H01C — Резисторы

Номер патента: 313224

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Орешкин, Семенов, Соколов

МПК: H01C 7/00, H01G 4/40

Метки: радиотехнический, элемент

...использовано, например, в качестве объемной 1 тС-цепочки в элементах счетно-решающих устройств.Известны радиотехнические элементы, выполненные из окислов металлов в виде таблетки, торцовые поверхности которой снабжены электродами,Недостаток изэлементов состоитстоимости.С целью уменьшения веса и стоимости в предлагаемом радиотехническом элементе в качестве материала таблетки используют закись никеля.Изготовление радиотехнического элемента производится следующим образом.Порошок закиси никеля смешивают стиллированной водой в соотношении 12 порошка и 1 вес. ч. дистиллированной воды. Г 1 олученную массу прессуют в пресс-форме при удельном давлении 0,7 - 0,9 т(сис. Спрессованную таблетку сушат при комнатной температуре на воздухе в течение...

Номер патента: 313225

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Павлов, Рудово

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в интервале температур от 0 С до 180 С. Диапазон номинальных значений сопротивлений зависит от соотношения токопроводящей фазы и связующего и со. ставляет 0,5 - 15 ом,тивный материал рида со связующ ийся тем, что, с ойкости и влаго ширении диапазо ную область, он в количестве 50 но бор нобариевое с от общего веса к вгоплавтом, отышешгя зистора лений в рпд мо- алюмо- тазьное на осчове тим компоненцелью повтойкости рса сопротивсодержит бо- 80 вес. % истекло - осомпонентов. Резис кого бо личающ 0 тер мост при рас низкоом либдена силикат 5 до 100 э/Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении переменных и постоянных непроволочных резисторов объемного типа общего и...

Номер патента: 313226

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Кример

МПК: H01C 17/00

Метки: нелинейных, резисторов

...Обжиг на воздухе, обжиг в восстано- Зп вительно 1ратурнуюровку. Во тренировЛОГИ И.Импульсная тренировка осуществляется подачей на нелинейный резистор серии импульсов напряжения, полученных в результате разряда конденсатора, предварительно заряженного до напряжения определенной величины. Каждая серия импульсов состоит из четного числа импульсов равной амплитуды с поочередным изменением полярности, амплитуда импульсов каждой последующей серии скачкообразно возрастает, причем полярность первого импульса кагкдой последующей серии противоположна полярности первого импульса предыдущеи серии.Скачкообразное повышение амплитуды импульсов каждой последующей серии исключает возможность выхода нелинеиного резистора из номинального значения....

Номер патента: 313227

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Косолапова, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...материалы для объ емных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего.Однако резисторы, изготовленные из этих материалов, обладают низкой теплостойкостью и значительным температурным коэф фициентом сопротивления.С целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления, повышения теплостойкости и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, в качестве то копроводящей фазы предлагаемого материала применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло, при этом исходные компоненты смеси могут быть взяты 20 в следующем соотношении, вес. %:сложный карбид цирконияи вольфрама 50 - 80силикатноборобариевоестекло 50 - 20 25В качестве примера...

Номер патента: 313228

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гительсон, Достовалов, Красиков

МПК: H01C 17/00

Метки: кассетирования, переменных, резисторов, токопроводящих, элементов

...подпружиненнойстрелки 7 и электромагнига В,Под распределителем на пластинчатых пружинах установлены ловители в виде игл 9 и10, снабженных электромагнитным вибратором 11. На вертикальной стенке каркаса укреплен кронштейн для установки приемныхкассет 12 (левой и правой).10 Токопроводящие элементы 13 из вибрационного бункера 1 поштучно выдаются в склиз 3,из которого попадают в наклонный лоток, состоящий из двух электрически изолированныходна от другой металлических полос 4 и 5,15 снабженных для уменьшения трения выступами, расположенными в продольном направлении. При попадании токопроводящего элемента в лоток токопроводящим слоем вверхна электронный блок не поступает никакого20 сигнала. Подпружиненная стрелка 7 находится в верхнем...

Номер патента: 314236

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гул, Тихомирова

МПК: G01R 31/18, H01C 17/00

Метки: качества, пленочных, резисторов

...цилиндрической поверхности резистора. Потенциальные зонды 4 приводят,в упругое соприкосновение с,резистивным элементом 6 резистора, к токэвым зондам прикладывают определенное напряжс. нис, а и потенциальным зэпдам - сэответствующее компенсациэнное напряжение. Резистору 3 придают вращательно-поступательное движение с шагом, раввым расстоянию между потенциальными зондами, что обеспечивает однократное прохождение каждого участ. ка резистивного элемента между этими зон. дами, По показаниям регистрирующего прлбора 7 судят о величине отклонения напря. жения на потенциалиых зондах от эталон. ного уровня, определяя тем, самым дефект.Заказ 5587 Изд. М 1235 Тираж 473 1 нодгпспоеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 315214

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Матющенко, Орлова, Тницкий, Трескунова

МПК: H01C 11/00

Метки: блок, ко"тшшчеока1, лиотека, сопротивленийвсесоюзнаяга, электрических

...22, 23, При этом ртуть переносится через полость 9 слева направо и промежутки считывания в капиллярах блока 4, например 11 увеличиваются, а в действующих капиллярах блока 5, например 11 а 6 уменьшаются, Промежутками считывания являются длины покрытия (или проволоки), не зашунтированные ртутью, В блоке 5 действует часть капилляров б, так как ток каждого источника постоянного тока в блоке 4 течет через два капилляра б, например ток 1 разделяется на токи 111, 112 текущие через капилляры 18, 19, а в блоке 5 - через один капилляр б, например ток 1, течет через капилляр 22. Поэтому действующие капилляры б блока 5 заканчиваются диафрагмами 11, имеющими больший диаметр, чем диафрагмы 10, которыми заканчиваются капилляры б блока 4....

Номер патента: 315381

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Инкорпорейтед, Иностранна, Поль, Соединенные

МПК: H01C 17/28

Метки: контактов, пленочныхрезисторах

...Контактная оконечност рида тантала, состоящая напыленных слоев хрома ладия толщиной 2875 тем, что вта ингрид сплав, со. нагреву Известен способ получения контактов в пленочных резисторах, состоящий в том, что резистивный слой покрывают слоем золота.Предложенный способ отличается от известного тем, что перед нанесением слоя золота на резистор послойно напыляют другие металлы, обеспечивающие улучшение паяемости контактов после термообработкц резисторов из нитрида тантала.Предложенный способ заключается в том, что на нитрид тантала чаносят, например, напылением в вакууме слой хрома или хромоникелевого сплава, содержащего до 80/, никеоля, толщиной 100 - 800 А, затем слой металла, выбранного из группы: палладий, родий, плао тина, рутений,...

Номер патента: 316125

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: H01C 17/245

Метки: 316125

...круга 17 к резистору 16 до соприкосновения.Электропривод 10, получив электропитание от источника сс, через замкнутый коммутирующий элемент 7 посредством кулачка 18 и толкателя 19 перемещает каретку 1, несущую шпиндели 2 и 8 с резистором 16, относительно абразивного круга 17. При этом снимается лыска на резистивной пленке резистора.По окончании процесса снятия лыски по команде с блока 18 абразивный круг 17 отводится от резистора 16, а каретка 1 с помощью пружины 20 и кулачка 18 возвращается в исходное положение.Во время обратного хода каретки кулачок 21, также приводимый в движение электроприводом 10, включает коммутирующий элемент 11 пусковой цепи электропривода 9, При повороте шпинделей вокруг оси 00 с поворачиваются также и...

Номер патента: 317112

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Ходаковска

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...при 12 при 1320 материа оводить :1:30 С, а0 С,ную шеи йстлия 1 стпДля резистор ниях из массы превышает зна ложительных т сти отрицатель основа- ТКС не асти по- в облахар актеов, изготовленных н добавкой, изменени ения 1,05 10 - 4 в об мператур и 1,02 10 - ых температур, что ем не Известны тонкопленочные резисторы, в состав керамических подложек которых входят следующие компоненты: ЬтО 2, А 120 з, МдО, СаО, ВаО, Ее,О, Т 102, К,О, 1 ча 20.Известные резистивные материалы не дают 5 возможности получать резисторы с низким и стабильным значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС) как в области положительных, так и отрицательных температур. 10Описываемое изобретение позволяет получить низкое и стабильное значение ТКС,Это...

Номер патента: 317113

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа

...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...

