Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки

Номер патента: 1550584

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферромагнитной, эпитаксиальной

...эпитаксиальной структуры (на расстоянии 20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиального наращивания пленки на таком участке за счет б.пее интенсивного пере1550584 Формула изобретения Составитель В.РозентальРедактор Е.Копча Техред МеХоданич Корректор М е Максимишинец Заказ 277 Тираж 483 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,01 медивания раствора-расплава на. периферии подложки, которая при эпитакси приводится во вращение со скоростью 100-200 об/мин. Увепичение скорости роста пленки феррит-граната всегда сопровождается...

Номер патента: 134588

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Зорин, Шенброт

МПК: G01R 19/165, H03K 17/74

Метки: верхнего, значения, многоточечной, нижнего, обегающее, параметров, предельного, сигнализации

...34588са разности и импульса распределителя, ВыхОднОЙ импульс схемы совпадения используется для зажигания соответствующего светового индикатора, каждыЙ из которых выполнен на тиратроне с холодным катодомПредлагаемое обегающее устройство многоточечной сигнализации верхнего или нижнего предельного значения параметров отличается от известных применением для одновременной сигнализации верхнего и нижнего предельных значений двух тиратронов с общей цепочкой само- гашения, подключенной параллельно этим тиратронам и образованной последовательным включением конденсатора и активного сопротивления, что упрощает схему устройства и повышает быстродействие сигнализации.Действие ячейки сигнализации; составленной из двух тиратронов с холОдйЬм катодом с...

Номер патента: 1474737

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: дефектов, доменосодержащих, обнаружения, пленках, эпитаксиальных

...Раушская наб., д, 4/5 эоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,11 тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовыкдоменов (при отсутствии других полейсмещения). Доменную структуру можнонаблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованнымсветом. При подаче на эпитаксиальнуюпленку однородного постоянного полясмещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного,неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся вместе раздела двух систем доменов(радиально сходящейся полосовой ирадиально расходящейся из дефекта в.пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных...

Номер патента: 285619

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Веденеева, Всесоюзный, Факторович

МПК: E02B 8/06

Метки: бьефав, верхнего, воды, нижний, сброса

...воды вдоль 2 Б нижнего бьефа, что достигается расположением водоотводящего лотка вдоль нижнего бьефа и выполнения его с боковым сливом. Водоотводящий лоток может быть выполнен с продольной стенкой, имеющей в нижней ЗО части водосливные отверстия, причем одна нз продольных стенок водоотводящего лотка образует водосливной порог,На фиг. 1 показано предлагаемое устрой тво, продольный разрез; на фиг, 2 - то же, поперечный разрез,Прорезающие подпорное сооружение 1 водосбросные отверстия 2 примыкают к водоотводящему лотку 3, расположенному вдоль одного из берегов нижнего бьефа, Водоотводящий лоток выполнен с боковым сливом. Вдоль одного продольного ребра дна лотка расположена глухая стенка 4, а вдоль другого продольного ребра - стенка,...

Номер патента: 692617

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Боровинский, Давыдов, Доманский, Соколов

МПК: B01D 53/18

Метки: аппаратах, вертикальной, жидкостной, насадкой, образования, пленки, плоскопараллельной

...и Для.достижения поставленной цели в предлагаемом устройстве средство для распределения жидкости выполнено в виде двояковыпуклой линзы, закрепленной на верхнем крае орошаемой пластины насадки, над которой расположен отражатель, имеющей выпуклую форму, а подающее средство выполнено в виде ряда патрубков, установленных по ширине пластины и направленных под отражатель.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.В верхней части пластины 1 всей ее ширине установлена дво выпуклая линза 2, на вершине орой укреплен отражатель 3, Подача жидкости производится через патрубки 4, расположенные по нтипине пластины 1.Устройство раб следующим образсм. Перерабат ая жидкость через патрубки 4 тся в канал, образованный отра ем 3 и...