G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 1506480

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Солощенко, Степанишин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменной, магнитного, памяти, поля, резонансный, формирователь

...накопительными элементами в виде конденсаторов, тактовыеключи на транзисторах и разделительИзобретение относится к вычислительнои технике и может быть использовано в запоминающих устройствахна цилиндрических магнитных доменах(Пад)ные злементы в е диодов, о т и и- чающий с я ем, что, с целью упрощения резонансного формирователя вращающегося магнитного поля, оц содержит дополнительный ключ на транзисторе и разделительные трансформаторы, первичные обмотки которых подключены к коллекторам соответствулцих тактовых ключей и к положительной шине питания, крайние выводы вторичобмоток разделительных трансфорторов подключены к соответствующим катушкам ицдуктцвцости, конденсаторам и анодам четырех диодов, катоды которых подключены к коллектору...

Номер патента: 1513514

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Блюменау, Кашс

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: доменах, запоминающих, импульсных, магнитных, модулей, последовательностей, формирователь, цилиндрических

...20 на выходе дешифратора 1940 рование сигналов управления запоминающим модулем. Конкретная временнаядиаграмма этих сигналов зависит отсодержания блока 16, поэтому в качест"ве иллюстрации в таблице приведеносодержание блока 16 оперативнойпамяти при частоте поля, равной100 кГц и тактовой частоте на втором выходе генератора 6, равной10 МГц (х овначает произвольноеотличное от нуля значение), состветствующее временной диаграмме работы устройства в одностраничном режиме записи модуля типа К 1605 РЦ 1(фиг.З),50 импульсов, триггера 7 разрешения поля и счетчика 8 фаз поля не вырабатываются.При установленных значениях параметров работы формирователя его за 5 пуск производится путем записи в регистр 5 режима управляющего слова с единичным битом...

Номер патента: 1513515

Опубликовано: 07.10.1989

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, неоднородности, пленки

...фарадеевское вращение 6 практически не изменяется, Как следствие, изменяется эффективное поле 15 одноосной анизотропии Н=2 К/М. Поскольку диффузионный отжиг является локальным, то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине пленки, так и по диа метру ячейки. Как показывает опыт, при импульсном перемагничивании пленок феррит- гранатов из насьпценного состояния при превышении действующим полем Н=Н,-Н, эффективного поля одноосной анизотропии реализуется механизм перемагничивания вращением намагниченности, причем этот механизм явля ется наиболее "быстрым". Перемагничиваются области в доменосодержащей пленке, для которых Н к (Н, а области с Н 7 Н остаются неперемагниченными, Следовательно, местоположение границы...

Номер патента: 1513516

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Гаврилюк, Попов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носитель

...шины 4 и 5,Носитель информации изготавливают следующим образом.На диэлектрическую подложку 1 наносят известным методом магнитную пленку пермаллоя с коэрцитивной силой Нс = 2 Э. Затем с помощью фотолитографии Формирут из пленки пермал лоя колонки неразделенных друг от друга тонкопленочных однослойных маг нитных запоминающих элементов 2. ос ле этого наносят слой Фоторезиста, освобождают от фоторезиста поверхносФормула изобретения 30 оставитель Ю.Розентальехред Л,Олийнык Корректор Э.Лончаков Г,Гербе едакаказ 6088/52 55 дписное БН 1 ИПИ Государственного комитет 113035, Москва, по изобретениям и открытиям прн ГКНТ.-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,10 3 15135 участков...

Номер патента: 1513517

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Гаевский, Красин, Ксиров, Малаховский, Нецепляев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, структура, цилиндрических

...не покидает диск, перемещаясь вслое-носителе П 1 Щ в сторону вытравленной канавки 5, так как притягиваетсясмежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД,Изложенное можно пояснить следующимобразом. Энергия ЦМД - Е определяетсяформулой Е - энергия, связанная с полемрассеяния Ц 1 рЩ,Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и бе"ГА НаТ.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД подсмежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краюсмежного диска будет уменьшаться, таккак за пределами диска НА меньше. Таким образом, при повышении однооснойанизотропии под смежным диском ПМДбудет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает...

