H01C — Резисторы

Номер патента: 1705887

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Боженкин

МПК: H01C 17/00, H05K 13/02

Метки: аксиальными, выводами, параметров, резисторов

Номер патента: 1706405

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Мишель

МПК: H01C 10/02

Метки: жидкостный, реостат, циркуляцией, электролита

...отверстия второгоэлектрода - с днсл этого электрода,выполнсннОГО в виде стак)на приэтом втулки пораого и второ.о наборов распопо"(ены поочередно,1 го)ест во в г, Ок 85 81 л 1,(Оэах л 3 Рет быть произвольны 1.Тадл КОНС 1 РУсъ ПО.ЭВОЛЛСТ УВСлиигь 3 г 33 Иу и:.ПусасОго тскд,Э)гект)опы 7 и 8 ил Один ис ихтак:(. логут бть ;стично лн"3(31:сьс 3 дС П)( 31 НГ; СС рк Пр(,с 3(ОВщдд 1 их контакта с электролитомЭтот вариант показан на фиг.10,Они могут также выполллтьсл накручивднием проводов или трубок,как показано на Фиг,11,5В том или ином случае трубки могут быть использованы для циркуляции хладагенга.Такие конструкции электрс лов 7,8 позволяют увеличить велицлну пропуска".мого тока.Согласно другому варианту электроды 8 или один из них...

Номер патента: 1708521

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Берков, Болога, Ермилов

МПК: B22F 1/02, B22F 7/04, H01C 17/16 ...

Метки: нанесения, покрытий, порошковых

...В качестветугоплавких порошков используюттехйические порошки вольфрама и молибдена со средним диаметром частиц вдиапазоне ЬОмкм, легкоплавкимипорошками являются олово и свинец размером МОмкм,15При использовании порошков вояьфрама и молибдена удается получитьравномерное покрытие толщиной до 0,5 мм= 0,7 Ж. Применение частицолова и свинца позволяет нанести равномерное покрытие толщиной до 1,5 мм( р = 1,0 Ф),Превышение среднеобъемной концентрации диспергента критического знаивнии (кр ) пРиводит к образованиюслоя отложений на катоде электродинамического псевдоожиженного слоя.При условии, чтор = 0,13 (4//Ь)о, процесс ведут при среднеобъемной концентрации порошкового материала выше критической.Злектродинамически псевдоожиженныйслой в...

Номер патента: 1712969

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Боженкин

МПК: H01C 17/00

Метки: керамических, оснований, отбраковки, преимущественно, резисторов, цилиндрических

...крепятся к дну чаши 2 вибробункера винтом 5.Воронка 3 и основание 4 установлены однаотносительно другого с зазороми соединены между собой винтами через распорныевтулки б. Коническая поверхность основания 4 выполнена перфорированной - имеетотверстия б, расположенные по периметруоснования под воронкой 3. Поверхность последней, обращенная к полому основанию,выполнена конической с углом конуса, равным углу конуса полого основания. В центреворонки 3 имеется отверстие для прохождения керамических оснований,Устройство для отбраковки керамических оснований, применяемых для изготовления резисторов, работает следующимобразом.При включении вибропривода 1 вибробункера керамические основания резисторов, попадая в воронку 3 устройства отбраковки,...

Номер патента: 1721636

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Виткин, Омельченко, Розет, Харин

МПК: H01C 7/12

Метки: защиты, перенапряжений

...однозначно определяют отсутствие необходимости их ремонта, т. е. необходимости их разборки,Сборка устройства производится в следующей последовательности.1721636 35 50 55 На торец изоляционного корпуса 1 наносится в соответствии с технологией клей- герметик 4, например ТИ 4682622.251 ЭТ. Д 055100014, после чего торец корпуса плотно прижимается к фланцу-крышке 3, затем из дозирующего устройства во фланецкрышку подается необходимая порция компаунда-герметика 5, например ТИ 4682622, поверх которого наносится армирующий слой цемента 6, отверждение которого производится в соответствии с существующей технологией. Затем в устройстве размещается нелинейный резистор 2 и армируется второй фланец-крышка.Собранное таким оГоазом устройство крепится...

