H01C — Резисторы

Номер патента: 1049989

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Ивон, Черненко

МПК: H01C 7/04

Метки: термочувствительного, элемента

...скачок по сопротивлениюпри фазовом переходе.Способ осуществляется следующимобразом.Пентоксид ванадия ЧО марки ЧДА ,массой 145,6 г и днухэамещенный фосфорнокислый аммоний (ИН )2 НРО 4 марки ХЧ массой 46 г н виде сухих порошков перемешивают н течение 0,5 чпри помощи гомогенизатора Таун - 2.Затем шихту греют в течение 2 ч при100 цС на воздухе в сушильном шкафУ,.после этой обработки шихту загружают:в герметическую кварцевую трубу, которая предварительно заполнена сухим, газообразным азотом, и трубу с шихтой помещают на 15 мин в печь сопротивления, в которой поддерживаетсятемпература 550 ОС с точностью +1 С. 65 Термообработанную таким образом шихту насыпают в кварцевый тигель объемом 20 см 3 и высотой 5 см. Тигель помещают в печь,...

Номер патента: 1051590

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Ржевусский

МПК: H01C 17/242, H01C 7/00

Метки: пленочный, резистор

...для размещения на ней пленочныхэлементов, Внутренняя контактная10 площадка 2 выполнена в форме круга., расположена в центре диэлектрической подложки 1 и размещенаконцентрически по отношению к внешней контактной площадке 3, котораяосуществляет коммутацию пленочногорезистора с другими элементамимикросхемы при помощи навесной перемычки, Резистивный элемент 4 круглой формы, размеры и материал которого определяют сопротивление пленочного резистора, расположен между внешней 3 и внутренней 2 контакт.ными площадками. Проводящая пленочная спираль 5, выполненная изпроводящего материала в форме двусторонней гребенки с шагом С (расстояние между смежными выступами),соединяет внешнюю 3 и внутреннюю 2контактные площадки и предназначена30для...

Номер патента: 1051591

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Скуридина, Усков, Яблоков

МПК: H01C 17/232

Метки: резисторов

...-10 4 мм рт. ст,) устанавливается исходя из требований чистоты среды, в которой происходитотжиг. С точки зрения физико-химических превращений нижнего пределапо давлению при технологической операции "Отжиг", не существует, Нижний предел, равный 1 10 4 мм рт.ст,выбирают из условия сокращения вре 10 15 20 25 30 35 40 45 55 60 мени проведения операции "Отжиг"в производственных условиях.П р и м е р. С целью подгонкисопротивления резистора с одновременной стабилиз.цией структуры резистивного слоя проводят отжиг цилиндрических резисторов типа С 2-29,Й = 3,30 Ом, полученных термическим разложением БЭБХ на керамической подложке в течение 3 ч в вакууме 3 10 4 мм рт,ст, при 500-1000 С(результаты, изложенные ниже, практически не изменяются при...

Номер патента: 1054837

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Северин, Северина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...быть использовано для изготовления нагревательных элементов для отопительных устройств.Известен резистивный материал, содержащий технический углерод, цемент, кварцевый песок, периклаз и воду Г 1 .Недостатки известного резистивного материала состоят в низкой прочности на изгиб, трещиностойкости и 10 нестабильности удельного электрического сопротивления в интервале рабочих температур 100-150 сС.Наиболее близким к изобретению является резистивный материал, содер 15 жащий химическое электропроводное волокно, цемент, кварцевый песок в качестве заполнителя и воду 2 3. Недостатки известного резистивного материала заключаются также в низкой прочности на изгиб и трещиностойкости в интервале рабочих температур 100-150 фС,Цель изобретения .-...

Номер патента: 1054838

Опубликовано: 15.11.1983

Автор: Ярославцев

МПК: H01C 10/46

Метки: магазин, низкоомных, сопротивлений

...номинального значения сопротивления шунтирующего резистора (Й 2), выраженного по формуле (1), получаем . 6(1+д"1) (10-и) +(1+ сГ) (90+и)90+иусловиюэ 1 товления магаэи100на, после постановки получаем1 Фд",+ д+д с)1+Г 2 1 21 0,9)2+(б 2 1) 100После преобразования получаемО, 9 д"1+О, 1 д 2+ сд - (д - д )01 2 2 1 100Эф С 1 ф 2( 2 1 ф100Без существенной ошибки в определении погрешности а эту формулу приводим к виду Ф -Ор 90+0,1 с 2 (2)еВариация переходных сопротивлений контактов переключателей шунтиЭ рующих резисторов принимается равной 0,0003 Ом, что соответствует вариа-" ции переходных сопротивлений контактов переключающих устройств магазинов сопротивления класса точности 0,02 с одной декадой. Эта вариация составляет 0,33 от минимального...

