H01C — Резисторы

Номер патента: 796924

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Пузырийский, Савинков, Серяков, Филистович, Чебышев

МПК: H01C 3/02

Метки: резистор

...по слоям и зависи; мости его индуктивности и суммарного сопротивления от частоты. Однако в тех случаях, когда эти нежелательные эффекты не имеют решающего значения, в част% ности, при большом числе слоев, коли-" чество слоев может быть и нечетным.Так как все слои соединены параллельно, то напряжение между соседними слоями не превышает падения напряжения щ на одном витке слоя, т. е. имеет крайне незначительную величину. Это позволяет сделать минимальной межслойную изоля.- дню 5, что приводит к дополнительному снижению индуктивности резистора и его 2 Ю габаритов. Возможность размещения неорганического количества параллельных слоев позволяет делать резисторы со сколь угодно малым сопротивлением и сколь угодно большой...

Номер патента: 796925

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Анищенко, Старостин, Федотов

МПК: H01C 10/06

Метки: регулируемый, резистор

...меандрообразноветвей проволоки, подвижную плату 3,подвижные контакты 4, выполи изупругопористого материала, на р металлорезины, и размещенные в гнездах 5подвижной платы, соединительные клеммы6, размещенные в гнездах 7 корпуса. Приэтом подвижные контакты выполнены ввиде набора сменных токопроводящих элементов. Регулируемое обжатие резистивного элемента токопроводящими контактными элементами подвижных контактов осуществляется посредством силового узла, например винта 8, а регулируемое поджатие соединительных клемм осуществляется посредством винтов 9.Регулируемый резистор работает следующим образом.При перемещении платы с подвижными контактами в направлении продольных 6 осей образующих ветвей резистивного элемента изменяется...

Номер патента: 796926

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Липпмаа, Роосе

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов

...состава не обеспечивает нужную тапцнну покрытия.Посде затвердевания наполняющегослоя в пазы каркаса наматывают резис-,тивный провод, причем натяжение провода не имеет существенного значения иучитывается только прн намотке тонкихпроводов (меньше 0,05 мм диаметром),в связи с нх малой механической прочностью на разрыв.Намотанный электрически законченныйреэистоо помещают в вакуумную камерудля удаления наполняющего слоя,Применяемое покрытие при комнатнойтемпературе и атмосферном давлении сохраняется очень додго. Сохранение жеэтого покрытия после выдержки в вакууме прн 3 - 8 мм ртутного столба остаточного давления и 60-90 С больше 3 чОпрактически ислючается. Поскольку послеудаления напоминающего слоя сублимациейгеометрические...

Номер патента: 797082

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Арбузова, Бондаренко, Цуканов, Эйдлер

МПК: H01C 17/06, H05B 3/14

Метки: нагревателя, пленочногорезистивного

...путем разрезки электропроводящего материала на полосы равных размеров и средне-арифметической величины отклонений сопротивлений полос от номинального значения;величину удельного злектросопротивления по ГОСТ 6433,1-4-71,прочность на расслоение.Для испытаний готовят 4 образца,Для сравнительного анализа готовяттакже образцы электропроводящегоматериала, изготовленные прессованием без вакуумирования, Результатыанализа даны в табл. 1 и 2,ЯТаблица 1 Режимы изготовления нагревателейпрессованием без вакуумирования797082 Таблица 2 Показ атели Образец, 9 1 2 3 4 5 6 Стабильность электрическиххарактеристик, Ъ 3 3 2 4 12 15 2 8 7 6 6 8 11 12 Равномерность свойств, В Удельное поверхностноесопротивление, Ом 160 155 155 165 180 355 170 0,2 0,9...

Номер патента: 801115

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Зарипов, Лиманов, Лиманова, Петрова

МПК: H01C 7/00

Метки: емкости, регулированияэлектрической

...а подвижный электропров егулируемой массойразноименными полюагнитов,бражена схема устирования электричес 801115При перемещении контура 1 от силы Р в магнитном поле В в контуре наводится ЭДС2 ВЮ (3) Выражаем ток контура 1 через емкость и ЭДС(4) Действующая на контур сила Р опре,Реляется массой контура в и скоростью перемещения Ч г: , (5)сИПодставляя значения силы Г из выражения (2), скорости Ч из выражения (3) в уравнение (5), получаем(7) Магнитную индукцию В в зазоре можно представить в виде(8) ЗО ДФ ДФЯро )М где ) - ток возбуждающих обмоток;К - число витков обмоток;Яо - площадь сечения воздушногозазора;В - магнитное сопротивление;М - магнитная проницаемость воздуха;О - длина воздушного зазора.Из выражения (7) и (8) видно, что...

