Способ изготовления модуля доменной памяти

(5) 4 С 11 С 11/14 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОДУЛЯ ДОМЕННОЙ ПАИЯТИ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрическихмагнитных доменах (ЦМД). Цель изобретения вповышение производительности изготовления за счет соединениядоменосодержащего кристалла и внешних выводов модуля между собой коммуИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД),Цель изобретения - повышение производительности изготовления за счет .соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов модуля между собой коммутирующими проводниками на полиимидной пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстроотверждающего компаунда. 2тирующими проводниками на полиимидной пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстроотверждающегося компаунда. В соответствии с предложенным способом доменосодержащий кристалл и внешние выводы, соединенные между собой коммутирующими проводниками, нанесенными на полиимидную пленку, помещают в литьевую разъемную форму, Сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают Е-образное основание так, что в выемке центральной части основания размещается кристалл, а в выемках на периферийных частях основания размещаются внешние выводы. Форму закрывают и осуществляют заформовку элементов модуля быстроотверждающимся компаундом. Использование данного спасо- фф ф ба изготовления позволяет обеспечитьС высокопроизводительную технологию и автоматизировать процесс сборки модулей памяти на ЦМД. 4 ил. На фиг. 1 показаны конструктивные элементы модуля доменной памяти до заформовки:, на фиг. 2 - чертеж Е-образного основания, состоящего из двух спрессованных плат, на фиг. 3 - часть разъемной формы с литниковым отверстием на фиг. 4 - модуль доменной памяти, изготовленный предложенным способом.Модуль запоминающего устройства на ЦМД (фиг, 1) содержит доменасодержащий кристалл 1, внешние выводы 2, размещенные на полиимидной пленке 3, 1522286содержащей матрицу 4 коммутирующихпроводников для соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов, Е-образное основание 5 с про 5резью б на торце центральной части свыемками 7 на периферийных частяхдля размещения внешних выводовф наФиг. 1 - часть. разъемной формы 8 с литниковым отверстием 9,ОЕ-образное основание (фиг. 2) имеет выемку 10 для фиксации доменосодержащего кристалла и прорези 11,в которые входят выступы 12 частиразъемной .Формы (фиг. 3) при заформовке компаундом.В разъемной форме предусмотренызнаки 13 (Фиг. 4) для Фиксации положения полиимидной пленки с размещенными на ней доменосодержащнм кристал.лом и внешними выводамй относительноЕ-образного основания.Изготовление модуля доменной памяти осуществляют следующим образом.Доменосодержащий кристалл 1 ивнешние выводы 2 приваривают к основаниям коммутационных проводников 4,сформированных на полнимидной пленке 3 (фиг. 1), методом ультразвуковой сварки. Узел, состоящий из кристалла 1 с ЦИД, внешних выводов 2 иполиимидной.пленки 3 с коммутирующими.проводниками 4, помещают в однуиз частей .разъемной формы 8 (фиг. 3,4).Сверху на этот узел устанавливаютпрочиое Е-образное осйование 5(фиг. 1,2,4), состоящее из двухспрессованных плат. Доменосодержащийкристалл 1 размещают в выемке 10основания,форму 8 закрывают второй частью ф(фиг. 4),стягивают,с помощью прессалитьевого автоматизированного устройства и нагревают до температуры130-140 С. Через литниковые отверстия 9 расположенные соосно с прорезью 6 в основании 5 (фиг. 1,3)впрыскивают быстроотверждающийся компаунд, нагретый до температуры на15-20 фС ниже температуры формы 8. Начальное давление вспрыска компаунда 50не превышает 5 Па, а к концу процес-,са оно плавно повьпшается до 20-25 Па. После окончания процесса желатиниэации через 5-15 мин форму 8 раскрывают и из нее извлекают заформованный модуль. Компаунд выполняет роль связующего конструктивные элементы модуля компонента, изолирует коммутирующие проводники на полиимидной пленке и защищает доменосодержащий кристалл от внешних воздействий и проникновения влаги.Таким образом, использование данного способа изготовления модуля доменной памяти обеспечивает повышение производительности изготовления и позволяет автоматизировать все операции сборки; сварку внешних выводов и контактов доменосодержащего кристалла с проводниками на полиимидной пленке и эаформовку всех элементов модуля путем литья быстроотверждающегося компаунда,формула изобретенияСпособ изготовления модуля доменной памяти, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в выемке, находящейся в центральной части Е-образного основания, защите основания и доменосодержащего кристалла изолирующими пленками, о т л и ч а ющ и,й с я тем, что, с целью повышения производительности изготовления, доменосодержащйй кристалл и внешние выводы, соединенные между собой коммутирующими проводниками, нанесенны" ми на полиимидную пленку, помещают в литьевую разъемную форму, сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают Е-образное основание так, что в выемках на периферийных частях Е-образного основания размещаются внешние выводы,апрорезь, . находящаяся на торце централь-. ной части Е-образного основания, размещается соосно,с литниковым отверстием в литьевой форме, форму закрывают и производят соединение Е-образного основания с полиимидной пленкой, доменосодержащим кристаллом ивнешними выводами путем заформовкибыстроотверждающимся компаундом.Заказ 6910/50 Тираж 558 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/ ри ГКНТ СССР 101 Производственно-издател кий комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагар