H01C 7/02 — имеющие положительный температурный коэффициент

Номер патента: 376816

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Грамм, Кондратов, Марин, Минаков, Рогова, Тюрин, Хавкик

МПК: H01C 7/02

Метки: сплав, тонкопленочиых

...свойств во времени.Включенные в интегральную схему упомянутые резисторы значительно улучшают ее раоочие характеристики за счет компенсации отрицательной температурной зависимости параметров полупроводниковых приборов, трансформаторов и других элементов,Г 1 р и м е р. Сплав, содержащий, вес. %; хрома 56, вольфрама 5 и кремния 39, получают сплавлением чистых компонентов (крем ния, хрома и вольфрама) на воздухе в кварцевом тигле с применением высокочастотного индукционного нагрева. Он может быть получен в виде литых пластин, стержней или порошка с определенной крупностью.Для получения резистивных пленок методом вакуумно-термического нанесения сплав используют в виде порошка с крупностью частиц 0,03 - .0,08 мм, испаряемого с...

Номер патента: 413532

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: H01C 7/02

Метки: 413532

...полупроводникового титана бария с добавками различных редкоземельных элеменгов, применяемые в схемах температурного кон троля, в роли ограничителей тока, для стабилизации характеристик транзисторов и для других целей. Они имеют низкие значения удельного сопротивления (при комнатной температуре о (104 ом см), высокие температу ры синтеза и обжига (соответственно 1100 - 1200 С и 1350 - 1400 С) и сложную технологию.Цель изобретения - разработка материала с положительным ТКС, высоким удельным со противлением и низкой температурой обжига.Цель изобретения достигается использованием легкоплавких окислов В 1,0, (1;,=- 817 С) и ЧзОз (1 = 685 С) с противоположным типом проводимости. 25Окись висмута обладает большим удельным объемным...

Номер патента: 438050

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Блудов, Богаткова, Слягин

МПК: H01C 7/02

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...материала введен алюминий.Полученные термической возгонкой в вакууме проводящие покрытия подвергаются термической обработке на воздухе, при этом происходит частичное окисление металлических компонентов материала покрытия.Поскольку удельный вес окисла алюминия больше удельного объема металла, то при окислении алюминия происходит уплотнение покрытия, препятствующее проникновению кислорода и дальнейшему окислению.Спекание проводящего покрытия, содержащего алюминий, при высокой те.птературе происходит без глубокого окисления других металлов, например хрома.Одновременно с улучшением термостойкости у покрытий, содержащих алюминий, происходит смещение ТКС в область положительных значений с увеличением содержанияалюминия в материале.Проводящие...

Номер патента: 570925

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Житомирский, Стаднийчук

МПК: H01C 7/02

Метки: терморезистор, электролитический

...кислота, например безводная фосфорная кислота, которая плавится при 42"С и в интервале температур от - 350 до +35 С имеет ТКС от 11 до 18"С, который вычисляется по фор- муле ивления для большинства веществ описывтся экспоненциальной зависимостью Я," = Л ехр (В/Т).Коэффициент В рассчитывается поВ = 2,303 ь 1 д ф/Ь (1/Т).Величина 1 КС связана с коэффицуравнением а = - В/Т. (4)В табл. 1 приводятся значения электрического сопротивления опытного образца терморсзистора, измеренные при различных температурах. Опытный образец представляет собой запаянную стеклянную ампулу с платиновыми контактами, содержащую безводную фосфорную кислоту. Зависимость 1 д Л - 1/Т прстерпсвает излом в изученном температурном интервале, поэтому найдены два значения...

Номер патента: 661615

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Алексеев, Андреев, Копосова, Люцарева, Попова, Чудинов, Шуманова

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный

...содержащий двуокись цирконияи стабилизирующую добавку (2 .Однако этот резистивный материал 20обладает низкой чувствительностью,Цель изобретения - повышение.чувствительности резистивного материала,25 Для этого реэистивный материал,преимущественно для изготовлениятерморезисторов, содержащий двуокисьциркония и стабилизирующую добавку,содержит в качестве стабилизирую- З 0 2щей добавки окись кальция при .следующем количественном соотношении компонентов, вес. Ъ тдвуокись циркония - 93-95 окись кальция 5-7 Полученный реэистивный материал имеет кажущуюся плотность 5,6 г/см удельное объемное электросопротивление при 400 С - 5-6 х 10 Ом см, а при 1000 С " 20-30 Ом см. Таким образом, этот резистивный материал имеет практически те же...

Номер патента: 712850

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Копалина, Тельцов, Шумшуров

МПК: H01C 7/02

Метки: терморезистор

...терморезистор в разрезе.Терморезистор состоит из герметичного корпуса 1, в котором расположены электрод 2 и емкость 3 из пористого материала, заполненная этанолом, изолятора 4, колпачка 5, электрически соединенного с корпусом 1, и выводов 6,В процессе работы терморезистора молекулы этанола, испаряясь, проходят в пространство между корпусом 1 и электродом 2, адсорбируются на них, захватывают электроны, затем спустя некоторое время десорбируются и распадаются на ионы. Полученные таким образом заряженные частицы в электрическом поле между корпусом 1 и электродом 2 создают ионный ток. Величина тока зависит от приложенного к корпусу 1 и электроду 2 напряжения. Изменяя размеры корпуса 1 и электрода 2 и количество этанола в емкости 3,...

Номер патента: 801117

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Гриднев, Остапенко

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный

...соотношении кОмпонентов, нес,:Окись висмута 68,1 - 70,0Вольфрамовый ангидрид 25,3 - 27,0Двуокись титана 1,7 - 1,9Танталовый ангидрид 2,8 - 30П р и м е р , Для .получения 100 г реэистинного материала была изготовлена шихта, состоящая иэ следующих компонентов, ч: окись висмута 68,96; вольфрамовый ангидрид 26,27; танталоный ангидрид 2,95; двуокись титана 1,85В качестве исходных используют компоненты реактивной чистоты, при расчете шихты вносят поправки на содержание основного компонента, После помола и смешивания исходных компонентов полученную шихту н виде порош 68,10 27,00 3,00 1,90 6,0 26,80 3,00 1,70 7,5 Как видно из таблицы, все исследованные составы имеют отрицательный ТКС в широком диапазоне температур (20-700" С) , сравнительно...

Номер патента: 817758

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Лейкина, Текстер-Проскурякова, Шефтель

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, изготовлениятерморезисторов, материал, основетитаната, резистивный

...Яг, РЬ; Я -Яп, 2 г, НГ, Ое, легированный донорной примесью, окись алюминия, окись кремния и окись марганца, дополнительно содержит окись кальция и двуокись . титана при следующем соотношении компонентов, вес.В:ВаО 35,000-54,000АО 0,100-20,0000,100-20,000у О 0,010- 2,500Яэ.О 0,100- 2,000А 12 ОЗ 0,100- 3,480ИпО 0,010- 0,100СаО 0,100-10,000Т 1 О 21,000-31,400Технологический процесс получения резистивногоматериала состоит в следующем.Смешивают мокрым способом в необ" ходимой пропорции соли и окислы соответствующих металлов, например титанилоксалатов бария, стронция, кальция, азотнокислый иттрий, гидрат окиси алюминия. Шихту сушат при 100-120 С в течение 2-4 ч, затем прокаливают817758 15 Формула изобретения Составитель Т.Баранова Редактор...

Номер патента: 860146

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Айвазьян, Маркосян, Саносян

МПК: H01C 7/02

Метки: нелинейной, температурной, терморезистор, характеристикой

...будет в вершине параболы, определяемой из условияД 11. = Йо с+21 с(Т-то)3Температура инверсии ТКС Т 11 определяется значениями ТКС параллельно включенных терморезисторов.и о 4Предлагаемый терморезистор благодаря наличию температуры инверсии ТКС позволяет реализовать принципиально новые системы контроля и регулирования температуры. Формула изобретения Терморезистор с нелинейной температурной характеристикой, содержащий чувствительный элемент и контактные площадки, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей терморезисторов, он выполнен в виде двух параллельно соединенных линейных терморезисторов с температурными коэффициентами сопротивления противоположного знака. Источники, информации,принятые во...

Номер патента: 951415

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Белова, Гольцов, Прокопало, Раевский

МПК: H01C 7/02

Метки: терморезистор

...К СОЗ 8,19, ВаСОВ - 34 98, мЬеОВ 98,89После тщательного перемешивания в этиловом. спирте смесь прокаливают при максимальной температуре 1500 К в течение 3-5 ч, затем измельчают до полного прохождения через сито951415 Температура прекращенияростасопротивТемпература начала Температурныйкоэффициент сопротивления, с3 град. Рабочая частота Г ГцУдельное сопротивление,о 1 2.о С ростасопротивленияСй ления,Т, С 4,7.10 30 120 8,2 1 10 9 5;10 30 120 7,9 120 5,4 110 5,4 1 10 5,4100 5,2 1;10 1.10 9,0.10 307,0;1 О 20 1 210 8,9 103 10 7,8;10 Формула изобретения 20 20 ного элемента использован ниобаткалия-бария Кор Ваоц МЬ Ов Составитель Ю. ГерасичкинРедактор С. Запесочный Техред М, Рейвес Корректор Ю. Макаренко 59 / Тираж 7 1 ВНИИПИ...

Номер патента: 1029239

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Ленных, Макордей, Чепельчук, Шапкина

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный, резисторов, толстопленочных

...технике и может быть использовано,например, в микроэлектронике приизготовлении толстопленочных элементов интегральных схем.Известен реэистивный материал 5для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтит никеля со структурой шпинели и переходный металл,выбранный иэ ряда, состоящего из ванадия, хрома и железа 1), 30Наиболее близким к изобретению нотехнической сущности является резистивный материал для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтитникеля со структурой шпинели и марга нец в качестве модифицирующей добавки 2),Недостаток известных резистивныхматериалов состоит в узком диапазонеудельного сопротивления.20Цель изобретения - расширениедиапазона удельного сопротивленияЦель достигается тем,что резичтивный материал,...

Номер патента: 1302336

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

...6,32 77,91ный) Формула изобретения СоставительО. ГерасичкинРедактор И. Николайчук Техред И. Верее Корректор О.;1 уговаяЗа каз 951/51 Тираж 699 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раугвская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для получения сегнетоэлектрических керамических материалов при изготовлении терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС). Целью изобретения является расширение диапазона рабочих температур материала в интервале 49 - 582 С, что позволяет улучшить воспроизводимость его свойств,Для получения материала...

Номер патента: 1330116

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Евдокимова, Корякова, Политова, Хрящева

МПК: C04B 35/468, H01C 7/02

Метки: керамический, материал, термочувствительный

...смешиваются сухим способом в яшмовом барабане халцедоновыми шарами при соотношении ма-териал: шары, равном 1:1, Длитель:ность смешения составляет 8-10 ч. Затем шихта протирается через сито скапроновой сеткой У 0035, загружается в корундовые тигли и помещаетсяв электропечь. Синтез осуществляетсяпри 1250 С с выдержкой в течение 2 ч. 30оПолученный спек подвергается сухомупомолу до получения удельной поверхности 5000-5500 смф/г,Изготовление образцов.Измельченный спек титаната барияи полирит, взятые при соотношении,Титанат барияПолирит 97,2-99)0 1,0-2,8Таблица Соотношение компонентов,мас.7 Состав Г 99,0 Титанат бария ВаТдОПолирит 98,597,2 2,8 97,2 98,5 99,0 0,75 1,4 0,5 0,25 0,7 0,37 0,35 0,19 0,125 0,125 0,35 0,.19 Состав с учетом...

Номер патента: 1372375

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Абубакиров, Протасов

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, терморезистивный

...сплатиновым покрытием, имеющими размер 1 х 1 мм и находящимися на расстоянии 15 мм. Температуру контролируют с помощью медноконстантановойтермопары, спай которой расположенмежду электродами образцов. При различных температурах измеряют сопротивление, а ТКС определяют по следующей формуле: ТКС = (2,3 д 1 д К/дс)1007где 1. К - изменение логарифма Сопротивления образца при изменениитемпературы на 1.Как видно из таблицы, предлагаемый терморезистивный материал вблизитемпературы фазового перехода, соответствующего плавлению органическойосновы, имеет высокий положительныйТКС, составляющий 57-3707 на 10 С,тогда как известные термореэистивные материалы того же назначения имеют положительный ТКС менее 17 на 1 С,точность поддержания температуры...

Номер патента: 1600560

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Андреев, Маркевич, Соловьева

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, основе, позисторов, титаната

...с оксидами РЗЭ вводится в шихту перед смешиванием.4. Смешивание производится "мокрым" способом в шаровой мельнице с последующей сушкой порошка при 130-150 С.5. Синтез материала проводится на воздухе при температуре 1150 С в течение 2 ч.6, Прессованные образцы заданной конфигурации обжйгаются при температуре 1280-1320 С в течениеч. Скорость охлаждения образцов от температуры обжига 100-150 град/ч.7, Для измерения электрических параметров наносятся электроды из эвтектики 1 п-Са.Иллюстрация положительных результатов по предлагаемому способу приведена в таблице, в которой представ лены данные аналога и прототипа, а также измеренные значения основных параметров позисторов из ВаТхО и. .его твердых растворов с различным . содержанием...

Номер патента: 1602254

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Андреев, Маркевич, Соловьева

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, основе, позисторов, титаната

...П.п, 1 и 2 таблицы соответственно характеризуют свойства позисторов из Ва РЬ оТхО, легированного 0,1 мол.% У О с добавками Та или ИЬ (прототип) и позисторовиз ВаТхОз, легированного ИЬ 205 или7 Оз с комплексом добавок (аналог)..Необходимо при этом еще раз подчеркнуть, что в прототипе рассматриваются позисторы только из свинецсодержащей керамики, в которую вводятсяИЬ или Та Дпя уменьшения потерь свинца при обжиге керамики. Лучшие результаты по аналогу и прототипу )5 =12 Ом см ПТКС = 5% /С.П,я. 3-5 таблицы характеризуют условия обжига и параметры позисторовиз керамик состава ВаТ 10, Ва. БгТ 10 пВа РЬТхО, изготовленных по предлагаемому способу при соотношении МЬ О/У, Ов сплаве, равном 8: 1. Видно, что при значениях удельного...

Номер патента: 1798821

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Шмырева

МПК: H01C 7/02

Метки: термопреобразователь

...участок термопреобразователя напыляют тем же методом защитный слой А 20 з - 4. При этом контактные площадки 5 и 6 не покрывают защитным слоем 4, После скрайбирования подложки на отдельные образцы - термопреобразователи к контактным площадкам 5 и 6 присое- в диняют электрические выводы 7 и 8, например, пайкой припоем или вжиганием ) никелевой или серебряной пасты, рПрибор работает следующим образом, Под действием изменения температуры происходит изменение сопротивления термопреобразователя, что регистрируется цифровым омметром типа В 7-35 или с помощью стандартных электронных схем переводится в цифровой код, высвечиваемый а на жидкокристаллическом индикаторе, в соответствии с измеряемой температурой.Легирование пленок никеля...

Номер патента: 1798822

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Захарченко, Недовесов, Шмырева

МПК: H01C 7/02

Метки: датчик, температуры

...12 кВ, токе 180 мА, Затем методом фотолитографии создают заданную топологию датчика. Через маску в вакуумной системе напыляют защитный слой 4 на чувствительный участок датчика. При этом контактные площадки не покрывают защитным слоеМ. После скрайбирования пластины на отдельные кристаллы - датчики к контактным площадкам 5 и 6 присоединяют электрические выводы 7 и 8, например, методом ультразвуковой сварки.Прибор работает следующим образом, Под действием изменения температуры происходит изменение сопротивления датчика, что регистрируется цифровым омметром типа В"35, или на основе стандартных схем сигнал преобразуется в цифровой код, соответствующий измеряемой температуре, Легирование пленок никеля иттербием, имеющим большой атомный радиус,...

