H01C — Резисторы
Способ изготовления электрических контактов композиционных микрорезисторов
Номер патента: 333875
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Авдеева, Байкова, Библио, Жев, Шапиро
МПК: H01C 7/00
Метки: композиционных, контактов, микрорезисторов, электрических
...типа, так и микрорезисторов,Предмет бретен ия Способ тов комп нанесения готовленн отличающ ння монт на резист нредвари температу ганическо водящую лпевых сх изготовления электрических контакзиционных микрорсзисторов путем их на полупроводящее покрытие, изое на основе органических смол, ийся тем, что, с целью осуществлеажа резисторов пайкой плп сваркой, ивную пленку в местах контактов ельно перед лужением вжигают при ре, не вызывающей деструкцию орго вещества резистивной пленки, пропасту, например на основе глифтаол и мелкодпсперсного серебра. Известные способы изготовлеш 1 я электрических контактов композиционных микрорезисторов не обеспечивают возможности монтажа резисторов пайкой или сваркой.В предлагаемом способе возможность...
336701
Номер патента: 336701
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Аленин, Паршина, Филиппов
МПК: H01C 10/34
Метки: 336701
...электрически соединенные с концами точного резистивного элемента 3, втулки 9, служащей направлявшей для втулки 7, гайки 10с пружинной шайбой 11, прижимаюшйвтулку 7 к корпусу 1 и создающей тормший момент подвижной системы грубойрегулировки, и упора 12, ограничивающего3перемещение контакта точной регулировки,Подвижная система точной регулировки состоит из оси 13 резистора, служащей ручкой регулировки, на которой жест 5ко закреплен при помощи контактодержателя 14 скользящий контакт 15 точнойрегулировки, соединенный гибким проводником 16, пропущенным в пазу оси 13 инавитым в виде спирали на конце ее, с Ювыводом 17 на крышке 4, гайки 18 спружинной шайбой 19, создающей тормозящий момент подвижной системы точнойрегулировки. Контактодержатель 14...
С-структура с распределенными параметрами
Номер патента: 337829
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев
МПК: H01C 7/18, H01L 49/02
Метки: параметрами, распределенными, с-структура
...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...
337830
Номер патента: 337830
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01C 17/30
Метки: 337830
...повышения емкости,конденсаторужные слои изготавливают из стабиванных, соединений титанатов, а внутриз нестабилизированных титанатов и проводят в восстановительнои среде, при этом внутренний слой восстанавливается до полупроводникового состояния, а наружные характеризуются изоляционными свойствам и.Изготовленный таким образом диэлектрик представляет собой сплошное тело, в котором слои керамики с разными свойствами чередуются последовательно,При этом способе толщина и диэлектрические свойства каждого слоя точно задаются и не зависят от температурно-временного и газового режимов при изготовлении изделий.Ниже приведен, пример изготовления многослойного керамического диэлектрика.Состав 1 керамики Состав 2 керамики для внутренних...
337831
Номер патента: 337831
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01C 17/00
Метки: 337831
...трудноудаляемых наслоений,Для повышения производительности и качества изделия в предложенном устройстве канал выполнен в виде щели, рассекающей ре.зервуар в вертикальной плоскости.На чертеже изображено предложенное устройство.В закрепленном на станке резервуаре 1 канал выполнен в виде щели а, в которую заведен микропровод 2, При намотке микропровод, проходя через полость резервуара, равномерно покрывается клеем, поступающим под давлением из питающей системы, содержащей бачок 3, отсечной клапан 4 и регулировочный клапан д. Незначительная ширина щели, а также материал, из которого выполнен резервуар, имеющий низкую адгезию к клею, препятствуют иытсканисо клея нз щели.В предложенном устройстве уменьшенамасса движущихся...