Номер патента: 1721637

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Аксенов, Анохин

МПК: H01C 10/08

Метки: линейный, переменный, резистор

...с зазором над контактными элементами, и взаимодействующим с ней прижимным элементом, который расположен с возможностью последовательного прижима упругих лепестков к контактным элементам резистивного слоя.На фиг. 1 показан резистор, сечение; на фиг. 2 - контактная пластина; на фиг. 3 - то же, сбоку; на фиг. 4 - основание с резистивным слоем и контактными элементами.Линейный переменный резистор содержит диэлектрическую подложку 1 на одной из поверхностей которой нанесен резистивный слой 2 с отходящим от него набором контактных элементов 3,Над поверхностью подложки 1 закреплена изолирующая планка 4 из пластмассы, на которой по ее длине закреплена контактная пластина, выполненная в виде гибкой проводящей пластины с набором...

Номер патента: 1721638

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Аксенов, Анохин

МПК: H01C 10/44

Метки: линейный, переменный, резистор

...токосьема. Новым в резисторе является выполнение узла токосъема в виде гибкой пластины с набором упругих лепестков, установленных с зазором над контактными элементами. С помощью контактного прижимного элемента скользящего вдоль набора лепестков осуществляется .последовательный электрический контакт гибкой пластины с хотя бы одним из контактных элементов, отходящих от резистивного слоя, 4 ил. роводящеи пластины со множеством упругих лепестков 6 и снабженный выводом 7,Прижимной контактный элемент 8 может скользить вдоль проводящей пластины по ее упругим лепесткам 6.Переменный непроволочный резистор работает следующим образом.При перемещении прижимного контактного элемента 8 вдоль набора лепестков 6 происходит последовательное их...

Номер патента: 1732384

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Астафьев, Глазырин, Зимин

МПК: H01C 17/00

Метки: контактного, переменного, резистора, сборки, узла

...производительности и надежности.Способ реализован в опытном образце автоматической спутниковой линии сборки узла резистора СП 5-22 В, находящейся в опытной эксплуатации, со следующими технологическими параметрами;Производительность кинематическая, шт./ч (для сравнения кинематическая производительность линии сборки резистора РПМ 720 шт,/ч) 1100Количество собираемыхдеталей, шт. 5. Размер паза в корпусепод замковую шайбу, мм 0,5 + 0,05Размер проточки навинте под замковуюшайбу, мм 0,5 + 0,05Толщина замковой шайбы,мм 0,5- 0,05 На фиг. 1 показаны собираемые детали; на фиг. 2 - схема установки подвижного контакта в корпус; на фиг. 3 - схема размещения регулировочного винта в плоскости боковой стенки корпуса (исходное положение деталей...

Номер патента: 1737523

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Кожух, Липкина, Матвеев

МПК: H01C 7/04

Метки: градуировки, индивидуальной, терморезистор, требующий

...2 - типичные температурные зависимости для двух терморезисторов, изготовленных из поликристаллического кремния марки КПО и КП 1; на фиг. 3 - типичная вольт-амперная характеристика терморезистора из поликристаллического кремния (марка КПО).Устройство содержит термочувствительный элемент 1 терморезистора и контакты 2,Терморезистор работает следующим образом,Через терморезистор пропускается измеряемый электрический ток, осуществляется измерение падения напряжения, после чего определяется сопротивление терморезистора, Изменение температуры приводит к изменению сопротивления терморезистора, а, следовательно, и к изменению измеряемых величин, Каждому значению сопротивления терморезистора однозначно соответствует определенная температура,П р и...

Номер патента: 1739391

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Ануфриенко, Виноградова, Виткин, Омельченко, Розет, Харин

МПК: H01C 7/12, H01T 4/06

Метки: защиты, перенапряжений

...с резисторами надевают изоляционный корпус с закрепленной на нем нижней торцовой крышкой, После этого скрепляют формующее приспособление с изоляционным корпусом при помощи винтов, размещенных в отверстиях фланца приспособления. Поджимают колонку резисторов в осевом направлении, после этого поворачивают изоляционный корпус нижним фланцем вниз, Затем внутреннее свободное пространство заливают теплопроводным изоляционным материалом -компаундом, Таким образом при заливке компаунда одновременно формируется колонка, прикрепляется к изоляционному корпусу с помощью перемычки компаунда и формируется канал для выброса газов. После отверждения компаунда формующее приспособление извлекают из изоляционного корпуса и закрывают корпус верхней...