Номер патента: 318067

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуржеев, Кондратов, Миронов, Тренер, Тюрин

МПК: H01C 10/02

Метки: 318067

...й управляемый резистор заполненный электроли итывания с контактами руктуры на диэлектриче чающийся тем, что, с це бильности характеристи я расположен на проме олненном из сплава хро Электрохимически содержащий корпус том, и электрод сч виде пленочной ст ской подложке, отли лью повышения ста электрод считывани жуточном слое, вып ма и кремния. гаемого способа керамическую по промежуточный сл сплава на.основе 6 - 50% вес. ч. хр аклюложку ой ди .кремма,Сущность предла чается в том, что н вначале напыляется силицида хрома. -ния, содержащего 4Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к электрохимическим управляемым резисторам. В известных электрохимических приборахприменяются электроды, полученные вакуумным напылением...

Номер патента: 318999

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Московский

МПК: H01C 7/00

Метки: 318999

...серебра .Стекло-окись талр. Порошкообразное стекло и бомер, вольфрама в требуемой прозависимости от желаемого номинаьно измельчаются и перемешивае этого из полученной смеси изгопаста и из нее способом шелкодиэлектрической подложке наноопленочные резисторы, Далее проыжигание органики и окончательбработка, в результате чего проис- ание стекла с боридом вольфрама ой для получения монолитности и 4.10 1.104.10. 1.10 лияСтекло окись ру- тения текло-окись индиятекло-боридвольфрама текло-борил мо- либдена З. 10 50 - 1.10"50.1.10 Примерид, наприпорции (вла) тщателются. Послтавливаетсяграфин пасятся толс 1изводится впая термооходит спеки подложк необходимой структуры. Темтельной термообработки опрратурой размягчения стекла,В таблице приведены...

Номер патента: 319000

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Косолапова, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/04

Метки: композиция, резистивная

...в предлагаемом объемном резисторе в качестве токопро- т 5 водящей фазы используются сложный тугоплавкий силицид Т 1 ю,5 Сго,о 512 и силикатно-боробариевая стеклосвязка.Предлагаемый резистор объемного типа изготовлен в габаритах резистора СПО - 0,5 вт методом горячего прессования при температуре + 900 С в слабо восстановительной среде. В качестве резистивного материала в нем применен сложный тугоплавкий силицид Т 1 о,е Сто,е 512, а в качестве связующей фазы в нем применено стекло состава, вес. %; ЫО.4,3, ВаОа 18,6, ВаО 77,1, так как силикатноборо-свинцовая стеклосвязка не дает удовлетворительных результатов в сочетании со сложными тугоплавкими сил ицидом титанхром-кремний. Предлагаемая стеклосвязка обладает лучшей...

Номер патента: 323806

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/06

Метки: высокоомных, композиционных, резисторов

...до минимума количество проводящих компоцецтов, повысив тем самым предельную величину сопротивлеиия. Одновременно благодаря большому коэффициенту расширения композиции создается возчожность использования болеЕ цысокоомцых проводящих компонентов с соотиетствеицо большим отрицательным ТКС (цаиример, слабо црокалеццые сажи), что также 5 с посооствует повышешпо величины сопротивлеиия омозици,11 ебольшое количество мицеральцого иаполцителя может при иеобходимости вводиться для корректировки величииы ТКС.10 Для получешя мелкодисперсцого оргацического 1 аолцителя смолу предварительио из.мельчшот в шаровой мельнице и насыпают тонким слоем 1 - 2 л,я иа противень, который помещают в термостат и выдерживают в тре буемом режиме в зависимости от вида...

Номер патента: 325638

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Смирных

МПК: H01C 10/34, H01G 5/01

Метки: оси, поворота, указатель

...относится к электротехнике ц применяется, в частности, как приставка к кольцевому потенциометру, конденсатору переменной емкости и т. д.Известны указатели поворота оси, например, потенциометров, содержащие неподвижное основание, соосно установленные взаимосвязанные посредством передаточного механизма поворотный диск с укрепленной на нем шкалой точного отсчета и выходной вал со шкалой грубого отсчета. Однако эти устройства имеют невысокую точность и разрешающую способность,В предлагаемом указателе передаточный механизм выполнен в виде утопленного в пазу основания ползуна, сцепленного посредством щупа со спиральной канавкой поворотного диска и через зубчато-реечную передачу - с выходным валом.Это позволяет повысить точность...