Высокотемпературный электропроводный материал
Номер патента: 337966
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Зырин, Максименко, Ордена
Метки: высокотемпературный, материал, электропроводный
...закись никеля, 10легированная литием, При введении ионов одновалентного лития в кристаллическую решетку закиси никеля происходит изменение валентносги части ионов никеля с + 2 до +3,что вызывается необходимостью сохранения 15электронейтральности крисгаллической решетки. Появившиеся ионы трехвалецтного никеляявляются причиной появления дырочцой проводимости в закиси никеля, причем концентрация носителей заряда оказывается практически равной концентрации введенных ионовлития. Удельное сопротивление такого материала может быть доведено до 0,01 ом см.Однако температура плавления этого материала не превышает 1950 С,Для повышения температурного пописываемого электропроводного матерего состав введена окись магния.Для изготовления...
Контактодержатель
Номер патента: 338922
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01C 10/28
Метки: контактодержатель
...устройстве между биметаллическим компенсатором и упругим элементом установлен развязывающий шток с одностронним свободным перемещением и рычаг, ход которого ограничен упором. Это обеспечивает надежный контакт при пелинейном изменении вязкости дисимости от температуры,На чертеже изображен предлагаемый контактодержатель.Контактодержатель содержит основание 1, на котором через биметаллический компенсатор 2, развязывающий шток т, качающийся рычаг 4 и упругий элемент 5 установлено коромысло б с роликовым контактом 7, сидящим на оси 8, Необходимое контактное давление контакта 7 и пределы действия температурной компенсации устанавливаются подвижным упором 9 и гапкой 10 на штоке 3.При понижении температуры, когда увеличивается вязкость...
Устройство для подгонки величины сопротивления тонкопленочных резисторов
Номер патента: 338923
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Дубровский, Колесников, Орешков
МПК: H01C 17/232
Метки: величины, подгонки, резисторов, сопротивления, тонкопленочных
...ром, одиндополни- контактИзвестно устроиство для подгонки величины сопротивления тонкопленочных резисторов, содержащее генератор высокой частоты, рабочий электрод и блок контроля.Цель изобретения - повышение точностиподгонки величины сопротивления резисторов при их изготовлении, Достигается она тем, что в предлагаемом устройстве вблизи рабочего электрода расположен дополнительный электрод с зазором, обеспечивающим развязку рабочей и поджигающей цепей. Кроме того, в него введен импульсный трансформатор, один конец обмотки которого соединен с дополнительным электродом, а другой - с контактной площадкой резистора.На чертеже показано предлагаемое устройство.Устройство состоит из рабочего электрода 1,дополнительного электрода 2 и...
Способ изготовления пленочных термочувствительных сопротивленийвсесоюзнаяп»тт. г •i-vff5trtfая; i i i. h 1 nuдепг slvjmfjбиблиотека
Номер патента: 338924
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Буканаева, Емель, Зорин, Кандыба
МПК: H01C 7/04
Метки: nuдепг, slvjmfjбиблиотека, пленочных, сопротивленийвсесоюзнаяп»тт, термочувствительных, •i-vff5trtfая
...стабильностью.Целью изобретения является устранение недостатка.Поставлеая 1 ель достигается тем что в качествесходных материалов используют водные растворы хлоридов кобальта, марганца и меди, наносимые методом пульверизации на воздухе, на подложку, нагретую до темпера,увы пе ниже 500 С. Изменяя содержание хлоридов в смеси искорость подачи их на подложку, можно в широких пределах изменять электропроводность и температурный коэффициент сопро тивления пленок, С целью регулированияэлектропроводности пленок в,распыляемын раствор хлоридов,кобальта и .марганца вводится хлорид меди. Приведены два примера реализации способа.10 П р и мер 1, В исходном растворе беретсясоотношение хлоридов марганца и кобальта 2; 1, газ-носитель - аргон, материал...