Номер патента: 1739534

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Борисов

МПК: H01C 17/00, H05K 13/08

Метки: параметрам, переменных, резисторов, электрическим

...3 17тельно штыря 13, служащего ограничителем вращательного движения ее относительно подвижной системы резисторав момент нахождения конического ловителя 14 в верхнем положении. Пневмоцилиндр 15 предназначен для перемещения. планки 16, на которой закрепленрычаг 17, взаимодействующий с ловителями 14, и кронштейн 18, который воздействует на подпружиненную защелку19. Пневмоцилиндр 20 предназначендля воздействия через ролик 21 наскобу 22 контактора. Возможен вариантвыполнения устройства, при которомв качестве элемента, осуществляющегожесткую Фиксацию корпуса резистора,использован прижимной рычаг, а контактная группа расположена таким образом, что подпружиненные контактывзаимодействуют с лепестками резистора при его установке в гнездо...

Номер патента: 1600560

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Андреев, Маркевич, Соловьева

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, основе, позисторов, титаната

...с оксидами РЗЭ вводится в шихту перед смешиванием.4. Смешивание производится "мокрым" способом в шаровой мельнице с последующей сушкой порошка при 130-150 С.5. Синтез материала проводится на воздухе при температуре 1150 С в течение 2 ч.6, Прессованные образцы заданной конфигурации обжйгаются при температуре 1280-1320 С в течениеч. Скорость охлаждения образцов от температуры обжига 100-150 град/ч.7, Для измерения электрических параметров наносятся электроды из эвтектики 1 п-Са.Иллюстрация положительных результатов по предлагаемому способу приведена в таблице, в которой представ лены данные аналога и прототипа, а также измеренные значения основных параметров позисторов из ВаТхО и. .его твердых растворов с различным . содержанием...

Номер патента: 1602254

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Андреев, Маркевич, Соловьева

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, основе, позисторов, титаната

...П.п, 1 и 2 таблицы соответственно характеризуют свойства позисторов из Ва РЬ оТхО, легированного 0,1 мол.% У О с добавками Та или ИЬ (прототип) и позисторовиз ВаТхОз, легированного ИЬ 205 или7 Оз с комплексом добавок (аналог)..Необходимо при этом еще раз подчеркнуть, что в прототипе рассматриваются позисторы только из свинецсодержащей керамики, в которую вводятсяИЬ или Та Дпя уменьшения потерь свинца при обжиге керамики. Лучшие результаты по аналогу и прототипу )5 =12 Ом см ПТКС = 5% /С.П,я. 3-5 таблицы характеризуют условия обжига и параметры позисторовиз керамик состава ВаТ 10, Ва. БгТ 10 пВа РЬТхО, изготовленных по предлагаемому способу при соотношении МЬ О/У, Ов сплаве, равном 8: 1. Видно, что при значениях удельного...

Номер патента: 1746408

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Серяков

МПК: H01C 3/02

Метки: резистор

...в виде зигзага с последующим ее отжигом в печи, путем фрезерования пазов в едином блоке керамического проводника либо другими .способами, В прямолинейных участках зигзага со стороны перегибов выполнены продольные прорези 2, Последние выполнены со стороны противолежащих перегибов в чередующемся порядке, Число таких прорезей должно быть четным, т.е, число прорезей со стороны противолежащих перегибов должно быть равным друг другу, Каждая из указанных прорезей не является сквозной, но начинаясь с одной стороны перегибов полосы доходит до противоположной стороны, не затрагивая противолежащих перегибов,Кроме указанных продольных прорезей устройство содержит дополнительные по 20 25 30 35 40 50 перечные прорези 3, выполненные на участках...

Номер патента: 1746409

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Городецкий, Калинин, Шарапов

МПК: H01C 3/02

Метки: малоиндуктивного, резистора

...длины резисторадля получения заданной величины сопротивлениянеобходимо учесть, что малая индуктивность обеспечивается тем, что входящий токраспределяется по двум равным, но совстречными токами, частям резистора, т.е.фактически его сопротивление вдвое меньше, поэтомунадо рассчитывать для двойной величины требуемого сопротивления,На фиг. 1 изображен резистор, кольцокоторого образовано из исходного основания с нарезанными на немвинтовыми гранями, на фиг, 2 - то же, из исходногооснования в виде цилиндра; на фиг. 3 -схема исходного основания резистора свинтовыми гранями А и его развертка Б; нафиг. 4 - схема цилиндрического основанияА с разверткой Б; на фиг. 5 - расчетнаясхема геометрических параметров резистора и технологических параметров...

