G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 377877

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Иванов, Ленивцев

МПК: G11C 11/14

Метки: всесоюзная

...обмотки тподключено к шине нулевоначало первичной обмоткитростатическим экраном.На чертеже показана схеустройства.Устройство содержит1, электростатический этор 8, формируоцую цтель 5 числовых импуль В период нарастания фронта импульса опроса и его спада в экране, благодаря аличию емкостцой связи между числовой линией и экраном, наводится помеха, ток которой протекает по одной из обмоток Ют трасформатора к земле. В этот момент времени цепочка 4, подключенная к источнику помех, формирует такой же по величине ток, который протекает по другой обмотке е трансформатора, только в обратном направлении. Таким образом магнитные потоки обеих обмоток компенсируют друг друга и сопротивление участка экран-земля для тока помехи имеет малую величину...

Номер патента: 377878

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающего, матрица, устройства

...металлические (диэлектрические) подслои, используемые для сглаживания неровностей поверхностей подложки; 4 - дискретные магнитные пленки; 5 - сплошная магнитная пленка; б и 7 - соответственно разрядные и адресные полосковые линии выборки; 8 и 9 - диэлектрические изоляционные слои.В предлагаемой матрице элемент с замкнутой магнитной системой образован дискретной магнитной пленкой 4, расположенной на одной поверхности подложки, участком сплошной магнитной пленки 5 на другой поверхности подложки, адресным 6 и разрядным 7 проводниками. Форма и размеры участка сплошной магнитной пленки, входящего в состав запоминающего элемента в предлагаемой матрице, определяются конфигурацией поля адресной полосковой линии выборки и поля рассеяния...

Номер патента: 377879

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гинцев, Рудковский

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: 377879

...1473 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/о Типография, пр. Сапунова, 2 другой группы характеристик матриц. Так, например, повышение порогового тока разрушения информации сопровождается нежелательными явлениями увеличения порогового тока записи информации, тока насыщения намагниченности пленочных элементов в трудном направлении, а также уменьшением амплитуды сигнала перемагничивания, Естественно, эти явления не могут не отразиться на технических характеристиках накопителя и запоминающего устройства в целом. Происходят они в основном из-за того, что осаждение и термомагнитная обработка немагнитных слоев осуществляется при температуре, превышающей...

Номер патента: 378964

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: емкостной, накопителе, помехи, тонкопленочном

...цепи можно подобрать так, что помеха от переднего фронта разрядного импульса запи3си 19 будет практически равна нулю и чистые импульсы емкостной помехи будут как на переднем, так и на заднем фронтах адресного импульса тока (этому также способствует наличие режекторного фильтра 5).Устройство работает следующим образом.Адресные 20 и разрядные 21 импульсы, соответствующие по своим параметрам и временному соотношению номинальным токам накопителя при его работе в составе запоминающего устройства, поступают соответственно в адресный провод возбуждения 2 и в разрядный провод д.Разность потенциалов между адресным проводом и разрядной линией в каждом их пересечении, образующем запоминающий элемент, обуславливает наличие некоторой емкостной...

Номер патента: 382145

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бушин, Литвишко, Остапенко, Панев, Пистолькорс

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...имеет следующие преимущества:а) магнитные слои расположены цепосредствещо ца плоских управляющих проводниках, поверхности которых можно придатьструктуру, обеспечивающую получение магнитных пленок с задан 1 ои свойствямц и темсамым пол ение матриц с однородными рабочнмц хяряктеристиамп;б) упрощает:я изготовление элемента, таккак не т 1 ебмстся наносить слой изоляциимежду процо:ццкямц и магнитными слоямиэлемента;в) изоляция прокладывается только междупроводниками, в результате чего уменьшается общая длина магнцтопровода элемента,а следовательно, уменьшаются адресные иразрядные токи,На фцг. 1 изображена конструкция предлагаемого устройства; на фиг. 2 - разрез поА - А ся фцг. 1; ца фиг, 3 изображена схеманямагци пвация элемента.Предлагаемое...