Номер патента: 801116

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Безруков, Воробьева, Голоденко, Дубинина, Колдашов, Купина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...окислов и сульфатов, ч: нитрат индия и(МО 3)35,5 НО) 270,4 у пятиокись сурьмы(ЯЬаОв) 3,0; сульфат ниобияА 1 О (ЯО 4 )4 ИЬОл ЯО 4 0,6 НО 4,4,Шихту усредняют в барабане шаровой мельницы в течение 4-х ч, а затем прокаливают при 950 ОС в течение 2-3 ч.П р и м е р 2. Для получения100 г резистивного материала, содержащего, вес.Ъ: окись индия 97,5; пятиокись сурьмы 2,0 пятиокись ниобия25 0,5 ,приготавливают смесь исходных801116 Резистивный Удельное сопротивление Температурный коэффициентматериал, резисторов, кОм/см сопротивления, 10 4 1/цСУ в области 20 - 125 оС-5 с 7 693 3,4,9 " 6,3 Формула изобретения Составитель В.ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 ПодписноеВНИИПИ Государственного...

Номер патента: 801117

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Гриднев, Остапенко

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный

...соотношении кОмпонентов, нес,:Окись висмута 68,1 - 70,0Вольфрамовый ангидрид 25,3 - 27,0Двуокись титана 1,7 - 1,9Танталовый ангидрид 2,8 - 30П р и м е р , Для .получения 100 г реэистинного материала была изготовлена шихта, состоящая иэ следующих компонентов, ч: окись висмута 68,96; вольфрамовый ангидрид 26,27; танталоный ангидрид 2,95; двуокись титана 1,85В качестве исходных используют компоненты реактивной чистоты, при расчете шихты вносят поправки на содержание основного компонента, После помола и смешивания исходных компонентов полученную шихту н виде порош 68,10 27,00 3,00 1,90 6,0 26,80 3,00 1,70 7,5 Как видно из таблицы, все исследованные составы имеют отрицательный ТКС в широком диапазоне температур (20-700" С) , сравнительно...

Номер патента: 801118

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Волков, Новак, Переляев, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

...температура Фазового перехода полупроводник - металл и резкое уменьшение электросоп801118 формула изобретения Составитель В,ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета. СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ротивления которого находится в области 76 - 118 р С.П р и м е р 1, Для получения оксидного ванадиевого соединения составаГео,оз Ч,З 5 04 .берут 3,15 г Чд 0, и017 г Реч 04, компоненты тщательноперемешивают в агатовой ступке и помещают в кварцевую ампулу, из которойоткачивают воздух до остаточного давления 2 10мм рт,ст, Ампулу заваривают и обжигают при 800 С в...

Номер патента: 801119

Опубликовано: 30.01.1981

Автор: Корзо

МПК: H01C 17/00

Метки: датчикадавления

...термического нагрева датчика в атмосфере инертного газа, препятствующего протеканию окислительновосстановительных реакций.При нагреве происходит полная термическая активация соединения, продукты распада улетучиваются иэ области 45 шва и образуется герметичное и прочное соединение иэ чистого АЙОЙ. Для повышения надежности контакта датчик выдерживают под давлением окружающей среды.На чертеже представлена принципиальная технологическая схема процесса изготовления датчиков,На сапфировое кольцо 1 с обеих сторон наносят слой алюминий-органического соединения со связкой 2, причем верхний слой имеет наружный диаметр, равный внутреннему диаметру нижнего слоя кольца. Затем сборку с мембраной 3 устанавливают на титановое кольцо-шайбу 4 и...