Номер патента: 326643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомный, материал, резистивный

...ль достигается п олиителя мелкодис (аэросил), иолучае 1 редм зоб ения 1, Высокоомиь резистивиьдержащий сажу, смолу и миис 0 цитель, ог,тичатощтся тем, чт и материал, со рдльцый цаполо, с целью полуИзобретение относится к р;диоэсеЕ(троп и КЕ, Е ИМЕИИО К ИРОИ 3 ВОДСТВУ ИСИРОВОЛОЧПЬХ резисторов,При известных способах производства высокоомцых непроволочцых резисторов ца основе лакосажевых композиций сажа вводится непосредственно в связуЕощу о основу, поэтому предельная величица сопротивления огрдцичивается мииимальцым объемом сажи, при котором сохрдияется однородность и воспроизводимость свойств композиций. С целью дальнейшего повышсция сопротивления сажу Вводят в связующую основу в виде предварительно измельченной композиции с лаком и...

Номер патента: 326644

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Полев, Соколов

МПК: H01C 10/10

Метки: потенциометр

...тем, что тензомодуль предлагаемого потенциометра установлен на двух опорах в обойме, охватываемой металлической лентой с закрепленной на ней третьей опорой, находящейся с противоположной стороны тензо модуля, а концы ленты жестко соединены с регулировочным элементом, служащим для натяжения ленты.На чертеже показано предлагаемое устроство. 20Потенциометр содержит тензомодуль 1, установленный в обойме 2, на рубиновых опорах 3 и 4, резиновые уплотнители б и б, которые для повышения вибропрочности залиты эластичным клеем, металлическую ленту 7, прикрепленную к бобине 8, в которой по резьбе скользит регулировочных элемент 9.Принцип работы устройства состоит в следующем.От натяжения ленты 7, регулируемого элементом 9, изгибается тензомодуль...

Номер патента: 326645

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Максидонов, Стародумов, Тифлов

МПК: H01C 17/00, H01C 17/16

Метки: пленочных, резисторов, юстировки

...элементов 4 к блоку 3 контроля ц управления.На эталонном магазине сопротивлений 2 устанавливают тр,буемую величину сопротцвле цця юстцруемого резистора. Вк;очаот тумблер 14 и, перемещая резистор 11 относительно игл-электродов 5 и 6 удаляют с резистора часть пленки, тем самым повышая величину его сопротивления. По достцжец:ш равенства 15 сопротивлений юстцруемого резистора 11 иэталонного магазина сопротивлений 2 блок 3 контроля и управления разрывает цепь пит- нця иглы-электрода б, прекращая тем самым процесс удалеия плекп резстора незавс мо от того, прекратилось ли движение пглэлектродов по пленке резистора цлц нет, Такцм образом, обеспечивается высокая точность (десятые доли процента) остцровкц резисторов, це зависящая от оператора....

Номер патента: 326646

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Калиин, Сурин

МПК: H01C 17/00

Метки: peshctopdbаъ, раскалибровки

...б с пазами трапецеидальцой формы, обеспечивающий снятие резисторов с плеч ры гага 4 и передачу пх к дугообзим разделителям 7, диски 8 и 9 для поштучного ориентирппиного приема резисторов с транспортирующего барабаня б раздель 1 о по каждому кяялу и иередяш их пя последующие опер;цпи, и приводной механизм.Дугообразные разделители 7 охватывают торцовые поверхности траспортируОщего бяраоаца б, а их свооодпые концы Взяимодепствуют с плечами П-образного рычага 4. Опи служат для распределения резисторов ио каналам, каждый из которых соотвсствуст определенной группе резисторов.Устройство работает следующим образом.Из загрузочного мехашзмя 1 резистор попадает в один из пазов измерительи диска 2, при повороте которого резистор подается к...

Номер патента: 327526

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Азбиль, Макаров

МПК: H01C 17/00

Метки: положенияпо

...3 и верхней плоскостью диска 1 составляет вели чину, равную примерно /э толщины заготовкис тем, чтобы в гнездо 2 попадала только одна заготовка.Принцип работы устройства заключается вследующем.25 Заготовки резисторов из бункера поступаютв питатель 3, непрерывно вибрирующий, через который попадают в гнездо 2 периодически вращающегося диска 1 и транспортируются последним на контрольную позицию. Над от верстием 5, перекрытым электромагнитной за327526 15 оставитель А. ГорбачевРедактор Т. ЮрчиковаТехред ТаранеикоКорректоры О. Зайцеви Н. Коваленко Заказ 941Тирак 448ЦИИПИ КогвизобретенийСовс гс МиниМосква, Ж, Ра Изд1321 од и и своеьтста по Лелагиткрытий пристров СССРшская наб., д. 4/5. Областная типографи управления поостромскогати,слонкой 6,...

