополнительной их термотренировки в укаэанных 55 режимах. При этом Овыхода годных поТКСй 10 10 1/С почти оо всех случаях луч ше уровня, достигнутого при изготовлении резисторов па способу-прототипу, или находится на таком ке уровне, Т,е, полученные5 10 15 20 25 30 35 40 50 аналогом. результаты наглядно показывают достижение цели изобретения.Кроме того, как следует из результатов табл,1, предлагаемый способ обеспечивает также в 2 раза улучшение уровня стабильности при испытаниях резисторов под электрической нагрузкой на долговечность (2000 ч)Как видно иэ примеров 1 - 3, при изменении времени термотренировки от 1 до 3 ч...

Номер патента: 1812562

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Николаев

МПК: H01C 17/24

Метки: резисторов, тонкопленочных

...зигзагообразной3резистйвной цепи в поперечном направле1812562 Таблица 1 20 ЗО 1000 50 100 8,63 8,78 8,44 8,99 Таблица 2 1000 20 ЗО 50 100 10 7,45 6,94 7,32 7,56 7,63 . 7,70 Таблица 3 нии, В этом варианте номинал сопротивйления резистора изменяется от Хп = - - до3Хп = п 1-1) 2,57, а диапазон изменения П - 1 771сопоотивления составит бпЗависимость б от п 1 показана в табл.2.Зависимость приращения числа квадратов от резов для варианта, изображенногона фиг,2, приведена в табл.З,Подгонку по предлагаемому способупроизводят следующим образом,для каждого резистора определяют величину удельного сопротивления напыления Йнапгде Рнап. - величина сопротивления рази стора после напыления;и - расчетное число квадратов данного резистора,...

Номер патента: 1820416

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Волохов, Зеленцов, Песков

МПК: H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистора, тонкопленочного

...К - 0,14 определяли п 1 0,2 поб, ДлЯ полУчениЯ заДанной величины .удельного поверхностного сопротивления рл число циклов. нанесения тонких резистивных слоев поб составляет 120. Отсюда число циклов нанесения резистивных слоевсовместно наносимых пленок двух материалов составляет п 1 4, 1820416При скорости вращения. карусели Ч = 60о /мин время совместного напыления резистивных пленок (3, 4) из материалов Х 20 Н 75 Ю и МР 47 ВП составило 24 с, После совместного напыления магнетронный ис точник с материалом Х 20 Н 75 Ю отключали и продолжали напыление верхнего слоя 3 из материала МР 47 ВП в течение 84 с, Затем вновь напыляли пленку 4 из материала Х 20 Н 75 Ю до получения заданной величины 10 р,реэистивного слоя, После завершения напыления...

Номер патента: 1826086

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Антоневич, Зароченцев, Тур

МПК: H01C 1/02

Метки: конденсатор, электрический

...коаксиальным кабелем 13, которыйвставляется в соосные отверстия 8, 9, 10 (в 50сквозное отверстие, проходящее через конденсатор) центральной жилой 14 в изоляции15 (разделкой) и подключается центральнойжилой 14 к контактному соединению 11 спомощью шайбы 16 и зажима 17, а оплеткой 5518 - к контактному соединению 12 с помощью накидной гайки 19,Последовательное соединение конденсаторов (фиг.2) осуществляется путем навинчивания конденсаторов с использованием контактных соединений 11 и 12, имеющих внутреннюю и наружную резьбу (не показана) и расположенных на дне 5 и крышке 6 корпусов конденсаторов. Подключение последовательно соединенных конденсаторов к внешней цепи может осуществляться также коаксиальным кабелем 13 (как и для одиночного...

Номер патента: 1827686

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Пшеничная

МПК: H01C 10/24

Метки: однооборотный, потенциометр, прецизионный

...2 ось ролика 4 скользит в пазу А ведущего рычага (поводка) 3 и, взаимодей ствуя с контактодержателем 6 посредствомкоромысла 7, вызывает отклонение контактодержателя 6 относительно оси потенциометра и вращение его с неравномерной скоростью, чем и достигается эффект кор рекции.Формула изобретения Прецизионный однооборотный потенциометр, содержащий реэистивный элемент, контактодержатель с токосъемным 20 элементом, узел коррекции, состоящий изпрофилированного кулачка, жестко закреп-, ленного на оси потенциометра, корректирующего ролика, размещенного с возможностью упругого контакта с профи лированным кулачком с помощью пружинысжатия, ведущего рычага, жестко закрепленного на оси потенциометра, и коромысла, о т л и ч а. ю щ и й с я тем. что,...