Номер патента: 1056281

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...изпредлагаемого материала, обладаютжаростойкостью при эксплуатациина воздухе вплоть до температурыплюс 280 С и термостабильностью завремя 10000 ч, т,е, изменение величины сопротивления резистора от номинала составляет +7% при температуреокружающей среды плюс 280 С,оПовышение жаростойкости и термостабильности в предложенном материале происходит за счет того, что молибден образует с легирующими добавками гамма-фазу и твердые растворы,обладающие повышенной жаростойкостьюи териостойкостью. Введение лантаноидов в приведенном процентном1056281 Уменьшение содержания легирующихдобавок ниже указанных пределов приводит к резкому снижению жаростойкости и термостабильности при длительной эксплуатации.увеличение содержаний л гируюших...

Номер патента: 1061179

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Скобленко, Смеркло, Тулуевский

МПК: H01C 7/06

Метки: величины, коэффициента, пленки, резистивной, сопротивления, температурного

...65 пленки с последующим расчетом величины ТКС, величину термического напряжения нагретой резистивной пленки определяют с помощью голографической интерферограммы, после чего компенсируют термические напряжения.механическим путем и производят измерение сопротивления при заданнойтемпературе с последующим расчетом ТКС,На Фиг. 1 представлен образец в исходном состоянии при температуре Т и сопротивлении Р (интерферограмма при этом не возникает), на фиг, 2 - образец в нагретом состоянии при температуре Т (объект деформирован под воздействиемТ, свободный конец консоли совмещается на расстояние Ь г, возникает интерФерограмма), на Фиг, 3 - образец при температуре Тд, при которой производится процесс компенсации механических напряжений и...

Номер патента: 1061712

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Масаки, Нобору, Юдзи

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...парафин, поливинилс вый спирт илиполиэтиленгликоль( таки неорганическое, например, фосфор"ная кислотаСпекание проводится в обычнойЗО электрической печи при 1000-1300.ОСобычно в течение 1 ч. Это спеканиеуспешно осуществляется в воздушнойсреде,П р и м е р. Порошкообразные ис-.ходные компоненты в различных количественных соотношениях (в указанных пределах) смешивают в шаровоймельнице с получением 35 образцов, 40 в том числе и контрольных (с выходом за пределы), Образцы предварительно агломерируют в воздушной атмосфере в электропечи при 800 С вОтечение 1 ч и измельчают в шаровой 45 мельнице с получением 35 видоизмененных порций порошков. К видоизмененным порошкам добавляют в качествесвязующего полнвиниловый спирт иполученные массы...

Номер патента: 1064322

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Арешкин, Афанасьев, Жданов, Шостко

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...поверхностное сопротивление двухслЬйнойсистемы при 20 оС должно быть равно 10удельному поверхностному сопротивлению системы при 120 С, т.е. с изменением температуры на ЭТ100 фС,удельное поверхностное со.ротивление двухслойной системы не должно 15изменяться.СледовательноЙ,Йз Ж Англ Эг)31 ,С:в вдйЗВИИз О) можно получить20фа й,й,- в+ Я + - 2:0ак,ая,Щ25Прежде чем провести дальнейаеепреобразование уравнения (2), рассмотрим, что собой представляетТКС каждогО из слоев. Значение ТКС.обозначим через Ф ., преобразования. будем вести с модулями я , что"бы ие учитывать знаки ТКС. По оп.ределению ТКС первого, слоя равен(3 где коэффициент1 л 1-лК=лс +Л 35Правильность формулы СЗ) прове-.ряют экспериментальным путем. Получено значение...

Номер патента: 1064323

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Маринчева, Набока, Палатник, Тупикина

МПК: H01C 7/00

Метки: терморезистор

...терморезистора заключается в узком диапазонерабочих температур (до 250 вС).Цель изобретения - расширениедиапазона рабочих температур терморезистора.Указанная цель достигается тем,что в герморезисторе, содержащемизолируюцую подложку, на которойрасположены термочувствительный элемент иэ халькогенидного полупроводникового материала и пленка защитного покрытия, в качестве халькогенидного полупроводникового материаГ Максимальная рабочая температура, СТолщина пленки, мкм ТКС1/град. Температура исп тания,ОС Подложка 510 Ец 5 0,04 800 0,02 0,45 Слюда 0,015 0,015 600 0,55 0,10, Лейкосапфир 0,01 0,60 1000 0,01 600 Лейкосапфир 0,008 Лейкосапфир 1000 0,01 0,60 900 изменения температуры окружающейсреды или поверхности, на которуюнанесена пленка из...

