H01C — Резисторы

Номер патента: 490189

Опубликовано: 30.10.1975

Автор: Алексеев

МПК: H01C 7/00

Метки: активного, мера, сопротивления, четырехзажимного

...ло точек присоединения поте ццальцых проводников соответственно к противоположным поверхностям диска,На чертеже представлена в разрезе описываемая мера сопротивления.5 Она состоит пз двух коаксиально располо.женных токопроводящих цилиндров: внутрен.него 1 и наружного 2. С одного конца обацилинлра замкнуты накоротко диском 3,являющимся резцстивным элементом меры.О К наружной поверхности диска прцсоелцнецпотенциальный проводник 4, а к внутренней -- через отверстие 5 - потенццальньшпроводник 6.Полное сопротивление четырехзажцм ноймеры, определяемое как отношение напряжения (у между потенциальными проволццкавцк току 1, прохолящему через меру, булст равно четырехзажпмному омцческому сопрот)шлспшо ме)ы т)рц выполнении "словия:) вс= ) ав-....

Номер патента: 490190

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Аввакумов, Парута

МПК: H01C 17/00

Метки: герметизированных, пленочных, резисторов

...трубки, запрессовку внутрь ее токовыводов и подгонку сопротивления резисторов.Известный способ не обеспечивает высокой точности подгонки и возможности ее осуществления в двух направлениях.Цель изобретения - повышение точности подгонки.Цель достигается за счет того, что подгонку осуществляют в процессе запрессовки токовыводов путем перемещения каждого из них в герметизирующей трубке.Этапы проведения операции подгонки состоят в следующем: зажимание корпуса герметизирующей трубки в приспособлении с оставлением свободных концов; установка двух выводов в трубке на небольшую глубину; подсоединение двух выводов в мостовую измерительную схему с выставленным номинальным сопротивлением; перемещение двух выводов в герметизирующей трубке...

Номер патента: 490191

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Дремух, Каратаев, Леонтьев, Михайленко, Пиголицин, Хан

МПК: H01C 17/00

Метки: выводами, маркировки, осевыми, радиодеталей, формы, цилиндрической

...и зубчатого сектора 21. Красконаносящий ролик 8 смонтирован на качающемся рычаге 22, поджатом с помощью пружины23 через регулируемый упор 24 к кулачку 25 приводного механизма.Рычаг 22 закреплен эксцентрично с помощью втулки 26 на одной оси 27 с растирочным роликом 7, что дает возможность регулировать натяг между роликами 7 и 8, Установкой ролика 8 на качающемся подпружиненном рычаге 22 обеспечивается отвод красконаносящего ролика 8 от клише 9 во время хода каретки 12 вверх, что исключает размазывание краски на клише 9 при встречном двикении клише и ролика 8,На выходе транспортера 4 установлена тара 28 для приема отмаркированных изделий.Работа устройства осуществляется следующим образом.Радиодетали 29 из узла загрузки 3 по транспортеру 4...

Номер патента: 491161

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Болгарина, Фищева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в качестве проводящей фазы соединение рутения, стекло, например свинцовоборосиликатпое, и органическое связующее,Из этого материала, высокое содержание в котором окислов рутения и окислов ннобия делает его дорогим и дефицитным, получаются резисторы с большим температурным коэффициентом (до - 800 10 -"-/ С).В предлагаемом резистивном материале с целью расширения диапазона удельных сопротивлений и снижения ТКС в качестве соединения рутения использован его гидрооксихлорид при следующем количественном соотношении исходных компонентов (вес, %): Гидрооксихлорид рутенияСвинцовоборосиликатноестекло 57,7 - 74,7Органическая связка 20,1 - 26,05 Входящсе в пасту стекло состоит из следующих компонентов (вес. %): Стекло 54,69 - 61,90 вес....

