Патенты с меткой «домена»

Номер патента: 1316046

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Барьяхтар, Линник, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховской, домена, магнитного, пленке, простой, стенкой, феррит-гранатовой, формирования, цилиндрического

...граница ЦМД имеет простую блоховскую структуру (беэ ВБЛ).На фиг. 1 приведена зависимость полей коллапса Н , от температуры для ЦМД с различным числом ВБЛ для пленки (УЕп) (РеСа)0,эпитаксиально выращенной на подложке из ЮСаО, с ориентацией (111). Параметры пленки при комнатной температуре следующие; толщина Ь3,7 мкм, намагниченность насыщения 4 ВМ98 Гс характеристическаягде- гиромагнитное соотношение.Как видно из фиг,2, параметр ЦМД остается неизменным до некоторой температуры а затем скачкам уменьшается, Новое состояние доменной границы сохраняется в некотором интервале температур, а затем параметр Б снова скачком уменьшается и при температуре около 375 К все ЦМД преобразуются в домены с простой блоховской стенкой, для которых Б =...

Номер патента: 1541674

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Иерусалимов, Ходжаев, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: домена, магнитного, полосового, стабилизации

...плен"ке области 1 с уменьшенной намагни,ченностью насыщения, охватывающей область 2 с исходной намагниченностьюпрямоугольной формы и помещение по,лосового магнитного домена 3 вблизиграницы этих областей в область сисходной намагниченностью, причем область с исходной намагниченностьюимеет ширину в 1-10 раз большую, чем 25ширина полосового магнитного домена.Предлагаемый способ стабилизацииполосового магнитного домена (ПМД)основан на том, что скачок намагниченности на границе областей с умень п,щенной и исходной намагниченностьюнасыщения обуславливает появление,магнитного поля, имеющего максимумвблизи границы в области с исходнойнамагниченностью насыщения 3 и образующего в области 3 потенциальную,ему, стабилизирующую...

Номер патента: 1569754

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Ильчишин, Никонец, Семенцов

МПК: G01R 33/05

Метки: домена, магнитного, полосового, поля, свертывания, цилиндрический

...к магнитно обретение относ сьпценногоабиринтной т е н и я тного поля на в цив воздейолем сме- "1 и полярй воспри 0 Сл гистерезисныетандартной На чертеже приведе петли перемагничивани эпитаксиальной Феррит ки (ЭФГП) статическим Н ен нато олем смещ нит ерении тью ри изменении внешив ости. пленк ч я т л го поля корения процесс целью перем тем, что, определен из состоя ют пленк гнич ия одн отивоп я нас поля ожной Аикси ности в на лярности и н оле свертывания ия скоростью сприимчивост ют в моменменения ма пленки мак о стижтной ального значения ГОСУДАРСТВЕННЬЗЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫГИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯПОЛЯ СВЕРТЬВАНИЯ ПОЛОСОЦИЛИНДРИЧЕ СКИ(57) Изобретение может микроэлектронике и может быть использовано в...

Номер патента: 1654872

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Мелихов, Пащенко, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, верхушке, детектирования, домена, линий, магнитооптический, полосового

...Калибровка конкретного фотоприемного устройства для заданной частотыпеременного поля Н обеспечиваетнепосредственное определение числаВБЛ в верхушке ПД.П р и м е р. Иагнитооднооснаяпленка (У, В 1) (Ре, Са)0, толщиной9,8 икм с параметрами 4 Р 1 = 120 Э,Н, = 0,5 Э, 0 = 25, о = 0,3, /и =50 10 си/с содержит, полосовой домен. В верхушке ПД постоянным планарным полем Н = 12 Э, направленным вдоль ПЛ, закреплены ВБЛ, Переменное планарное ноле Н = 4,5 Э частотой 35 КГц, перпендикулярное ПД, вызьг вает колебание ВБЛ. Пленку помещают в стандартный поляризационный микроскоп К 1 Ни освещают поляризованным светом лазера ЛГ. Диаметр светового пятна в верхушке ПД 5 мкм. Сигнал- отклик регистрируют фотоприемным устройствои ОЭУи усиливают...