Номер патента: 1827687

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Пиганов, Самсонов, Шопин

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, толстопленочных

...б, Его выходные сигналы 35 имеют прямоугольную форму. При "нулевых" уровнях этих импульсов (первый такт) в устройстве для подгонки резисторов происходит измерение сопротивления подгоформирует цифровой код, пропорциональный его входному напряжению (разностному сигналу на выходе устройства сравнения 2). АЦП 4 содержит - разрядов, причем "вес" каждого последующего разряда, начиная со второго, меньше предыдущего в два раза.В первоначальный момент работы устройства для подгонки резисторов на первом выходе регистра сдвига 5,формируется логическая "1", которая поступает на второй вход элемента И 7 - 1, пропуская тем самым на выход элемента И 7 - 1 сигнал. содержаЩий на первом выходе АЦП 4. Если выходной сигнал элемента И 7 - 1 -...

Номер патента: 1829052

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Поляков

МПК: H01C 10/20

Метки: блок, логарифмической, резистивный, функциональной, характеристикой

...функциональной характеристикой выходного сопротивления.Цель изобретения - расширение области применения путем ограничения сопротивления между выводами при случайном отсутствии контакта движка и снижения нагрузочного тока через подвижные контакты.На фиг,1 представлена схема соединения переменных резисторов; на фиг.2 - то же, по постоянному току; на фиг.3 - то же, при неудовлетворительном контактировании в подвижных контактах; на фиг.4 - то же, при наличии нагрузки,ые обозначения, выводы 1, 2, 3: номинальные значения сопроосновного и дополнительного х элементов (резисторов), соот 1829052 А 1 нагрузки; О противления меж- у 3, 1 и 3, соответст-г 1 В те, В 1-з В+ Вд,=В+- 31 В пк (В и - 3 В пк (В и В к) т,е инствах предлагаимеет...

Номер патента: 1835561

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Багдонавичюс, Олешкевичюс

МПК: H01C 1/00

Метки: нагревателей, преимущественно, резистивный, электрических, элемент

...проволоки зигзагообразно изогнута по всей длине с образованием петли в каждом месте изгиба, упомянутые изоляционные прокладки выполнены,-образными и расположены попарно в каждой петле спирали выпуклыми поверхностями, обращенными одна к другой, а планки средств крепления выполнены по форме изоляционных прокладок и их выпуклые поверхности размещены в вь 1- емках изоляционных прокладок. 2 ил. та и крепящих деталей, а также фиксируя ее в заданном положении,На фиг.1 представлена спираль из проо волоки 1, согнутая под углом 180, пропуская один виток 2, образующий петлю крепления, Спираль любой длины может быть намотана автоматом и согнута с помощью простого приспособления.На фиг.2 изображен фрагмент сопротивления с крепящими деталями 3 и...

Номер патента: 1308076

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Белогуров, Гостило, Лаце, Юров

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомного, резистора, тонкопленочного

...пленку с дельным сопро 5 тивлением (0,3-0,6)10 Ом см, Иэполученной пленки на подложке вырубаютпри помощи фотолитограФии резистионыеэлементы, размеры которых выбирают в зависимости от требуемого номинала рези 10 стара. Та 2 длл резистора 1 ГОм размер3 .15 м 4,После этого проводят напыление подводящих контактов, состоящих из слоев хро.Ма, меди и никеля при температуре 200 С.Сразу после напыления температуру поднимают до 250 С и подвергают подложки изотермическому отжигу в течение 10 мин.После остыоанил подложек до комнатнойтемпературы производят изготовление подводящих контактов методом фотолитографии,. Затем проводят измерение параметроврезисторов: номинала сопротивления, зависимости активной саставляощей импеданса от частоты в...

Номер патента: 2004020

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Алексеева, Енгалычев, Калязин, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...8,7-8,8Дисилицид железа ОстальноеВведение никеля 5,0-5,2 мас.0/, и ванадия 8,7-8,8 мас способствует появлениюлинейной зависимости электросопротивления от температуры в диапазоне 80-1000 К10 и уменьшению ТКС. При содержании никеляменее 5,0 мас,/, и ванадия менее 8,7 мас4и содержании никеля более 5,2 мас., и ванадия более 8,8 мас,0 величина ТКС больше, чем в материале-прототипе. При15 содержании никеля и ванадия в пределах,указанных в формуле изобретения, величина ТКС в указанном температурном диапазоне меньше, чем в лучших резистивныхматериалах на основе дисилицида железа,20 Исходя из известных свойств ванадия,нельзя было предположить, что введениеего в известный материал повысит стабильность электросопротивления в...