Номер патента: 491162

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Красов, Могилева, Пушкина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...(вес.Окись свинцаОкись висмутаОкись кремнияОкись алюминияОкись магнияРезисторы на основе эго материала имеот уд, птивлснне квадрата р6=2. - Т,С вкв кв125 С составляет (1 - 6)от 60 ло 20 С- - (0,3 -р позипт Оньн матс пользован лля расширения номенкларнлных интегральных микросхем.П р и м е р 1. Резнстивная пастаОксь индия 4,55Окись серебра 9,0Палл алий 11 Л 5Стекл освязка 75Составленную композицию усрелнкратым просевом через капроновоячейками 65 тк,т.При приготовлении пасты примеганическую связку на основе ланолноошковой композиции), сиз ланолина, вазелинового масла исанола в весовых соотношениях 15:ветственно.Композиционный материал перемсвязкой в винтовой мешалке с о(до 40 С) .Резисторы пз этой пасты имели у491162 Предмет...

Номер патента: 491163

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Волков, Капусткин, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резисторов, термочувствительный

...данного типа. Это приводит к перекрыванию 3(1 орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.П р и м е р 1. Из мелкокрио порошка кислородной ванади натрия ХаЪбОц прессуют пол давлеццем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 л:,я н ллш;ой 10 л.и. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650 С в 5 течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум - 10 -и,я рт. ст. и потецциометрическим методом на постоянном токе цзмеряюг его электропроволность в зависимости от температуры.На графике (фиг. 1), гле по осц орлццаготложен логарифм электросопротцвлснця (в о,и сл), а по осн абсцисс - елиццца, лелеццая на абсолютную температуру (в Т, К-), кривая 1 получена при нагревании об разца н 2 прц его...

Номер патента: 493806

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Болтовец, Войцеховский, Ендржевская, Ищук, Петрусенко, Серый, Тычина

МПК: H01C 7/06

Метки: датчика, материал, температуры, чувствительного, элемента

...и узкий температурный диапазон. 10Цель изобретения - разработка материала,позволяющего повысить чувствительность ирасширить рабочий температурный диапазондатчика температуры,Это достигается тем, что предлагаемый материал для чувствительного элемента датчикатемпературы состоит из Сд, Сте, Рг при следующем соотношении компонентов, вес. %:Сй 45 - 45,56 е 27,8 - 31,9 20Р 2 23,5 - 26,3Этот материал представляет собой полупроводниковое стеклообразное вещество СЙСтеР 2.Вещество такого состава синтезируется в вакуумированных до 10 -мм рт, ст. ампулах методом двухтемпературного синтеза из исходных веществ чистоты класса ОСЧ.Далее производится стеклование полученного вещества путем погружения тонкостенной кварцевой ампулы в закалочную среду...

Номер патента: 493807

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Брусиловский, Карпенко, Марон

МПК: H01C 17/00

Метки: потенциометров, резистивных, элементов

...при температуре размягчения клеящего вещества с последующим остыванием в нормальных условиях.В качестве термопластичного покрытия может быть использован раствор поливинилбу тирального лака в 10 - 12% этилцеллазоля,лак на основе полиамидной смолы Пи т. д. Толщина покрытия может составлять 0,01 - 0,2 мм. Покрытый каркас подвергается сушке при температуре 200 - 300 С в течение 10 4 - 5 мин в зависимости от применяемого покрытия. Для приклеивания провода к каркасу намотанный резистор помещают в термошкаф с температурой 150 - 200 С в зависимости от применяемого покрытия и выдерживают в те чение 1 - 1,5 час, после чего резистор остывает в нормальных условиях. Изготовление проволочного резистивного элемента на этом...

Номер патента: 493808

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Аввакумов, Керницкий, Цайреф

МПК: H01B 13/008, H01C 17/00

Метки: проводов, сверхтонких

...квадратных или ромбовидныхканалов до поверхности оправки, по которым плавиковая кислота проникает до нижних слоев микропровода. Для сохранения формы обмотки после снятия стеклянной изоляции, в 20 процессе намотки необходимо выдерживатьнатяжение, обеспечивающее относительное удлинение микропровода, компенсирующее уменьшение длины витков в процессе растворения,25 Оси к п493808пография, пр. Сапунова обмотки наклонены под углом л - я, а витки расположены соответственно.На фиг. 1 изображена многослойная обмотка из микропровода в стеклянной изоляции в процессе формирования первого слоя, где 1 - оправка; 2 - микропровод в стеклянной изоляции; 3 - точка закрепления начала обмотки; 4 - точка соприкосновения микропровода с оправкой.На фиг....

