Патенты с меткой «непроволочный»

Номер патента: 217506

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Бочкарев

МПК: H01C 10/23

Метки: непроволочный, постоянный, резистор

...заданного значения.На фиг. 2 изображена конфигурация резистивной ленты, которая наиболее эффективно использует площадь изоляционного основания.Длина зигзагов резистивной ленты 1, составляющих основную часть величины сопротивления, значительно больше длины зигзагов резистивной ленты, выделенной для подгонки сопротивления, Для получения заданной величины сопротивления с высокой точностью при каждом разрыве следующего отвода общее сопротивление между контактами 4 должно приобретать все меньшее приращение. Эта задача решается двумя способами, которые поясняются фиг. 3 и 4. На фиг. 3 приведена конфигурация резистивной ленты, Ее характерной особенностью является постепенное уменьшение длины зигзагов ленты, при помощи которых осуществляется...

Номер патента: 288091

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бочкарев, Бочкарева

МПК: H01C 7/00

Метки: непроволочный, резистор

...части диэл использовано вещес тальными составля фазу, например оки проводящей компоне 25 окислов лантаноидов, зи стор, снабженныи кеием, покрытым токопротоящим из токопроводякой компонент, отличаюлью повышения стабильпараметров резистора, в ектрической компоненты тво, образующее с осющими стеклообразную слы ванадия, и при токонте из металлосилиция и Известный непроволочный резистор с нанесенным на керамическое основание токопроводящим слоем из токопроводящей и диэлектрической компонент имеет относительно низкую стабильность параметров.,В цредлагаемом нвпроволочном резисторе повышение стабильности вто параметров достигается использованием .в качестве части диэлектрической компоненты, вещества, образующегоо с остальными...

Номер патента: 311295

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Бочкарев

МПК: H01C 7/04

Метки: непроволочный, резистор

...места резистивного слоя вследствие повышенного его электрического сопротивления по сравнению с остальным слоем автоматически уменьшает сопротивление указанного участка основания на значительную величину, благодаря большому его отрицательном. ТКС.При соответствующим образом подобранной величине отрицательного ТКС материала основания можно получить такое электрическое шунтирование дефекта реактивного слоя, которое приостановит его дальнейшее разрушение. Путь электрического тока, протекающего по образовавшемуся шунту, показан стрелкой на фиг. 1,Рассмотренный механизм автоматического311295 фиг 7 ф Сос;авнтсль И. Герасимовасхрсд Л, В. Куклина КоррекОр Л. Б. Бадылама сдак.Ор Т. нова Заказ 5525ЦНИ 11 П 1 Л КотПтст Изд, ЬЪ 1063о делам...

Номер патента: 528617

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Воробьев, Григорьев, Маркин

МПК: H01C 10/38

Метки: движкового, непроволочный, переменный, резистор, типа

...основание предлагаемого резистора выполнено в виде двутавра, на верхней полке которого установлен подвижный контакт ный узел, выполненный из двух подпружиненных к основаншо упругой скобой ползунков, в пазах которых установлены пружинящие пластины, одновременно контактирующие с резистпвным элементом и токосъемной шиной, 15 На чертеже дана конструктивная схемаописываемого резистора,Резистор состоит из основания 1, выполненного в виде двутавра, ползунков 2, подпружи 20 ненных к основанию упругой скобой 3, надетой на ручку 4, токопроводящих элементов 5,установленных с двух сторон основания 1, токосъемных шин 6 и контактных пластин 7, которые установлены между ползунком 2 и то 25 косъемной шиной 6.К верхней полке двутаврового...

Номер патента: 1045279

Опубликовано: 30.09.1983

Автор: Илюшенко

МПК: H01C 3/02

Метки: варианты, высокоомный, его, непроволочный, резистор

...кольцом 7 изпроводящего материала, выполненным свозможностью перемещения и фиксации.Работа резистора в электрическойцепи не отличается от. известных, однакообласть рабочих частот существенношире (выводы 8 и 9 соединяются собщим выводом схемы),На эквивалентной схеме преалагаемого резистора (фиг 2 ) (болев точнаяэквивалентная схема увеличивает раопрвделенный характер индуктивного ирезистивного сопротивлений перфорированного цилиндра) приняты следующиеобозначения:- сопротивление резистора;- паразитная емкость резистора;Ср - распределенная емкость рвзистивного слоя 2 на полыйцилиндр 6;С, - емкость резистивного слоя 2на кольцо 7;- индуктивность полого цилиндра 611( - резистивное сопротивлениеполого цилиндра 6;1,811 - сопротивление...