Бедертдинов

Номер патента: 1644227

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Бедертдинов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти

...в память блока 3 формирования фазовой и временной диаграмм заносится последовательность управляющих воздействий на функциональные элементы накопителя 10. В токовые элементы 12 подаются прямоугольные импульсы тока, причем пауза межтуды тока при известном значении опорного напряжения, которые позволяют определить диапазон возможных значений сопротивления шины соответствуюшего функционального элемента накопителя 10.В цикле функционального контроля в процессе работы устройства, синхронизируемой блоком 2, в накопитель 10 записываются и из него считываются кодовые последовательности, С помощью блока 4 формирования данных осуществляется перевод кодов из параллельной формы в последовательную при записи и из последовательной формы в...

Номер патента: 1543459

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Бедертдинов, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: ассоциативного, информации, поиска

...анализа "О", в третьи позицииничего не записывается. С выходовактивных репликаторов 7, работающихчерез число периодов, кратное трем,на входы 22 элементов 9 сравнения последовательно поступают анализируемыеслова ассоциативных признаков. Присовпадении разрядов признаков сразрядами ключа поиска в первой иэтрех позиций трехпозиционного кодана выходах 23-25 элементов 9 сравнения соответственно на входах расширителя 18 замены должны отсутствовать,При эгом "О" на выходе устройства(отсутствие ЦМД под датчиком 19)свидетельствует о том, что необходимое слово признака найдено, поискзакончен. При несовпадении хотя быодного иэ разрядов признака с соответ"ствующим разрядом ключа поиска в первой из трех позиций кода на выходеустройства будет...

Номер патента: 1501160

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Бедертдинов, Захарян, Колчанов, Красовский, Попко, Раев, Статейнов, Топорков, Федоров, Шотов

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: доменной, памяти

...входы второго дешифратора 7, Формируя на его выходе четыре последовательности импульсов,осдвинутых по Фазе на 90 и используемых для управления блоком 103 Формирователей вращающегося поляЧастота импульсов Г Г соответствует рабочей частоте ДИИ 101. Происходит включение управляющего магнитного поля и начинается работа ДИИ 101, Иультиплексор 14 в соответствии с управляющими сигналами 23 и 24 обеспечивает в зависимости от типа тестируемой ДИМ 101, выбор одной из четырех последовательностей импульсов Й, для синхронизации работы устройства. Синхроимпульсам Г устанавливается в единичное состояние триггер 95, на В-вход которого с выхода триггера 84 через элемент ИЛИ 93 поступает единичный уровень.Синхроимпульсы 1 поступают напервый (счетный)...

Номер патента: 1401517

Опубликовано: 07.06.1988

Автор: Бедертдинов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носитель

...потенциального рельефа. Этот рельеф возникает вследствие локальной анизотропии намагни. чен ности МДП 2, вызываемой напряжением в ее кристаллической решетке, которое создается нанесенными на ее поверхность фиксаторами 5 и 6. Позиции пары ВБЛ определяются знаком магнитострикции МДП. Для указанного на чертеже направления напряжений в МДП пары ВБЛ будут фиксироваться в областях, близких к середине полосы 5 и правого края полосы 6. Соседние позиции пар ВБЛ разделены потенциальным барьером. Продвижение пар ВБЛ в соседние позиции выполняются обычным образом, например, с помощью изменения величины поля смещения.Способ изготовления носителя информации включает нанесение на поверхность магнитострикционной доменосодержащей пленки слоя материала...

Номер патента: 1363305

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Бедертдинов, Раев, Смирнов, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопитель, цилиндрических

...21 и 22, при этомвыходы 21 и 22 элемента И-ИЛИ соединены с входами 8 и 9 элемента ЗАПРЕТ-И 6,В основе работы накопителя лежитизвестный метод управления продвижением ЦМД с помощью токовых аппликаций и подаваемых в плоскости магнитоодноосной пленки последовательностейтоковых импульсов, Токовые импульсы,проходя по токопроводящим слоям, образуют в них магнитные полюса, которые взаимодействуют с ЦМД и обеспечивают движение последних.Накопитель .работает следующим образом. В режиме ввода ЦМД в регистры хранения от генератора 13 через элемент 15 в регистр 7, состоящий из токовых аппликаций, поступает информационная последовательность ЦМД. После включения переключателей 5 эта последовательность записывается в регистры 4, образованные...

Номер патента: 1361625

Опубликовано: 23.12.1987

Автор: Бедертдинов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопитель, цилиндрических

...сторон от вывода имеются пазы 11 и 12, а концы шины соединяются со слоем проводника.Первый управляющий электрод 13 соединен с первым слоем проводника высокоомного участка шины, а общий электрод 14 соединен с первым, слоем проводника со стороны низкоомного участка шины. Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и общим электродом. Для выполнения участка 8 шины с повышенным сопротивлением по сравнению с участком 7 в нем выполнены отверстия 15. Датчик 16 ЦЩ расположен в конце канала продвижения ЦМД и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и являющегося расширителем.ЦМД. На участке 7 выполнен дополнительный паз 17.Накопитель работает следующим образом.При продвижении ЦМД по каналу первый и...

Номер патента: 1275542

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Бедертдинов, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...регистру,например, по часовой стрел" ке. Если необходимо реплицировать ЦМЦ для считывания без разрушений информации, то в момент времени, когда275542 2 10 13 20 2 30 35 40 45 ЦМД находится в накопительЯом регистре 7, т,е, под участком меандра 6,в проводник 4 подается импульс тока,обеспечивающий растяжение этого ЦМД в полосовой домен 8, первая верхуш ка которого находится, в регистре, а вторая - в канале ввода-вывода. Далее в проводники 4 и 5 даются,импульсы тока, обеспечивающие сдвиг второйверхушки по каналу за пределы участка 6, при этом полем .Нпервая верхушка также сдвигается за пределыучастка 6 и полосовой домен 9 в результате ориентируется поперек участка 6. Далее, в проводник 4 подаетсяимпульс тока, который...

Номер патента: 1112408

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Бедертдинов, Раев, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...цель достигается тем, чтов канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены изолированныеодин от другого токопроводящие слои, в каждом из которых выполнена основная группапериодически расположенных отверстий, вкаждом токопроводящем слое выполнена дополнительная группа отверстий, причем ось,5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 соединяющая центры отверстий дополнительной группы, расположена параллельно исмещена относительно оси, соединяющейцентры отверстий есновиой группы, на расстояние, равное- О диаметров ЦМД,На фиг.изображена конструкция предложенного канала для продвижения ЦМДс двумя токопроводящими слоями и прямоугольными отверстиями (возможны варианты выполнения канала с другим...