Номер патента: 493809

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Тюньков, Шокорова

МПК: H01C 17/00

Метки: высокоомных, литья, микропровода, намотки, процессе, резисторов

...находится цанга 11 со штоком 12 и пружиной 13, Шток 12 посажен в под шипник 14. На цанге 11 укреплен механизм 15разрушения изоляции.При вытяжке микропровода 16 приводятсяво вращение оправка 3 и цанга 6 с каркасом резистора 7. Линейные скорости оправки 3 и 15 каркаса 7 выбраны одинаковыми. В началепроцесса литья микропровод 16 наматывается на оправку. При выходе годного микропровода сигнал Процесс от блока управления 17 перемещает механизм раскладки 18 влево на 20 расстояние 1 ь равное проекции скоса конической поверхности 10 оправки 3 на горизонтальную плоскость, обеспечивая при этом плавный ход микропровода с оправки на токоподвод 9. Двигатель 5 перемещается влево 25 на расстояние 12, равное длине токоподвода 9,и провод наматывается на...

Номер патента: 495714

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Безруков, Болгарина, Шибалова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...примерами получения рсзистивного материала с указанием крашпх значений для максимума, минимума и среднего диапазоны величин сопротивления резисторов при толщине слоя 25- - 30 мкм.Для Л=-2- - 5 Момквадрат двуокись олова, легированная пятпокисью сурьмы и пяти- окисью тантала 50 - 58 все. Оо, стекло 30 - 32,5 вес. ,о, органическое связующее 16,5 - 18 вес. ",Ь при температуре оожига 800 С.Для Я = 00 - 100 Момквадрат дв окись олова, легированная пятиокисью сурьмы и пяти- окисью ниобия 33 35 вес. о, стекло 46 - 00 вес.,д, органи сскос св 5 зюцсс 16,7 - 19,3 вес. Оо при температуре обжига 750 С.Для 0=500 Мом - 1 Гом,квадрат двуОкись ОГова, легированна 5 Пя Гиокпсь 10 сурэмы; п 5 т 101 псь 0 ниоби 51 11 - -13 все. :о, стекло 70...

Номер патента: 497641

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Савченков, Храбров

МПК: H01C 17/00

Метки: сортировки

...также механизм 12 поштучной выдачи изделий, управляемый электромагнитом 13, два эластичных ролика 14 для обеспечения вращательно-поступательных движений изделий, электродвигатель 15 и опорная линейка 16 для регулировки скорости перемещения. Изделия, например корпуса резисторов, засыпаются в механизм 1 загрузки (вибробункер) навалом. Из механизма 1 загрузки изделия непрерывно поступают к механизму ориентации 2, который с помощью механизма 12 поштучной выдачи изделий управляемого электромагнитом 13, посылает изделия к механизму 4 автоматической подачи с любым наперед заданным интервалом. Попадая в механизм 4 автоматической подачи, изделие получает от эластичных роликов 14, приводимых во вращение электродвигателем 15, быстрое...

Номер патента: 500546

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Варфоломеев, Колдашов, Красов, Крылова, Миронова, Пуронене

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...из окиси олова и пятсурьмы, тщательно перемешиваютстеклом для усреднения состава.О этого добавляется органическое свна основе ланолина, вазелиновогоциклогексанола, взятых в весовыхшениях 15:3:1, и смесь перемешивручную или на винтовом смесителпература обжига 800 С, удельное то тем, чт следуюшие а териал со(в вес, % жи компоненть вместе соПослеязуюшее Окись олова-7 асла и соотноаетсяТем 2 ятиокись сурьмь Стеклосвяз Органическ-6 оверхно 5 е носится к получению резитолстопленочных резистоязку и органическоеэтот материал устойч и и имеет небольшо противлений. изобретения - расши иова, 3. М, Пу.ронене,Миронова500546 Окись оловаПятиокись сурьмыСтеклосвязка 5,71034,1 2-2 0 1 0-60 15-20 Пятиокись сурьмыСтеклосвязка Органическое связующее Соста...