Номер патента: 805424

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Пособилов, Яблоков

МПК: H01C 17/242

Метки: пленочных, подгонки, со-противления, цилиндрическихрезисторов

...цангового механизма 3. Расчетшага нарезки спиральной канавки производится блоком 1 управления. В процессе нарезки резисторов контрольноизмерительный блок б регистрирует величину номинального сопротивлениянареэаемого резистора и при достижении требуемого значения номинала выдает сигнал окончания нарезки на механизм 7 нарезки (отключается лучлазера) и на блок 5 контроля, настроенного на требуемый номинал, для разрешения замера величины сопротивлениянарезанного резистора, находящегося в цанговой системе.Величина отклонения номинального сопротивления в процентах от требуемого значения для каждого резистора выдается блоком 5 контроля в виде цифрового двоичного кода с указанием знака отклонения через коммутатор 4 на сумматор 8 , причем число с...

Номер патента: 809407

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Алехин, Балабан, Бочоидзе, Григель, Гришанов, Чикваидзе, Шуб

МПК: H01C 3/00

Метки: низкоомный, постоян-ный, прецизионный, проволочный, резистор

...ТКР 4 110 1 С ) диаметром 80 ммнаматывается литой микропровод встеклянной изоляции ТКР 710 1/ С).оНамотка рядовая по 100 витков в секции (всего 7 секций). Выбор каркасапо ТКР связан с тем, что под воздействием нагрева в системе каркас-обмотка возникают значительные напряжения, и чем больше разница по ТКР,20 25 30 35 40 45 50 элементам размещен проводящий элемент 7 в виде дорожки, связывающей не менее 1/5 резистивных элементов. П р и м е р. Для определения надежности и стабильности ниэкоомного прецизионного постоянного проволочного резистора было изготовлено 220 резисторов, характеристики которых приведены в таблице. тем больше эти напряжения. Наиболееопасными для обмотки и изоляции провода являются напряжения растяжения,так как...

Номер патента: 809408

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Бормотова, Кулик, Марапулец

МПК: H01C 3/02

Метки: низкоомный, стабилизацииэлектронных, шунт

...в 5средней части пластин. Одни из потенциальных выводов пластин 1 и 2 соединены между собой, а другие - включены в электронную схему (выводы 5),Между пластинами 1 и 2 расположена изолирующая прокладка 6, размерыи форма которой повторяют размеры иформу пластины 2С наружной стороны каждой из пластин 1 и 2 с целью придания жесткости конструкции в целом размещеныстальные пластины 7 и 8, на однойиз которых, в данном случае пласти- .не 8, установлен теплообменник 9,соединенный с системой водоснабжения. Вся конструкция стянута винтами 10.Пластина 1 выполняет роль эталонного сопротивления. Пластина 2 является датчиком температуры эталонногосопротивления - пластины 1.Цля уменьшения нестабильности пластины 1 и 2изготовлены из одного материала...

Номер патента: 809409

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Вацяк, Лопухин, Семенова, Шелест, Шеханов

МПК: H01C 7/00

Метки: пленочный, резистор

...на ней пленочных элементов, Внутрення контактная площадка 2, выполненная в виде круга и расположенная в центре концентрически расположенных кольцевых контактных площадок 3, изготовлена из проводящего материала и осуществляют коммутацию пленочного резистора с другими элементами схемы. Резистивный элемент 4 круглой формы расположен между ними, а именно между внутренней 2 и внешней 3 контактными площадками, его размеры и вид ма териала определяют сопротивление пленочного резистора. Проводящая, пленочная спираль 5 выполнена из проводящего материала, соединяет соседние контактные площадки и пред О назначена для дискретной подгонки пленочного резистора, Сквозные отверстия 6 в резистивном элементе, расположенные под проводящей...

Номер патента: 809410

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Корзо, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонко-пленочных

...вес.в: Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния,Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром 130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,410 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхнзостнык сопротивлением 0,5.1 кОм/ммЭксплуатационные испытания резистс-ров на основе сплава хром-углерод- кремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8.Установлено,...

Номер патента: 809411

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Беляков, Головин, Смирнов, Юсипов

МПК: H01C 7/06

Метки: резистор, тонкопленочный

...фиа,1 Эта цель достигается тем, что в тонкопленочном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, кромка вывода, граничащая с расширенным концом выполнена в виде дуги эллипса большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. Кроме того, расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение.На фиг. 1 изображен пленочный резистор, общий вид; на фиг. 2 - вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А.Тонкопленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, нанесенный на ее поверхность пленочный .резистивный элемент 2, пленочные выводы 3 с расширенными концами 4 резистивного элемента, кромка...

