H01C — Резисторы

Номер патента: 938321

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Карташева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, терморезисторов

...на 100 200 оС15Эта цель достигается применением известного керамического конденсаторного иатериала состава, вес.т,:Титан бария91,7 - 98,9Окисел редкоземельногоэлемента 0,1 " 1,3Двуокись кремния 1,0 - 7,0 для изготовления терморезистора. 2.В таблице приведены параметрытермореэисторов при иаксимальном,минимальном и среднем содержании титана бария в предлагаемом материале.На чертеже изображено изменениеудельного сопротивления в зависимос-ти от теипературы и состава терморезистора.Использование предложенного керамического материала для изготовления терморезисторов имеет то преимущество, что при нанесении оиическогои неомического электродов на одномматериале возможно получить термо, резистор и конденсатор,Применение керамического...

Номер патента: 938322

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляев, Разумовская

МПК: H01C 10/46

Метки: магазин, переменного, сопротивлений

...переключателями 11 с двумя токосъемниками12 и 13, причем рычажный переключатель 11 первой декады 8 компенси- О рующих конденсаторов 10 спарен срычажным переключателем 5 второйдекады 2 резисторов 4, рычажный пе-.реключатель 11 второй декады 9 компенсирующих конденсаторов 10 спарен 15 с рычажным переключателем 5 последней (в данном варианте третьей)декады 3 резисторов 4.Первый токосъемник 22 рычажногопереключателя 11 первой декады 8 уо компенсирующих конденсаторов 10 соединен с нулевым контактом 4 рычажного переключателя 5 первой декадырезисторов 4, а первый токосъемник12 рычажного переключателя 11 каждой 25 из последующих декад 9 компенсирующих конденсаторов 10 соединен снулевым контактом 15 первого токосъемника 12 рычажного...

Номер патента: 942174

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Акулова, Корнатовский, Негляд, Руд, Смолин, Тельников, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...широкую область твердыхрастворов, что дает возможность полу- вчить однофазный материал, используемый в качестве токопроводящей фазырезисторов., ТКС толстопленочных резисторов из этого материала ниже,чем ТКС резисторов на основе инди" у 5видуаль ных Ва В и а В.Для изменения номйналов сопротивления толстопленочных резисторов вопределенных пределах обычно изменяют состав реэистивного материала(изменяют соотношение токопроводящей фазы и стекла). При этом неизбежно изменяется и ТКС, зависящийот состава материала и ТКС токопроводящей фазы.При изготовлении резисторов изпредлагаемого материала с различнымсоотношением токопроводящей Фазы истекла имеется возможность сохранятьнизкий ТКС за счет использования в 4 4качестве токопроводящей...

Номер патента: 942175

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Игнатьев, Фитасов

МПК: H01C 17/24

Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов

...вход которого соединен с вторым выходом блока 5 измерения, электромагнит 6 обеспечивающий прекращение подготовки и соединенный с шиной 7 питания через параллельно соединенные замыкающий контакт 8 блока 5 измерения и коммутирующий элемент 9 механизма 4 продольного перемещения, инструмент нарезки, например абразивный круг 10, реле 11 с замыкающим контактом 12 и диод 13, анод которого соединен с коммутирующим элементом 9 механизма 4 продольного перемещения и через обмотку реле 11 с общей шиной, а катод диода 13 соединен с обмоткой электромагнита 6, причем замыкающий контакт 12 реле 11 включен параллельно входам блока 5 измерения.Синхронизация работы всех механизмов обеспечивается с помощью командоаппаратов, представляющих собой кулачки,...

Номер патента: 943865

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Пособилов, Яблоков

МПК: H01C 17/00

Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов, цилиндрических

...замера. 60 формула изобретения Устройство для подгонки пленочных цилиндрических резисторов в номинал, содержащее механизм нарезки канавки,Устройство содержит позицию замера 1, блок 2 компенсации периодических помех, состоящий иэ датчика 3 числа, опросов, аналого-цифрового преобразователя 4, сумматора 5, усредняющего устройства 6, и цифро-аналоговый преобразователь 7, исполнительный 35 механизм 8, цанговые зажимы 9, механизм нарезки 10, например лазер, контрольно-измерительный прибор 11, магазин сопротивлений 12.Устройство работает следующим образом.,Заготовка резистора(не показана)попадает на позицию замера 1, которая представляет собой делитель, образованный заготовкой резистора и эталон ным Сопротивлением магазина сопротив,лений 12....