Номер патента: 501423

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Дунаев, Марков, Таипов, Химченко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...схемы (тип подложки, материал изолирующего слоя, рабочая температура) в составе резистивного материала могут быть использованы свинцовоцпнкоборатное или свинцовобороснлнкатное секла.Вв-дение никеля и использование в качестве проводящей составляющей никель-палладиавой системы в виде твердого раствора позволяет получить следующие характеристики резистивных элементов: воспроизводимость номиналов не хуже +10%, температурный коэффициент сопротивлений - ( - 50 - -+150) 10 - 1/град. Введение никеля в проводящую составляющую позволяет исключить миграционные эффекты, что повышает воспроизводимость номиналов резистивных элементов, Никель-палладиевая система упорядочивает процесс спскапня, уменьшает температурный коэффициент сопротивлений...

Номер патента: 503558

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Бернхард, Иоахим

МПК: H01C 3/00

Метки: резистор

...резистора. В результате этого могут иметь место пробои или короткие замыкания, что снижает надежность резистора. Для повышения надежности в предлагаемом резисторе между элементами сопротивления в местах поворота меандра, имеющихмаксимальную тепловую нагрузку, установ 5 лены прокладки из твердого изоляционногоматериала,Прокладки могут быть выполнены в видепластин с перфорацией в пространствах между местами поворота меандра листовых эле 10 ментов сопротивления.На фиг. 1 изображен сегментный элементсопротивления описываемого резистора с наложенными на него прокладками из твердогоизоляционного материала; на фиг. 2 - то же,15 разрез.Элемент сопротивления резистора выполненпосредством штамповки прорезей а в формемеандра, На концах 1...

Номер патента: 503559

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Дитер, Петер-Иозеф

МПК: H01C 10/00

Метки: поворотный, потенциометр

...зубьев зубчатог обода 6 с перекрывающей перемычкой 10 образуют упор для управляющего выступа 5 итем самым ограничивают угол поворота зубчатого колеса 7.Поворотный вокруг оси 11 рычаг 12 при помощи цапфы 13, расположенной поперек направлению движения, входит в управляющую кривую 14, которая выполнена в виде спиральной формы кулисы, вырезанной в зубчатом колесе 7, а при вращении зубчатого колеса вызывает колебательное движение рычага 12, так что положение рычага является мерой угловой регулировки зубчатого колеса. Выступ 15 на свободном конце рычага 12 служит индикатором для шкалы, находящейся, например, на лицевой стороне телевизионного приемника, в который встроен агрегат. При этом конструкцию целесообразно выполнить так, чтобы несущая...

Номер патента: 504251

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Буданова, Мудролюбов, Руд, Самсонов, Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов, токопроводящей, фазы

...при 20 С,а Ятп ом см 31,2,+1,1 +",5 1,0 0,9 13,7 26,1 43,0504251 Формула изобретения БарийСамарийБор 26,1.40,0 29,0-430 30,9-31,0 Составитель Ц. НестеренкоРедактор Н. Данилович Техред А. Демьянова о Корректор А, ЛакидаЗаказ 1663 Тираж 977 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССУФ по делам изобретений и открытиЯ 113035, Москва, Ж 35, Рауьиская набд.4/5 филиал ппп патент", г. ужгород. ул. Гагарина, 10 3Двойной борид получается по следующей техноло.гик. Из предварительно прокаленных Бтп Оь (750"С,2 часа), В (170 оС, 3 часа) и Ва Со 3, взятых в нужноМ соотношении, составляют шихту для совместно.го получения двойного борида (Ва,5 ит) В 6 в интервале составов (Вас Ямо ) Иа 1 Вао,4 и" о,в)При этом ВаСо...