Номер патента: 1513518

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Голузинский, Логинов, Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, импульса, компенсации, момента, пленках, температуры

...компенсации момента импульса доменосодержащей пленки,П р и м е р. В качестве доменосо-, 40 держащей пленки использовали моно- кристаллические пленки феррит-граната составов ( Сй, Тт, В 1 ) (Ре ,Са )О (Тш, Вз.)(Ре, Са ),О Рассматривается реализация способа на пленке первого состава, имеющей следующие параметры при 20 С: толщина Ь = 14,б мкм, намагниченность насыщения 4 пМ =- 150 Гс, характеристическая длина 1 = 1,25 мкм, поле одцоосной анизотропии 2100 Эгиромагнитное отношение 1 = 5,710" Э сДля реализации способа использовали поляризационный микроскоп, электромагнит, генератор импульсов и стабилизатор температуры, Пленку помещали в электромагнит, находящийся на предметном столике микроскопа, дамены в пленке наблюдали благодаря эф...

Номер патента: 1520593

Опубликовано: 07.11.1989

Автор: Гловацкий

МПК: G11C 11/14

Метки: гловацкого, доменное, записи, запоминающее, информации

...и и п, При подаче тока достаточной величины в шине 5 с номерамип и ипроисходит деление магнитного домена в адресном канале с номеромМ- и, после прекращения подачи тока в шину 7, полосовой домен в адресном канале сжимается под аппликацию8 до размеров стабильного зародыше 3 О вого ЦМД, а в магнитостатическихловушках в петлях 10 разрядных шинс номерами и и побразуются двастабильных ЦМД, Далее подают ток втокопроводящую пленку 2, например,35 в направлении стрелки А, достаточныйдля образования под правыми краямиперфорации 3 магнитостатических ловушек, После этого прекращают подачутока в разрядные шины и ЦМД перемеща-.ется в запоминающую ячейку (под правые края перфораций 3), а после прекращения протекания тока в пленке 2домен переМещается...

Номер патента: 1520594

Опубликовано: 07.11.1989

Автор: Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: ассоциативного, информации, поиска

...6 и там остается, Остальные несовпавшие ЦМД проходят по каналу 11 и попадают в ограждение 20. Информация в коде признака в страйп-домене 15 располагается так, что старший разряд его стоит первым, а младший - последним. В связи с этим в последовательности ЦМД, поступающей в элемент 3 сравнения, первый ЦМД кодирует старший разряд, а последний - младший раз" ряд признака, соответственно, и код ключа подается, начиная со старшего разряда, Поэтому РЩ, попавший в ловушку 6, является самым старшим из несовпавших разрядов. Если при этом в ловушке 6 оказался ЦМД с состоянием 8 , то это значит, чтосамомФстаршем несовпавшем разряде значение кода признака больше по величине кода ключа. Если в ловушке 6 оказался ЦМД с индексом Б, то это...

Номер патента: 1522285

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Зайнуллин, Каримова

МПК: G11C 11/14, G11C 5/00

Метки: памяти, элемент

...Н , элемент памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг. 1), соответствующее точке лус тановки" петли гистерезиса на фиг. 3. При этом элемент памяти фактически является постоянным магнитом, так как направления намагниченности подложки 1.и пленки 2 совпадают, а магнитный поток замыкается по воздуху.При уменьшении магнитного поля до определенной величины Н,о, соответствующей точке "сбросапетли гистерезиса (фиг, 3) происходит пере 155 ,ключение элемента памяти во второе магнитное состояние (фиг. 2). При этом пленка 2 остается в намагниченном состоянии, а порложка 1 перемагничивается под действием размагничивающего поля в направлении, обратном направлению намагниченности пленки 2, обеспечивая минимум внутренней...

Номер патента: 1522286

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Бегагоина, Диженков, Козловская

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, модуля, памяти

...для фиксации доменосодержащего кристалла и прорези 11,в которые входят выступы 12 частиразъемной .Формы (фиг. 3) при заформовке компаундом.В разъемной форме предусмотренызнаки 13 (Фиг. 4) для Фиксации положения полиимидной пленки с размещенными на ней доменосодержащнм кристал.лом и внешними выводамй относительноЕ-образного основания.Изготовление модуля доменной памяти осуществляют следующим образом.Доменосодержащий кристалл 1 ивнешние выводы 2 приваривают к основаниям коммутационных проводников 4,сформированных на полнимидной пленке 3 (фиг. 1), методом ультразвуковой сварки. Узел, состоящий из кристалла 1 с ЦИД, внешних выводов 2 иполиимидной.пленки 3 с коммутирующими.проводниками 4, помещают в однуиз частей .разъемной формы 8 (фиг....