Номер патента: 410456

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G11C 11/14

Метки: 410456

...из запоминающего элемента 1, электрической подложки 2, числовых ш разрядных шин 4, токопроводящего основания 5, резисторов б и дополнительных шин 7.Считывание информации с накопителя осуществляется подачей импульса тока считывания в одну из числовых шин 3. Ток числовой шины 3 создает магнитное поле в зазоре между шиной и диэлектрической подложкой 2, совпадающее по направлению с осью трудного намагничивания запоминающих элементов 1 и постепенно убывающее за пределами числовой шины 3. Благодаря резистору б на конце числовой шины часть числового тока ответвляется в дополнительные шины 7 и создает поле, равное по величине и противоположное по направлению полю числовой шины 3, под шинами 7. В результате вычитания полей отсутствует...

Номер патента: 410457

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G11C 11/14

Метки: 410457

...магнитных пятен 4, 5 всех элементов выбранной адресной линии устанавливаются в направлении оси трудного намагничивания. Перед отключением адресного тока по разрядным линиям пропускают разрядный ток записи, полярностью которого определяется записываемая (О или 1) информация.В момент отключения адресного тока намагниченность магнитных пятен 4, расположенных внутри разрядных линий на одной поверхности электропроводящих участков подложки 1 под воздействием разрядного поля (в зависимости от записи в элемент О или 1) будет вращаться соответственно по часовой, либо против часовой стрелки. При этом намагниченность магнитных пятен 5, расположенных впе разрядной линии на противоположной поверхности электр опроводящих участков подложки 1, под...

Номер патента: 410458

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G11C 11/14

Метки: 410458

...в шину 3. Направление намагниченности запоминающих элементов 7 противоположно направлению намагниченности элементов 8. Напряженность магнитного поля, достаточная для переключения запоминающих элементов 7 и 8, создается в результате действия разрядных токов в шинах 3 и 4. Поэтому величина разрядного тока вдвое 10 меньше тока переключения запоминающегоэлемента. Изменение направления намагниченности запоминающих элементов производится изменением полярности токов на противоположную в шинах 3 и 4.15 Ток считывания, поданный в числовую шину2, создает магнитное поле, устанавливающее намагниченность запоминающих элементов 8 и 7, параллельно разрядным шинам. В момент поворота вектора намагниченности запомина ющего элемента 7 на шинах 4 и 3...

Номер патента: 410467

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: 410467

...пересчета 11 подключен к счетчику разрушающих импульсов 2, Схемы И 14 и 15 подсоединены ко второй схеме ИЛИ 16.Выходы схемы ИЛИ 16 связаны с входами первых разрядов дешифраторов адреса 24 и 25. Выход схемы НЕ 19 подключен к дополнительной схеме И 20, выход которой подсоединен к схемам ИЛИ 22 и 23. Выходы дещифратора зоны 21 подключены к схемам ИЛИ 22 и 23, выходы которых подсоединены к дешифраторам адреса 24 и 25. Выходы дешифраторов адреса 24 и 25 подключены к выходным шинам 26 и 27, связанным с соответствующими зонами контролируемой матрицы 8. Контролируемая матрица 8 подключена к блоку контроля 9.Устройство работает следующим образом.В исходном положении все триггеры устройства находятся в нулевом состоянии. Поэтому высокий...

Номер патента: 411520

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G11C 11/14

Метки: 411520

...магцитопленочцую пластину.Последовательность операций предлагаемо- зо го способа изготовления магнптопленочцых накопителей поясняется чертежом.Изготовленную известным способом ферритовую пластину 1 заливают расплавленным диэлектриком 2, например стсклом, так, чтобы при этом заполцялцсь пазы 3 с уложенными в них адресными проводниками 4. После затвердевация диэлектрик удаляют с поверхности феррцтовой пластины, например, посредством шлифовки до вскрытия поверхности пластины.При этом пазы 3 оказываются заполненными диэлектриком 2 вровень с поверхностью пластины 1,После этого выполняют завершающую операцию предлагаемого способа изготовленпя - на поверхность пластины со стороны пазов осаждают известным способом магнитопленочную...

Номер патента: 411692

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G11C 11/14

Метки: 411692

...9 и 10, образует точку памяти 11, причем ось легкого амагичивания обозпачепа стрелкой в паправлении Л. Проволпик 7 рассматривается как образующий липию слова, т, е. липгпо, вдоль которой написаны двоичные цифры слова информации (в обычпом смысле этого слова в числовом счислепип). Проводник 8 рассматривается как образующий столбец, т. е. является проводником, прямоугольным по отношению к первому и охватывающим столько линий, сколько слов может содсряаться в запоминающем элементе.Чтобы обеспечить считывапие слова па заданную линию 7, полают ток 1, которьш создает в подстилающей магнитной структуре мггцитцое поле Н цаправ.чецпость которого перпендикулярна цаправлецпости проволцика 7, следовательно перпепдикулярпа направленпости оси...