Номер патента: 2004021

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Зенкин, Максимов, Пименов

МПК: H01C 10/10

Метки: блок, мембранный, резистивных, элементов

...или отверстий под коммутационную часть токосьемной платы, формирование отверстий или отверстий под коммутационную часть резистивных элементов осуществляют на подложке 1 окосьемной платы после формирования на ней токосьемных и коммутационных элементов,После формирования элементов на подложках резистивной и токосьемных плат осуществляют сборку и формирование контура мембранного блока, при этом используют ориентирующие отверстия. При изготовлении мембранного блока резистивных элементов используют прокладку, выполненную из гибкого материала, без адгезивного слоя и с нанесенным на две ее поверхности адгезивным слоем и защитным покрытие гл.Предлагаемый способ изготовления мембранного блока резистивных элементов осуществляют следующим...

Номер патента: 1704575

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Вольфсон, Долгих, Колотий, Цзин

МПК: H01C 17/00

Метки: варисторов, качества, оксида, основе, цинка

...и варисторы со значениями 1 а+3 1 а+1,о, отбраковывают.В таблице приведены параметры варисторов, подвергнутых контролю согласно изобретению,Как видно из таблицы, если величина активной составляющей рабочего тока варисторов после прохождения отбраковочного импульса тока составила величину, меньше 3 мА, то эти варисторы являются годными (варисторы МЪ 16, 18, 20, 24, 35, 39,28,98,21,22,64,93-95,30,46,47,56,72, 73), а варисторы, у которых 1 а+3 1 а+1,о, нв выдержали испытания на импульсную устойчивость (варисторы ММ 32, 33, 38, 44, 662, 78, 8).Изобретение позволяет увеличить выход годных варисторов, проводить 1006- ный неразрушающий контроль и повысить надежность ограничителей перенапряжения, в которых используются эти варисторы,25 Патент...

Номер патента: 1353178

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Вершинин, Власенко, Маевский, Манчук, Пугачев, Сарин, Энтин

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, объемных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий сухое перемешивание смеси из токопроводящих дисперсных материалов с портландцементом и диэлектрическим наполнителем, прессование полученной смеси с выдержкой под давлением 100 - 150 МПа и одновременной пропиткой ее насыщенным водяным паром с последующей сушкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельной энергии рассеяния, в качестве диэлектрического наполнителя используют молотый кварцевый песок с размерами частиц 0,2 - 1,0, количество которого составляет 1 мас. ч. на 1 - 3 мас. ч. портландцемента.

Номер патента: 774440

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Врублевский, Горелов, Добжинский, Жаворонков, Николаева, Репях

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий портландцемент, сажу, кварцевый песок и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной рассеиваемой энергии и напряжения перекрытия, он содержит указанные компоненты в следующих количествах, мас. % :Портландцемент 35 - 51Сажа 4 - 12Кварцевый песок 32 - 54Вода Остальное

Номер патента: 494086

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Андрейченко, Врублевский, Горелов, Добжинский, Жаворонков, Зорин, Манчук, Полевцев, Репях

МПК: H01C 17/02

Метки: композиционных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, состоящих из защитной оболочки, выполняемой из пластичных смесей, и собственно тела резистора, выполняемого из смесей сверхжесткой консистенции на основе портландцемента с влажностью смеси 6,5 - 10% , включающий формовку, выдержку, гидротермальную обработку и сушку резистора, отличающийся тем, что, с целью достижения монолитности защитной оболочки с телом резистора и повышения напряжения перекрытия по телу резистора, вначале между наружной стенкой формы и коаксиально расположенным цилиндром методом виброуплотнения формуют защитную оболочку на всю высоту резистора, затем, постепенно поднимая коаксиальный цилиндр, в свежеотформованную защитную оболочку формуют тело резистора путем динамического...

Номер патента: 1251728

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Власенко, Воробьев, Маевский, Манчук, Пугачев, Сафина, Фомин

МПК: H01C 17/00

Метки: высоковольтных, защитных, оболочек, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ОБОЛОЧЕК ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий формовку заготовок из портландцемента под давлением с помощью цилиндрической пресс-формы с коаксиально расположенными в ней одним или несколькими цилиндрами, удаление цилиндров из пресс-формы, выдержку заготовок под давлением с одновременным насыщением портландцемента перегретым водяным паром, распрессовку и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической и механической прочности защитных оболочек, перед операцией формовки цилиндры заполняют песком, осуществляют совместную формовку песка и заготовок, а насыщение портландцемента перегретым водяным паром осуществляют подачей его через песок, причем перед сушкой изделие освобождают от песка.