Номер патента: 505034

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Берестенко, Володько, Гребцов, Никулин, Поташникова, Сорокин, Троицкий, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...6 - 12 Окись алюминия 8 - 40 Алюмоборосиликатное стекло 22 - 50 5 ТКС проводящего материала в этом случаеопределяется составом твердого раствора вуказанной системе,Используя титано-ванадиевые нитриды, удалось перекрыть диапазон номиналов рези сторов от 1 до 10" ом, сохраняя ТКС во всемдиапазоне на уровне +5 10 -град. -Приэтом для низкоомной шкалы (-10 ом) всложном нитриде преобладает ванадий(Т 1 ю,Рю,юК), а в высокоом ной шкале 5 (-10 ком) сложный нитрид содержит в основном титан (Т 1 ю,юлю,Ю)В качестве примера для полученной шкалы сопротивлений (от 1 )изготовлены резистивные слои, и о став, вес. %;Алюмоборосиликатноестекло 36 - 43Окись алюминия 8 - 12Титан 6 - 7Ванадий 30 - 39Азот 9 - 10В качестве примера для получения высокоомной...

Номер патента: 505035

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Селиверстов, Ткачев

МПК: H01C 11/00

Метки: жидкостный, реостат

...оси связанный с приводом вращения вал с лопастями на конце, погруженном в электролит, обладает недоста точным диапазоном регулирования.Предлагаемый реостат отличается от известного тем, что бак выполнен в виде перевернутого усеченного конуса, а электроды - сужа 1 ощимися книзу. Это отличие позволяет 15 расширить диапазон регулирования реостата.На фиг. 1 показан реостат, продольный разрез; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1; на фиг. 3 - разрез по Б - Б на фиг, 2 при максимальном уровне электролита у стенок 20 бака.Жидкостный реостат состоит из бака 1, выполненного в виде перевернутого усеченного конуса, крышки 2 с проходными изоляторами 3, привода 4, соединенного с валом 5, На 25 крышке 2 через .изоляторы 3 установлены...

Номер патента: 505441

Опубликовано: 05.03.1976

Автор: Крищюнас

МПК: B05C 5/02, H01C 17/06

Метки: методом, нанесения, пленок, разлива

...прикрепленную к смежным стенкам сосуда, и нижнюю подвижную часть, а для соединения частей и контроля цх положения пред-И На фиг. 1 изображено предложенное устройство, общий вид; на фцг, 2 - разрез по А-А на фиг, 1,Устройство содержит корпус 1 сосуда ;для исходной суспензии. Передняя стенка 2 .сосуда, ,образующая щель с днищем сосу да, выполнена с, прореэящЭ, которые делят ее на верхнюю неподвижную часть 4 и нижнюю чтодвцжную, часть 5. Последняя с помощью регулировочных винтов 6 имеет возможность передвигаться в оаправлениц по стрелке Б. Верхняя часть 4 передней стенки прикреплена винтами 7 к смежным стенкам корпуса, а по бокам этой стенки установлены микронные индикаторы 8.прокладка 9. Винтами 6 изменяют плошадь сечения отверстия а,...

Номер патента: 506066

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Лазарев, Малый, Ружилов

МПК: H01C 10/10

Метки: мембранный, тензорезистор

...506 О 66 Это достигается тем, что в предлагаемом тензорезисторе наружные и внутренние тензоэлементы расположены по обе стороны на равном расстоянии от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние тензоэлемснты выполнены в форме меандра.На чертеже представлен предлагаемый тензорезистор. Он содержит электроизоляционную подложку 1, два внутренних 2 и два наружных 3 тензоэлсмента, выполненных в форме меандра и расположенных по обе сторопы от окружности 4, на границе которой радиальные напряжения меняют знак.Предлагаемый мембранньш тснзорезистор работает следующим образом.Под воздействием осевого усилия, приложенного к мембране, на поверхности которой закреплен тензорезистор, мембрана деформируется....

Номер патента: 322125

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Анисимов, Матвеев, Тархов

МПК: H01C 3/02

Метки: генератор, квантовый, оптический

...стержней,применяемым в светоОКГ, имеющие один или расположенных актив- спиральной или некими лампами накачпусе осветителя. ОдОКГ обладают низкиожности сфокусиромп накачки на активых элемен ла изоб е н о р енератора активные С целью повышения к.п.дедлагается лампы накачки птич к сожить вну атном пор элементы рас ветителя в ша ящии из к активных о т л и ч лью повыш накачки и ядке, а междуие стержни, имеюа с вогнутыми отражающрму ром оместитьсечении о изображенон в м поря жаюшие я 1 распол е лампы накач 3, между ко- жаюшие стеркни 4 р Изобретение относ.ным твердотельным о генераторам (ОКГ),локации,Известны мощные несколько параллельно ных элементов с одной,сколькими цилиндричес ки в одном общем кор како осветители этих ми к.п.д. из-за...