Номер патента: 1746410

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Марков, Слягин, Фитасов

МПК: H01C 17/28

Метки: заготовки, кассета, нанесения, покрытия, радиодеталей

...к соединительным стойкам крепятся, например, пайкой.На фиг. 3 показан барабан 8, на котором по его окружности равномерно крепятся кассеты 9. Барабан 8 имеет два диска: верхний и нижний 10. В нижнем диске 10 в центре имеется зубчатое колесо 11, с которым входят в зацепление зубчатые колеса 12, приводящие во вращение кассеты 9,.через штыри 7. После установки кассет 9 в барабан 8 они закрепляются, например, с помощью гайки 13, которая имеет в центре отверстие несколько больше, чем диаметр заготовки.Устройство работает следующим образом. Перед заполнением кассет 9 (фиг, 3) необходимо снять барабан 8 из напылительного устройства на чертеже не показано) иустановить его в специальное заполнитель 5 ное устройство, Заполнение кассет производится...

Номер патента: 1749887

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Чекчеев

МПК: G05F 1/00, H01C 10/00

Метки: резистор, управляемый

...управляющего напряжения, выходные выводы, предназначенные для включения в электрическую цепь, дополнительно введены два резисторных оптрона, размещенные на общей подложке, причем светодиоды оптронов включены последовательно между выходным потенциальным выводом операционного усилителя и потенциальным выводом его неинвертирующего входа, соединенным с шиной нулевого потенциала и одним из выводов для подключения управляющего напряжения, фоторезистор первого оптрона включен между вторым выводом для подключения источника управляющего напряжения и потенциальным выводом инвертирующего входа операционного усилителя, соединенным через резистор с отрицательным полюсом двухполярного источника напряжения постоянного тока, а фоторезистор второго...

Номер патента: 1749921

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Калитис, Олешкевичюс

МПК: H01C 3/10

Метки: подачи, регулировки, сварочного

...жил, две группы по 2 жилы и одну оставить отдельно, В этом случае понадобится набор выключателей из 8 шт.При работе, не отходя от места работ но отрегулировать сварочный ток. Дл оединительнаго кабеля порядка 30 м. относится к злектротехниспользовано в сварочном апример, для регулировки т многопостовых источнисва ков обретения - сни) арактеристик и уд ри рбгулировке ния в качестве на я внутреннего с егося кабеля, сое ектрододержателе ение массогаобство эксплутока путем грузочного соапротивления диняющего исы,мож нас еже пока На черттройство,Соединительнвиде параллельныжающей среды изкой изоляцией жматериала (металлную величину сопкоторых совместн2 тока, а другойчерез набор выклчтобы, включая не предлагаемо Формула изобретени Устройство...

Номер патента: 1749922

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Макаров, Попович, Тронтель

МПК: H01C 7/10

Метки: варисторов, оксидно-цинковых

...Адсорбция кислорода приводит к появлению отрицательного заряда на поверхности зерна, в результате чего возрастает высота потенциальнога барьера. Масс-спектраметрические исследования оксидно-цинковой керамики для варисторав показали, чта при ее нагревании в вакууме выше 150 С основ1749922 Составитель Ю. КандрахинаТехред М.Моргентал Коррект Демч ак Заказ 2598 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина нь 1 м газом, который выделяетсяявляется СОг, который адсорбирован на границах зерей оксида цинка. Адсорбция СОг(который всегда присутствует в атмосфере) на поверхности зерен 7 пО в...