Номер патента: 809412

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Аввакумов, Немировский, Хихлач

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочныхрезисторов

...каркаса 1 вставлены пробки с буртом 2, закрепленные эпоксидной смолой 3, Слой 4 металлизации нанесен на цилиндрическую поверхность каркаса, цилинд" рические поверхности и внешние торцы буртов. Токовыводы 5 приварены к тор.цам буртов встык.Способ осуществляют следуххяим образом.В отверстие каркаса в виде полого цилиндра вводят эпоксидный компаунд, вставляют металлические пробки и осуществляют полимеризацию эпоксидного компаунда. После этого на каркас наносят реэистнвный слой, например металлнзацией "наваломф, и осуществляют приварку аксиальнйх проволочных токовыводов,к пробкам.При этом место приварки на торце желательно зачистить. Для подгонки резисторов к требуемому номиналу на металлизированных основаниях создают спиральную...

Номер патента: 809413

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Владимирова, Елисеев, Копосова, Люцарева

МПК: H01C 17/14

Метки: ochobe, двуокиси, терморезисто-pob, циркония

...р и м е р 1. Водные растворыхлорокиси циркония и хлористого иттрия смешивают в соотношении, обеспечивающем в конечном продукте кон центрацию окиси иттрия,равную 9 мол.К раствору аммиака, взятому с избытком в 15 е по отношению к стехиометрическому расчету, добавляется смешанный водный раствор солей. Выпавший О осадок отфильтровывают н промывают809413 Формула изобретения Составитель Т.БарановаРедактор Н.Кешеля Техред М.Голинка КорректорЗаказ 443/70 Тйраж 795 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Г.Назарова Филиал.ППП "Патейт , г, Ужгород, Ул, Проектная, 4 до рН=7 прокаливают при 400 С, измельчают до удельной поверхности 12-14 м /г. Порошок...

Номер патента: 809414

Опубликовано: 28.02.1981

Автор: Таторчук

МПК: H01C 17/14

Метки: подгонки

...ячейка, обеспечивая 30свободное прохождение тока черезслой окисла металла, образующего резистор, а в области отрицательногополюса источника-другая электролитическая ячейка, обеспечивая запорныйслой на границе металл-окисел и процесс образования нового окисла. Если полярность источника тока изменить,процесс образования нового окислапроисходит в области другого электрода. Образование нового окисла изменяет сопротивление пленки, а вместе стем и параметры схемы, Если на выходе 4 и 5 схемы подключен регистрирувщий прибор ( нуль-орган) 9, то придостижении заданных параметров микро- З 5схемы контакты 11 разорвут цепь источника 13 тока,Для более полного объяснения работы устройства рассмотрим примербалансировки дифференциального усилителя...

Номер патента: 813515

Опубликовано: 15.03.1981

Автор: Звиргзд

МПК: H01C 10/24

Метки: реостат

...полого цилиндра, а его длина в горизонтальнойповерхности проекции приблизительно ЗЦ равна длине реостата, верхняя часть 5выступа 3 контактирует с одним концом б обмотки 2 реостата, а его нижняя часть 7 контактриует с другим концом 8 обмотки 2 реостата. Аксиально подвижный контакт 4 взаимосвязан с приводным элементом 9.5Реостат работает следующим образом;Вся обмотка 2 реостата зашунтирована. В измерительной или контрольной цепи протекает максимальная величина тока. При аксиальном перемещении подвижного контакта 4, зашунтированной оказывается только часть обмотки 2 реостата и в цепи включается опредеЛенная величина сопротивления (в цепи будет протекать менЬ шая величина тока), При другом крайнем положении перемещения аксиалвно подвижного...

Номер патента: 813516

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Дубровская, Звыков, Левкина, Платонов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионныхпостоянных, проволочных, резисторов

...на керамический каркас, после чего резистивные элементы подвергают термоциклированию по следующему режиму:81 3516 30 зоо 15 2 О 60 зоо 20 360 300 Формула изобретения Составитель Т, Баранов Редактор Т. Веселова Техред,Н.Бабурка Корректор Н, ШвыдкаяЗаказ 784/бб Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 4Затем проводят подгонку резисторов в заданный номинал и герметизацию, после чего резисторы подвергают термической стабилизации, включающей электротренировку и повторное термоциклирование по следующему режиму: электротермотренировка резисторов при температуре окружающей среды 125 ОС и номинальной...