Номер патента: 1524090

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Клейменов, Кобыляков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, формирователь

...апираются ключи на транзисторах 1 и 2, ЭДС самоиндукции катушки 7 вы тынает отпирание диода 5и стабилитронл 11. Таким образом вкатушке 7 Формируется спадающий учлсток токаПостоянная времени спада тока определяется соотношением реактивного сопротинлетнтя катушки 7 и активного сопротттвлеттть цепи разряда, Напряжение цл стлнттлитроне 11 влияет наконечное усл 1 цие разряда и тем самым определяет длите.чьцость интервалавремени, в течегтие которого формируется спадающий участок тока, Приэтом устраняется так называемая1 11ступенька в форме тока и повышается его линейность в катушке 7 полявращения,В третьей четверти периода полявращения отпираются транзисторы 3и 4 и в катушке 7 формируется участок нарастания тока...

Номер патента: 1527667

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Васин, Кузьмин

МПК: G11C 11/14

Метки: возбуждения, вращающегося, доменной, магнитного, памяти, поля

...й(1 в), времени паузы междутоками разной полярности С 7 Й ), причем выполняется условия- Е 4. - Е, С = Ез- и- (сЕ вчастном случае 17 = С 8-0.Транзистор 62 работает в активномрежиме, который обеспечивается болееположительным напряжением на коллекторе (выход 32) по отношению к напряжению на базе транзистора.40В интервале времени й(1) транзистор 64 открыт, а высокое нанряжение питания Е я, поступает на выход 35(фиг.Зж). В интервале времени (г з)транзистор 64 закрыт и на выход 35 45через диод 65 поступает низкое напряжение питания Е (фиг.Зж). В интервале времени 1 З(16) линейный спад тока в катушке 57 (фиг,Зк) происходит,, через трансформатор 67. Благодаря под-, 0ключение вторичной обмотки трансформатора через диод 66 и источникунизкого...

Номер патента: 1527668

Опубликовано: 07.12.1989

Автор: Гловацкий

МПК: G11C 11/14

Метки: дешифратор, магнитный

...малую ширину в зависимости от дешифрируемого 30 кода данного расширителя, Например для первого расширителя доменов (верхний на чертеже) код, выбирающий его, равен 000, Поэтому этот расширитель выбирается при подаче тока блоки 35 ронки н шины хх х, а в шинах хх . . .х ток отсутствует, Для первого расши,ителя участки шин 4 для прямого кода хх . ,х имеют над расширителем малую ширину, а 40 участки щин 4 для инверсного кода хх, . ,х, - большую ширину, Малая ширийа шины 4 должна быть меньше критической, а большая ширина - соответственно больше критической, где критическая ширина шины соответствует значению, при котором протекающий по шине ток начинает блокировать расширение домена по расширителю домеций 5 вследствие возникновения...

Номер патента: 1527669

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Лесник, Матвиенко, Погорелый, Подьелец

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминания, информации, носителя, радиосигналов, устройств

...в энергию сигнала спинового эха, Информационная емкость такого носителя характеризуется произведением полосы рабочих частот Л Г и времени спин-спиновой релаксации ядерной намагниченности1 ГЗаказ 7516/55 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. ч/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Чувствительность носителя информации эквивалентна отношению Тз/1, где1 - амплитуда сигнала спинового эха;11 - интенсивность шума,Все перечисленные характеристикиносителя информации (ЛГ, Т , Тз) тесно связаны с особенностями кристаллической структуры ферромагнитного слояи более всего с его фазовым составоми степенью...

Номер патента: 1531161

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитооптического, пленки, пригодности, транспаранта, управляемого, феррит-граната

...получить в пленках с разным соотношением намагниченностей подрешеток в структуре граната. Обычно используют пленки, у которых М 1) М ,+ М , где М -М, и МД-намагниченности тетра-, окта- и додекаэдрической подрешеток граната соответственно. Однако высоким быстродействием обладают пленки с повышенным гиромагнитным соотношением, для которых М,сМ + МДля случаев М,1 ) М+ М и М,сМ+М знаки фарадеевского вращения в одинаково намагниченных пленках противоположны. Таким образом, при одновременном наблюдении в поляриэационном микроскопе доменной структуры в пленках, отвечающих этим двум случаям, действие внешнего магнитного поля Н приводит к затемнению или осветлению доменной картины в зависимости от того, к какой группе принадлежат аттестуемые...