Номер патента: 1574094

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Лисицына, Малицкая, Полтавцев, Попов, Раевский, Шпак

МПК: H01C 7/02

Метки: керамический, материал, позисторов, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗИСТОРОВ, содержащий оксиды свинца, железа, ниобия и титана, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он дополнительно содержит ниобат калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид свинца 57,52 - 68,68Оксид железа 6,49 - 10,67Оксид ниобия 13,14 - 21,93Оксид титана 0,02 - 7,39Ниобат калия 0,50 - 16,66

Номер патента: 1618190

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Ефремов, Малицкая, Полтавцев, Раевский, Рогач

МПК: H01C 7/02

Метки: датчиков, керамический, материал, полупроводниковый, температуры

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащий оксиды бария и олова, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной чувствительности и рабочих температур, он дополнительно содержит оксид гадолиния (III) при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бария - 44,84 - 49,60Оксид олова - 49,24 - 49,51Оксид гадолиния (III) - 0,89 - 5,92

Номер патента: 1780439

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/46, H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий BaTiO3 с добавкой на основе Y2O3, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного интервала положительного температурного коэффициента сопротивления в низкотемпературную область, повышения величины удельного объемного сопротивления и снижения температуры спекания, он содержит в качестве добавки на основе Y2O3 соединение YBa2Cu3O7-x, где x=0-0,1, при следующем соотношении компонентов, мас.YBa2Cu3O7-x(x=0-0,1) 0,21 0,86BaTiO3 Остальное

Номер патента: 1382277

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Груздев, Копосова, Люцарева, Чекмарева

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, терморезистивный

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий диоксид циркония, оксид иттрия и добавку оксида металла, отличающийся тем, что, с целью повышения температурного коэффициента сопротивления в диапазоне температур 300 - 1000oС, он содержит в качестве добавки оксида металла оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.Диоксид циркония 78 84Оксид иттрия 9 19Оксид кобальта 2 10

Номер патента: 1402167

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Груздев, Копосова, Люцарева, Чекмарева

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, терморезистивный

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий оксид циркония, оксид иттрия и оксид металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного электрического сопротивления и температурного коэффициента сопротивления при температуре 200oС, он содержит в качестве оксида металла оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид циркония 24 45Оксид иттрия 5 10Оксид кобальта 50 70

Номер патента: 1329473

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, позисторов, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПОЗИСТОРОВ, содержащий оксиды висмута и ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения значений положительного температурного коэффициента сопротивления в интервале температур 296-312oС, он дополнительно содержит оксид марганца и отвечает общей химической формулеBi21/16 V5/6 Mn1/6O5/2/3

Номер патента: 1253358

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий синтезированную смесь оксидов висмута (III) и ванадия (V), отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельных сопротивлений в низкоомной области в интервале температур 295-330oС, он дополнительно содержит оксид титана (IV) и отвечает общей химической формуле синтезированного ванадата-титаната висмутаBi21/6 V5/6 Ti1/6 O52/3.

Номер патента: 1496534

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Леонидов, Фотиев

МПК: H01C 7/02, H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, включающий Bi2O3 и V2O5, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости электрических характеристик в атмосфере воздуха в интервале температуры 440 - 600oC, компоненты взяты в количественном соотношении, мол.%:Bi2O3 - 65,5 - 69,5V2O5 - 30,5 - 34,5

Номер патента: 1311510

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Автономов, Берней, Горелов, Пинчук, Пугачев

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал, содержащий кварцевый песок, натриевое жидкое стекло, тонкомолотый гранулированный шлак и технический углерод, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и уменьшения пористости, он дополнительно содержит каолин и корунд, а натриевое жидкое стекло взято с силикатным модулем 1,0 - 2,0 и плотностью 1,25 - 1,35 г/см3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:Натриевое жидкое стекло с силикатным модулем 1,0 - 2,0 и плотностью 1,25 - 1,35 г/см3 - 10 - 25Тонкомолотый гранулированный шлак - 20 - 75Технический углерод - 0,01 - 10Каолин - 0,01 - 10Корунд - 0,01 - 54Кварцевый песок - Остальное

Номер патента: 1304639

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Орлова, Текстер-Проскурякова, Шефтель

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, основе, позисторов, титаната

1. Способ изготовления позисторов на основе титаната бария, включающий приготовление твердых растворов из отдельных компонентов, их смешивание, формовку заготовок, обжиг и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей напряженности позисторов, перед операцией смешивания твердых растворов осуществляют измельчение каждого из них.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что измельчение каждого из твердых растворов осуществляют в воде.