Номер патента: 415896

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: G11C 11/14

Метки: 415896

...так т, затухает примерно по показательной фуцкции.Благодар соответствующему определению продолжите,цпасти времени децствця импульса включения полей Нтолщине цакопитсль- НОГО с,чся 1, ст тякс тслцицс и птЗОВОдРз 10 стц цроводтшколз 2, 3, которые определяют постоянную времсцц затухания электрического тока гможет дсстигатьс та, что прсвышястся цсобходимая мини.дальняя Ве,тпчцна Н, составляющих магнитного силовага паля.Свободное считывание тсшфорзттц 1 ит происХОдИт СаатьсЕТСТВуаПГд Образат, КаГдя цяцапительцый слой 1 ц.дает цс састалцис цамягцичиваци -д- РЧ, а противоположное саста- ццс цамагцттчивсяцп 5 -- 1 з.11 акопец, должно быть рассмотрена записывание РцсрархЯПРР. Запцсывацце ттс 1 срзтг- ции может осущсствльс Рзвссзтть,...

Номер патента: 416758

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: 416758

...диэлектрические пленки 14 и 1 б, отделяющие алреспые шины 7 от разрядпоспгцальпой системы шин (8, 9 и 10).Отличительной особеппостыл дапноц конст. рукции является то, что в пеп:а) пст гальванических рсзъемпых контактов, б) провода с токами возврата нс охватывгют гпитогллспочпыс элем(.Ить, я роходят па цекотором отдалении от шин, пссущих прямые токи и в) вся система передрягиИ 1 БаО 1 цпх ццп являеся псрязъсмпои и мополип 10 Й. П 1 ти это толщипя дцэлсктрпчсской прокладки 18 долгкпЯ быть Оольшс;и.1 и )рявпо):)Якспмалыюму размеру магпитоплсцочного элсмспта. Это необходимо для того, чтобы снимать Возыоя(по большс ю )ясть полпоток ) агппторазомкиутого запоминающего элемента. Общеизвестно, что х)агпп)пое поле магнитопленочного элемента па...

Номер патента: 424232

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Демидова, Карый, Севериновский

МПК: G11C 11/14

Метки: выборкой, запоминающее, оперативное, числовой

...25 ратора соединены между собой через резисторы 9 - 13. В каждой группе величины сопротивлений резисторов равны между собой и величина сопротивления резисторов группы 9 -13 примерно на порядок больше величины со 30 противлений резисторов группы 14 - 18.Устройство работает следующим оо 1;азом.Если дешифратором производится, например, выборка числа, запоминающие элементы которого расположены под адресной шиной 5, то по этой шинс протскаст иму;1 ьс 1 Ока считывания 1-. Магнитное поло тпульса тока ;, создает в запомипаОщ 1 х элемсптах шссл, располо 2 кснных под иП 1 аи 4 и 6.:,агпппос поле помехи. Магнитное поле помехи совместно с магнитным полем импульса разрядного тока при хногократно новт 01 эснном ре:кмс за 1 1 с в запоминающие элементы,...

Номер патента: 427381

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Киреев, Переплётчиков, Страхов, Тер

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, запоминающий

...В результате повышедействие запоминающего блока.Изобретение, поясняется чертежо Запоминающий блок состоит из магнитныхматриц с адресными проводниками 1 и разрядным,шлейфом 2, содержащим проводники записи Л и проводники съема 4. Разрядный 5 шлейф выполнен на двустороннем фольгированном диэлектрике, например, стеклотекстолите. Проводники съема 4 имеют перекрестия.,В месте перекрестий разрядный шлейф 2 разделен на симметричные петли и изогнут.10 Между петлями разрядного шлейфа размещензамыкатель магнитного потока 5.,Поверх разрядного шлейфа 2 между перекрестиями проводников съема 4 и магнитной матрицей помещена металлическая пластинка б, например, из алюминиевой фольги, площадь которой пропорциональна величине разрядной...