Номер патента: 1531162

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Статейнов, Сухарев

МПК: G11C 11/14

Метки: годности, доменного, запоминающего, карты, устройства, формирования

...в катушках 3 индуктивности, блок 5 формирования импульсов записи и считывания информации, камера 6 тепла 35 и холода.Формирование карты годности для доменного запоминающего устройства осуществляют следующим образом.Осуществляют постраничную запись информации в одноименные позиции годных и дефектных регистров хранения запоминающих модулей, после чего считывают эту информацию при максимально допустимом температурном градиенте во внутреннем объеме запоминающих модулей.Устройство для реализации предлагаемого способа работает следующим образом.50После включения устройства с выхода термочувствительного элемента 2 поступает сигнал о температуре внут-, реннего объема модуля 1при этом формирователь 4 вырабатывает импульного способа содержит...

Номер патента: 1531167

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Гиль, Касяненко, Нестерук

МПК: G11C 11/14, G11C 15/02

Метки: ассоциативное, запоминающее

...не влияет на разряды регистров признака, не находящиеся в зоне дополнительных репликаторов-переключателей. 15В момент, когда на токопроводящую шину репликаторов-переключателей подается импульс тока вывода, разряды ассоциативного признака опроса поступают во второй дополнительный ре . гистр 18 вывода, а разряды ассоциативного признака информационной страницы - в первый дополнительный регистр 17 вывода. При этом информационная страница, находящаяся в том же адресном сечении, параллельно перемещается в основной регистр 12 вывода. Продвигаясь по дополнительным регистрам вывода, разряды ассоциативного признака опроса и ассоциативного призна ка информационной страницы, разряд за разрядом, поступают по второму 10 и четвертому 21...

Номер патента: 1536439

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Аникеев, Коростелева

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, индуктивности, катушек, памяти, формирователь

...является входом управления формирователя тока. Формирователь гозволяет сократить до двух число дорогих высокочастотных транзисторон для коммутации питающего напряжения. 2 ил. ого поля в доменных другие выводы катуш к коммутаторам 4 вь ктивности, каждый и т четыре ключевых эПри подаче на вход 10 управления ком мутатором сигнала выбора 0 в катушке, подключенной к данному коммутато- ру, начинает протекать переменный ток. В такте А открыт транзистор ЧТ 1 полумостовой схемы 1. Ток катушки 1 Протекает через ЧТ 1, катушку 2, диод 5, транзистор 9 и диод 7. В такте В транзистор ЧТ 1 закрывается, а спадающий ток Т протекает по диоду ЧР 2 полумостовой схемы 1, катушке 2, диоду 5, транзистору 6 и диоду 7. В такте С открывается транзистор ЧТ 2.В...

Номер патента: 1536440

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Аникеев, Коростелева

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, синхрогенератор, функциональный

...код в счетчике 2 не изменяется до состояния, соответствующего моменту сброса данного Функционального сигнала, По адресу, соответствующему этому коду счетчика 2, в БПП записывается двоичный код, который после дешифрации соответствующих разрядов в дешифраторе 4 вызывает на выходе 11 сигнал сброса Функционального сигнала, поступающий на вход еброса данного 0-триггера 6. Таким образом, момент появления на входе одного из дешифраторов 4 кода установки или сброса определяет изменение состояния соответствующего ФС; Формирователь 5 строба дешифратора подает сигнал 14 стробирования дешифратора 4 с задержкой, достаточной для завершения переходных процессов переключения счетчика 2 и БПП 3, Этим исключается появление коротких импульсов помех на...

Номер патента: 1538189

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферримагнитной, эпитаксиальной

...подреш одержащей лючается Суть изобретения затом, что обычно в запоройствах используютсявы которых не обеспечицию намагниченностей п минающих устленки, состанаучных иссл ают компенсадрешеток, т.е,рической подй намагниченелью из сть тетра ше суммар намагниченрешетки бо с декаэдричесающих устройррит-гранатов м отношением ой скоростью ескоии д В запоми ости октаэдричой подрешеток твах на основе ено б ышенным гиромагни ос,и ледствие о ся обратная менных стен аксии на ситуация,л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЩРЫТИПРИ 1 КНТ СССР ОПИСАНИ) СПОСОб ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИ ПОДРЕШЕТОК ЗПИТАК ОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИМАГ ) Изобретение относи ельной технике и мож ьзовано при контроле мации для быстродейс Изобретение относится к области вычислительной...

