H01C 17/075 — с использованием тонкопленочной технологии

Номер патента: 165811

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Бочкарев

МПК: H01C 17/075

Метки: непроволочных, сопротивлений, тонкослойных, электрических

...с токопроводящим слоем на керамическом основании, в которых повышение надежности сопротивления при наличии дефектов (трещин, рисок, раковин и т. п.) на поверхности основания достигается затягиванием оплавленной пленкой всей поверхности основания или только дефектных участков ее, образовавшихся после повторного обжига. На поверхности оснований тем или иным способом (термической возгонкой, химическим осаждением, обкаткой в барабанах) наносят плавень, содержащий окислы различных элементов или сплавы кремния с металлами.Все эти способы требуют дополнительных сложных технологических процессов (подбора соответствующего плавни для каждого вида керамики, разработки технологии подготовки плавня и т, д.) и наличия специального оборудования....

Номер патента: 232351

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бадинтер, Зеликовский, Кишиневский, Шнайдерман

МПК: H01C 17/075, H01C 3/20

Метки: проволочный, резистор

...фиг, 1 и 2 приведены два варианта выполнения предлагаемого резистора.Проволочный резистор с общей герметизацией основного резистивного элемента и подгоночной секции представляет собой каркас 1 с колпачками 2 и 3 и контактным кольцом 4, на который между колпачком 3 и кольцом 4 предварительно нанесена подгоночная секция в виде пленочного резистора 5, а между колпачками 2 и 3 намотан основной проволочный резистивный элемент 6, концы которого обра зуют электрический контакт 7 с колпачком 2и кольцом 4, Весь резистивный элемент герметизирован трубкой 8, концы которой залиты, например, эпоксидной смолой 9. Контактные колпачки 2 и 3 имеют оксиальные О токоподводы 10.Так как при герметизации проволочных резисторов, в частности из литого...

Номер патента: 900321

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Овласюк, Петров, Хальков

МПК: H01C 17/075, H01C 17/22, H01C 17/24 ...

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...геометриирезистор 1 соединен противоположны"ми выводами с пленочными металлическими контактами 2 и 3. По краю резистора напылены два дополнительныхэлектрода 1 и 5, соединенные соответственно с пленочными контактами 2 ти 3. По нормали к дополнительным резисторам при удалении материала образуются дорожки 6 грубой настройкии дорожки 7 и 8 точной настройки,состоящие из наложенных друг на дру- зВга и частично перекрытых лунок 9(и - количество лунок, 1 - шаг настройки),Подгонка резистора осуществляетсяследующим образом. В исходном состоянии сопротивление резистора минимально. Для ступенчатого увеличениясопротивления на большую величину используется дорожка 6. Дорожка образуется, например лазерным лучом, изпоследовательно наложенных друг...

Номер патента: 947920

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Айвазьян, Алексанян, Баграмова, Маркосян, Саносян, Сухарев, Татевосян

МПК: H01C 17/075

Метки: делителей, подгонки, тонкопленочных

...на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают последовательно на свободные выводы каждо 9 ч 7920го иэ гальванически связанных резисторов.На чертеже показан делитель напряжения, подгоняемый предлагаемым способом.Делитель состоит иэ резисторов 5 1-1-1-п(й, й,1, , К), подключенных одним выводом к общему проводнику 2, на который подан отрицательный потенциал напряжения источника 3 пи- тания. В пределах области 4, являю щейся зоной анодирования, осуществляется контакт электролита с поверхностью резисторов. Для селективной подгонки резистора 1-1-1-и замыкают один из ключей 5-.1 - 5-п, связывающий свободный вывод каждого из резисторов с положительиым полюсом источника питания. Потенциометром 6...

Номер патента: 1020869

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Голдованский, Готра

МПК: H01C 17/075

Метки: подгонки, резистора, сопротивления, тонкопленочного

...резистивной пленки импульсами лазера, передкаждьм импульсом лазера осуществляют предварительный нагрев реэистивнойпленки пропусканием через нее импульса электрического тока длительностью 50-100 мс.На чертеже схематически изображеноустройство для осуществления предлагаемого способа,Устройство состоит из импульсногооптического генератора 1, оптическойсистемы 2, блока 3 питания, координатного стола 4, подгоняемого резистора 5, омметра б, коммутатора 7,игольчатых щупов 8, контактных площадок 9, формирователя 10 импульсовтока и задающего генератора 11.Оптическая система 2 служит дляфокусировки лазерного излучения 12.Координатный стол 4 служит для перемещения подгоняемого резистора 5 впроцессе подгонки. Измерение сопротивления в процессе...