Номер патента: 945907

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Воложинская, Карлов, Попова, Поташникова, Пчелина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...компонентов, вес.Ф:Рутенат свинцаРЬ 0 оО0Оксид ванадияЧ,200,2-2,25Оксид сурьмыО,Оксид циркониягго 0,38-0,9Свинцовоалюмо".боросиликатноестекло ОПример. Дляпол . зистивного материала готсмесей компонентов, соде3 945907 дая, вес.: рутената свинца .РЬ ко, О 35,34; 39,06; 41,85 и 43,00, оксида ванадия Ч О 1,9; 2,1; 2,25 и 0,2, оксида сурьмы ЬЬО 5 0,38; 0,42; 0,45 и 0,9, оксида циркония ЕгО 0,38; . % 0,42; 0,45 и 0,9 и свинцовоалюмоборосиликатного стекла 62,0; 58,0;55,0 и 55,0.Каждую смесь готовят путем перемешивания компонентов с добавлением 16 органического связующего.Полученную пасту наносят на керамические подложки методом сеткотрафаретной печати и обжигают на воздухе .при 850"900 оС. 15Изобретение позволяет получать...

Номер патента: 945908

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Воложинская, Карлов, Попова, Поташникова, Пчелина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...36,96+50 Р Ь.1 л 0,42 ЕгО 2,1 0,42 ЬО Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное РЬ ВО И,38+30 РЬЬ 1,68 ЕгО 0,42 2,1 Ч 05 0,42 5 Ь 205 Свинцовоалюмоборо;силикатноестекло Остальное 3 Оксид ванадия НО Оксид сурьмы ЬЬО Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Состав композиции,вес. Ф Н О 1 ь 9 БЬ 05 0,38 4В таблице представлены смеси для получения резистивного материала предлагаемого состава. Удельноеповерхностное сопротивлениеВ, Ом/О при -60 оС при +155 оС 68.000-100.000 68.000-100.000-68.000 09 2,25 0,45 Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное П р и м е р , Токопроводящий материал и стекло измельчают и перемешивают с временной органической связкой. Пасту наносят на керамическое основание...

Номер патента: 945909

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Горшков, Майдукова, Москаленко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, термисторов

...основного вещества 98,8. Смесь гомогенизируют в спирте,.высушивают на воздухе, прокаливают при 1020 К 4 ч и усредняют.П р,и м е р 9. Готовят смесь 90,9 г окиси висмута квалификации "чда" с содержанием основного вещества 90,0 Ф и 10,1 г окиси лантана квалификации ЛаОс содержанием основного вещества 98,8. Смесь гомогенизируют в спирте, высушивают на воздухе, прокаливают при 1020 К 4 ч и усредняат.П р и м е р 10. Готовят смесь 100,9 г окиси висмута квалиФикации "чда" с содержанием основного вещества 991 и 0,1 г двуокиси циркония квалификации "ч" с содержанием основного вещества 991. Смесь гомогенизируют в спирте, высушивают на воздухе, прокаливают при 970 К 6 ч и усредняют.П р и м е р 11. Готовят смесь 95,7 г окиси висмута...

Номер патента: 945910

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Аввакумов, Мартыненко, Скалецкий

МПК: H01C 17/00

Метки: намотки, полуавтомат, сопротивлений, электрических

...структурнаясхема полуавтомата.Устройство содержит измерительныйконтур, в состав которого входят последовательно включенные генератор 1,опорное сопротивление 2, бобина спроводом 3, наматываемое сопротивление 4 и выходная цепь повторителя 5,Параллельно опорному сопротивлению 2через повторитель 6 подключена первичная обмотка 7 трансформатора 8. 0вторичной его обмоткой 9, имеющейотводы от п, 10 п, 100 п и т.д. витков, .через переключатель 10 соединен делитель 11, выход которого связан свходом повторителя 5.Вторичная обмотка 12 трансформатора 8 соединена с управляющим входомфазочувствительного усилителя 13 а 4к сигнальному входу его подключен .емкостный переходВыход фазоцувствительного усилителя 13 соединен с нуль-индикатором15 и...