Номер патента: 1064324

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абдинасыров, Генин, Козлова, Цванкин

МПК: H01C 7/10

Метки: варисторов, композиция, резистивная

...прохождении тока в двух .направлениях: в одном 1,1) ток проходит вдоль плоскости пластины перпендикулярно направлению деформации, а в другом 1 Ц- вдоль направления деформации, т.е. перпендикулярно поверхности пластины. Экспериментально установлено, что частицы графита ориентированы Таким образом, что кристаллографические плбскости 002) расположены преиму- щественно перпендикулярно направлению силы сжатия с различной степенью дисперсии. Дисперсию ориентаций частичек графита характеризуют углом К между средним положением, параллельным направлению сжатия, и максимальным отклонением нормали к плоскостям 002) от среднего поло жения. Угол К определяют с помощью рефлекса 002 на рентгенограммах, снятых с первичным рентгеновским пучком,...

Номер патента: 1067538

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Илюшенко

МПК: H01C 3/02

Метки: высокоомный, резистор

...резистора (Р).Емкость С увеличивает общую параэитную емкость резистора, а .емкости С малы и несущественно вли 1яют на его диапазон рабочих частот. Учитывая, что на частотные свойства резистора наиболее существенно влияют емкость С, эквивалентная схема высокоомного резистора при заземлении контактного вывода 8 токопроводящего элемента (установленного на равных расстояниях от торцовых выводов 4 и 5) может быть представле" на как показано на фиг.,3. Токопроводящий элемент совмещает в себе емкость С , образованную первым витком спирали б и реэистивным элементом 2 (зта емкость практически не" зависит от количества витков спира,ли), и индуктивность (, , образо-. ванную всеми витками спирали 6.Токопроводящий элемент делит аопротивление...

Номер патента: 1072113

Опубликовано: 07.02.1984

Автор: Решетников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, электропроводящий

...содержащий сажу, графит, металлический наполнитель и органическое свя 5 зующее, содержит в качестве металлического наполнителя.порошок меди,покрытый серебром, При следующемсоотношении компонентов, вес.:Сажа 2-45О Графит 1-5Порошок меди, покрытый серебром 13-67Органическое связующее Остальное для получения электропроводящего материала было приготовлено три смеси компонентов. В таблице приведены состав исвойства предлагаемой и известнойсмеси.+11,0 108,89 Известная 97,32 Сдир слояпри движении щетки по слою Порошок никеля, покрытый серебром - 62Сажа - 2 105,8 121,6 Графит - 1 Фторопласт - 35 89,9 93,7 104,5 98,3 110,9 99,4 10 115,3 12 4Каждый состав получали смешением компонентов в шаровой мельнице в среде этилового спирта в течение 5 ч с...

Номер патента: 1072114

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Аржанова, Банников, Залесский, Ильин, Ларин, Обносов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, прецизионных, резисторов

...типа С 2-29 В мощностью0,5 Вт на керамические основания наносят резистивную .пленку и подвергают ее термообработке на установке"Изотерм" в среде аргона. После тер-мообработки полученные заготовки резисторов армируют и проводят измерения электрического сопротивления итемпературного коэффициента сопро-.тивленияДанные о режиме термообработки ипараметрах резисторов приведены втаблице. Режимы термообработки Способ изготовления резисторов Т,С Расходаргона,л/ч ТКС. 101 гр. Время,мин-18,7 -17,9 -15,2 21 450 20 20 30 Изобретение относится к электронной технике и может быть использова; но в технологии изготовления постоянных пленочных прецизионных резисторов.Известен способ изготовления постоянных пленочных прецизионных резисторов, включающий...

