H01C — Резисторы

Номер патента: 371835

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Власов, Коновалова, Кошкина, Спевакова

МПК: H01C 17/06

Метки: высокостабильных, резисторов

...Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал П 11 П "П,отецт", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к области радиотехнической промышленности.Известен способ получения пленочных углеродистых резисторов посредством нанесения на подложку кремний- углеродистых пленок.Такой способ не обеспечивает получения высокостабильных резисторов,По предложенному способу на кремнийуглеродиствую пленку наносят чисто углеродистую, а затем снова кремнийуглеродистую пленку.Это позволяет повысить стабильность резистэров.На керамическую подложку методом пиролиза наносят последовательно кремнийуглеродиствую пленку с сопротивлением больше 10 Мом/кв, углеродистую пленку нужного...

Номер патента: 1096701

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Куренчанин, Недорезов, Подшибякин

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, толстопленочных

...резисторов состоят в низком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС) и нелинейной зависимости сопротивления от температуры, что не позволяет использовать резисторы в качестве термометров сопротивления. Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий приготовление пасты из порошков диоксида рутения с размером частиц 0,02-0,02 мкм и свинцовоборосиликатного стекла и нанесение пасты на керамическую подложку с последующим вжиганием пасты при 850 С 2.Недостатки известного способа изготовления заключаются в низком ТКС (менее 250 10град) и нелинейной зависимости сопротивления от 1 температуры.Цель изобретения - повышение температурного коэффициента...

Номер патента: 1096702

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Авдеенко, Ивон, Черненко, Щелоков

МПК: H01C 8/04

Метки: ограничитель, перенапряжений

...резисторов;на фиг. 3 - осцилограммы а и 8 напряжения 0 и тока 1 для одиночноговысоконелинейного оксидно-цинковогорезистора; на фиг. 4 - вольтамперныехарактеристики (ВАХ) нелинейного оксидно-цинкового резистора при воздействии импульсов перенапряжениядлительности 1 (кривая В ) и длитель"ность о, (кривая г ); на Фиг, 5 - кри-З 5вые зависимостей коэффициента защитыК от длительности 2 воздействующегоимпульса перенапряжения при отсутствии кС -цепочки (кривая А ) и при наличии КС -цепочки (кривая е ); на 40фиг. 6 - кривыеи 5 зависимостейсоответственно грозового К к икоммутационного Кк коэффициентовзащиты от сопротивления цепочкинормированного к сопротивлению,ограничителя при грозовом перенапряжении при фиксированном значении емкости...

Номер патента: 1100644

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Авдеенко, Чакк, Черненко, Черных

МПК: H01C 17/30, H01C 7/112

Метки: нелинейных, резисторов

...осуществляют приэтой температуре в интервале 300"400 С на воздухе в течение 1-2 ч,оИзготовление нелинейных резисторов в процессе приготовления керамической шнхты из смеси оксидов металлов проходит в области высоких температур при наличии жидкой фазы.При этом после охлаждения заготовокв них между кристаллами оксида цинка образуется стеклообраэные прослойки - стеклофаза из оксида цинка идобавок оксидов металлов, которая 644 2в виде тонкой пленки располагается на поверхности кристаллов оксида цинка, обладает способностью к кристаллизации и как пленка сложного состава создает потенциальный барьер для тока, является причиной неомической проводимости и определяет ос- новные электрические свойства нелиней-. ных резисторов. Стеклофаза...

Номер патента: 1101904

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Чяпяле

МПК: H01C 10/02

Метки: жидкостный, реостат

...- электродами, соединенными с токоотводами, вал расположен горизонтально, а электроды выполнены в виде смежно расположенных участков торцовых или наружной и внутреннейсторон герметизированного тора,На фиг. 1 изображен жидкостный реостатс тремя резервуарами и с электродами на внутренней и наружной сторонах, разрез; на фиг. 2 - то же, вид в плане; на фиг. 3 - вариант реостата с электродами, размещенными на торцовых сторонах тора, разрез; на фиг, 4 - то же, вид в плане, разрез.Жидкостный реостат содержит стойки 1,на которых в подшипниках 2 укреплен вал 3, на валу 3 расположен резервуар 4, выполненный в виде герметизированного тора, частично заполненного электролитом 5. По 0 средством указателя 6 и шкалы 7 резервуарможно устанавливать...

Номер патента: 1101905

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Аверьянов, Егорова, Юнусов

МПК: H01C 17/00

Метки: анодированием, групповой, заготовок, резистивного, резисторов, слоя, формовки, цилиндрических

...подложки. Основная трудность заключается в том, что в данном случае необходимо анодировать только ту часть тела заготовки резистора, которая находится между колпачками резистора, При этом температурный коэффициент сопротивления (ТКС) резисторов не должен сильно изменяться.Цель изобретения - расширение диапазона номиналов подгонки при сохранении стабильности сопротивления резистора.Поставленная цель достигается тем, что устройство для групповой формовки резистивного слоя цилиндрических заготовок резисторов анодированием, содержащее ванну, частично заполненную электролитом, источник питания, катод, погруженный в электролит, и анод, расположенный над поверхностью электролита, введен расположенный над поверхностью электролита стержень, а...

Номер патента: 1103294

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Безруков, Бутузова, Горшков, Комиссарова, Мельников, Писляков

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...и печатных паст.Известна резистивная паста, содержащая оксид серебра, металлический паладий, стеклофритту и органическое связуюшее 1.Недостатком данной пасты является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС = (+9) - (-20) Х Х 10-411 С), 10Наиболее близким к изобретению является резистивная паста, содержащая оксид серебра, металлический палладий, стеклофритту, модифицирующую добавку, в качестве которой использован гексатанталат металла, выбранного из ряда, состоящего из марганца, кобальта, никеля и меди, и органическое связующее 2.Недостатками известной пасты являются узкий диапазон удельного электрического сопротивления в низкоомной области и высокий ТКС.Цель изобретения - расширение диапазона удельного...

Номер патента: 1104593

Опубликовано: 23.07.1984

Автор: Крейдич

МПК: H01C 10/02

Метки: переменный, резистор

...цель достигается тем, что переменный резистор, содержащий корпус с размещенной в нем замкнутой эластичной диэлектрической трубкой, заполненной электролитом, и с размещенными на ее торцах электродами, снабжен узлом токосъема, выполненным в виде втулки с токопроводя О щим лепестком, расположенной в эластичной диэлектрической трубке.При этом эластичная диэлектрическая трубка выполнена гофрированной.На фиг. 1 изображен предлагаемый пере менный резистор; на фиг, 2 - крепление токоподводящего лепестка на втулке; на фиг. 3- переменный резистор при одном из крайних положений узла токосъема. Переменный резистор состоит из трубчфщго корпуса 1 (он может быть в сечении круглым, прямоугольным, квадратным и й д,), в торцах которого...

Номер патента: 1105946

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Алексеева, Бахтинов, Биркен, Дикиджи, Ярославский

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...терморезисторов включает изготовление порошковой мишени изтвердых растворов полупроводниковых оксидов переходных металловсогласно техпроцессу ЦЛ.25065.00001,для чего последние измельчают спомощью пестика до порошкообразногосостояния.Полученный порошок помещают надиск из плавленного кварца, постепенно выливают на порошок спирт,растирают порошок со спиртом дополучения однородной суспеизии, которую равномерно распределяют по поверхности диска. Помещают кварцевыйдиск с нанесенной на него суспенэиейв термостат (любого типа) при100+5 ОС на время не менее 2 ч. Через 2 ч "порошковая" мишень готова к работе.Нанесение термочувствительнойпленки тонкопленочного терморезистора осуществляют на установке типаУВНПс применением в качествевысокочастотного...

Номер патента: 1107179

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Заугольникова, Ибрагимов, Комиссарова, Мельников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, терморезисторов

...800 С в течение5 ч. Иэ него готовятся образцы в виде параллелепипеда размером 2 х 5 х 10 мм,Получается материал БЬЕг(ЧОсодержащий 60,5 вес. РЪ СО,33,3 вес. Г О , остальйое Ч 2 О свеличиной удельного сопротивления при293 К 2,5 х 10 6 Ом"см и с отрицательным ТКС 1,69 СП р и м е р 4. Перетирается 2,26 гВЬ СО.; 1 63 г Б 6 О ; 1,72 г Ч Отаблетируется под давлением 1000 кг/сми прокаливается при 800 С в течение5 ч, Из него готовятся образцы ввиде параллелепипеда размером 2 х 5 хх 10 мм. Получается материал ВЬ 2 Бш 0,2,(ЧО 4 ) , содержащий 54,3 вес. ВЬ СОБш Оэ, ОстальнОе Ч О с величинойудельного сопротивления при 293 К1,7 х 10 Ом-см и с отрицательным ТКС61,3 СП р и м е р 5. Перетирается 3,31 гВЬ СО ; 1,58 г Рг 20, 1,7 г Ч 20,,5 1 таблетируется...

Номер патента: 1109813

Опубликовано: 23.08.1984

Автор: Балазас

МПК: H01C 13/00

Метки: регулируемый, резистор

...соосного 6 О взаимодействия.На фиг. 1 изображен регулируемый резистор, разрез (показано три резистора по числу аэ); на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1, 65 Регулируемый резистор содержит металлический цилиндрический корпус 1 с основанием 2 и крышкой 3. Основание 2 выполнено иэ изоляционного материала, что позволяет сократить габариты корпуса 1 по высоте. На крышке 3 имеется отверстие со съемной сеткой 4 (отверстие на сетке не обоэначено 1 для засыпки гранулированного реэистивного материала.5, например криптола, в корпус 1.Корпуса 1 механически связаны между собой, например, металлической шиной 6 (служащей токоотводом) и установлены на изолирующие подставки 7, Внутри корпуса 1 установлен неподвижный диэлектрический стакан 8,...

Номер патента: 1109814

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 17/08, H01C 7/108

Метки: пленочных, резисторов, цилиндрических

...собой механическую смесь металла и диэлектрика С - 5102, добавляется смесь порошков алюминйя и его окисла в количестве 28 от керметного материала при соотношении металла и его окисла 2:1, Полученная смесь порошков после тщательного перемешивания наносится на испаритель в коли. честве, обеспечивающем требуемую толщину реэистивной пленки. Испаритель с нанесенным реэистивным материалом помещается в камеру вакуумного напыления и вокруг него размещаются керамические основания резисторов . По достижении в камере вакуума порядка 10 4 -10торр испаритель постепенно разогревается путем увеличения величины подаваемого на него электрического тока и проводят двухступенчатый режим испарения.Первая ступень испарения заканчивается по...

Номер патента: 1112415

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Горбачев, Самсонов, Толмачев

МПК: H01C 11/00

Метки: жидкостный, резистор

...заполнено электролитом (не показано), состоящим из водного раствора тяжелых спиртов (например, водного раствора эти. лсцглнколя), и разделено диэлектрической перегородкой 6. диэлектрическая перегородка 6 установлена со скользящей или холо. вой посадкой и делит пространство метал.5 1 О 15 20 лического корпуса 1 ца две - . первук и вторую полости.Первая полость служит для получения пара, необходимого для создания избыточ. ного давления в резисторе, чем обеспечивается смегцение точки кипения электролита к более высоким температурам. Вторая по. лость предназначена для обеспечения основных характеристик резистора (ц уменьшение сопротивления) . Первая полость в 8 -2 раз по объему меньше второй, но в 1,5- - 3 раза больше по удельной...

Номер патента: 1113857

Опубликовано: 15.09.1984

Автор: Илюшенко

МПК: H01C 10/16

Метки: переменный, резистор

...покрытия нанесены на внешнюю 50 поверхность корпуса, на Фиг. 2- эквивалентная схема переменного резистора прототипа , на фиг. 3 эквивалентная схема предлагаемого переменного резистора. 55Переменный резистор содержит корпус, выполненный иэтокопроводящего 1, диэлектрического 2 и резистивного 3 покрытий, резистивный элемент 4 с выводами 5, один из которых электрически соединен с реэистивным покрытием 3 например, путем продолжения этого покрытия до одного иэ выводов 5 на диэлектрическом основании резистивного элемента ), токосъемник 6 с выводом 7, закрепленный на оси 8 с 65 помощью пластмассового ротора 9. При использовании переменного резистора в радиотехнических схемах заземпяется вывод 5,электрически соединенный с покрытием 3.На фиг, 2...

Номер патента: 1115112

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Булачева, Дендюк, Лукьянов, Майдукова, Москаленко

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезистивного

...мл раствора А 1 С 1 э, в полученную смесь при перемешивании вливают2008 мл раствора Ма, СО,(С=1,38 моль/л),Полученную суспензию перемешиваютв течение 1 ч, отфильтровывают ипрокаливают на воздухе при 1250 Св течение 6 ч,П р и м е р 2. Для получениясостава с соотношением компонентовВэ;А 1 э:Ба С 0,=1:2:5,0 готовятсмесь из 246,1 мл раствора МпС 1 и 789,5 мл раствора А 1 С 1 э . В полученную смесь вливают при перемешивании 2090 мл раствора МаСОэ, Суспензию перемешивают в течение 1 чотфильтровывают и прокаливают на воздухе при 1250 С в течение 6 ч.П р и м е р 3. Для получения состава с соотношением компонентов Мпэ:А 1 фэ:Ва СО 1:2:5,4 готовятсмесь из 246,1 мл раствора МпС 1 (С=. 2,3956 моль/л; 0,5788 моль) и 789,5 мл раствора А 1 С 1 (С...

Номер патента: 1115113

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Андзюлис

МПК: H01C 17/00

Метки: многослойных, резисторов, тонкопленочных

...во время отжига;на фиг. 8 - кинетика изменения удельных поверхностных сопротивлений однономинальных (Нз=350 Ом/кв) однослойных и многослойных пленок во времяотжига.40Способы нанесения резистивных пленок (слоев) и формирование диэлектрических слоев могут быть разными, втом числе термическое напыление илиионно-плазменное распыление резистив 45ных и диэлектрических материалов ввакууме, в инертных или реактивныхсредах. Способ включает формированиетонких диэлектрических слоев путемобработки резистивных пленок в реактивных средах, в кислороде, азоте,например, термическим окислением,окислением под давлением или анодированием, например, в высокочастотном разряде. В массовом производстве способ предполагает возможностькосвенного контроля...

Номер патента: 1115114

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Ващенко, Жаворонков, Захаров, Николаева, Сурогин

МПК: H01C 17/00

Метки: высоковольтный, мощный, резистор

...на нее резистивным слоем.На чертеже изображена конструкция45предлага емого резистора. Резистор имеет корпус 1, внутри которого размещены токовыводы 2 и резистивцый элемент 3, выполненный в виде диэлектрической ленты 4 с на цес.еццым на нее резистивным слоем 5 и намотанной на изоляиионное основание 6.Нанесение токовыводов на торцы резистивного элемента 3 производится 55 известным методом, что обеспечивает хороший электрический контакт и поэ тому исклЮчает возможность возникно,1143вения искрения, что способствуетповышению рабочего напряжения,В тех случаях, когда полимеризация или твердение резистивного слояпроисходит после свертывания диэлектрической ленты 4 в рулон, скреплениевитков происходит эа счет связующегорезистивного слоя. Если...

Номер патента: 1115115

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Каланчекаев, Лен

МПК: B41F 15/18, H01C 17/065

Метки: заготовки, нанесения, отпечатков, резисторов

...16 установлено два координатных штифта 17. фланец 16 выполненсъемным и поджат гайкой 18. При установке фланца штифты 17 входят в от-верстия поворотного стола 1 и фланца 15 вала 12, точно фиксируя поворотный стол 1 в положении одного из,держателей группы на его рабочейпозиции,Устройство снабжено также блоком 19 управления, при этом приводной механизм 11 накопителя 10 электрически соединен с приводным механизмом 2 поворотного стола 1 черезэтот блок. Для обеспечения этой связи на валу 12 приводного механизма 2установлен кулачок 20, взаимодействующий с концевым выключателем 21,установленным на входе блока 19.Блок управления может быть выполненв виде электромеханического реле содним или двумя щаговыми искателями(например, реле счета...

Номер патента: 1119085

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Домницкая, Мазаев

МПК: H01C 1/146

Метки: прецизионный, проволочный, резистор

...цепь пластмассовый каркас, имеющий низкую теплопроводность, способствует существованию градиента температур в точках электрического соединения резистивного провода с выводами при наличииградиента температур на концах выводов, используемых для внешних соединений, а масса каркаса способствует .увеличению времени установления температуры резистора. В связи с этим в резисторе возникают собственные помехи. В измерителях микро- и нановольтового диапазона погрешность от термо-ЭДС составляет значительную часть погрешности прибора.Цель изобретения - повьппение стабильности и точности в работе путемснижения термо ЭДС.Поставленная цель достигаетсятем, что в прецизионном проволочном резисторе, содержащем резистивный элемент, выполненный в виде...