Номер патента: 427382

Опубликовано: 05.05.1974

Автор: Изо

МПК: G11C 11/14

Метки: тонкопленочныхматриц

...одинаковым углом и устанавливают в пазы числовых линий под углом 180 один относительно другого, а разрядные линии соседних пучков соединяют зв проводниками, перпендикулярными продольной осн пучков.Способ сборки поясняется чертежами, На фиг, 1 изображен плоский пучок пленок, склеенных между собой; на фиг. 2 - резка пучка на отдельные матрицы; на фиг. 3 - ориентация матриц-пучков перед установкой; на фиг. 4 - соединение матриц- пучков.Способ сборки заключается в следующем.Провода 1, покрытые топкой магнитной пленкой, собирают в плоский пучок. Провода склеивают между собой лаком. Полученный таким образом плоский пучок разрезают на матрицы-пучки 2 заданной длины, прн этом линия разреза 3 проходит под углом к продольной оси пленок....

Номер патента: 434479

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Карый, Северинопский, Фли

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, магнитныхпленках

...11 - 15 инверсно. Группа резисторов 23 - 27 включена межЗо ду выходами 2 - 6 дешифратора 1 предпоследней ступени, а группа резисторов 28 - 32 и диоды 33 - 37 включены последовательно между выходами 2 - 6 этого же дешифратора и соответствующими входами дешифратора 10 последней ступени,В каждой группе сопротивления резисторов равны между собой, а сопротивления резисторов 23 - 27 примерно на порядок больше сопротивлений резисторов 28 - 32.Устройство работает следующим образом.Если, например, дешифратором 1 предпоследней ступени выбирается выход 4, а дешифратором 7 предпоследней ступени выход 8, то по цепи, состоящей из резистора 30, диода 35, транзистора 13 и шины 19, протекает импульс тока считывания 1 и, а по цепи, состоящей из...

Номер патента: 436390

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Гонглиашвили, Качухашвили, Коринтели, Мебуке, Микадзе, Нзобретенн, Симоновский

МПК: G11C 11/14

Метки: «"ггрvuis, й1ш(и, магнитных, накопитель, пленкахвптбёшщ, тонких

...адресной обмотки путем печатного монтажа.Диэлектрическую основу платы 1 несколькими последовательными этапами покрывают 20 слоем проводника 7 и слоем изоляции 8. Проводник имеет форму плоского витка, а количество витков в обмотке, нанесенной на плате, определяется количеством слоев проводника. Для изготовления таких плат можно 25 использовать обычную технологию многослойного печатного монтажа. Процесс изготовления позволяет получить одновременно все обмотки, расположенные на данной плате.Внешнюю поверхность многовитковой ад ресной обмотки покрывают Г-образным тонким пер маллоевым слоем, представляющим собой магнитный кипер 9, который сбеспечивает локализацию магнитного поля в пределах обмотки. Такой магнитный кипер дает...

Номер патента: 439016

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Сычев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, магнитного, накопитель, оперативного, устройства

...транзистора 8. Начало секции 1 и конец секции 2 числовой обмотки присоединены к точке подключения источника питающего напряжения 9 (паразитные емкости 10 связи между витками секций числовой обмотки и проводом 3 показаны на чертеже только для крайних витков). К концам провода 3 первого разряда подключен дифференциальный усилитель считываемых сигна 11 (усилители остальных разрядов наеже не показаны).При работе накопителя для считывания информации открывают коммутирующий транзистор 8. Считывающий числовой ток протекает через открывшийся транзистор 8 и через одинаковые токозадающие резисторы 7. Затем равные половины числового тока текут через секции 1, 2 числовой обмотки и попадают в точку подключения источника питающего...

Номер патента: 442513

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Белый, Шпади

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитный, накопитель

...напряжения от генера тора импульсов 4, подается через электрод ввода 9 на начальный участок 7 пленки 5. Халькогеиидпос стекло, расположенное под этим участком, переходит в проводящее состояние с (см. фиг. 2), а по окончании им. 10 пульса напряжения от генератора импульсов 4 - снова в иепроводящее состояние а.Ясно, что в этой области магпитпого накопителя выделится импульс тока, который формирует вокруг себя магнитное поле. Та кое дополпительь 1 ое манинос поле слевОт проводящего участка складывается с полем импульсов тока от генератора импульсов 4, , справа вычитается (см. фиг. 4). Следовательно, магпитая ипдукция В в ферромагнитной 20 пленке скачкообразно изменяется только справа от проводящего участка и участок ферромагнитной пленки,...