339966
Номер патента: 339966
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01C 7/00
Метки: 339966
...осу их до спек окислению овления мешива ида крем ого стек аолучен,ществляя ания в снелииеиных ют 80 - 84% ния и 20 - 5 ла с наполной массытермичесредах, преер, в водо Цель изобретения - исключение процесса разложения карбида кремния.Цель достигается тем, что термическую обработку резисторов производят при темпера туре 1450 - 1600 С.Сущность способа изготовления нелинейных резисторов заключается в следующем.При смешении 80 - 84% электротехтгического карбида кремния и 20 - 16% связующего 20 из иоидкого стекла с наполнителем образуется масса, из которой прессуются резисторы. Далее осуществляется термическая обработка указанных резисторов при температуре 1450 - 1600 С. При термообработке резисторов 25 происходит плавление связки и...
Устройство для резки резисторсвi•.; ,; . »
Номер патента: 339967
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Жев, Коссов, Нечаев, Самсонов
МПК: H01C 17/00
Метки: резисторсвi•, резки
...изготовляемых на стеклянной нити, содержащее подающий механизм и отрезные ножи, отличаюи 1 ееся тем, что, с целью повышения качества резки и устранения появления произвольных 25 сколов по линии среза, их ножи расположены,встречно и выполнены с односторонней заточкой, причем отрезные режущие кромки расположены в одной плоскости, с зазором порядка -/а толщины нити. Изобретение относится к области технологии радиоаппаратуры, в частности, к конструированию оборудования для производства ниточных элементов схем,Известно устройство для резки резисторов, изготовляемых на стеклянной нити, содержащее подающий механизм и отрезные ножи.При резке резисторов подобным устройством в стекле возникают трещины пе в направлении оси давления, а в...
Устройство для перемещения изделий
Номер патента: 339968
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Кныш
МПК: H01C 17/00, H05K 13/00
Метки: перемещения
...цилиндры,При включении привода 8 перемещаемая20 цилиндрическая заготовка 1 б из вибробункера 1 по лотку 2 сквозь входные отверстия 3в станине 4 попадает на поверхность вращающиссся опорных роликов б. Дальнейшееперемещение заготовки за счет своего собст 25 венного веса приводит к заклоониванню между,опорными роликами б и заборным конусом9 прижимиого валика 5.Эластичная повертоность валика вминается,соприкасаясь с заготовкой по узкой полоскеЗ 0 на поверхности, линия изгиба которой равна339968 образующей однополоспного гиперболлоида, в результате чего валик, вращаясь, прижимает к опорным роликам заготовку, вращает и перемещает ее вдоль оои вращения опорных роликов.Поверхность заготовки наиболее доступна для осмотра под дефактоскопом 15...
Тонкопленочный резистор
Номер патента: 340216
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Инкорпорейтед, Иностранец, Иностранна, Соединенные
МПК: H01C 7/00
Метки: резистор, тонкопленочный
...давления инертного газа и уменьшение в результате этого вакуума внутри камеры 1 приводит,к увеличению скоростис которой распыленный металл удаляется с катода и, соответственно, к увеличению скорости осакдения пленки, максимум давления обычно определяется заданными пределамл подаваемой электроэнергии, поскольку увеличение давления приводит также к увеличению электрического тока между анодом н катодом. Практически верхний предел давления составляет 150 лк рт. ст. при напряжении в процессе распыления порядка 5000 в. Предел максимального давления должен быть таким, при котором раопыленце легко регулируется, не отклоняясь от допустимых номинальных норм. Минимальное давление определяется наименьшей скоростью осаждения,...
Способ выбора материалов для слаботочныеь—= скользящих контактов и контактирующихэлементов
Номер патента: 341093
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Алеиичева, Кислицын, Кортов, Куранов, Минц, Пещин, Плеханова, Степнов
МПК: H01C 1/12, H01H 1/04, H01R 39/20 ...