Номер патента: 945911

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Пособилов, Якунин

МПК: H01C 17/242

Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления, цилиндрических

...логического умножения,датчиком 2 полной. длины резистора,схемой 38 логического умножения,таймером 47, одновибратором 52, триггером 55. С приходом сигнала на триггер 53 с датчика 1 числа резистивных элементов (фиг. 4), что соответствует моменту формирования продольной изо" лирующей канавки, триггер 53 устанавливается в разрешающее состояние для схемы 42 логического умножения,6В исходном положении в таймер 45записано число, идентифицирующее размерный параметр 22,и с его выхода насхему 40 логического умножения подается разрешающий потенциал для про-.хождения импульсов с выхода генератора 37 на досцет таймера 45. Послепереполнения таймера 45 за время,соответствующее размерному параметру22, триггер 45 переключается в состояние запрета для...

Номер патента: 947917

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Авдеенко, Бронфман, Виткин, Зеленцов, Киневский, Розет

МПК: H01C 1/028

Метки: ограничитель, перенапряжений

...коспозицией и образуют одно целое.К металлическим фланцам 11 крепятсяколонки высоконелинейных резисторов 1.15Нелинейный ограничитель перенапряжений работает следующим образом.В нормальном эксплуатационном режиме на ограничитель воздействуетрабочее напряжение сети частоты 50 Гц.При этом через аппарат протекает определенной величины ток проводимости частоты 50 Гц. Этот ток вызываетперегрев резисторов над температурой наружной среды. Но ввиду относительно малого диаметра отдельных резисторов и наличия кварцевого пескамежду колонками резисторов и фарфоровой покрышкой этот перегрев являетсяминимальным (не более 5 - 10 О). Привозникновении перенапряжения в сети 30нелинейный ограничитель перенапряжений их огарничивает до заданной...

Номер патента: 947918

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Каравайцев, Колесников, Сергеев

МПК: H01C 3/00

Метки: высоковольтный, малоиндуктивный, мощный, резистор

...ребристыйкорпус 2, Фланцы 3, диэлектрическиеэлементы 4, диэлектрические рейки 5,выводы 6 резистора, диэлектрическийтрубопровод 7, гофры 8 резистивногоэлемента 1, отверстия 9, входной штуцер 10, выходной штуцер 11 ограничительные щеки 12, скобы 13, крепежную гайку 1 а, штыри 15, болт 16. Диэлектрические элементы 4 установ 5лены на диэлектрических рейках 5, которые слева (фиг. 2) закреплены болтами 16 к скобе 13, а справа такжеболтами 16, причем отверстиев диэлектрических рейках 5 (не показано) 40выполнено овальным с расширениемвдоль нее.Скоба 13 (левая)(фиг. 1) прикреплена к фланцу 3 гайками 14, а праваяскоба 13 свободно проходит своимиотверстиями (не показаны) сквозь штыри 15.Для компенсации тепловых деформаций конструктивно...

Номер патента: 947919

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Селимов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...стабильности сопротивления тонкопленочных.резисторов при сохранении высокого удельного сопротивления и низ- " кого значения ТКС.ПоставЛенная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий моноокись кремния, ситалл и хром, содержит компоненты в следую. щем количественном соотношении, вес.Ъ:Моноокись кремния 30-40.Ситалл 30-40 Хром ОстальноеПримеры конкретного выполнения.947919 ной пленки для всех изготовленных резисторов по всем девяти образцам были выбраны одина- ковыми Составы резистивного материала и полученные электрические характеристики тонкопленочных резисторов приведены в таблице. Компоненты, вес.% Образец Удельное поверхностноесопротивление, кОм/кв. Стабильностьза 1000 чпри +75 С, % Хром Моноокись Ситаллкремния 30 30...