Номер патента: 203104

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Базаров, Бикетов, Федоров, Хапланов, Юхвидин

МПК: H01C 1/00

Метки: квантовый, стандарт, частоты

...ты, использующие в качестве пассивного дискриминатора атомно-лучевую трубку для осуществления непрерывной автоподстройки о частоте резонансной линии атомного перехода;Однако для осуществления автоподстройки необходимо, чтобы частоты переходов активного стандарта и пассивного дискриминатора были равны или кратиы, что приводит к усложнению конструкции стандарта частоты.Предложенный квантовый стандарт частоты отличается тем, что в нем в качестве активного вещества использован один и тот же элемент как в активном генераторе, так и в пассивном дискриминаторе. Зто позволяет производить подстройку активного генератора при уходе частоты непосре ственно регулировкой температуры в тер остате мазера путем настройки резона-;ра сигналом ухода частоты...

Номер патента: 508806

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Василевский, Катилас, Ращинский, Семенков

МПК: H01C 10/00

Метки: переменных, резисторов, сопротив-лением

...в слуиложении к ручке 11 усилия в на3правлении вниз - прямо нижний конец ручки 14 давит на верхнюю сторону прорези секторной шестерни 7 и движется вдоль прорези секторной шесторени 3. При этом секторная шестерня 7 входит в зацепление с шестерней рсзистора 11 и поворачивает ось резистора 11. Оси резисторов 5, б и 1 О остаются неподвижными. Если из исходного положения на ручку 14 надавить в направлении влево - прямо, то нижний конец ручки 14 давит на правую стенку прорези секторной шестерни 3 и движется вдоль прорези секторной шестерни 7, При этом секторная шестерня 3 входит в зацепление с шестереней резистора 5 и изменяет положение его ползунка, а оси резисторов 6, 10 и 11 остаются неподвижными. По аналогии при приложении к ручке усилия в...

Номер патента: 508807

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Ларин, Салихов, Цой, Шойхет, Штейн

МПК: H01C 17/00

Метки: выводов, осевых, радио-деталей, рихтовки

...и поверхностью опорных барабанов 15 и 16 в заходной части. Этот зазор 5 Н устанавливается равным 1,1 - 1,2 диаметра вывода. В заходной части колодки имеют скосы 28 для правки выводов. Далее колодки имеют цилиндрическую поверхность по всей ширине, которая и осуществляет окончательную рихтовку выводов, Здесь в калибрующей зоне рихтующий зазор постепенно уменьшается и в конце ее равен 0,6 - 0,7 диаметра вывода, В начале калибрующей зоны зазор соизмерим с диаметром вывода и в этот момент за счет защемления выводов между поверхностями колодок и опорных барабанов начинается принудительная прокрутка радиоэлементов за выводы, что и обеспечивает качественную их рихтовку, а корпус детали в этой зоне освобождается благодаря прекращению действия...

Номер патента: 508808

Опубликовано: 30.03.1976

Автор: Фитасов

МПК: H01C 17/00

Метки: группы, пара-метрам, радиодета-лей, сортировки, электрическим

...тем, что над каждым приемным лотком размещен взаимодействующий с загрузочным лотком выдвижной упор, привод которого электрически через блок коммутации соединен с блоком контроля, причем каждая группа загрузочных лотков закреплена на рычагах, кинематически соединенных с выходным валом приводного механизма с возможностью поочередного взаимодействия каждой группы загрузочных лотков с соответствующим датчиком положения,На фиг, 1 показана схема предлагаемого Е н 1 508808В начале работы лотки 4 и 5 загружают радиодеталями, например, из вибробункера (на чсртехке нс показан). При включении привода 18 начннаегся синхронное колебательное перемещение загрузочных лотков над общим рядом приемных лотков 13, Загрузочные лотки периодически через...