Метки: выбора, контактирующихэлементов, контактов, скользящих, слаботочныеь—=
...работоспособность15 контактной пары,Экзоэлектронная эмиссия является ш зкотемпературным и малоэнергетичным излучением, вызванным структурными из менепп я хн 1деформированной поверхности твердых тел и20 ее взаимодействия с внешней средой,Согласно описываемому способу конгдкгную пару помещают в камеру перед входнымокном детектора, регистрирующего низкоэнергетичные излучения, В камере создают25 условия для нормальной работы детектора.При заданных режимах работы контактнойпары (давлении, скорости скольжения, напряжении, токе) одним из известных методов регистрируют изменение интенсивности экзо.30 эмиссии. Кинетические кривые снимают доКоррскгор Т, Китаева 1 едакзор Т. Зи ребельнап Заказ 1814/16 Изд.799 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета...
Низкоомный резистор
Номер патента: 341094
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Гребенкина, Ордена, Перевезенцев, Самсонов, Сорокин, Юсов
МПК: H01C 7/00
Метки: низкоомный, резистор
...изменесение величины сопрютивления в процентах за, 100 час увлажнения прп относительной влажности 95 - 98 /а и темпера о пуре 40 С достигает 7%), имеют значительную,величину ТКС (до - 15 10 -град - ).Цель изобретенопя - ,повьипвние териостой,кости и влаго 1 стойкости резнстора и расширение днаназона сопротивлений.15Это достигается тем, что в качестве оонтхвы резистора использован борид,кобадьта, исходные компонентьп которого взяты в следующихсоопношениях, вес. %Кобальт 91,1 - 91,6 20 Бор 8,4 - 8,9Резистор, изготовлен в габаритах СПО - 0,5 вт методом горячего прессования при 900 С в слабо восстановительной ореде, Связующим веществом служит вьпсокобарие вое силикатно-боро-бариевое стекло состаяв стекл а, вес. а/а . 5102 (4 - 20), В 20...
Способ изготовления нелинейных резисторов(варисторов)
Номер патента: 341095
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Всг, Кример, Курбатова, Ядтшт
МПК: H01C 17/00, H01C 7/10
Метки: нелинейных, резисторов(варисторов
...1, - ток в,прямом направлении;1 з - ток в обрат 1 ном направлении.Далее испра 1 вляют асимметрию подачей на варистор одного или,нескольких импульсов ,напряжйния в лтрямом нйправлйнии (при й ложительной начальной асимметрии) и в о ратином направлении (при отрицательной начальной асимметриями). Импульсы напряженная подают от предварительно зарякенного конденсатора с емкостью 5 - 10 лткф. Величина импульсов не должна превышать амплитуду напряжения импульсной тренировки в,процессе изготовления, при озготовлении по технологии, исключающей тренировку, амплитуда корректирующих импульсов не должна превышать четырехкратного номинального напряжения варистора. Количеспво однополярных импулысов возрастает с увеличением начальиой асим 1 метрии и...
Устройство для подгонки тонкопленочныхрезисторов
Номер патента: 341097
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Белов, Бульбочка, Дмитриева, Краснодарский
МПК: H01C 17/232
Метки: подгонки, тонкопленочныхрезисторов
...направления тока.На чертеже кая схема предлагаем Устройство содержит блок 1 контроля,блок 2 эталонного напряжения, автокомпенсатор 3 и электроэрозионный нож 4. Блок 1,питаемый от стабилизатора 5 напряжения,5 состоит из переключателя б направлениятока, эталонного резистора 7 и подгоняемоготонкопленочного резистора 8. Между стабилизатором напряжения и переключателем направления тока включен диод 9 в прямом на 10 правлении,Блок эталонного напряжения состоит изэталонного резистора 10, переключателя 11направления тока, источника 12 напряженияи регулировочного резистора 13,15 Один из электродов, например отрицательный электрод 14, электроэрозионного ножа 4соединен с входной клеммой 15 переключателя б и через диод 9 - то стабилизатором...