Номер патента: 1539839

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Кузин, Мелихов, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...оба режима движения 3 обратимый и не 45 обратимый. При достижении полем смещания величины объемной коэрцитивности Н, ДГ только деформируется в объеме пленки, а при достижении полем смещЕния значений Н ДГ начинает дви" гаться как целое.Обратимся к форме магнитооптического сигнала, отражающего реальный характер смецения ДГ во времени под действием пилообразного импульса однородного магнитного поля смещения Из фиг. 3 видно, при достижении по- лЕм смещения значения объемной коэрцитивности Н, появляется магнитооптический сигнал, обусловленный упругим деформированием ДГ, закрепленных на поверхности пленки. С дальнейшим ростом поля смецения процесс обратимого движения ДГ продолжается до тех пор, пока величина поля смецения не достигнет...

Номер патента: 1541672

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Андреева, Аникеев, Кожухов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти

...новой страницы данных из генератора доменов в регистр ввода доменной микросборки.После перехода устройства в состояние А разрешение на подсчет ТИ дается на разрешающий вход 62 программируемого таймера. В результате включается в работу второй вычитающий счетчик таймера 10, При обнулении второго счетчика таймера на выходе 60 появляется сигнал, устанавливающий в "О" триггер 95, т.е. устройство управления переходит в состояние Аз. Для операции стирания это состояние не обязательно и из Аз можно сразу переходить в Ао, Если выполняется операция чтения, то при переходе из А В Ана выходе 80 устанавливается разрешающий: сигнал для 11 ЗУ, позволяющий производить выводдаййых из выбранного доменного модуля в форматер 9 устройства управления. Обмен...

Номер патента: 1541673

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носитель

...которые содержат одинаковые 40ионы Ге", Вследствие этого носительинформации обладает высокой термостабильностью параметров в широком температурном диапазоне. Высокое быстродействие обеспечивается приложением 45постоянного магнитного поля в плоскости пленки НН где Н"- пороговое значение плоскостного поля,приблизительно равное 1 кЭ,Носитель информации работает сле 50дующим образом,Приложение поля ННс помощью постоянных магнитов 3 обеспечивает режим движения ДС с высокой скоростыю (Фиг,2 и 3), Движение ДС происходит при приложении переключающего магнитного поля с помощью токовыхуправляющих структур (на Фиг,1 не показаны),Состав пленки 2 выбирают иэ следующих соображений. При содержании Вменее 12 атома на формугьную единицуграната...

Номер патента: 1541674

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Иерусалимов, Ходжаев, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: домена, магнитного, полосового, стабилизации

...плен"ке области 1 с уменьшенной намагни,ченностью насыщения, охватывающей область 2 с исходной намагниченностьюпрямоугольной формы и помещение по,лосового магнитного домена 3 вблизиграницы этих областей в область сисходной намагниченностью, причем область с исходной намагниченностьюимеет ширину в 1-10 раз большую, чем 25ширина полосового магнитного домена.Предлагаемый способ стабилизацииполосового магнитного домена (ПМД)основан на том, что скачок намагниченности на границе областей с умень п,щенной и исходной намагниченностьюнасыщения обуславливает появление,магнитного поля, имеющего максимумвблизи границы в области с исходнойнамагниченностью насыщения 3 и образующего в области 3 потенциальную,ему, стабилизирующую...

Номер патента: 1543459

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Бедертдинов, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: ассоциативного, информации, поиска

...анализа "О", в третьи позицииничего не записывается. С выходовактивных репликаторов 7, работающихчерез число периодов, кратное трем,на входы 22 элементов 9 сравнения последовательно поступают анализируемыеслова ассоциативных признаков. Присовпадении разрядов признаков сразрядами ключа поиска в первой иэтрех позиций трехпозиционного кодана выходах 23-25 элементов 9 сравнения соответственно на входах расширителя 18 замены должны отсутствовать,При эгом "О" на выходе устройства(отсутствие ЦМД под датчиком 19)свидетельствует о том, что необходимое слово признака найдено, поискзакончен. При несовпадении хотя быодного иэ разрядов признака с соответ"ствующим разрядом ключа поиска в первой из трех позиций кода на выходеустройства будет...