Номер патента: 947920

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Айвазьян, Алексанян, Баграмова, Маркосян, Саносян, Сухарев, Татевосян

МПК: H01C 17/075

Метки: делителей, подгонки, тонкопленочных

...на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают последовательно на свободные выводы каждо 9 ч 7920го иэ гальванически связанных резисторов.На чертеже показан делитель напряжения, подгоняемый предлагаемым способом.Делитель состоит иэ резисторов 5 1-1-1-п(й, й,1, , К), подключенных одним выводом к общему проводнику 2, на который подан отрицательный потенциал напряжения источника 3 пи- тания. В пределах области 4, являю щейся зоной анодирования, осуществляется контакт электролита с поверхностью резисторов. Для селективной подгонки резистора 1-1-1-и замыкают один из ключей 5-.1 - 5-п, связывающий свободный вывод каждого из резисторов с положительиым полюсом источника питания. Потенциометром 6...

Номер патента: 949723

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Клибанов, Цисун, Юдкович

МПК: H01C 10/46

Метки: декада, магазина, осчетная, сопротивлений

...1-ом ключе результирующие опорные сопротивления Й 15 будет определяться из выражения;О й.+ Р1Изменение опорного сопротивления в этом случае определяется как:ьР, Й 1 Й"1 Р,; + к г, - Ъ - Изменение сопротивления декады РавноИДВ =; .ЬйВеличина паразитной ЭДС,действую- щей на зажимах 16 и 17 с учетом Й М Й, определяется из выражения где 1 - число замкнутых ключей;1- - паразитная ЭДС 1-го ключа. 3 зВариация сопротивления декады ЬЙ магазинава счет вариации переходного сопротивления контактов Аг при условии й ) й будет определять ся выражением (4) 40й Р +Ьг, )й;КР+г К +К.ъг. (ф) ь (4)45 где Ьг - вариация переходного сопротивления 1-го включенного ключа.Как видно .иэ приведенных выше выражений, предлагаемое техническое решение значительно...

Номер патента: 951413

Опубликовано: 15.08.1982

Автор: Герчиков

МПК: H01C 3/02

Метки: большой, мощности, резистор, шунтирующий

...размещенные на них обмотки выполнены иэ проводов одинакового сечения и длины и соединены параллельно.На чертеже представлена конструкция шунтирующего резистора большой мощности.Между токоподводами 1 и 2 расположены соосные изоляционные каркасы951113 Составитель Е. КовалеваТехред М. Рейвес Корректор Ю. дактор Ю,сочный енко Тираж 7 1го комитета СССРй и открытийРаушская наб., д одписное НИИПИ по д 13035осударствен ам изобрете Москва, Жал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектн 3, выполненные конусными, на которыхнамотана проволока высокого омического сопротивления ч с противоположным направлением намотки соседнихслоев. Концы проводов имеют электрический контакт с токоподводами и всесоединены параллельно,Резистор изготавливают...

Номер патента: 951414

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Архаров, Горшков, Кудренко, Лобанов, Сизенов, Снеговая, Трошева

МПК: H01C 7/00

Метки: коэффициентом, материал, отрицательным, сопротивления, температурным, терморезисторов

...5 ч, затем прокаливают при 1470 К в течениео4 ч.В интервале температур 570-670 К материал имеет чувствительностьо22800 К; температура срабатывания К. 15П р и м е р 2. Терморезистивный ма- териал состава, вес.Ж: СаО - 48,00 Т 10 - 51 у 25 у 10 - Оэ 75Для получения материала оксиды смешивают в шаровой мальнице в тече ние 5 ч, затем прокаливают при К в течение 4 ч. В интервалеотемператур 570-670 К материал име 4ет чувствительность (В).32120 К,- 630 К.П р и .м е р 3. Терморезистивный материал состава, вес,0: СоО 3 175Т 10 - 67,75, Сг О 0 50Для получения материала смешивают оксиды в шаровой мельнице в течение 5 ч,. ; затем прокаливают при 1470 К в течение 4 ч, В интервале температур 620- 720 К В=13800 К, еср,в =670 К. П р и м е р 4....