Магазин сопротивлений
Номер патента: 342227
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Богатырев, Дружиловский, Зибер, Серов, Утенков, Штеренберг
МПК: H01C 1/02
Метки: магазин, сопротивлений
...содержащий п ивления, намота из которых укр ателе формы шв что, с целью по а,службы, оси о распочожено в и снабжено прои на ровонные еплен елле- вышева:н,ие гори- дольисимое от авт. свидетельства-Изобретение относи,т,ся к элемента,м сопротивлений, например к пускорегулируючцим сопротивлениям д,чя крановых и металлурпических электродвигателей постоянного и переменното тока.Известны магазины сопротдвдений, размещенные на металличесосом каркасе, содержащие провойлочные элементы сопротнв,чесания, намотанньве на изоляторы, каждый из которых укреплении на металлическом,держателе формы швеллера. Эти контрукцип недостаточно надежны в работе и сложны технологией изготовления.В предлагаемом магазине сопроти 1 влений основание каждого из...
Способ отбраковки резисторов по величине температурного коэффициента сопротивления
Номер патента: 344512
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Покровский, Черн
МПК: G01R 27/02, H01C 17/00
Метки: величине, коэффициента, отбраковки, резисторов, сопротивления, температурного
...в нормальных условиях 10 кру,н и при температуре 1 онр;н, + 80 С. Нагрев в термостате обусловливает длительность этого процесса, необходимость применения сложной терморегулирующей и измерительной аппаратуры, блока сопровождающей памяти и не обеспечивает 100%-ной отбраковки резисторов, так как при таком способе возможно осуществить только выборочный контроль. Предлагаемый способ отличается от известного тем, что вместо термостата используется импульс электрического тока заранее определенной длительности и мощности, которым нагревают слой резистивной пленки, а не все тело резистора, как в известном способе. Количество тепла, выделенное на резисторепри прохождении через него импульса электрического тока, равноЯ=024 7 У 15 Из...
Устройство для отбраковки резисторов по температурному коэффициенту сопротивления
Номер патента: 344513
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Покровский, Черн
МПК: G01R 27/02, H01C 17/00
Метки: коэффициенту, отбраковки, резисторов, сопротивления, температурному
...питания Е магазина сопротивлений Я дополнительного сопротивления Я , запоминающих конденсаторов С 1 и С 2; блок исполнительного устройства 4; блок синхронизации состоит из импульсного распреде 15 лителя б и командных реле Р - Р 5.Работает устройство следующим образом.При установке проверяемого резистора наизмерительную позицию от источника тактовых импульсов поступает последовательность сигналов в блок синхронизации, который вкчючает поочередно реле Р - Р 5.При замыкании контактов Р 1 происходитзапоминание напряжения соответствующего величине исследуемого резистора в холод 25 ном состоянии на запоминающем конденсаторе С. Далее реле Р 1 обесточивается, и замыкаются контакты реле Р 2; при этом запускается интегратор 1 и опрокидывается...
Резистор объемного типа
Номер патента: 347807
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Павлов, Рудовол
МПК: H01C 7/06
Метки: объемного, резистор, типа
...и отличается от известных тем, что в 10качестве токопроводя щей фазы использовансложный карбид металлов Ю и Ч групп периодической системы.Компоненты токопроводящей фазы взяты вследующих количественных соотношениях 15(вес. %):Металл 1 Ч группы 1 - 94Металл Ч группы 1 - 94Углерод общ. 4 - 25Углерод своб. 001 - 25 20Для расширения температурного интервалаработы резистора до 200 - 250 С, увеличениямощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочносги истабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений всостав предлагаемого низкоомного объемногорезистора наряду со связующим материалом(например, алюмо-силикатно-борно-бариевогосостава стекло) входит сложный карбид типа ЗО пример 2Т 1...