Номер патента: 1751822

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Моткин, Пучков, Тихов

МПК: H01C 17/00, H01G 13/00

Метки: конденсаторов, обжатия, преимущественно, секций

...роторе, При вращенансоны с матрицами, перемедругу, обжимают секцию предпотом и окончательно, 2 ил. Устройство для обжатия преимущественно секций конденсаторов работает следующим образом;В зоне загрузки радиодеталеи 11 пуан- (Я сон 3 находится в верхнем положении,матрица 4 ниже боковой поверхности проточки 14 ротора 2, В этот момент радиодеталь 11 из механизма 10 загрузки поступает в глухое отверстие 5, образованное опущенной матрицей 4. При вращении ротора 2 пуансон -д 3 и матрица 4, взаимодействуя с профильными направляющими 8, 9, движутся навстре- (Я чу друг другу. Когда рабочая поверхность (торец) матрицы 4 начинает совмещаться с боковой поверхностью проточки 14 ротора 2, осуществляется предварительное обжатие радиодетали...

Номер патента: 1758679

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Городецкий, Параунин, Шарапов

МПК: H01C 3/02

Метки: резистор

...основание в виде круглого цилиндра с 12-ью исходными резистивными элементами (сечение А - А); на фиг.4 - то же, в виде правильной призмы с 6-ью резистивными элементами (сечение Б-Б); на фиг. 5 - резистивные элементы с токоотводами на замкнутом в кольцо незакрученном вокруг продольной оси основании шестиугольного поперечного сечения; на фиг.6-8 - резистивные элементы и их соединения в электрические цепи при закручивании основания шестиугольного поперечного сечения вокруг продольной оси на 60; 12, и 180 соответственно; на фиг, 9-11 - электрические цепи с соединениями, аналогичные цепям, изображенным на фиг. 6-8, образованные из исходных резистивных элементов.Резистор содержит основание 1, сформированное в виде кольца из круглого цилиндра...

Номер патента: 1781634

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Абаринов, Козусев, Никеенков, Смурага

МПК: G01R 27/00, H01C 13/00

Метки: допускового, многоэлементных, разбаланса, резисторов, сопротивления

...1 подключается соответственно к первой и второй группам выходов коммутаторов при контроле резисторов с функциональной характеристикой А и В, и наоборот: О - к второй группе и Е - к первой при контроле резисторов с характеристикой Б. (ГОСТ 21342,4-87 п.3,4). Следует отметить, что в прототипе соединение группы входов контактирующего устройства непосредственнок выходу источника вызывает необходимость гальванического разделения измерительной части и источника. Коммутатор 2 может быть выполнен в виде наборного поля, набора механических переключателей на два положения каждый или многоканального. электронного. или электромеханического (реле) коммутатора, управляемого оператором с клавиатуры или от внешнего устройства управления по заданной...

Номер патента: 1786516

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Поляков

МПК: H01C 10/30

Метки: блок, логарифмической, резистивный, функциональной, характеристикой

...переменных резисторов, соответственно;р - угол синфазного поворота токо- съемного подвижного контакта или егО линейные перемещения для линейных переменных резистов;Ъ - угол полного поворота.В 1-г; Вг-з; В 1-з- величина сопротивления между соответствующими выводами;Вк, В "к - сопротивление переходных неподвижных контактов и контактных площадок основного и дополнительного резисторов;Впк, Впк - сопротивления токосъемных подвижных контактов основного и дополнительного резисторов, соответственно;Вн - величина сопротивления нагрузки,подключаемой преимущественно к выводам 1 и 2,Ою 01-э - падение напряжения междувыводами 1, 2 и 1, 3, соответственно. 5Можно показать, что-г (1+ д ) д (Рй - зу.У"10(1+ ) х 2 х,где а = й, Ь = Вд, а х =...

Номер патента: 1788525

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Хитрин

МПК: H01C 1/00

Метки: колпачок, металлопленочных, резисторов

...фаски определяется конст рукцией штампа и его наладкой, Угол,в влияет на условия напрессовки колпачка на основание резистора, а также на стойкость штамповочного инструмента и в пределах 15,.-30 является оптимальным,Приведенные зависимости приведены для колпачка с толщиной дна 0,2 мм;длиной стенки 1,15 + 0,1 мм и исполнительным внутренним диаметром порядка 1,59 мм.Материал - низкоуглеродистая сталь или латунь. Таким образом, внутренняя поверхност колпачка 1 выполнена, имеющей форму усеченного конуса, верхний, меньший диаметр д, которого равен исполнительскомудиаметру колпачка 1,59 ":0,02 мм.Колпачок 1 предлагаемой конструкции изготавливают штамповкой на прессе двойного действия методом вытяжки без утонения из предварительно вырубленной...