Номер патента: 1550583

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Иерусалимов, Мельников, Ходжаев, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, информации, линиях, накопителях, памяти, считывания

...опублик. 1986. ТЫВАЫИЯ ИНФОРМАЦИИ ВПАМЯТИ НА ВЕРТИКАЛЬНЫХЯХ.е относится к вычислии может быть испольроении запоминающих е, реализующем предлвблизи верхушек 1 ПДсобой группу замкнуных регистров, по кВБЛ, расположена грпроводников 2 дляобеспечения локального изменения поля ,смещения, необходимого для движения верхушек 3 ПД. Проводник 4 служит для зарождения Ц 1 Щ 5, меандрообразные двухслойные проводники 6 - для вывода ЦМД и их последующего считывания. При необходимости считать информацию из ПД 1 в проводник 4 подается импульс тока, обеспечивающий зарождение ЦМД 5 в определенных местах напротив соответствующих ПД (Фиг. 1). Затем, подавая сдвинутые по Фазе импульсы тока в группу проводников 2, вызывают движение верхушек ПД 3 (Фиг, 2)....

Номер патента: 1550584

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферромагнитной, эпитаксиальной

...эпитаксиальной структуры (на расстоянии 20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиального наращивания пленки на таком участке за счет б.пее интенсивного пере1550584 Формула изобретения Составитель В.РозентальРедактор Е.Копча Техред МеХоданич Корректор М е Максимишинец Заказ 277 Тираж 483 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,01 медивания раствора-расплава на. периферии подложки, которая при эпитакси приводится во вращение со скоростью 100-200 об/мин. Увепичение скорости роста пленки феррит-граната всегда сопровождается...

Номер патента: 1550613

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Гловацкий, Темерти

МПК: G11C 11/14, H03M 7/00

Метки: дешифратор, магнитный

...поля рассеяния на расстоянииЬ от оси симметрии проводника 7,т.е. на уровне оси симметрии проводника б. Тем не менее, из фиг. 2 бвидно, цто, во-первых, всегда будутиметь место условия, при которых ве 50личина остаточного потенциальногобарьера (справа от проводника) будет много меньше глубины потенциальной ямы, образованной в канале расширения ЦМД путем подачи тока в шину5, а, во-вторых, видно, цто при предложенном размещении проводников можнодобиться экстремальных уровней компенсации нормальных компонент полей рассеяния и соответственно максимально возможного снятия препятствий(барьеров) на пути движения расширяющегося домена,На фиг. 2 в , показана картинараспределения нормальной компонентыНрезультирующего поля, обусловленного...

Номер патента: 1554809

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Зайнуллин, Зарипов, Каримова, Мансуров

МПК: A01D 46/18, G11C 11/14, H02K 21/38 ...

Метки: вращения, хлопкоуборочной, частоты, шпинделя

...силынизкокоэрцитивной;области 11, номеньше коэрцитивной силы высококоэрцитивной области 10,Известны различные конструктивныереализации элемента СЧПГ; бистабильный магнитный провод, состоящий изсовместно проволоченных и отожженыхкомпозитов, элемент памяти, состоящийиз проволоки и осажденной на нее магнитной пленки (например, проволокиВиганда, являющаяся монолитным образцом с образуемыми в результате термомеханической обработки областями сразличными магнитными характеристиками и т,д.).Корпус подшипника 8, соединенныйс направляющей ползушки колодки 9,внутренняя 12 и внешняя 13 колодкиявляются неподвижными относительновыбранной системы (хлокоуборочногоаппарата), Шпиндельный барабан 5 укреплен на вращающемся валу 14, проходящему внутри...

Номер патента: 1559378

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Дорман, Никонец, Сергиенко, Соболев, Шепилов

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, коэрцитивности, линий, подвижности

...гра" ницы, то, создавая резонансные усло" вия таких колебаний, можно осуществить переход ЦМД в плоский домен вследствие эллиптической неустойчивости кон"Фигурации ЦМД.По визуальному наблюдению перехода производят измерение р и Н с Длясэтого при двух Фиксированных частотахм, и Ы определяют амплитуду вращающегося поля Ни Нсоответственно,йЛ2с наступлением которых ЦМД растягивается в плоский домен, и из системыуравненийр,(Н- Н) =со, гр,(Н - Н,) = у гнаходят р, и Н,.Предлагаемый способ определениядинамических характеристик ВБЛ опробован на ряде ЦМД-содержащих пленокразличного состава. В частности, дляплен ки Л 1 В) з (РеСа) - О; ., имеющейтолщину -б мкм, намагниченность насыцения 2 С 1 Гс, поле эллиптическойнеустойчивости б 3,7 Э, Состояние...