Номер патента: 815770

Опубликовано: 23.03.1981

Автор: Кулдин

МПК: H01C 10/38

Метки: переменный, резистор

...положение, соответствующее 15 .величине управляющего тока, Величина сопротивления выходной цепи соответствует положению пружинящих плас" тин контактного узла.Таким образом, при изменении управляющего тока в обмотке электромагнита изменяется и сопротивление выходной цепи. Подбором йормы Ферромагнитного . сердечника и йормы резистивного элемента можно добиться любого закона 25 соотношений между управляющим блоком и сопротивлением выходной цепи.ПредЛагаемый резистор позволяет дистанционно управлять сопротивлением электрических цепей, изменять сопротивление электрических цепей в аппаратуре, работающей в агрессивныхУ пожаро- и взрывоопасных средах; расширить область применения и автоматизировать процесс управления сопротивлением электрических...

Номер патента: 817757

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Ланда

МПК: H01C 3/00

Метки: изделие, моточное

...и составляет 50-70. Для моточных изделий с металлическим каркасом максимум перегрева обмотки расположен несколько дальше от каркаса.В исследованном случае температура в обмотке описывается суперпоэицией сложных функций Ханкеля и Функции вероятностей. Однако приближенно это распределение температурможно описать параболическим законом.В предлагаемом моточном изделии.изменение площади поперечного сече"нир жилы микропровода по толщинеобмотки выполнено по параболическому закону 5я=я -К(х-х ), (1)где Я - текущее значение площадипоперечного сечения жилымикропровода, мкм;Б - максимальное значение щлбъплощади поперечного сечения жилы микропровода, ческом каркасе с числом слоев не менее ста величина лежит в пределах 20-35, в зависимости от...

Номер патента: 817758

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Лейкина, Текстер-Проскурякова, Шефтель

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, изготовлениятерморезисторов, материал, основетитаната, резистивный

...Яг, РЬ; Я -Яп, 2 г, НГ, Ое, легированный донорной примесью, окись алюминия, окись кремния и окись марганца, дополнительно содержит окись кальция и двуокись . титана при следующем соотношении компонентов, вес.В:ВаО 35,000-54,000АО 0,100-20,0000,100-20,000у О 0,010- 2,500Яэ.О 0,100- 2,000А 12 ОЗ 0,100- 3,480ИпО 0,010- 0,100СаО 0,100-10,000Т 1 О 21,000-31,400Технологический процесс получения резистивногоматериала состоит в следующем.Смешивают мокрым способом в необ" ходимой пропорции соли и окислы соответствующих металлов, например титанилоксалатов бария, стронция, кальция, азотнокислый иттрий, гидрат окиси алюминия. Шихту сушат при 100-120 С в течение 2-4 ч, затем прокаливают817758 15 Формула изобретения Составитель Т.Баранова Редактор...

Номер патента: 817759

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Розенберг, Янковский

МПК: H01C 7/04

Метки: реле, термоуправляемое

...термочувствительный элемент, выполненный в виде пластины 1 из йодида или хлорида серебра, пластины 2, изготовленные из диэлектрического теплопроводного материала, например окиси бериллия, и предназначенные для гальванической развязки, на внутренние стороны которых нане- . сен проводящий слой 3, а на внешние " резистивный слой 4 с присоединенны" ми токовыводами 5.При нормальной температуре ток через пластину 1 практически не идет. При подключении термоуправляемого реле в схему под воздействием электрического тока резистивный слой 4 нагревается и нагревает пластину 2 и далее пластину 1. При достижении 145,8 С электропроводность йодида серебра резко возрастает и через пластину 1 проходит электрический токПри отключении термоупр еле...