Номер патента: 444381

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Брюйер, Вален

МПК: G11C 11/14

Метки: выполнения, магнитной, пленках, структуры, тонких

...Такой диапазон температуры может, например, быть в пределах 100 в 2 С в указанных условиях изготовления комбинированного слоя антиферромагнитного слоя. Величина поля связи от спина к спину обоих материалов комбинированного слоя возрастает в зависимости от времени диффундирования марганца в жело-никелевый сплав, что становится очевидным при последовательных обжигах. Независимо от времени диффундирования граничные значения температур разупорядочения практи 5 1 О 15 20 25 зо 35 4 о 45 чески не изменяются, так как профиль внутренней диффузии между сплавом железо-никеля и марганца значителен и связь между материалами из железо-никеля и железо-никеля-марганца заключается в обмене между соседними спинами, и, следовательно, определяется...

Номер патента: 447756

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бережной, Крылов, Фуртичев, Шашко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, магнитопленочная, матрица

...4, стеклотекстолитовую прокладку 5, ррядные шины 6, ферритовый слой ферромнитного кипера 7 и пермаллоевый слой фермагнитного кипера 8.На фиг. 2 приведены кривые зависимо20 Я=ЯУ,), где У, - пороговое значениенала, Л - число запоминающих элеменматрицы, имеющих амплитуды сигналов, пвышающих данный уровень сигнала. Пэтом цифрами 9 обозначена кривая распр25 ления уровней сигналов с матрицы при рмагниченном ферритовом слое (пермаллоеслой отсутствует), 10 - кривая распределеуровней сигналов с матрицы при намагнином ферритовом слое магнитным полемзО (пермаллоевый слой отсутствует), 11 - к447756 1 вая распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое магнитным полем 50 э (пермаллоевый слой присутствует и плотно...

Номер патента: 451127

Опубликовано: 25.11.1974

Автор: Григорьян

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...каждой ЦМП пересекается в двух точках,Благодаря тому, что прямой и обратный провода числовых обмоток расположены в одной плоскости, значителыно облегчается монтаж накопителя и легко осуществляется многовитковый вариант числовых обмоток.11 ри этом количество переходов с одной стороны на другую у фолыгированной ленты А не увеличивается, а сохраняется равным двум на одну числовую обмотку.Предлагаемый накопитель позволяет применить известные методы экранировки полос,ковых числовых обмоток (киперы), что повышает плотность упаковки. Предмет изобретения Накопитель запоминающего устройства, содержащий цилиндрические магнитные пленки 5 и коордвнатные шины, расположенные междудвумя фольгированными лентами на эластич ной основе, и числовые...

Номер патента: 458881

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Алексашенко, Прохоров, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: дешифрации, доменах, магнитных, цилиндрических

...аппликации 12 - 15 (для прямых и инверсных значений входных переменных), каждая из которых охватывает концы соответствующих ферромагнитных аппликаций, размещенных параллельно каналу продвижения ЦМД, обрагценные в сторону источника доменов, и образует с аналогичными аппликациями других каналов элемент коллапсирования - зарождения доменов,По токопроводящей аппликации 11 пропускают ток. При этом зародышевый ЦМД растягивается в полосовой домен на площади кристалла, ограниченной токопроводящей аппликацией 11. В соответствии с кодом, записанным в регистре адресного слова, по однойРедактор Т. Рыбалова Корректор Л, Орлова Заказ 628/2 Изд. Юо 1077 Тираж 648 Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 из двух проводящих аппликаций, связанных с...

Номер патента: 461449

Опубликовано: 25.02.1975

Автор: Звягинцев

МПК: G11C 11/14

Метки: записи, магнитной

...элементов с проводниками выборки приводит к значительному потреблению энергии.Цель изобретения - уменьшение потребления энергии.Для этого в предлагаемом устройстве дискретные магнитные элементы выполнены в виде ленточных магнитных пленок, расположенных параллельно адресным проводникам выборки.На чертеже изображен один из возможных вариантов предлагаемого устройства.Устройство содержит разрядные проводники 1 выборки, укрепленные на первой диэлектрической подложке 2. Перпендикулярно к разрядным проводникам выборки расположены адресные проводники 3 выборки, укрепленные на второй диэлектрической подложке 4 и соединенные с адресным дешифратором 5, установленным на основании 6.Устройство содержит также электропроводящую подложку 7, которая...