Номер патента: 329580

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дзибалов, Лукь

МПК: H01C 10/46

Метки: i-v»l1етищkgt, te3ia_j, «vtu, потенциометрвсвсбюзнайшшн04ебш-шютшкаг»шг, функциональный

...поте;пГиометра об:)апа в шДс КЯ:,- кас 2 и состои 1 из пссущих сухариковк (Оторы Крепятся д:)а жестких швсл;=я ; . Две пластины 9 из изоляц)юиного материал:",;ежду которыми проход)г Высгупсиощие .;.- иак(.". и планок ( свОООдиьс )(Ои 0 Гкосъ 01:ь:х 0)и тактов б.Токос ьсэпыс коис(,; 1:Г ) о по,)1: )А , 1,и Гь )асиоОРкены так, что их Ос: с.:),мс 1 р;и лси(2 Г в одной плоскост:1, в .,)сзульта:с чсО 1:схлюча ЕТСЯ;1 С)СКОС 1,.2 ИОК 1 ИЕ КС Гс с,(С: " ГИ ВЯ иЕя их Опорныхи Виптаъ.1,Относительные велии:ы соиро Гш)лс.Ий каждой ячейки готепциомстра зятяОтс) Д.п- НОИ .0РЯЗПО 1 ПЕТЛ):)ЬСОХОО)1.О 0 .:ОВ(; - ДЯ 26, р Е)С:10)10 жЕИПОГО ): 11 ПЛа И КС(СЭ. (риг. 2), а следовательно, глубиной ее звсдсиия в кассету погенциомстря,:,1(е осущссгзчяс;с)...

Номер патента: 330494

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иванов, Корниенко, Серых, Франк

МПК: H01C 7/00

Метки: 330494

...в предлагаемом резисторе резистивные слои имеют зеркально отображенную конфигурацию, причем нижняя и верхняя части резистивного материала соединены между собой перемычкой, расположенной на торцовой поверхности подложки и используемой в качестве торцового контакта.На чертеже дано предлагаемое устройтоит из электроизоляционнои беих сторон которой печатанесены резистивные слои 2, ьно отображенную конфигуи верхняя части резистивногослоев 2 соединены между собой перемычкой 3, расположенной на торцовой поверхности подложки 1 и используемой в качестве торцового контакта, Выводырезистора 4 расположены по обеим сторонам5 подложки.При указанной конструкции резисторадействие механических усилий на него компенсируется тем, что нижняя и...

Номер патента: 332503

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Козлова, Панкратова, Пружинима

МПК: H01C 7/00

Метки: линейного, материал, объемного, резистора, сильноточного

...тсокого удельнсвязующего сощего веса шнхсвязующем сосвеса связующе для изготовления объемного линейного резистора на осноарборунда и связующего, соарфоровой массы н сажи, отем, что, с целью получения выого сопротивления, количество ставляет 30 - 42 вес.% от обты, причем количество сажи в тавляет 4 - 5 вес. % от общего го. го помол готовитс с присоединением заявки Ю Изобретение относится к технологии изготовления электро- и радиоаппаратуры,Известен материал для изготовления объемного сильноточного линейного резисторана основе зеленого карборунда и связующего, состоящего из фарфоровой массы и сажи.Известный материал имеет малое удельноесопротивление.Целью изобретения является потериала с высоким удельнымнием,Цель достигается тем, что...

Номер патента: 332504

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бойков, Бойцов, Крюков, Мерлин, Наумычева

МПК: H01C 17/00

Метки: автоматической, непроволочных, резисторов, сортировки, уровню

...контролируемого резистора и величиной балластного сопротивления (сопротивлением эталонного резистора 21 или 22) ввиду его незначительности пренебрегаем), усиливается предварительным усилителем 23 и поступает на калиброванный аттенюатор 24, с помощью которого производится перестройка автомата при переходе к контролю резисторов другого номинала, После аттенюатора 24 шумовой сигнал поступает на полосовой усилитель 25, где он усиливается лишь в определенном участке частного спектра, и затем выпрямляется детектором 26. Постоянное напряжение, пропорциональное эффективному значению измеряемых шумов, поступает далее на контролируемую контактами 28 нагрузку 27, работа которой связана с ритмом работы механизма. В момент включения...

