H01C — Резисторы

Номер патента: 1382277

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Груздев, Копосова, Люцарева, Чекмарева

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, терморезистивный

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий диоксид циркония, оксид иттрия и добавку оксида металла, отличающийся тем, что, с целью повышения температурного коэффициента сопротивления в диапазоне температур 300 - 1000oС, он содержит в качестве добавки оксида металла оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.Диоксид циркония 78 84Оксид иттрия 9 19Оксид кобальта 2 10

Номер патента: 1402167

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Груздев, Копосова, Люцарева, Чекмарева

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, терморезистивный

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий оксид циркония, оксид иттрия и оксид металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного электрического сопротивления и температурного коэффициента сопротивления при температуре 200oС, он содержит в качестве оксида металла оксид кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.Оксид циркония 24 45Оксид иттрия 5 10Оксид кобальта 50 70

Номер патента: 1819035

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Кургашев, Перфильев

МПК: H01C 7/00

Метки: низкоомный, прецизионный, резистор, фольговый

...зая вл яемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "Существенные отличия",Укаэанная в заявляемом техническом решении конструкция резистивного элемента, выполненного из пакета пластин, изготовленных из тонкой реэистивной фольги, причем пластины в пакете электрически соединены друг с другом сваркой или пайкой со стороны токовых и потенциальных контактов, а остальная поверхность каждой пластины с двух сторон покрыта тонким слоем неорганического диэлектрика, основание, выполненное из керамики с ТКЛР, близким к нулю ТКЛР резистивной фольги, размещение пакета пластин на основании и прижатие его керамической крышкой, соединенной с основанием, и способ подгонки сопротивления резистора путем...

Номер патента: 1632250

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Кустовинов, Чернюк

МПК: H01C 3/00

Метки: воздухоохлаждаемый, мощный, резистор

...изобретения состоит вувеличении мощности рассеяния резисторав 1,1-1,15 раза или уменьшение габаритов50 резистора при той же мощности, что приводит к экономии дорогостоящего материаларезистивнога элемента,1. МОЩНЫЙ ВОЗДУХООХЛАЖДАЕИЬ 1 Й РЕЗИСТОР, содержащиЙ рамоч. ый каркас, нз двух противоположных стооонзх которого Расположены изоляторы с закрепленными в них держателями, выполненными из металла, РезиИзобретение относится к электротехнике, а более конкретно - к ленточным резис Горам большой мощности, преднаэначенньм для уцановок с принуди- телы,цм воздушным охлаждением и используемым преимущественно на электроподвижном составе железных дорог.Цель изобретения - повышение мощности Рассеяния путем сн 1 жения тепловых перегрузок...

Номер патента: 1329473

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, позисторов, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПОЗИСТОРОВ, содержащий оксиды висмута и ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения значений положительного температурного коэффициента сопротивления в интервале температур 296-312oС, он дополнительно содержит оксид марганца и отвечает общей химической формулеBi21/16 V5/6 Mn1/6O5/2/3

Номер патента: 1517640

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Жуков, Смолин, Тулина

МПК: H01C 7/00

Метки: пленочный, резистор

ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ее поверхности прямоугольным резистивным элементом и контактные площадки, причем прямоугольный резистивный элемент состоит из сплошного резистивного слоя и резистивных областей, выполненных с различными значениями удельного поверхностного сопротивления и примыкающих к контактным площадкам с стороны резистивного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения допустимой мощности, каждая из резистивных областей, примыкающих к контактной площадке, сформирована в области центральной части контактной площадки, причем величина удельного поверхностного сопротивления каждой из них превышает удельное поверхностное сопротивление сплошного резистивного слоя в 1,4 1,6 раз, при...

Номер патента: 1549386

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Жуков, Смолин

МПК: H01C 17/22

Метки: величины, гибридных, интегральных, микросхем, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

СПОСОБ ПОДГОНКИ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий формирование в резистивном элементе пленочного резистора областей повышенной проводимости с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления путем термообработки резистивного элемента лучом лазера с одновременным контролем величины сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности рассеивания резистора, области повышенной проводимости формируют вдоль боковых кромок резистивного элемента, причем ширину области повышенной проводимости формируют не превышающей 0,25 ширины резистивного элемента, а заданную величину удельного поверхностного сопротивления области повышенной проводимости определяют следующим...