Номер патента: 463144

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Бакрадзе, Басишвили, Долидзе

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: записи, информации

...записи информацииявляется установление вектора намагниченности в записываемом участке перпендикулярно или противоположно основному направлению намагниченности. Имеется ряд ферро 10 магнитных материалов, в которых возможноудержание таким образом записанной информации на микроучастках поверхности пленок, В частности, такими материалами являются кобальт, кобальт с добавками фосфора, сплавы никеля с железом с полосовой доменной структурой и др.Основным параметром, характеризующимпроцесс записи, является пороговое поле переключения структуры Н, В тех участках пленки, где внешнее магнитное поле превышает Н, происходит перемагничивание, т. е.запись информации. Протекающий в микро- проводнике электронный луч или ток, подводимый к проводящей...

Номер патента: 467404

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Замковец, Прохоров, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: дешифракции, доменах, магнитных, цилиндрических

...ных аппликаций 9 из магнитомягкого мате риала, вертикальные части которых размеще 30 ны параллельно каналам 4 - 7, соединены под467404 ван оставитель Е, Техред М, Се Корректор Н, Аук Редактор И,мено зказ 1665/3 Изд.1394 ЦНИИПИ Государственного комитет по делам изобретений Москва, )К, РаушскзТипография, пр, С унова,прямым углом с вертикальными частями Т-ооразных аппликаций 10 и вместе с последними составляют аннигиляторы, Шины управления А и Б пересекают аппликации 8 из магнитожесткого материала и направление их в ме сте пересечения изменяется на противоположное; через две прямоугольные аппликации 8 - для шины управления А и через одну прямоугольную аппликацию 8 - для шины управления Б.В соответствии с кодом, записанным в регистре...

Номер патента: 474050

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Звягинцев, Романцов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, кассета, устройства

...проводника 4 адресной полосковой линии,схемную часть обратного проводника 5 адресной полосковой лццш 1, диэлектрическое основание 6 адресных проводников, прямой проводник 7 разрядной полосковой лшии, съем ную часть обратного проводника 8 разряднойполосковой линии, диэлектрическое основание 9 разрядных проводников, несущее основание 10 съемной части обратных проводников адресных и разрядных полосковых лц ний, дешифратор 11, основание кассеты 12,прижимный механизм 13.Устройство работает следующим образом.Приводя в требуемое положение прижимной механизм 13, освобождают съемную 15 часть обратных адресных ц разрядных проводников 5 и 8 полосковых линий, расположенную на несущем основании 10. После снятия съемного узла, содержащего обратные...

Номер патента: 480112

Опубликовано: 05.08.1975

Автор: Шахнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...в каждом плече дифференциальной схемы выделения сигналов одинаковое число разрядно-считывающих проводников, соедмненных последовательно с немагнитными проводниками.На чертеже изображена конструкция предложсцного устройства.Разрядно-считьввающие проводники 1 в матрицах соединены последовательно и образуют два плеча балансной схемы, Последовательно с ними в каждое плечо включены немагнцтные проводники 2, Разрядно-считывающцс проводнпааи охвачены адресными шинами 3, а немагнитные проводники - дополнительными шинами 4. Разрядные импулвсьт тока записи ноступают с формирователя разрядных имлульсов 5. Отделение их от маломощного выходного сигнала производцтся в схеме выделения сигнала 6.рп ооращенци к адресной шине в одном нлече балансной...

Номер патента: 480113

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Савин, Шахнов

МПК: G11C 11/14

Метки: матрица, памяти

...- повышение плотности размещения информации. Поставленная цель достигается тем, что токопроводящие шины выполнены из гибкой тонкой металлической 20 фольги и укреплены на жестком основании с упругой прокладкой. Проволочные подложки с магнитным покрытием помещают между группами верхних и нижних токопроводящих шин, которые вследствие деформации 25 упругой прокладки охватывают проволочные подложки.На чертеже изображена предложенная матрица.30 Проволочные подложки с магнитным покрытием 1 размещены между верхней и нижыей гру.-.пой,плоских токопроводящих шин 2, выполненных из тонкой гибкой металлической фольги, закрепленной на жестком основании 3 с упругой прокладкой 4. Вследствие деформации упругой прокладки печатные токопроводящие шины...