Номер патента: 1186013

Опубликовано: 15.06.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: защитный, материал, резистивных, тонкопленочных, элементов

ЗАЩИТНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий алюминий или хром, отличающийся тем, что, с целью улучшения временной стабильности резистивных элементов, он дополнительно содержит диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%:Хром или алюминий 30 - 50Диоксид кремния Остальное

Номер патента: 1119515

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Волкова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ для изготовления прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, алюминий и двуокись кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных резисторов с малой величиной ТКС в интервале от -60 до 125oС, он дополнительно содержит титан при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 30 - 56Железо 5 - 20Алюминий 10 - 16Титан 3 - 10Двуокись кремния Остальное

Номер патента: 1632251

Опубликовано: 15.07.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резистивный, резисторов, тонкопленочных

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, титан, алюминий и диоксид кремния (IV), отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, он дополнительно содержит оксид алюминия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 40 - 62Титан 15 - 22Алюминий 4 - 8Диоксид кремния (II) 13 - 22Оксид алюминия 3 - 10

Номер патента: 1110327

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Автономов, Берней, Горелов

МПК: H01C 17/00

Метки: композиционного, резистора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО РЕЗИСТОРА, включающий смешение компонентов, прессование, выдержку в нормальных условиях, гидротермальную обработку и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности электроизоляции резистора и стабильности работы в агрессивных средах, после сушки производят обжиг резистора в воздушной среде при температуре 500 - 600oС до выгорания технического углерода с приповерхностного слоя на глубину 0,3 - 0,8 см и пропитывают его кремнийорганическим полимером на эту глубину.

Номер патента: 1671057

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/00, H01C 17/00

Метки: белого, керамических, микрозагрязнений, обнаружения, поверхности, подложек, резисторов, тонкопленочных, цвета

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МИКРОЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК БЕЛОГО ЦВЕТА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий термическое испарение в вакууме и конденсацию материала-анализатора на поверхности подложки при комнатной температуре и последующее выявление микрозагрязнений путем визуального контроля наличия темносерых участков конденсата материала-анализатира на поверхности подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, в качестве материала-анализатора используют цинк, а его термическое испарение и конденсацию осуществляют при величине вакуума (3,99 - 13,3) 10-3Па.

Номер патента: 1773204

Опубликовано: 30.10.1994

Автор: Иванов

МПК: H01C 17/22

Метки: номинал, подгонки, резисторов, тонкопленочных

1. СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ В НОМИНАЛ, включающий локальное формирование металлических участков на резистивном слое посредством инструмента приварки, отличающийся тем, что с целью повышения технологичности и надежности, для локального формирования металлических участков используют концы проволоки или полости фольги, а после приварки и устранения инструмента приварки оставшуюся часть проволоки или полоски фольги удаляют.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что локальное нанесение металлических участков осуществляют посредством ультразвука с нагружающим воздействием.

Номер патента: 1574094

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Лисицына, Малицкая, Полтавцев, Попов, Раевский, Шпак

МПК: H01C 7/02

Метки: керамический, материал, позисторов, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗИСТОРОВ, содержащий оксиды свинца, железа, ниобия и титана, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он дополнительно содержит ниобат калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид свинца 57,52 - 68,68Оксид железа 6,49 - 10,67Оксид ниобия 13,14 - 21,93Оксид титана 0,02 - 7,39Ниобат калия 0,50 - 16,66

Номер патента: 1618190

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Ефремов, Малицкая, Полтавцев, Раевский, Рогач

МПК: H01C 7/02

Метки: датчиков, керамический, материал, полупроводниковый, температуры

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащий оксиды бария и олова, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной чувствительности и рабочих температур, он дополнительно содержит оксид гадолиния (III) при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бария - 44,84 - 49,60Оксид олова - 49,24 - 49,51Оксид гадолиния (III) - 0,89 - 5,92

Номер патента: 1686961

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Аникин, Бутузов, Сапрыкин, Хренова

МПК: H01C 7/00

Метки: величины, плата, пленочных, резисторов, сопротивления, тестовая

ТЕСТОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, содержащая диэлектрическую подложку с пленочными резистивными элементами прямоугольной формы и контактные площадки, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения величины удельного поверхностного сопротивления, она дополнительно содержит несимметричную микрополосковую линию передачи, выполненную в виде слоя металла на стороне диэлектрической подложки, противоположной размещению контактных площадок, и проводника, контактирующего со всеми пленочными резистивными элементами, причем резистивные элементы объединены в ячейки, соединенные последовательно участками проводника несимметричной микрополосковой линии передачи, контактирующего с каждым пленочным...

Номер патента: 1780439

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/46, H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий BaTiO3 с добавкой на основе Y2O3, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного интервала положительного температурного коэффициента сопротивления в низкотемпературную область, повышения величины удельного объемного сопротивления и снижения температуры спекания, он содержит в качестве добавки на основе Y2O3 соединение YBa2Cu3O7-x, где x=0-0,1, при следующем соотношении компонентов, мас.YBa2Cu3O7-x(x=0-0,1) 0,21 0,86BaTiO3 Остальное