Номер патента: 819825

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Андриеш, Пономарь

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...(5 - 15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) . подсоединяют выводные контактные концы.Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из ЬЬфеа и оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 %-ном растворе плавиковой кислоты и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки. Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диа89825 Формула изобретения Составитель Т. Баранова Редактор Б.федотов Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко Заказ 1183/29 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 819826

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Захаров, Кузнецов, Курусев, Степанов

МПК: H01C 17/00

Метки: подгонки, резисторов, сопротивленияпленочных

...том состоянии. Кроме того, на могут появляться капли. На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит рабочий электрод в виде ампулы 1, наконечник 2 из пористого материала с капиллярной структурой, причем ампула заполнена пористым материалом 3 с капиллярной структурой; пропитанным электролитом, электрод 4, погружаемый через отверстие 5.Ампула выполнена из непроводящего материала. Она имеет негерметичное отверстие в точке погружения в электролит электрода и заполнена пористым материалом, имеющим капиллярную структуру, При выделении на электроде газа он удаляется через отверстие и не вытесняет электролит через пористный наконечник, что предотвращает появление на наконечнике при длительной работе капель...

Номер патента: 822300

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Гережук, Демьянчук, Ткаченко

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочныхрезисторов, подгонки

...с управляющими входами блока 7 смещения и коммутатора 9 режима, второй выход соединен с запрещающим входом ГСС 1, при этом выход ГСС 1 соединен с управляющим входом коммутатора 4 подгонки, а между подгоняемым резистором 5 и измерительным блоком б включен коммутатор 11 измерения, управляющий вход которого через элемент НЕ 2 соединен с выходом ГСС 1. В устройство также дополнительно введен второй блок 12 смещения и элемент ИЛИ 13, причем элемент ИЛИ 13 включен между первым блоком 7 смещения и управляющим входом измерительного блока б, 40 третий выход блока 10 управлениясоединен с управляющим входом второго блока 12 смещения, выход которого соединен со вторым входом элемента Началом подгонки является установка блока 10 управления в...

Номер патента: 822301

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Таторчук, Халюзев

МПК: H01C 17/00

Метки: подгонкирезисторов, токовой

...источнику тока питания.На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит измерительныймост 1-4, нуль-орган 5, реле б с контактами 7, источник 8 питания моста,30 источник 9 тока нагрева.822301 формула изобретения Кудрявце р Г.Назаров орре Тираж 784 И Государственного делам изобретений Москва, ж"35, Рауш аказ 1887/ ВНИПодписта СССРытийаб., д4/5 е коми и от ская Филиал ППП "Пас:-нт", ;.Ужгород, ул.Проектн Все элементы и полярность источников тока подключены для случая подгонки резистора в сторону уменьшения номинала, причем ТКС резистора имеет отрицательное значение, При этом задающим величину сопротивления подгонки является резистор 2, подгоняемый резистором 4.Устройство работает следующим образом.В...

Номер патента: 824321

Опубликовано: 23.04.1981

Автор: Годзик

МПК: H01C 17/00

Метки: выводами, осевыми, радиодеталейс

...формы, в сквозном пазу которого расположена планка 2, подпружиненная пружиной 3, расположенной с возможностью возвратно-поступательного перемещения, механизмы поворота, представляющие собой подпружиненные зубчатые ейки 4 и 5, расположенные с воэожностью взаимодействия с шестернями 6 и 7, на валу 8 которых укреплены прижимы в виде планок 9 и 10 и приводной механизм, состоящий иэ тяги 11 с педалью 12, связанной с планкой 2,и тяг 13 и 14 с педалями 15 15 и 16 для перемещения зубчатых реек 4 и 5. С целью исключения повреждения радиодеталей 17, расположенных в кассете 18, при их осмотре гланки 9 и 10 и основание 1 снабжены нак ладками 19. На одной иэ планок 9 укреплено зеркало 20.Устройство работает следующим образом.Оператор...

Номер патента: 828221

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Елисеев, Люцарева, Пивник, Фокина

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистор

...используя сочетание двухматериалов, работающих последовательно винтервалах 25 - 400 С и 400 - 1100 С, былиполучены терморезисторы с широким диапазоном рабочих температур: 20 - 1100 С.25 При этом состав полиалюминатов щелочных материалов, а также размеры слоевкерамической основы (толщина, площадь)выбираются в зависимости от требуемогозначения электрического сопротивленияЗО терморезистора.828221 3На чертеже представлена конструкция терморезистора.Терморезистор содержит термочувствительный элемент, состоящий из слоя 1, выполненного из смеси окислов алюминия, хрома и спекающих добавок и слоя 2, выполненного из полиалюминатов щелочных металлов, и токоподводы 3.Ниже приведены размеры изготовления терморезисторов с термочувствительным 10...