Способ определения температуры компенсации момента импульса в доменосодержащих пленках

оюз советснихоциА лист ичесниРЕаЪБЛИН э в ц 4 С 11 С 11/14 60 И 00393 щ:ВП 1: - Юй 3АНИЕ ИЗОБРЕТЕН ляется упрощение способа, В соответствии с предложенным способом определение температуры компенсации моментаимпульса в доменосодержащих пленкахосуществляют следующим образом, Воздействуют на доменосодержащую пленкуперпендикулярно ее плоскости постоянным магнитным полем напряженностью(0,1-0,8)Н , гце Н, - поле коллапсадоменов, и плоскополяризованным светом, изменяют температуру пленки, воздействуют на локальную область доменосодержащей пленки импульсным магнитным полем, намагничивают зту областьдо насыщения регистрируют угол сносаполосовых доменов от перпендикулярак границе намагниченной и размагниченной областей после окончания импульса. магнитного поля и по темпераин род2. ления угла сносудят о темпетуре изменения напра са полосовых доменов ратуре компенсации и в доменосодержащей пл мента импульсенке. 4 ил. Изобретенильной техни намагниче ластей от фиг. 4 чения ги тносится к вычисл ры пленки; ь эффективн го отношени темпераависимо быть испольпоминающих ких магнитных ож г плени от темпВ соотв пособом енсации вляется упрощеком 1 еноествл щих пленках осим образом.ействуют на доперпендикулярнным магнитным(01 08)Но г содерж следую еносодержащуее плоскостолем напряже е Н- поле Возднку остоя ностью ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТпо изОБРетениям и ОтнРытиямПРИ ГННТ СССР(56) Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках.М,: 1973, с. 204-223.Крупичка С. Физика ферритов и ственных им магнитньгх окислов, Т.- М., 1976, с. 135-270.(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ КОМПГНСАЦИИ МОМЕНТА ИМПУЛЬСА В ДОМЕ - НОСОДЕРМЙЩИХ ПЛЕНКАХ(57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения явзовано при построении заустройств на цилиндричесдоменах (ЦМД)Целью изобретения яние способа.На фиг. 1 и 2 изображены доменные структуры в пленке после окончания импульса поля при температуре ниже и выше температуры компенсации момента импульса пленки; на фиг. 3 - зависимость направления угла сноса доменов от перпендикуляра к границе гной и размагпиченной обомагнитноературы.етствии с предложенпределение температомента импульса в д3 151351коллапса доменов, и плоскополяризованцым светом, изменяют температурупленки, воздействуют на локальную область доменосодержащей пленки импульсным магнитным полем, намагничиваютэту область до насыщения, регистрируют угол сноса паласовых доменов отперпендикуляра к границе намагничен-ной и размагниченной областей послеокончания импульса магнитного поля ипо температуре изменения направленияугла сноса паласовых доменов судят отемпературе компенсации момента импульса в доменосодержащей пленке, 15Суть способа состоит в следующем.Размагничивание доменосодержащейпленки осуществляется путем движенияпаласовых доменов от границы намагниченной и размагниченной областей, при.20чем эти домены благодаря действиюгиротропной силы двигаются под некоторым углом (углом сноса) к перпендикуляру, проведенному к границе намагниченной и размагниченцой областей. 25Направление гиротропной силы и, следовательно, направление отклоненияполосовь 1 х доменов (угол сноса) определяется знаком гиромагнитного отношения пленки. В то же время при температуре, равной температуре компенсации момента импульса пленки, происходит смена знака гиромагнитного отношения пленки, что вызывает измене-,ние направления угла сноса доменов.Этот факт и используется в техническом решении и для определения температуры компенсации момента импульса доменосодержащей пленки,П р и м е р. В качестве доменосо-, 40 держащей пленки использовали моно- кристаллические пленки феррит-граната составов ( Сй, Тт, В 1 ) (Ре ,Са )О (Тш, Вз.)