Номер патента: 1120413

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Глот, Черненко

МПК: H01C 7/108

Метки: нелинейных, резисторов

...становитсявозможным благодаря наличию находя 50щейся в контакте с зернами .оксида цинка фазы на основе оксида висмута, являющегося важной добавкой керамики. Использование в качестве стеклосвязки взятых в определенных количествах оксидов свинца, кремния и бора обеспечивает при обжиге ограничение рос-. та низкоомных зерен керамики одновременно с образованием высоких ( л 1 эВ) потенциальных барьеров на границах раздела фаз, В результате образуется керамика с малым средним размером зерен оксида цинка и высокими потеницальными барьерами на границах зерен, что обеспечивает уве личение рабочего напряжения нелинейных резисторов.П р и м е р. Вначале смешивают 97,5 мас.7 оксида цинка с добавками оксидов металлов: 1 мас.7 оксида сурьмы и по 0,5...

Номер патента: 1121704

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Глот, Злобин

МПК: H01C 7/112

Метки: материал, нелинейных, резисторов

...относительному изменению параметра.Повторение процесса формовки на одном и том же образце заявляемого состава при изменении положения верх него точечного электрода и формовки других образцов идентичного состава показывает, что 5 -образная форма ВАХ хорошо воспроизводится. Наблюдаемая при этом вариация параметров ВАХ П, 1, Б, 3.2 в пределах 10 вызвана рельефностью верхней поверхности исследуемых толстых пленок и другими факторами. При низком содержании оксида цинка ( ( 10 вес.Ъ) и при его отсутствии 5 -образная ВАХ появляется при формовке не всегда, В подавляющем большинстве случаев после формовки возникает ВАХ с участком отрицательного дифференциального сопротивления, за которым не следует участок с положительным...

Номер патента: 1121705

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Цумарев, Червякова

МПК: H01C 10/02

Метки: жидкостный, реостат

...35Цель изобретения - экономия жидкого металла и снижение трудоемкостиизготовления реостата. Поставленная цель .достигается 40 тем, что в жидкостном реостате, содержащем корпус, выполненный в виде частично заполненного жидким металлом неподвижного цилиндра с поршнем, соединенным с подъемно-спусковым 45 механизмом, расположенную вне корпуса и соосную с ним резистивную спираль, корпус выполнен в виде паке та расположенных поочередно металлических и диэлектрических колец, при этом каждое из металлических колец радиально соединено металлической перемычкой с резистивной спиралью, а поршень выполнен металлическим и размещен в корпусе с зазором. На чертеже изображен предлагаемый реостат, продольный разрез.Реостат состоит из резистивной...

Номер патента: 1121706

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Сенишин, Фабрикант

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

...равномерноепоступление электролита через порис"тый наконечник к резистору за счеткапиллярных явлений, так как электролит находится в замкнутом объеме,Кроме того, во время эксплуатации из-за переворачивания устройства в электролите могут образоваться воздушные пузыри, разрывающиецепь катод - электролит, что прерывает процесс подгонки. Конструкцияустройства не допускает надежногозакрепления наконечника на выходномотверстии ампулы, поэтому в процессе подгонки (когда наконечник служитопорой для всего устройства) наконечник смещается, электролит поступаетв избытке, в результате нарушаетсялокальность, а следовательно, точность и качество подгонки. Все это затрудняет эксплуатациюустройства, снижает надежность его работы и не...

Номер патента: 1125662

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Гаевскис, Калване, Фреймане, Шебанов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...является то, что относительная плотностькерамики в процентах от теоретичес.кой - рентгенографической плотности при оптимальном режиме синтезадостигает не более 90, 40Цель изобретения - уменьшение тем.пературного коэффициента сопротивления и повышение относительнойплотности.Поставленная цель достигается 45тем, что.резистивный материал, включающий оксиды свинца и бария, дополнительно содержит оксид ниобия при.следующем количественном соотношении компонентов,мас.Ъ: 50Оксид бария 39,60-42,51Оксид ниобия 1,12-11,06Оксид свинца Остальное Резистнвный материал приготовляют следующим образом.Смешивание и измельчение исходных компонентов шихты производят в шаровых агатовых мельницах в среде этилового спирта до размера частиц 0,5 мкм в...

Номер патента: 1127013

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Бурдина, Смирнов

МПК: H01C 7/00

Метки: планочный, резистор

...позволяет повысить точность электрического сопротивления пленочных резисторов, уменьшить их габариты, а также снизить трудоемкость изготовления, так как для повьппения точности электрического сопротивления нет необходимости увеличения размеров резистивного и проводникового слоев, а также введения операции подстройки резисторов. 1 1127013, 3Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления пленочных резисторов, например длягибридных микросборок,Известен пленочный резистор,содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположены резистивный элемент, выводы и контактныеплощадки 10Недостаток известного пленочногорезистора состоит в низкой точностиэлектрического сопротивления.Наиболее...