Номер патента: 509896

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Селимов

МПК: H01C 7/04

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...ять удельное сопродо 1 Мом/П. При изменяется в предерад. напытивных тленоч- радиоике. 5 ых реоокись СпталлХромМ няя соотшипсние кремния, можно изме тивление от 10 ком/П этом ТКС резисторов л ах (2 - 150) 10 -1/ оэффпого маград - окостаМатериал для высокоомныхсодержащий ром, мопоокисьталл, отличающийся тцелью снижения ТКС резисторжит исходные компонентыколичествах, вес. %:Моноокись кремнияСиталлХром резисторов,ремния и сне м, что, с ов, он содерв следующих 15 исход- ствах,15 - 30 15 - 30 Остальное 0 Изобретение относится к технике лспия резистивно-смкостных, резне совмещенных интегральных и тонко ных схем, которые применяются в электронной и вычислительной технИзвестен материал для высокоом зисторов, содержащий хром, мо кремния и...

Номер патента: 509897

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Киреев

МПК: H01C 17/00

Метки: выводами, осевыми, сортировкирадиодеталей

...Орами 24, 25 и поворотными локеми 26,27, управляемыми электромагнитными прпводалли 28.Под лотками расположепными симметричпэ относительно вертикали паде;иля радио.детали, размещены емкости 29, 30, 31.Электромагниты 17 и 18, управляющиепОдвлжным плоским эсэванпеы 6, 1,.эх"ка;и: 6, 2 7, и фэтодатчик эбраен и связиВкжоче 1 ы в злектроннуО схему О,эла управ-ленни 32.Устройствэ работае следующм образо:.1,Для выбранного типэразллсра радодета;и 1дифференциальным винтом 11 устанав,ц 1 аЭбстся необходимая ширина .лрцеецэокнапитателя и вставляк:тся в Основание 22 соответствуюцпе емкости 29 30, 31, имеющие ширину приемного окна, несколько бэльшую длины радиодетали. В этом положенпи40устройства радиодетали пэштучно загрукаются в питатель,...

Номер патента: 510755

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Курихин, Соловьев, Сорокин

МПК: H01C 7/04

Метки: емкости, конденсатор, переменной

...герметичной оболочки 1, наприм"р, изстекла, на наружной поверхности которой расположена неподвижная обкладка 2. Зз Внутреш 1 яя поверхность диэлектрика снабжена капиллярной структурой 3, пропитаннойэлектропроводной жидкостью 4, например цезием, явля 1 ощейся подвижной обкладкой конденсатора, и соед 1111 сна с 14 яружны.11 Выводоъ 1,Внутренняя полость конденсатора частичнозаполнена неконденспрующимся газом 5, нягример аргоном. и паровой фазой электро;,роводной жпдкос 111 О, 111 е 10 Щ 11 м 11 прп рябОтеконденсатора подвижную границу разделагаз - пар,Конденсатор снабже;1 газово 1"соединеш 1 ой с внутренней полостора.Тепловая энергия необходимая для работыконденсатора подводится и отводится соответственно через зоны 8 и...

Номер патента: 510764

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Гене, Дудник, Савченко, Синяков

МПК: H01C 3/10

Метки: вещество, пьезооптических, управляющих, элементов

...содержит окись свинца, окись висмута и пятиокись ванадия при следующих соотношениях компонентов, вес.%:Окись свинца (РоО) 65 - 67Окись висмута (В 120 з) 10 - 12Пятиокись ванадия (Ъ 05) 21 - 23Предложенное вещество обладает высокими пьезооптическими коэффициентами 1/2 пол 44 и 1/2 поз (л, - л 12), измеренными поляризационнооптическим методом на длине волны 6328 А при воздействии на кристалл сжимающих нагрузок от 10 кг/см до 600 кг/см. Средние значения измеренных пьезооптических коэффициентов составляют 1/2 п, л 44=480. ескпх управляющихес я тем, что, с зависимости инду- мления от прикланапряжения, оно сось висмута и пятиющих соотношениях 65 - бт 10 - 12 21 - 23(Ь.О,-) Государственный комитет (23) Приорит овета Министров СССР 10 - а...