(Ре, Са ),О Рассматривается реализация способа на пленке первого состава, имеющей следующие параметры при 20 С: толщина Ь = 14,б мкм, намагниченность насыщения 4 пМ =- 150 Гс, характеристическая длина 1 = 1,25 мкм, поле одцоосной анизотропии 2100 Эгиромагнитное отношение 1 = 5,710" Э сДля реализации способа использовали поляризационный микроскоп, электромагнит, генератор импульсов и стабилизатор температуры, Пленку помещали в электромагнит, находящийся на предметном столике микроскопа, дамены в пленке наблюдали благодаря эф 8фекту Фарадея. Импульсное поле создавали, пропуская импульсы тока через проводник диаметром 50 мкм, расположенный на поверхности пленки (фиг. 1 и 2)В размагциченном состоянии домены в пленке образуют лабиринтную доменную структуру с произвольным расположением доменов. Импульс поля, подаваемый в проводник, намагничивает локальную область пленки вблизи проводника. После окончания импульса поля происходит размагничивание этой области пленки движением паласовых доменов из размагничецной области пленки и из-под проводника. Формирующаяся при этом доменная структура имеет характерный вид (фиг. 1) и легко отождествляется. Отклонение паласовых доменов (появление угла сноса) от перпендикуляра к границе размагниченной и намагниченной областей (перпендикуляра к проводнику) происходит благодаря действию гиротропных сил на головки движущихся паласовых доменов. Направление гиротропных сил в соответствии с уравнением Ландау-ЛиФшицаГильберта определяется знаком гиромагцитного отношения пленки, Поскольку при переходе через температуру компенсации момента импульса происходит смена знака гиромагнитного отношения, то изменяется и направление отклонения полосых доменов (направление угла сноса), Это приводит к наблюдаемому визуально изменению направлений в доменной структуре (фиг. 2) и позволяет определить температуру компенсации момента импульса пленки (фиг. 3). В данном случае оца равна 57 С.Экспериментально установлено,что величина угла сноса увеличивается при приложении постоянного поля перпендикулярно плоскости пленки. Приложение такого поля облегчает установление направления угла сноса полосовых доменов в пленке. Оптимальная величина поля в зависимости от параметров пленки составляет (0,1-0,8)Н, где Но - поле коллапса пленки.Для проверки способа проведено измерение эфАективного значения гиромагнитного отношения пленки в зависимости от температуры способом ферромагнитного резонанса. В процессе измерения регистрировали производные5 1513 кривых поглощения СВЧ-излучения для двух ориентаций магнитного поля относительно кристаллографических осей доменосодержащей пленки, измеряли величины резонансных полей поглощения и по ним рассчитывали значение гиромагнитного отношения пленки при каж, дой температуре, На фиг. 4 видноочто при 55-60 С действительно наблюдается экстремум на зависимости.Способ позволяет значительно упростить процесс измерения, так как отпадает необходимость в регистрации и расшифровке спектров ферромагнитного резонанса.Формула изобретения Способ определения температурыкомпенсации момента импульса в домено содержащих пленках, основанный на воздействии на доменосодержащую 518пленку постоянным магнитным" полем и плоскополяризонанным светом и изменении температуры пленки, о т л и ч.аю щ и й с я тем, что, с целью упро" щения способа, воздействие на доменосодержащую пленку постоянны магнитнымполем напряженностью (0,1-0,8)Н где Н, - поле коллапса доменов, осуществляют перпендикулярно плоскостипленки, воздействуют на локальную область доменосодержащей пленки импульсным магнитным полем, намагничивают эту область до насыщения, регистрируют угол сноса полосовых доменов от перпендикуляра к границе намагниченной и размагниченной областей после окончания импульса магнитного поля и.по температуре изменения направления угла сноса полосовых доменов судят о температуре компенсации момента импульса в доменосодержащей пленке.15 3518 Составитель Н. Розентальактор Г. Гербер Техред Л.Олийнык Корректор О. Ципл при ГКНТ ССС ени кая Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 7-Ус