Номер патента: 1253358

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий синтезированную смесь оксидов висмута (III) и ванадия (V), отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельных сопротивлений в низкоомной области в интервале температур 295-330oС, он дополнительно содержит оксид титана (IV) и отвечает общей химической формуле синтезированного ванадата-титаната висмутаBi21/6 V5/6 Ti1/6 O52/3.

Номер патента: 1259873

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Исаева, Плеханов

МПК: H01C 17/00

Метки: пленочных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий последовательное нанесение на подложку резистивного слоя, адгезионного подслоя ванадия, слоя меди, защитной металлической пленки, формирование рисунка резисторов, стабилизирующий отжиг с последующим удалением защитной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса значений температурного коэффициента сопротивления и повышения временной стабильности характеристик, в качестве защитной металлической пленки используют ванадиево-алюминиевый сплав с содержанием ванадия 15 - 30 мас.% и алюминия 70 - 85 мас.%.

Номер патента: 1819036

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Андронова, Братчиков, Вышкина, Морозова, Нечаев, Петрова, Шутова

МПК: C03C 3/064, H01C 7/00

Метки: основе, паст, резисторов, рутения, стеклосвязующее, толстопленочных

...25 и 29 мас,соответственно, обусловливает повышение температуры синтезастекла до значения выше 1500 С, что неже 15 лательно, а также повышает температурувжигания резисторов до 870 ОС, Уменьшение содержания Ю 02 и А 120 з в стекле дониже 20 и 15 мас.соответственно резкоухудшает влагостойкость резисторов20 ЬВ(,- 4 - 5 О, Также значительно ухудшаетсявлагостойкость резисторов при введении всостав стекла 820 з и ВаО более 33 и 18мас, о соответственно. Стекла, содержащие25 менее 10 мас,ф ВаО, имеют низкий КЛТР(менее 45 10 К ), что приводит к снижению термостойкости реэистивных пленокиз-за значительной разности в КЛТР проводящей фазы и стеклосвязующего.30 Уменьшение содержания ВОздо менее25 мас.о приводит к формированию неспеченной,...

Номер патента: 1329474

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения удельного электрического сопротивления в интервале температур 277 - 295oС, он дополнительно содержит оксиды циркония и висмута и отвечает химической формуле Bi13 V5ZrO34.

Номер патента: 1128694

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Алексеева, Мокров, Педоренко, Семенов

МПК: G01B 7/16, H01C 17/00

Метки: высокотемпературного, тензорезистивного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий последовательное нанесение на металлическую подложку изоляционного, тензорезистивного и проводящего слоев и термообработку после нанесения каждого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности, расширения диапазона рабочих температур и уменьшения величины температурного коэффициента сопротивления, операцию нанесения тензорезистивного слоя осуществляют при температуре 360 10oС и выдерживают при ней в течение 3 - 5 ч.

Номер патента: 1461278

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бережной, Ганиев, Дворина, Захваткина, Лиходед, Шурова

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий соединение кобальта с кремнием и бор, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного сопротивления, в качестве соединения кобальта с кремнием используют CO2Si при следующем соотношении компонентов, мас.CO2Si 99,0 99,5В 0,5 1,0

Номер патента: 1172397

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Рыжаков, Цапулин

МПК: H01C 17/00, H01C 17/22

Метки: прецизионных, резисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий формирование их на металлическом основании, термоциклирование, подгонку, технологическую герметизацию, охлаждение до температуры жидкого азота и циклическую электротермотренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности резисторов в работе путем повышения стабильности их параметров, подгонку осуществляют после охлаждения резисторов до температуры жидкого азота пропусканием постоянного тока величиной, в 10 30 раз превышающей номинальный ток, в течение времени релаксации величины подгоняемого параметра к номинальному значению, а электротермотренировку осуществляют при изменении полярности тока после каждого цикла.

Номер патента: 1809694

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Валяев, Гришанов, Крайнов, Молокоедов, Фогель

МПК: H01C 3/00

Метки: высоковольтный, импульсный, малоиндуктивный, мощный, резистор

...колцов 1 пущеуоват ьно соединенных друг с друкем.в:шахма ном порядке; каждое кольцо соединено с предыдущим в двух диаметрально расположенных местах и с последующим - в двух местах, расположенных между двумя первыми. Возможна коммутация колец в одном, двух, трех и т,д, местах, Кольца разделены друг от друга изоляционными прокладками 2, Узкие лучи прокладок разделяют соседние кольца, а вырезы всех прокладок образуют в осевом направлении каналы для подвода охлаждающей среды - жидкости или газа. Соединение колец друг с"другом происходит вместе выреза между лучами прокладки, На торцах резистора находятся верхний 3 и нижний 4 электроды. Изоляционная втулка 5 обеспечивает центФормула изобретенияМОЩНЫЙ МАЛОИНДУКТИВНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ...