Номер патента: 1073806

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Батура, Безруков, Бронников, Воропаев, Голоденко, Дубинина, Писляков

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...связующее, дополнительно содержит оксиды никеля и меди, а в качестве соединений рутения токо- проводящая фаза содержит диоксид 35 рутения при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ;Диоксид рутенияОксид никеляОксид медиСтеклофриттаОрганическое связующее 22,0-23,0 нового масла 3 и циклогексанола(ЕТО.035304 ТУ) 1.Для получения реэистивной пастысоставляют порошковую композицию издиоксида рутения, оксида никеля,оксида меди и стеклофритты.Композицию перемешивают в агатовойступке с пестиком 4 0 ми и, э атем вводяторганическую связку и перемешивают сосвязкой,еще 20 мнн.Пасту выгружают вплотно закрывающуюся стеклянную банку из темного стекла с резьбовой илипритертой пробкой, крышку оклеиваютполиэтиленовой лентой с липким слоем....

Номер патента: 1075314

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Каравайцев, Козлов, Колесников

МПК: H01C 3/10

Метки: высоковольтный, резистор

...элементы выполнены в виде пружинящих токопро" водящих скоб, стянутых болтом со сквозным отверстием, в котором расположен соединительный провод.На фиг1 дан высоковольтный резистор, разрез; на фиг. 2 - разрез 55 А-А на фиг. 1 (узел крепления резистивных элементов); на фиг. 3 - вид Б на фиг. 2; на фиг. 4 - одна из возможных электрических принципиальных схем. бОВысоковольтный резистор содержит диэлектрический корпус 1, диэлектрическое основание 2, резистивные элементы 3, пружинящие токопроводящие скобы 4, сквозные пазы 5, болт 6 для б закрепления реэистивных элементов, входной кабель (ввод) 7, выходной кабель (вывод) 8, вентиляционные отверстия 9, соединительные шины 10, при этому -угол под которым расположены резистивные элементы...

Номер патента: 1075315

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Блесткин, Денисова, Казанцев

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, резисторов, толстопленочных

...тем, что композиционный материал для толстопленочных резисторов, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, в качестве проводящей фазы содержит алюминий,. в качестве З 5 кисиородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнитель. но содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 40Алюминий 2,0-4,4Борный ангидрид 15,9-24,0БорнокислыйсвинецБорнокислый 45барий 17,7-26,0Триоксид воль, фрама Остальное для получения композиционного материалаКаждую смесь получают следующим образом.Оксид вольфрама (МРТу 6-09-4676- -67), алюминиевую пудру (ПАП, ГОСТ 5494-71), борнокислый свинец (мета ), водный, прокаленный до постоянного веса...

Номер патента: 1075316

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Гамазов, Самородов, Темизок

МПК: H01C 10/28

Метки: потенциометр

...шина выполнены либо в виде проволочных спиралей, либо в виде пленочного токопроводящего покрытия.На фиг. 1 изображен потенциометр, общий вид, на фиг. 2 - то же, вид . спереди; на фиг, 3 - разрез А-Л на Фиг. 1; на фиг, 4 - профиль резьбы каркаса с уложенными реохордом и токосъемной шиной, взаимодействующие с токосъемным роликом; на фиг. 5 профиль канавки каркаса с токопроводящими покрытиями, взаимодействующие с токосъемным роликом, на фиг, 6 каркас с выводами от токопроводящих покрытий, на фиг. 7 - электрическая схема потенциометра с выводами.Потенциометр содержит каркас 1, выполненный из диэлектрического материала, на наружной боковой поверхности которого выполнена однозаходная канавка 2 треугольной формы с вырезами 3 на...

Номер патента: 1036206

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Бухаров, Герасимов, Федоткин

МПК: H01C 11/00

Метки: жидкостный, резистор

...поверхности раздела электролитической и газовой сред при любомположении резистора,Трубка введена в полость электрода на высоту половины образующейцилиндрической поверхности полости.На фиг.1 показан предложенныйрезистор в вертикальном положении,полый электрод внизу; на фиг.2то же, полый электрод вверху; нафиг.3 - предложенный резистор вгоризонтальном положении.Корпус 1 резистора фиг.1 в виде цилиндрической трубы выполнен из диэлектрического материала, например из полиэтилена, а первый электрод 2, например медный, выполнен с герметичной цилиндрической полостью 3. Поверхность электрода 2, обращенная к второму электроду 4 резистора, имеет вогнутую по направлению к полости в электроде коническую форму. Соосная с полостью в...