Материал для пленочных резисторов
Номер патента: 347808
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бондаренко, Соколов, Юсов
МПК: H01C 7/06
Метки: материал, пленочных, резисторов
...аявитель МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРО 2 редмет изоб ен Мате нове сп тем, что коэффи помина до 25 в а осщийся рного ренпя рения риал для пленочных р лава вольфрам-рений , с целью уменьшения циента сопротивления ов резисторов, сплав с. оо зисторовотличаю температ и расш содержит Изобретение относится к технологии изготовления радиоаппаратуры,Известный материал для пленочных резисторов на основе сплава вольфрам - рений характеризуется высоким температурным коэффициентом сопротивления и узким диапазономноминалов резисторов, изготовленных из этогоматериала,Цель изобретения - уменьшение температурногого коэффициента сопротивления и расширение номиналов резисторов.Для этого предлагаемый материал содержитрения до 25 вес. %.Материал на...
Резистивньш материалi 1 • к.; ., taeaacfoiflv •ч-, -, i.
Номер патента: 347809
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Дубовик, Куценок, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов
МПК: H01C 7/06
Метки: taeaacfoiflv, материалi, резистивньш, ч•
...росту удельно Изооретение относится к технологии изготовления радиодеталей и может быть использовано при производстве постоянных и переменных резисторов.Известный резистивный материал на основе тугоплавких соединений карбидов металлов 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, характеризуется высоким температурным коэффициентом сопротивления и узким диапазоном рабочих температур,Цель изобретения - снижение температурого коэффициента сопротивления и расширеие диапазона рабочих температур.Для этого в состав предлагаемого материала входят цитриды элементов 111 группы периодической системы (бора, алюминия), при этом исходные компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):Бор (алюминий) 1,5 - 4,5 Азот43 - 2,0Углерод...
Материал для композиционных резисторов
Номер патента: 347810
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бондаренко, Московский, Соколов, Юсов
МПК: H01C 7/06
Метки: композиционных, материал, резисторов
...диапазоном номиналов, значительным разбросом параметров и температурной нестабильностью.Цель изобретения - расширение диапазона номиналов резисторов, снижение температурного коэффициента сопротивления и повышение рабочих температур резисторов,Для этого в качестве электропроводящей компоненты взята смесь мелкодисперсных карбидов вентильных металлов, например карбида тантала и карбида ниобия, а состав композиции взят в следующих количественных соотношениях (вес. %):Карбид тантала 65 - 94,5 Карбид ниобия 5 - 0,5Связующее 30 - 5 Электропроводящая компонента, составлен тая из смеси мелкодисперсных карбидов тан тала и ниобия, обладает высоким удельных 2электрическим сопротивлением (1 ом млт 2 лт), мало изменяющимся прн изменениях...
Резистивный материал
Номер патента: 347811
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Павлов, Рудовол, Юсов
МПК: H01C 7/06
Метки: материал, резистивный
...текпроводя щев следующвес. %: Изобретение относится к области резисторостроения.Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе карбида кремния и керамическим связующим,Предлагаемое изобретение снижает температуру коэффициента сопротивления и повышает термостойкость резисторов.Описываемое изобретение отличается от известного тем, что резистивный материал выполняют с токопроводящей фазой на основе сложного карбида металлов 1 Ч и Ч 1 групп периодической системы, например циркония и молибдена, и связующим в виде алюмо-силикатно-боро-бариевого стекла.Содержание исходных компонентов т водящей фазы представлено в следую личественных соотношениях, вес, %:Цирконий 25 - 75Молибден 15 - 65 Углерод 8 - 15.Содержание компонентов...
Резистор объемного типа
Номер патента: 347812
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Павлов, Перевезенцев, Рудовол
МПК: H01C 7/06
Метки: объемного, резистор, типа
...низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов у и у 1 гру;ш периодической системы, В качестве металла Х 1 группы взят вольфрам, в качестве металла у группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес, %):Ниобий (вацадий) 10 - 95 Вольфрам 0,5 - 70Углерод общ. 4 - 20Углерод сноб. 0,1 - 2(например, алюмо-сил состава стекла) входит имущественно твердые Такая тугоплавкая 5 при пропускании тока температуры и при это рактеристик в течение эксплуатации. Для получения задан О водится следующий пр тивцого карбида (вес....