Номер патента: 1825204

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алмаева, Галдилов, Горбачев, Колесникова, Рандина, Черных

МПК: H01C 7/00

Метки: паста, резистивная

...алифатических аминоспиртов в количестве 3-5, от обшей массы исходных реагентов в присутствии три фенилфосфата, взятого в количестве Резистивная паста, содержащая полимерное связующее, сажу, графит, слюду, органический растворитель и полидиметилсилоксановую жидкость, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины температурного коэффициента сопротивления, улучшения стабильности сопротивления резистивной пасты, она содержит в качестве полимерного связующего растворителя смесь бензилового спирта и ацетона в соотношении 1: (12,4 - 2,6) соответственно, при этом 5-10;4 от обшей массы реагентов при температуре 165- 175 С в течение 15-30 мин.Полиэфиромалеимидный форполимер имеет следующие свойства:Степень имидизации 91,0-95,0 Время...

Номер патента: 1828306

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Крыжановский, Соколов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, тонкопленочных

...осуществляется после осаждения слоя кремния, а также с использованием ИК излучения при температурах 375 - 525 С в течение 15 - 25 минут на открытом воздухе, в результате чего на поверхности образуется защитный слой двуокиси кремния (ЯО ),В процессе окисления кремниевой пленки часть кремния диффундирует в приповерхностный слой резистивной пленки, в результате чего происходит упорядочение структуры приповерхностного слоя резистивного элемента, и как следствие, улучшается временная стабильность резистора в целом. Изменение фазового состава приповерхностного слоя резистивного элемента и упорядочение структуры пленки сопровождается уменьшением сопротивления, в то время как окислительные процессы увеличивают его,Способ изготовления...

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...

Номер патента: 1598730

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Лазарев, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/00

Метки: кремния, основе, пленочных, резисторов, сплава, термообработки, хрома

1. Способ термообработки пленочных резисторов на основе сплава хрома и кремния, включающий многостадийную термообработку в диапазоне температур 350-450oС, каждая из которых содержит изотермическую выдержку, охлаждение до комнатной температуры, измерение величины сопротивления резисторов и расчет значений величин ТКС, причем операцию термообработки прекращают по достижении заданных значений величин ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения временной и температурной стабильности резисторов, после измерения величин сопротивления резисторов и расчета значений ТКС резисторы нагревают со скоростью 180-200oС/с до 460-500oC с последующим охлаждением и повторным измерением величин сопротивления резисторов и...

Номер патента: 1664062

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Баранова, Злоказов, Кобелев, Нугаева, Перфильев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...ионы серебра концентрируются вблизи отрицательно заряженного электрода, создавая градиент концентраций по образцу. Наличие градиента концентраций положительно заряженных ионов серебра приводит к возникновению диффузионного потока ионов, направленного в противоположную дрейфовому потоку ионов сторону. В стационарном состоянии дрейфовые и диффузионные потоки ионов компенсируют друг друга и через образец течет только электронный ток,Следовательно, электропроводность образца уменьшается от величины ое+о, в момент времени 1 = 10 до величины ое в установившемся поляризованном состоянии. Прикладываемая к образцу разность потенциалов выбирается меньше той величины, при которой начинается электролиз материала, Из приведенных на чертеже...

Номер патента: 1779192

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Баранова, Злоказов, Кобелев, Мельникова, Нугаева, Толкачев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал, содержащий сульфид серебра, сульфид германия и сульфид элемента V группы, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры рабочего интервала до величины 10 30oС, он содержит в качестве сульфида элемента V группы сульфид мышьяка и отвечает общей формуле(Ag2S)x(GeS)2(1-x)(As2S3)x1,где 0,1 x1 < 0,5.

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...

Номер патента: 1327722

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Виткин, Розет, Сергеев

МПК: H01C 7/12

Метки: защиты, перенапряжений

1. Устройство дя защиты от перенапряжений, содержащее высоконелинейный резистор, выполненный в виде параллельно установленных колонок, размещенных в цилиндрическом изоляционном корпусе между корпусом и расположенным коаксиально корпусу основным изоляционным цилиндром, образующим центральный канал для выхода газа, и электроизоляционный теплопроводный сыпучий материал, заполняющий пространство между внутренней стенкой корпуса и основным изоляционным цилиндром, отличающееся тем, что, с целью увеличения надежности за счет повышения взрывобезопасности, оно снабжено дополнительным изоляционным цилиндром, установленным коаксиально корпусу между указанными колонками высоконелинейного резистора и внутренней стенкой корпуса с зазором по отношению к...