Номер патента: 951415

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Белова, Гольцов, Прокопало, Раевский

МПК: H01C 7/02

Метки: терморезистор

...К СОЗ 8,19, ВаСОВ - 34 98, мЬеОВ 98,89После тщательного перемешивания в этиловом. спирте смесь прокаливают при максимальной температуре 1500 К в течение 3-5 ч, затем измельчают до полного прохождения через сито951415 Температура прекращенияростасопротивТемпература начала Температурныйкоэффициент сопротивления, с3 град. Рабочая частота Г ГцУдельное сопротивление,о 1 2.о С ростасопротивленияСй ления,Т, С 4,7.10 30 120 8,2 1 10 9 5;10 30 120 7,9 120 5,4 110 5,4 1 10 5,4100 5,2 1;10 1.10 9,0.10 307,0;1 О 20 1 210 8,9 103 10 7,8;10 Формула изобретения 20 20 ного элемента использован ниобаткалия-бария Кор Ваоц МЬ Ов Составитель Ю. ГерасичкинРедактор С. Запесочный Техред М, Рейвес Корректор Ю. Макаренко 59 / Тираж 7 1 ВНИИПИ...

Номер патента: 951416

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Мурашев, Пустовалов

МПК: H01C 10/00

Метки: зажимное

...3 с внутренней кольцевой площад-,кой 4, на торцы которого нанесеназубчатая насечка 5, хвостовик, 1выполненный в виде цилиндрическогоштыря 6, размещенного внутри оси 2,контактирующего посредством роликовых опор 7 с кольцевой площадкой4 упругого цилиндра 3. Упругий ци- ррлиндр 3 под упругим напряжением установлен между шайбой 1 и торцомрезьбовой втулки 8 резистора 9. Цилиндр 3 выполнен из упругого материала и снабжен прорезями 10. 25Работа устройства осуществляетсяследующим образом.Жало отвертки (на чертеже не пока.зано) устанавливают в шлицевой паз11 оси 2 резистора 9 и нажимают на зовыступающий торец 12 цилиндрическогоштыря 6. Под действием приложеннойсилы штырь 6 поступательно перемещается в отверстии оси 2 резистора 9на величину "Д" и...

Номер патента: 951417

Опубликовано: 15.08.1982

Автор: Кацман

МПК: H01C 10/24

Метки: корректирующее, потенциометра

...посредством упругого элемента к профилю кулачка, контакто О держатель с токосъемником, взаимодействующий с коромыслом и резистивным элементом потенциометра, коромысло и контактодержатель выполнены в виде независимых двуплечих рычагов, причем на одном плече коромысла установлен ролик, на другом- механический контакт, а контактодержатель установлен на оси потенциометра и подпружинен к механическо му контакту с воэможностью взаимного скольжения.На чертеже показано предлагаемое корректирующее устройство потенциометра, 25Корректирующее устройство содердит профилированный кулачок 1, контактодержатель 2, упругий элемент 3, ролик 4, коромысло 5, кривошип 6, механический контакт 7. Контактодер- зо жатель 2 и коромысло 5 взаимно...

Номер патента: 951418

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Борисов, Бороздин, Меркулов, Мишанин, Шигапов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, подгонки, подгоночными, резисторов, секциями

...В 5На фиг. 1 изображен график, иллюстрирующий распределение значений величин сопротивлений резисторов; на фиг, 2 - представлена функциональная схема устройства.30Устройство содержит контактный блок 1, аналого-цифровой преобразователь 2, блок 3 деления, блок 4 ввода, блок 5 вычитания, блок 6 умножения, блок 7 коммутации, высокочастотный генератор 8, например генератор факельного разряда, рабочие электроды 9.Устройство работает следующим образом.После подключения контактного блока 1 к резистору на выходе аналого-цифрового преобразователя 2 сопротивление-код появляется фактическое значение величины сопротивления резистора (Р ), Эта величина вычитается в блоке 5 от номинального значения (Р). На выходе вычитающего блока 5 появляется значение...