Номер патента: 332505

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Шилкин

МПК: H01C 17/00, H05K 13/00

Метки: выводами, осевыми, перемещения, радиодеталей, раскладки

...же, вид в сплане; на фиг. 3 - а фиг. 2; на фиг. 4 - разре Устройство состоит из наружной рамки 1 с гнездами, расположенными с равным шагом по внутренним длинным сторонам и внутреннеи рамки 2 с такими же гнездами шагом по ее внутренним длинным Рамки 1 и 2 наложены друг на др детали 3 перемещаются транспорте 5 транспортером 4 перпендикулярнодит транспортер 5, а между ними устройство раскладки. Устройство работает следующим образом.10 Радиодетали 3 с осевыми выводами перемещаются транспортером 4 по рамкам 1 и 2. Как только первая деталь достигнет последнего гнезда наружной рамки 1 подается сигнал на перемещение внутренней рамки 2. Внутренняя 15 рамка 2 пересмещается на полшага до совмещения тнезд обеих рамок. Прн совмещении гнезд...

Номер патента: 333609

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Коморин, Лио

МПК: H01C 10/34

Метки: круговой, потенциометр, ступенчатый

...схемаописываемого,потенциометра.Неподвижные контакты 1 потенциометравыполнены из токопроводящих стержней, закрепленных в изоляторе 2 по окружности в 10 несколько рядов. Резисторы 3 и перемычки4, напаянные на наружные концы неподвижных контактов, образуют непрерывную цепь сопротивления потенциометра, визуально представляющую ломаную пилообразную ли нию из нескольких одинаковых зубьев. Под.вижный контакт 5, закрепленный на вращающемся валу б, выполнен в виде блока нескольких вращающихся однопотенциальных роликов, число которых равно числу рядов 20 неподвижных контактов, Каждый роликснабжен пружиной для контактного нажатия и расположен в блоке осями вращения по одной линии. При установке блока оси роликов, параллельны перемычкам 4....

Номер патента: 333610

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Круглев, Крыжановский

МПК: H01C 7/06

Метки: пленочный, резистор

...на основе кермета, содержащего двуокись кремния и мелкодисперсный проводящий материал.Известный резистор имеет недостаточно низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) .Цель изобретения - уменьшение ТКС резистораа.Указанная цель достигается тем, что в качестве упомянутого токопроводящего материа ла используют молибден, Причем молибден вводят в количестве, равном 40 - 60 мол. %.Предлагаемые пленочные резисторы могут быть получены на поверхности диэлектриков путем обработки покрытия, состоящего из смеси двуокиси кремния и трехокиси молибдена, в, атмосфере водорода при 400 - 800 С, Исходное покрытие 80 - МоОз наносится на диэлектрик двумя способами: гидролизом смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты Я(ОС 2 Н 5)4 и...

Номер патента: 333611

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Кример

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: варисторов

...обжига в окислительной среде, либо в восстановительной среде при более низких температурах, чем температура основного высокотемпературногоо обжига.Пр и мер, Способ изготовления варисторов на основе карбида кремния и глины в качестве связки включает формовку, предварительный обжиг на воздухе, высокотемпературный обжиг в окислительной среде, осуществ ляющийся при температурах 1100 - 1400 С. Если в результате отказывается, что сопротивление заготовок выше требуемого, т. е. номинальное напряжение выше требуемого, то осуществляется повторный высокотемпературный обжиг в той же окислительной среде при более высоких температурах, либо в среде водорода,при более низких температурах, чем температура основного обжига. В...

Номер патента: 333614

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бронников, Дидковска, Кисель, Климов

МПК: H01C 17/00, H01C 7/10

Метки: диэлектрик, керамический

...итал а.ктрик имеет нла диэлектрич 1. Керамния конденна основе ти феррониоокислов свии тантала,уменьшенияпотерь, онлития. ческии диэлектрик дл саторов с управляемой вердого раствора фер бата свинца, полученно нца, бария, железа, тит отличающийся тем, чт тангенса угла диэл содержит титанат баредостаточно еских по 10В целях уменьшения танг трических потерь в конденс мый керамический диэлектр содержит титанат бария иКерамический диэлектрик товлен из исходных компоне количественных соотношениокись свинцаокись барияокись железаокись титанаокись ниобияокись лития ектрик с управляемойающийся тем, что онпоненты в следующихениях, вес. %:63,10 - 58,60,0,43 - 4,51,11,27 - 10,48,0,22 - 2,35,9,40 - 8,72,0,08 - 0,87 амическииюпоп.1,т исходнь венных сь...