Способ изготовления резистивной тонкопленочной микросхемы

посл в ССКЗ СОВЕТСНИСОЦИАЛИСТИНЕС 1-1 ИХРЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТБЕЧИЬЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕ 1.1 ИЙ И ОТНРЬТИЙ(56) Патент ПНРкл. Н 0 С 7/002, Патент ГДкл. Н 01 С 7/00тотип),(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Р НОй ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ИИКРОСХЕНЫ, чающий последовательное нанесе на диэлектрическую подпожку ре ного и проводящего слоев и ор вание рисунка схем:. о ".; ии й с я тем, то. с цслью у ния температурного коэфФиьиснт тивления резисторов микросхемы нанесением резистивного слоя д рическую подложку изб бают. и осаждения резистиеного с.поя ее вращают в исходное сос.тояние,Изобретечие относится к микроЗЛЕКТРОНИКЕ В ЧВСТгОСТИ К ТЕХНОЛОГИИизготовления микросхем включающихпрецивионные тонкопленсчнь:е резисторы (ТПР), и может быть лспользовано 3в производстве тонкоплечочных микросхем таких, как активные и пассивныефильтры дифференциальнье усилители,йй и ВВВ цепочки и др требующих повышенной температурной стабильности используемых в них ТПР,Известен способ получения тонко"ГЛЕНОЧНЫХ рЕЗИСТИВНЫХ 11 икрОСХЕМ (лгИматриц) включающих прецизионные ТПР,основанньЙ на специальной технологии 15ОСВЖЛРНИЯ то,КОППЕг(ЧХ СЛОЕВ Г 11ПО данному спос(у создаю( м,ОГО-,СЛОЙНЮ ТОг КОПГ 1 Е Ос;1 уЮ СТ;/г(туру БТЕЧЕНИО ОДНОГО ТРХАЛО "И.ЕСКОГОР 1("31 с Н санЬГЕ ИЛ . с Д 3 ,;(3 ,"Г 31 КГ(уюбуемо; 1 Огр 14 н 1 за; еч н."1 чыя(т с/10,Т , 1,- Нм;, 1 с." 1.1(3 Гс (:л(Й 11 СеТСЯ Не КОНТ ро.пи руе 1 с.1 с 1 ЧОС",аягаПрЯЖЕНг 10 С Г Ь ОЧ:.( 3"ЗИС . 13 ЫХ ГГ 3НОК ВОЗНИ(сЮЩая В РОЕССс, ОСВЖД=.: 1 Я,в ре.зультае кот:3 рой проявпяетсятЕНЗОРЕЗИС ГИВНЬ Й Зг(ГКЗ, КС ГдНОМУ НсПОЯЖЕННЫЕ С РК" УОЬ Даю Рспли(1 ны 14 вклад в измее - , е сопрот леНИЯ ТР Под БоздЕЙСТЗИ(М ГЕгпЕ 3 а 1:ЬТ, Е, ДВЖЕ .1 а ОДНОГОДОЖ(Е ЕЗИ С.торы могут иметь разчнье ТКС,иНаиоэлее близким.1 редл,зг.;имомЯВЛЯЕТ .Я СГ.ОСООК 1"О О.":ПО, г;,-"Зс г1 И 3 нсй ТОН КС- Пс 4 г сг", и:и; "сВКЛЮс(аЮЩИЙ ПОСЛЕПО":".Т/ ГЗИСТИВНОГО 1 ПДОВОДГ:;,Е "с., СОЕВ ИВ извес:4 сг,с 03.1 г ,.Зи Ги 3 чйгСЛОИ ООРЗЗЮТ ИЗ 1 РЕХ Сс(ОПЛЕсс(ЧН. ХСЛОЕВ: сс ДИЗЛОКТрл.1 гС ( ОВ ООСВЖДаЮТ С гЧ(31 а РЕЗИ: ГгВ;-1 Й (.ПЙСРЕДИ,ГО С(3 п,;О 1 ВЛ( 4 ИЯ. З,= ГЕ С; СЙЗЫСО(ОГ 0 гог 1,30 ГИЗ 1(ИЯ И ОВЕГХ ,Г."го с 510 Й 4 изко ГО со 1;отизлечия, Ва"тем осаждают провэдящи 3 слои ,; 3; вершается процесс создания р"зистивной микросхемы формированием рису; каИ ПОдГОНКОй ТПР. В ЕЗ . ЛЬ.ГатЕ ппо 1зования трехслойной пленки происхосДИт ВЗаИМгая КОМГЕНСац я ВгзЗНИКаЮщХв отдельньх пленках мс .;а;4 и Вских напряжениЙ, Сжимаюц 1 е О,Г е сирую ГсяраСТЯГИВающИМИ И 1 авб,ПТ ОбгЯЗ,/. ется : точки зрения механических напряжечий резистлвная пленка, позво.