Номер патента: 951773

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Левин, Шевинов

МПК: H01C 1/04, H01G 2/24, H05K 13/00 ...

Метки: маркировки, радиоэлементов

...24, в которые введены выступы 25 расположенных внутри оси 6 соединенных между собой ходовым винтом 26 гаек 27 с противоположно направленной резьбой. В разъем 28 между -образными подпружиненными стенками 7, 8 введены: сверху - мар- кирующий ролик 3, а снизу - захваты 29 механизма 4 подачи. С последним кинематически соединен толкатель 30 с подпружиненной шарнирно установленной на нем собачкой 31, расположенной под накопителем 32 изделийС противоположной стороны криволинейной воронки 5 под ее свободный конец подведена пластинчатая охватывающая захваты 29 С-образная пружинасъемник 33 замаркированных изделий 17. Для надежной фиксации изделий 17 на упоре 16 над ним на ограничителях 21 установлены консольные пружины 34.Устройство работает...

Номер патента: 953672

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кондратов, Рогова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...распыления.Резистивный материал используется длянанесения пленок на установке типаУВНР,Остаточное давление в камересоставляет 310 мм рт, ст. Напылениепроизводится на ситалловые подложки,Поставленная цель достигается тем,что резистивный материал, содержащий кремний, титан и кобальт, содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес, %:Кремний 57-65 9Титан 25,1-28 5Кобальт 9-1 5,цля получения резистичного материала подготовлено три смеси компонентов,содержащие каждая, вес. %: кремний65,9; 61,5 и 57; титан 25,126,5 и2 8 и кобальт 9, 1 2 и 1 5.3 953672 4нагретые до 200 С, через биметалличес-1 онкопленочныр резисторы, изготовленокую маску. В качестве контактных пло- ные на основе резистивного материала,щадок используется слой...

Номер патента: 953673

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Чернявский

МПК: H01C 17/00

Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов

...величины можно минимизироватьЗО величину недореза.Устройство работает следующим образом.В исходном положении заготовка резистора (не показана) находится в35блоке 11 цанговой системы и величинаего сопротивления измеряется блоком13 контроля, На вход блока 1 управления с выхода блока 13 контроля поступает сигнал с амплитудой, пропор 40циональной величине сопротивления заготовки резистора, С выхода блокауправления напряженИе с амплитудой,пропорциональной шагу нарезки черезкоммутатор 3 поступает на второй45блок 10 памяти, где происходит запоминание и хранение этого уровнянапряжения. При этом уровень напряжения соответствует коэффициентупередачи блока 1 управления для воспроизводимой или моделируемой кривой50нарезки. Затем начинается...

Номер патента: 953674

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Заика, Кравченко, Погорелый, Попов

МПК: H01C 17/242

Метки: номинал, пленочных, плоских, подгонки, резисторов

...луча, должен обладать дисперсией спектральной ) в плоскости , в которой производится пространственная раз- вертка компонента луча. В качестве такого элемента могут быть использованы дисперсионные призмы или дифракционные решетки, Основное требование к оптическому элементу 4 обеспечить необходимую угловую дисперсию оценка ее будет дана ниже) при минимальных потерях интенсивности компонент лазерного луча.Остальные элементы блок-схемы (фиг. 1) известны и не требуют дополнительных пояснений. Отметим только, что блок 12 управления может быть построен на базе мини-ЭВМ,цто 1существенно расширит возможности всего устройства и обеспечит полную автоматизацию процесса подгонки. Устройство работает следующим образом.Плата с резисторамине...

Номер патента: 955223

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Мордач

МПК: H01C 17/00

Метки: каркаса, корпусом, переменного, резистора, сборки

...5 и б с секторами 7 и 8.Гибкие элементы 5 и б представляютсобой пружииный гибкий вал.На осях 20 и 21 секторов 7 и 8,свободно вращающихся в кронштейнах 30 9 и 10, установлены соответственнотяги 11 и 12, шарнирно связанные с коромыслом 13, качающимся на оси 22,Плоские Г-образные пружины 14 и 15, опираясь о лепестки 23 и 24 каркаса сопротивления 25, выставляют его симметрично оси 00 оправки 1.Вращение от электродвигателя 26 через редуктор 27 передается распределительному валу 28, который делает один оборот и останавливается.Яа распредвалу. 28 закреплены кулач 40 ки 29-31.От кулачка 29 через коромысло 13 тяги 11 и 12 перемещают кронштейны 9 и 10Секторы 7 и 8 обкаТываются вокруг шестер ни 2, что приводит к равномерному и противоположно...