Номер патента: 1078473

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Гербер, Костылева

МПК: H01C 3/02

Метки: низкоомный, резистор, четырехзажимный

...так как реэистивные элементы шунтов для обеспечениявозможности получения малых значенийсопротивлений должны иметь значитель.. ные поперечные размеры.Известен также четырехзажимныйрезистор малых значений, выполненныйс целью уменьшения его размеров в виде одиночного распределенного плоского элемента, изготовленного иэ резистивного материала, одна пара зажимов которого используется как токовые, а другая пара - как потенциальные 23,Однако подобные резисторы нашлиприменение главным образом на постоянном токе, либо на крайне низкихчастотах, т,е. область примененияих ограничена, что объясняется наличием у них значительной остаточнойреактивности, а значит и постояннойвремени, обусловленной тесной индуктивной связью резистивного элемен-,та с...

Номер патента: 1081673

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Буц, Новокшенов, Соловьева, Фадеев, Франк

МПК: H01C 17/00

Метки: основе, слоистого, фольги

...термообработанной резистивной фольги, эластичная прокладка из высокотемпературной резины, фторопласта, резиноподобного герметика и т.п,Собранный пакет помещают в камеру приспособления, которая за счет перемещения одной из стенок (параллельной плоскости элементов пакета) имеет возможность изменять свой объем.Доведя объем камеры до объема помещенного пакета, приспособление помещают в термошкаф и подвергают воздействию температуры по определенному режиму в зависимости от типа применяемого клея.Пример 1. Заготовки резистивной фольги марки НМ 23 ХЮ (ТУ 14-1-29-27-80) толщиной 0,003-0,005 мм помещают в вакуумную печь типа СНВЛ и, доведя температуру печи до 448+. 2 С, подвергают термообработке в течение 6 ч. При этом получают ТКС фольги в...

Номер патента: 1083240

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Немировский, Табачников, Хихлач

МПК: H01C 17/00

Метки: выводами, осевыми, радиодеталей, сборки

...основа- з ния, что снижает качество армировки,Цель изобретения - улучшение качества напрессовки путем повышения износостойкости механизма напрессовки.Указанная цель достигается тем, что в устройстве для сборки радиодеталей с осе О выми выводами, содержащем вибробункер для подачи керамических оснований резисторов, механизм подачи контактных узлов, механизм напрессовки, выполненный в виде вращающегося барабана, снабженного ползунами, расположенными один против другого и кинематически связанными через копир с приводным механизмом, ползун выполнен из двух цилиндрических частей с возможностью их взаимодействия торцовыми поверхностями, одна из которых выполнена плоской, а другая - сферической формы,На фиг, 1 показано устройство для...

Номер патента: 1086466

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Гвердцители, Зайцев, Каландаришвили, Шартава

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...133,3 Па и температуре образца300 С в предварительно вакуумироканном объеме. При этом происходит внед"45рение щелочного металла в пирографит,Контроль за качеством внедренногощелочного металла осуществляется поизменению линейного размера образцапирографита вдоль кристаллографичес 50кой оси С.Величину электросопротивлекия, атакже ТКС получаемого при этом резистивного материала можно регулировать изменением количества добавкицезия. Например, отношение удельныхэлектросопротивлекий пирографита исоединения ССз.при 50 С равно 260,466а температурный коэффициент сопро"тивления соответственно равен -1.л 10 5 град и +1,7 1 ОградНа фиг. 1 представлена кривая за"висимости температурного коэффициентасопротивления от удельного содержанияцезия в...

Номер патента: 1088077

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Пособилов, Якунин

МПК: H01C 17/00

Метки: резистор, цилиндрический

...электрода в сформированном резис" торе. Длина прорези 5 определяется требуемым номиналом резистора, а расстояние от конца прорези до краяВ подложки ограничивается только необходимым условием, чтоне должно быть меньше ширины прорези д для обеспечения электрической прочности резистора.Для подгонки резистора в заданный номинал в резистивном слое могут быть выполнены дополнительныепрорези 6, образующие требуемуюконфигурацию подгонки.В качестве материалов для изготовления резистора могут быть использованы любые, применяемые в резисто"ростроении, например керамика - для диэлектрической подложки; в качестве резистивного материала - углерод, металлические сплавы, керметы, фоль3 108 З 077 4га и т.п., для контактных площадоквысокопроводящие...

Номер патента: 1089631

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Авдеенко, Глот, Ивон, Катков, Макаров, Чакк, Черненко

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: нелинейных, резисторов

...заключаются в низком коэффициенте нелинейности и высокой электропровод- ности нелинейных резисторов.Цель изобретения - увеЛичение коэффициента нелинейности и уменьшение электропроводности в слабых полях +Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовле О ния нелинейных резисторов, включающеДополнительная Кс эффициент териообработка нелинейности при 700 ОС в те- при плотносчевие 1 ч ти тока10 А/сиф му приготовление керамической шихты из смеси оксида цинка с добавками оксидов металлов прессование заготовок резисторов высокотемпературный обжиг и дополнительную термообт аботку, последнюю осуществляют в тмосфере чистого кислорода при давении ЗбОторр или в атмосфереатого воздуха при давлении 1520- ,6080 торр.Проведение...

