Элемент памяти

СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИК 9)О 1) А 1 1 С 5 11/4 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГИПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОРСКОМ ТЕЛЬСТВУ Лф 42 нститут инжен зации сельско и Н .Р . Зайнулл8.8)3820090,опублик. 1974.тельство СССР1 С 11/14, 1984 54) ЭЛЕИЕНТ ПАМЯТИ57) Изобретение оительной технике осится к вычисможет быть исботке запоминающихбесконтактного ЭВИ и др. Целью я увеличение отха при считывании памяти содержит ано при р.а эра тв, устройст нформации в ения являетс сигнал/поме ции. Элемент пользо устрой ввода изобреношени информ И(72) Л.И. джаримова (53) 681.327.66(08 (56) Патент СНА Р кл. С 11 С 1/06,Авторское свиде Р 1241286, кл. С 1 коаксиально расположенные ферромагнитную подложку 1 в форме ленты изнизкокоэрцитивного материала (110 А/м) и электрохимически осажден -ную на нее высокоэрцитивную (8002000 А/м) пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 и пленка 2выполнены из материалов с ППГ, причем оси их легкого намагничиваниянаправлены вдоль длины элемента памяти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного состава (например,45 НПР-А, 8 1 КСР-А). Элемент памятисодержит также обмотку считывания,магнитосвязанную с подложкой 1 ипленкой 2, Длина элемента памятивыбирается таким образом, чтобы размагничивающее поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1, но было меньше коэрцитивной силы пленки 2, 1 з,п. ф-лы,Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающихустройств, устройств бесконтактноговвода информации в ЭВИ и др.5Цель изобретения - увеличение отношения сигнал-помеха при считывании информации,На фиг. 1 и 2 показано распределение намагниченности в элементепри наличии (фиг. 1) и в отсутствии(фиг, 2) внешнего магнитного поля Нна фиг. 3 - частная петля перемагничивания элемента памяти в однополярном магнитном поле И(Н).Элемент памяти содержит коаксиально расположенные ферромагнитныеподложку 1 в форме ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10) А/м и элек 20трохимически осажденную на нее высококоэрцитивную (800-2000) А/мпленку 2(например, кобальтовую). Подложка 1и пленка 2 выполнены из материалов сППГ, причем оси их легкого намагничивания направлены вдоль длины элементапамяти, Подложка 1 может быть выполнена из аморфного сплава (например,45 НПР-А, 8 1 КСР-А),1Элемент памяти соцержит также об мотку считывания (на фиг. 1 и 2 не показана), магнитосвязанную с подложкой 1 и пленкой 2.Длина элемента памяти выбирается таким образом, чтобы размагничивающее 35 поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1 но было меньше коэрцитивной силы пленки 2.Элемент памяти работает следующим образом. 40При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля Н , элемент памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг. 1), соответствующее точке лус тановки" петли гистерезиса на фиг. 3. При этом элемент памяти фактически является постоянным магнитом, так как направления намагниченности подложки 1.и пленки 2 совпадают, а магнитный поток замыкается по воздуху.При уменьшении магнитного поля до определенной величины Н,о, соответствующей точке "сбросапетли гистерезиса (фиг, 3) происходит пере 155 ,ключение элемента памяти во второе магнитное состояние (фиг. 2). При этом пленка 2 остается в намагниченном состоянии, а порложка 1 перемагничивается под действием размагничивающего поля в направлении, обратном направлению намагниченности пленки 2, обеспечивая минимум внутренней энергии. При этом в обмотке считывания наводится выходной сигнал.Структура аморфных сплавов, в отличие поликристаллических, характеризуется отсутствием границ блоков, зерен и других дефектов структуры, служащих источниками существования множества зародышей перемагничивания, которые способствуют разбиванию ветвей петли гистерезиса на ряд мелких скачков Баркгаузена. Поэтому возможно перемагничивание аморфной ленты одним единственным скачком Баркгаузена, которому будет соответствовать вертикальная отвесная ветвь ППГ и один явно выраженный выходной импульс. Так как амплитуда импульса зависит от диапазона скачкообразного изменения намагниченности, то при перемагничивании аморфного сплава с такой же остаточной намагниченностью, как и у поликристаллического, достигается увеличение амплитуды выходного сигнала. При этом ППГ и анизотропия достигаются за счет наведения магнитнойтекстуры при соответствующей термомагнитной обработке, и нет необходимости создавать упругиерастягивающие или скручивающие напряжения.Амплитуда выходного сигнала пропорциональна объему перемагничиваемой области при заданных значенияхнамагниченности и скорости перемагничивания, т,е, определяется площадьпленки 2,Для повьппения амплитуды выходногосигнала в элементе памяти увеличиватьтолщину пленки можно лишь до определенных значений (8-10 мкм), при превьппении которых нарушается механическая прочность, сцепление пленки 2 свнутренней областью и ухудшаются магнитные характеристики (ППГ и анизотропия, наводимые в пленке при ееосаждении в продольном магнитном поле), Поэтому увеличение площади сечения пленки 2 можно достичь лишь засчет увеличения периметра сечениявнутренней области, на которую онаосаждается, например, путем выполнения подложки в форме ленты с прямоугольным сечением, как это сделанов предложенном элементе памяти,515222856 и з о б р е т е н и я с я тем, что, с целью увеличенияотношения сигнал/помеха нри считываамяти, содержащий ко- нии информации, ферромагнитная подложенные ферромагнит- ложка выполнена в форме ленты из низ 5пленку из материалов кокоэрцитивного материала. формул а Составитель Ю,Розентальедактор И.Товтин Техред М.Ходанич Корректор Т Лал аказ 6970/50 Тираж 558 Подписное НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгор ул. гарина,1. Элемент иаксиально распоные подложку ис прямоугольной петлей гистерезиса, оси легкого намагничивания которых направлены вдоль длины элемента памяти, и магнитосвязанную с ними обмотку считывания, о т л и ч а ю щ к й 2. Элемент по п. 1, о т л и ч аю щ и й с я тем, что ферромагнитная подложка выполнена из аморфного сплава,