Номер патента: 955224

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Азаренков, Крылов

МПК: H01C 17/26

Метки: величины, вентильных, металлов, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...диодов с первойдиагональю измерительного моста 1,регулятор 5 режима осаждения, состоящий из блока б управления и транзисторного ключа 7. Измерительный мост1 содержит эталонный резистор 8 и катод 9.Устройство питается от синусоидального напряжения промышленной частоты,35один полупериод которого используется для питания измерительного моста1, а другой - для Формирования регулятором 5 режима анодирования пилообразных импульсов напряжения перемен 40ной длительности. Блок 2 измеренияи управления построен на основе,например, двух компараторов (не показан), один из которых выдает сигнал, на блок б управления по достижении 45сопротивления 90-95 от требуемого,а другой при достижении номинала. Устройство работает следующим образом.Подгоняемый...

Номер патента: 957284

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Панов, Соколовская, Соколовский, Тризна, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...цинка (ХпО) 6Оксид кремния (510 э) 4Оксид висмута (В 1 э Оз) 1 Для получения резистивной композицидготовлено три смеси компонентов.)(арактеристики резисторов Гостав резистивной композиции, вес,3 пп Разброс Удельного соБоросиОксидРУтенияЙд О Органичесское связующее ОксидниобияИЬгО,Удельное сопротив ление, о),Темпер,коэфф.сопрот,1 О 6 1 уог Цинкосвинцовоболикатное ратное стекло стекло противЛЕНИЯ, 7; 20,0 8,0 46 9 1, 25,0 517 0,1 25-100 20 3, 24,6 7,9 46,3 1,5 471 19,7- 123 19 Зо Формула изобретения Составитель Ю. Герасичкин Редактор Е. Папп Техред А. Бойкас Корректор Е. Рошко." Заказ 6610/41 Тираж 761 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП...

Номер патента: 960966

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Миналгене, Садаускас, Симанавичене

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...композиции иОксид рутения (ВцО) 40,84характеристики толстопленочных реРеэистивную композйцию приготов- зисторов, изготовленных на ее осноляют путем смешивания предваритель- ве, приведены в таблице,но измельченных смеси оксидов меди,висмута и рутения, металлического ру- Изобретение позволяет расширитьтения и свинцовосиликатного стекла 1 О диапазон рабочих температур и див виде смеси оксидов, вес,Ф: А 10 апаэон удельного сопротивления тол 9,63 10 16,5; РЬО 66, 7; КО 0,2; стопленочных резисторов и низкоомМа 0 1,0; ИпО 6,0, Затем получен- ной области, повысить временную иную смесь тщательно диспертровали температурную стабильность из сопров органическом связующем на основе 1% тивления и увеличить надежность элекланолина....

Номер патента: 960967

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Абдуллаев, Горелов, Джуварлы, Дмитриев, Никольский, Пугачев, Халин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...Н.Король Заказ 7301/67 тираж 761 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиа ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная,3 96Для получения резистивного материала готовят три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.4: технический углерод 7,00; 7,00 и 9,00,силикат натрия 21,00; 21,00 и 21,00окись кальция 0,01; 0,01 и 1,51,кварцевый песок 11,97; 6,48 и 6,00,1молотый гранулированный алак 60,00;60,00 и 58,00, гипс 0,01; 0,01 и0,01 и тонкодисперсный теллур 0,01;5,50 и 4,48.Каждую смесь готовят следующим образом.Технический углерод, силикат натрия, окись кальция, кварцевый песок,молотый гранулированный шлак и гипсперемешивают в течение 4-8 минв шаровой мельнице....