Номер патента: 1598723

Опубликовано: 20.06.1999

Автор: Попов

МПК: H01C 1/12

Метки: контактный, узел

1. Контактный узел, содержащий токопроводящий элемент, расположенный на диэлектрическом цилиндрическом основании, токосъемный элемент, выполненный в виде неподвижного токопроводящего кольца, расположенного коаксиально токопроводящему элементу, и контактный ролик, размещенный между ним и внутренней поверхностью неподвижного токопроводящего кольца, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения, повышения надежности и технологичности изготовления, он снабжен токопроводящим кольцевым контактным элементом, охватывающим токопроводящий элемент с контактным роликом и расположенным между неподвижным токопроводящим кольцом и контактным роликом с возможностью упругого прижима ролика к...

Номер патента: 1496534

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Леонидов, Фотиев

МПК: H01C 7/02, H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, включающий Bi2O3 и V2O5, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости электрических характеристик в атмосфере воздуха в интервале температуры 440 - 600oC, компоненты взяты в количественном соотношении, мол.%:Bi2O3 - 65,5 - 69,5V2O5 - 30,5 - 34,5

Номер патента: 1512392

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Красненко, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

Материал для изготовления терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия и двуоксидной системы щелочного и щелочноземельного металлов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур за счет повышения термочувствительности и стабильности в интервале температур 600 - 1000oC, в качестве оксидного соединения ванадия и двухоксидной системы щелочного и щелочноземельного металла он содержит двойной ортованадат, отвечающий общей химической формуле Na1+0,66хCa1-0,33хVО4, где 0,01 x 0,05.

Номер патента: 1402166

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Баренбойм, Калугин, Клековкина, Кухарь, Мараканов, Филиппов, Шекалова

МПК: C22C 19/00, H01C 7/00

Метки: выводами, меди, никеля, основе, прецизионных, резисторов, сплав

1. Сплав на основе никеля для изготовления прецизионных резисторов с выводами из меди, содержащий хром, ванадий, молибден, вольфрам, галлий, германий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью уменьшения термоэлектродвижущей силы и повышения стабильности, компоненты взяты в следующих соотношениях, мас.%:Хром - 8 - 9Ванадий - 6,5 - 7,5Молибден - 5,5 - 8,0Вольфрам - 5,2 - 6,0Галлий - 4,3 - 4,9Германий - 2,1 - 2,7Алюминий - 0,1 - 0,3Никель - Остальноепри этом суммарное количественное содержание галлия и германия в сплаве составляет 7 мас.%.2. Сплав по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит рений в количестве 0,5 - 1,5...

Номер патента: 1123422

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Дмитриенко, Соловьева, Франк

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, фольговый

Фольговый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с расположенным на ней резистивным фольговым элементом на основе никеля, отличающийся тем, что, с целью увеличения температурного коэффициента сопротивления и обеспечения линейной температурной зависимости электрического сопротивления, фольга резистивного элемента выполнена из никеля, причем разность температурных коэффициентов линейного расширения фольги из никеля и диэлектрической подложки составляет (70 - 90) 10-7 град -1.

Номер патента: 1075851

Опубликовано: 20.09.1999

Авторы: Горелов, Губанов, Карауш, Пугачев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

Резистивный материал, содержащий технический углерод, молотый силикат натрия, окись кальция, кварцевый песок, доменный шлак и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления и увеличения прочности на сжатие, он дополнительно содержит отсев известняка CaCO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:Технический углерод - 0,001 - 15,0Молотый силикат натрия - 0,001 - 21,0Окись кальция - 0,001 - 15,0Кварцевый песок - 0,001 - 75,0Доменный шлак - 0,001 - 75,0Отсев известняка CaCO3 - 0,001 - 25,0Вода - Остальное

Номер патента: 1545825

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Исаев, Кузнецов, Филиппов

МПК: H01C 17/00

Метки: резистор

1. Резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенными на ней резистивным элементом и контактными площадками, закрепленную в корпусе, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности за счет уменьшения нелинейности изменения сопротивления в зависимости от температуры, он снабжен термочувствительным элементом, размещенным между подложкой и корпусом.2. Резистор по п.1, отличающийся тем, что он снабжен дополнительным термочувствительным элементом.