пяющая подбором толщин и материаловслоев получать заданное значение ТКС,Однако лзвестный способ имеет ряднедостатков, упомянутая компенсациявозникающих механических напряженийНЕ ВСЕГДВ ВОСПРОИЗВОДИМа И ЗВВИСИТот технологических параметров Осаждения, - в результате ТКС отдельныхТПР может быть различным; усложненПрОцЕСС ОоаждЕНИя рЕЗИСтИВНьХ ПЛЕНОК,поскольку требует нанесения трехразнородчых материалов,Цель изобретения - уменьшение темПЕРВТУРНОГО КОЗОф гЦИЕНта СОПРОГИВЛЕния рс;исто 3 ОВ Глкрос:еиы,, К" З с .,Е Ь .,ОС. ЛпаЕтСЯ ТЕИ,ЧтО СОГ".1 С О 01 ОСОбу ИЗГОтВЛЕНИЯ рЕЗЛСТИ.сОЙ ОНКОПЛЕНОга 0 й МИКРОСХЕМЫ,влючаюцему последовательное чанесеие; а дизлВктричзс.ую п 3;ложурези сть ВОГО .: про водяще ГО слоев иОрЮгрОВаЧЛЕ рИСу 1 ка 05(ЕМЫ,. пЕрЕд ; -.;НОСЕ;ИОН РЕЗИСтИВНСГС С.ПОЯ ДИЭЛЕт. Рис:=-"/", ",О "Лсо;,КУЗГИОаЗ. И ОСЛЕОза 11 ДГИ 1 рЕЗИСТГВНОГС СЛОЯ ЕЕ ВОЗ ЕСВЬс.ю"ИСХОДНО(, ССГ ТОзнисПссге Возвращен 1 ЯОдложс(и 1 ане-ОС Г(.я,-иа, бравс/Ется 1 ВП-я,Е,наа"- 3 О-, З г,рЕ Ггя;т .;, биЬТ;:, ПГ,ческ(. ржателе 1 -,р 1 помощ: стопор/Ог.о прутаф 4 в . , Прозво,гятНс; ГР(В ГОДКОЛПаЧНОЙ аРМаТУРЫ; УСТаКовка УВ(Н-Ц-:" модернизированнаяя К то ного раСПЫЛЕ ИЯ до 543 К Нповерх, ос-л подложкодержателя, В ре 3/ЬсТЕ сГОЕВВ бИМРТВЛЛИ ЧЕСКИЙ двржател ьг -ибает подло 1 2, па поВЕРХос а Ч КОТОООЙ а;.ГМГСфсЕ аРГОг0,09 150 300 600 0,12 2,27 4,04 - 18,82 800 1200 0,15 Практически отсутствует Тр Т/ ф 1 7 тодным распылением пленку РСс сопротивлением 150 Ом/и (фиг, 2), Затем арматуру охлаждают до 323 К и наносят слои Ч и А. Смещение краев подложки при создании изгиба опреде ляют методом голографической интерферометрии в реальном масштабе времени.Однородность механической напряженности резистивной пленки контро" лируют методом голографической интерферометрии двойной экспозиции с уда 9,66 8,53 6,37 6,04 6,82 -16,79 ТКС определяют в диапазоне 293 ,393 К с точностью установки 0,17 К при помощи компаратора сопротивлений Щ 68200 по четырехзажимной схеме.35Погрешность определения относительного изменения сопротивления не превышает 0,051,Приведенные результаты показываютуменьшение ТКС резистивных пленок40изготовленных предлагаемым способомпримерно в два раза. лением резистивного слоя (слои Ч и А 0 предварительно стравливают), Механические напряжения в пленке, рассчитанные по интерферограммам согласно формуле Стоуни, имеют значения порядка 810 Н м 2 (фиг. 3)Затем производят сравнение напыленных в одном и том же технологическом цикле резистивных пленок искусственно напряженных и ненапряженных, ре" зультаты которых приведены в табли" це. Использование изобретения в технологии резистивных микросхем позволит снизить ТКС резисторов, в результате чего повысится на 48 процент выхода годных по пассивной части микросхем; расширится диапазон температур до 218398 К, в котором смогут работать резистивные микросхемы с ТПР с допуском на номинал + О 14 при объеме выпуска 1000 шт, в год.Заказ Я/. Гнращ Д 3о,спи сноеВцИИПИ Госудаостаенного комитета СССРпо аедар нзоооетенрЙ ц открутнД1:Й 7,.;, 1)оскра ",-, Ра/д 1 ская наЬ,. д /5 йрщяар РГ 1 "Ратент", г, ужгороц, уп. Цроектчав, остаВйтеяь " ьер: экоааеаа ктоо М Коваге е = Тех рец 1. Тегер (о О О е к т ОД-, ц ; а к