Номер патента: 1791856

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Гербер

МПК: H01C 13/00

Метки: активного, мера, сопротивления, электрического

...предельной рабочей частоты,Поставленная цель достигается тем, что мера электрического сопротивления выполнена в виде параллельных резистивных секций, образующих лестничную структуру, и содержит токовые и потенциальные выходы, причем между одноименными выводами враждой из двух соседних резистивных сек ций включены индукгивные элементы, а токовые и потенциальные выводы соединены соответственно с выводами первой резистивной секции и с выводами последней резистивной секции лестничной структуры,Кроме того, мера электрического сопрогивления содержит дополнительный регулируемый индуктивный элемент. подключенный параллельнеодному или нескольким индуктивным элементам.Подключение дополнительного регулируемого индуктивного элемента...

Номер патента: 1798821

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Шмырева

МПК: H01C 7/02

Метки: термопреобразователь

...участок термопреобразователя напыляют тем же методом защитный слой А 20 з - 4. При этом контактные площадки 5 и 6 не покрывают защитным слоем 4, После скрайбирования подложки на отдельные образцы - термопреобразователи к контактным площадкам 5 и 6 присое- в диняют электрические выводы 7 и 8, например, пайкой припоем или вжиганием ) никелевой или серебряной пасты, рПрибор работает следующим образом, Под действием изменения температуры происходит изменение сопротивления термопреобразователя, что регистрируется цифровым омметром типа В 7-35 или с помощью стандартных электронных схем переводится в цифровой код, высвечиваемый а на жидкокристаллическом индикаторе, в соответствии с измеряемой температурой.Легирование пленок никеля...

Номер патента: 1798822

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Захарченко, Недовесов, Шмырева

МПК: H01C 7/02

Метки: датчик, температуры

...12 кВ, токе 180 мА, Затем методом фотолитографии создают заданную топологию датчика. Через маску в вакуумной системе напыляют защитный слой 4 на чувствительный участок датчика. При этом контактные площадки не покрывают защитным слоеМ. После скрайбирования пластины на отдельные кристаллы - датчики к контактным площадкам 5 и 6 присоединяют электрические выводы 7 и 8, например, методом ультразвуковой сварки.Прибор работает следующим образом, Под действием изменения температуры происходит изменение сопротивления датчика, что регистрируется цифровым омметром типа В"35, или на основе стандартных схем сигнал преобразуется в цифровой код, соответствующий измеряемой температуре, Легирование пленок никеля иттербием, имеющим большой атомный радиус,...

Номер патента: 1800485

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Буров, Пиганов, Шопин, Ястребов

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, толстопленочных

...напряжение. Измеритель 3 сопротивления, формирующий напряжение, пропорциональное величине сопротивления, может быть реализован на базе мостовой схемы или готового цифрового измерителя сопротивления,В блоке 2 сравнения, реализованном на базе вычитателя напряжения, определяется разность выходных напряжений измерителя 3 сопротивления и источника 1 опорного напряжения (последнее пропорционально предельному значению сопротивления подгоняемого резистора), АЦП 4 формирует цифровой код, пропорциональный его входному напряжению (разностному сигналу на выходе блока 2 сравнения), АЦП 4 содержит и разрядов, причем "вес" каждого последующего разряда, начиная с второго, меньше предыдущего в два раза.В первоначальный момент работы устройства для...

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...

Номер патента: 1075852

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Куценко, Мухин, Таланцев

МПК: H01C 17/26

Метки: делитель, интегральных, резистивный, схем

...резистивных элементов. ние относится к электроннойет быть использовано в техн ления прецизионных поли- резисторов, в частности, делителей для интегральных кристаллического кремний с я тем, что, с цельювоспроизведения отнолений резисторов .в делития диапазонаивления в низкоомной он расположенными на изке под резистивными элех боковых сторон дополнми поликристаллическоге сопротивление которыпорядок, больше удельния резистивных элементо На чертеже схематично показан резистивный делитель для интегральных схем,вид сверху.Резистивный делитель содержит изолирующую подложку 1, покрытую слоем двуокиси кремния (не показана), на которойрасположен слой 2 поликристаллическогокремния толщиной 0,5 мкм, резистивныеэлементы 3, контактные элементы 4,...