Номер патента: 1127015

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Печенкин, Романов, Славкин, Теснер, Тимашов, Трегубов

МПК: H01C 17/00

Метки: заготовках, керамических, резисторов, слоя, токопроводящего, углеродного

...2 .Однако данное устройство имеет сложную конструкцию ввиду наличия50 шлюзового затвора.Цель изобретения - упрощение конструкции эа счет исключения шлюзовых затворов. Указанная цель. достигается тем, .55 что устройство для получения углеродного токопроводящего слоя на керамических заготовках резисторов,содержащее механизм загрузки заготовок, размещенную в нагревательной печи реакционную трубку с патрубками для ввода смеси углеводорода с инертным газом и вывода продуктов пиролиза, и механизм выгрузкИ заготовок, снабжено дополнительным патрубком для вывода продуктов пиролиза, причем патрубок для ввода смеси углеводорода с инертным газом размещен в средней частя реакцион- ной трубки на расстоянии О,ЯЯ,6 Я длины нагревательной печи со...

Номер патента: 1134970

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Корсаков, Саксин

МПК: H01C 3/02

Метки: проволочный, резистор

...данного резистора является то, что при .больших токовых нагрузках спираль разогревается, удлиняется и сползает с диэлектрического основания при вертикальном его расположении. Изготовление каркаса с глубокой канавкой под проволочную спираль приводит к ухудшению теплоотдачи.Цель изобретения - повышение надежности проволочного резистора в работе. Поставленная цель достигается тем, что проволочный резистор, содержащий диэлектрическое основание цилиндрической формы с расположенным на его поверхности резистивным элементом, выполненным в виде проволочной спирали, снабжен распорной пластиной и упругим элементом, размещенным в глухом продольном пазу,выполненном вдоль образующей диэлектрического основания.Упругий элемент выполнен в виде...

Номер патента: 1085425

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Заика, Кравченко, Лантухов, Попов

МПК: H01C 17/242

Метки: интегральных, лазерной, пленочных, подгонки, схем, элементов

...(при стабильной мощности пучков лазерного излучения, обеспечивающей постоянную ширину реза)и предлагаемым, приводящим к монотонному уменьшению ширины реза в про 40цессе подгонки.Установлено, что при предлагаемомспособе минимальный воспроизводимыйвыжженный диаметр пятна на поверхности резистивной пленки в,3-4 разаменьше начального диаметра,В результате подгонки было установлено, что относительная погрешность подгонки известным способом при диаметре выжженного пятна 50 100 мкм и шаге пятен 50 мкм (502 перекрытие) составила (1-2)Х, при уменьшении шага до 10 мкм - 0,257 при резе переменной ширины (предлагаемым способом) - 0,0252. 55 Таким образом, точность подгонкиповысилась на порядок. 4Для подгонки пленочных элементов обычно используют...

Номер патента: 1138838

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гравов, Кононюк, Попов, Тихонова

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

...коэффициента старения (100%) и узком диапазоне температурного коэффициента 25сопротивления (5-8%/ С) .Цель изобретения - расширениедиапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышение стабиль-ЗОности электрического сопротивленияпутем уменьшения коэффициента старения,Поставленная цель достигается тем,35 что материал для терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержитоксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид марганцаОксид цинкаОксид меди Для приготовления материала ис.пользуют порошки Мп О и Си(МОз) х ЗСпОЗН О марок "для полупроводников" и 2 пО марок ч. или ч.д.а. Смесь порошков предварительно обжигают при 750-800 С 1-2 ч на воздухе, затем...

Номер патента: 1150664

Опубликовано: 15.04.1985

Автор: Звиргзд

МПК: H01C 10/06

Метки: переменный, резистор

...посредством его выполнения с переменным шагом, Металлическая поверхность покрыта диэлектрическим слоем, например в виде полимерной оболочки 10, 20 на которую нанесен, например намотан, резистивный элемент 1 из высокоомной проволоки без изоляции с постоянным шагом и с зазором.С целью расширения диапазона регу. лирования на двух диаметрально расположенных участках каждого витка каркасаи наодной образующей смежно расположены кольцевые контактные элементы 11. Они выполнены из материала с высокой электропроводностью, например алюминия, меди, серебра, хорошими контактными свойствами и электрически связаны с элементом 1.Резистивный элемент 1 у нижнего опорного витка 3 посредством контактной пластины 12, регулировочного элемента б и...