Номер патента: 1091232

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бушланов, Евдокимов

МПК: H01C 7/00

Метки: подстраиваемый, резистор, тонкопленочный

...нестабильности номинала резистора вследствие погрешности, возникающей при саморазогреве резистивного элемента.Наиболее близким к изобретению техническим решением является тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом и контактными площадками 2.Недостаток известного тонкопле 25 ночного подстраиваемого резистора заключается в нестабильности номинала резистора, так как невозможна подстройка после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. ЗОЦель изобретения - повышение стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. 35Поставленная цель достигается тем, ч,о тонкопленочный...

Номер патента: 1092575

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Лен, Рудовол

МПК: H01C 17/00

Метки: запрессовки, корпус, оснований, переменных, резисторов

...на фиг.3 - разрез Б-Б на фиг,1; на фиг.4 - вид В на фиг.З.Устройство для запрессовки оснований переменных резисторов в корпус содержит матрицу 1 для размещения корпуса 2 резистора с контактной пружиной и пуансон 3 для запрессовки основания 4 резистора. Пуансон 3снабжен контактами 5 для подключениявыводов 6 основания 4 переменногорезистора к блоку управления (не показан). Контакты 5 изолированы отпуансона 3, Подпружиненный упор, выполненный в виде траверсы 7, предка.эначен для фиксации пуансона 3 в момент окончания деформации контактной пружины корпуса 2 резистора нарасчетную величину, Траверса 7 установлена с зазором Г относительно неподвижного регулируемого упора В, Величина зазора Г между траверсой 7 и неподвижным упором 8...

Номер патента: 1092576

Опубликовано: 15.05.1984

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/26

Метки: пленочных, подгонки, резисторов

...для повышения точности, посредством полного устранения переходных процессов на входе нудь-органа.Для упрощения устройства дополнительный резистор 17 и контакт 14 можно не применять, однако при этом устройство будет работать не в оптимальном режиме, т.е, с низкой производитель - ностью. Выбором величины сопротивления дополнительного резистора 17 регу-, лируется частота циклирования и длительность циклов подгонки и измерения.Длительность циклов измерения и подгонки зависит от времени перезаряда конденсатора 12 в каждом цикле. В начале подгонки в цикле измерения, когда подгоняемый резистор 18 подключен к изперезаряжается большим напряжениемнедобаланса моста, так как подгоняемыйрезистор меньше заданного на 1020%. Поэтому длительность...

Номер патента: 1095247

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Петунов

МПК: H01C 13/00

Метки: заготовки, керамических, конденсаторов, металлосодержащей, нанесения, пасты, плоские, преимущественно

...конструкцию устройства.Цг ю изобретения является повышение прои. одительности в работе и точности нанесения контактного пятна металлосодержащей пасты.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для нанесения металлосодержащей пасты на плоские заготовки, преимущественно керамических конденсаторов, содержащее блоки пуансонов, соединенные с приводом их вертикального возвратно-поступательного перемещения, держатель за 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 готовок, емкость для пасты и механизм дозирования пасты, блоки пуансонов размещены над емкостью для пасты с возможностью совместного перемещения в пасте, причем торцовые поверхности пуансонов выполнены сферическими.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид в разрезе; на фиг....

Номер патента: 1095248

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Власенко, Маевский, Манчук, Пугачев

МПК: H01C 17/00

Метки: объемных, резисторов

...в 40 капиллярах смеси, насыщает ее водой, которая растворяет цемент.Нижний предел температуры пара обеспечивает поступление несконденсированного пара.Выше указанных пределов температурэффект резко ослабевает, так как смесь разогревается, и пар не успевает конденсироваться в порах смеси, а через отверстие в верхнем пунсоне выбрасывается наружу.При этом смесь недостаточно насыщается 50 водой, снижается степень гидратации цемента, значит нужно увеличить время действия пара на смесь компонентов, т. е, увеличивать время выдержки смеси под давлением, что приводит к еще большему разогреву и ухудшению свойств резисторов - 55 увеличивается пористость, снижается механическая прочность, увеличивается разброс величины сопряжения и резко...