Термостабильный варистор
Номер патента: 347813
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Караченцев, Никитюк, Поташев
МПК: H01C 7/118
Метки: варистор, термостабильный
...как вязкость, пластичность) в неедобавляют 0,4 - 0,6% этилового спирта. Изприготовленной шихты прессуют заготовки ва 25 ристоров в виде таблеток различного диаметра (например от 8 до 25 млт) при удельномдавлении порядка 600 в 13 кг с,м. Затем полученные заготовки полимеризуют при 180 -200 С в течение 10 - 25 час. Выбор режимаЗО полимеризации смолы имеет важное значение,347813 Предмет изобретения Составитель А, Горбачев Текред Т. УсковаРедактор Л. Лаврова Корректор Е. Исакова Заказ 2596/11 Изд,1151 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Когиитста по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типографии, пр. Сапунова, 2 т. к. он влияет на стабильность и температурную зависимость параметров варисторов,Для...
Устройство для нарезания сниральной канавки на заготовках пленочных резисторов
Номер патента: 347814
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Веселое, Прахов, Фитасов
МПК: H01C 17/245
Метки: заготовках, канавки, нарезания, пленочных, резисторов, сниральной
...питатсль 2. Кроме того, при. волной механизм содержит электродвигатель .9 продольной подачи, приводящий в действие через однооборотную муфту 10 кулачок 11, обеспечивающий продольную подачу заготовки резистора.Шпиндельцая бабка 4 содержит каретку 12 с укрепленными на ней подпружиненными шпинделями 13 и 14 и электродвигатель 15, приводящий в движение шпинде.пи 13 и 11. Шлифовальная бабка 5 содержит электродвигатель 16, вращающий абразивный круг 17. С целью выявления дефектов режущей кромки абразивного круга и исключения брака спиральной канавки, шлифовальная бабка 5 снабжена датчиком колебаний 18 со щупом, которы контактирует с ре)кущей кромкОЙ аорязииого круга.Датчик колебаний 18 включен через усилитель 19 в цепь реле 20 отключения...
Способ контроля поверхности металлизированных оснований резисторов
Номер патента: 347815
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G01N 21/21, H01C 17/00
Метки: металлизированных, оснований, поверхности, резисторов
...и мо ет быть использовало в производстве резис оров. Известцые способы контроля поверхности металлизированных оснований резисторов, основанные на использовации поляризованного света, имеют недостаточную точность контроля и це предоставляют возможности их авгоматизации.Предлагаемый способ не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что производят поляризациоццый анализ интенсивности луча, отраженного от контролируемой поверхности, причем фазовые сдвиги компоцентов луча сводят к минимуму.Предлагаемый способ заключается в том, что поверхность исследуемой детали с помощью спиральной развертки освещают точечным лучом, диаметр которого соизмерим с размерами мицимальцых дефектов. Отраженный луч подается на фотоприемццк. На...
Токосъемное устройство
Номер патента: 349031
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Фролов
МПК: H01C 1/12, H01C 10/28
Метки: токосъемное
...осуществляющий указанную электрическую связь кольца с коромыслом, выполнен в виде выступа коромысла с отверстием, в котором проходит ось ротора, причем токосъсмное кольцо жестко закреплено на этом выступе,Предлагаемое устройство особенно эффективна прн применении его совместно со щеточным устройством, выполненным в виде двух качающихся рычагов, стягиваемых пружиной, охватывающих токосъемное кольцо. Такое конструктивное сочетание практически исключает влияние колебаний коромысла вдоль поперечной оси на равномерность контактного давления щеток.В результате пов ть токо съемного устройств о конструкция.На чертеже изображено предлагаемое токо- съемное устройство.Устройство содержит ротор 1, коромысло 2 и токосъемный ролик 3, сидящий на...