G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 483704

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Вергер, Карл-Хайнц

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: записи, информации, магнитный, накопитель, тонкопленочный

...импульсы 26 и 27 па шинах 8 и 23 снимаются, например, с источника тактовых импульсов (на фиг. 1 не показан) накопителя на тонких пленках, Управляющий импульс 28 получается прн записи едпничной информации из усилителя считывания и внешней информации из регистра записи (на фиг. 1 не показаны). Усилитель считывания связан с шиной 24, а регистр записи - с шиной 25 схемы ИЛИ 17. Если отсутствует управляющий импульс 28, то в соответствующую ячейку накопителя на тонких пленках записывается нулевая информация,Рассмотрим более подробно работу устройства в соответствии с временными диаграммами, показанными на фиг, 2.Управляющий импульс 27 на шине 23 включает транзистор 18, переводит этим стабилитрон 16 в проводящее состояние, благодаря чему...

Номер патента: 483707

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Балашов, Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, информации, неразрушающим, считыванием, элемент

...связанных сердечников на второй потери потокосцепления первого сердечника на со противлении цепи связи могут быть скомпенсированы за счет обратного изменения потока первого сердечника в конце его переключения по полному циклу. Для этого необходимо, чтобы амплитуда тока, переключающего 5 первый сердечник была больше некоторойкритической величины. Критическое значение амплитуды зависит от типоразмеров связанных сердечников и сопротивления цепи связи. 20 Предлагаемыи запоминабражен на чертеже.Запоминающий элементрующий сердечник (КС)сердечник (ЗС) 2, объедин25 витком связи 3, Обмотка срой протекает постоянныйКС. Выходная обмотка 5 рШина считывания 6, поимпульс тока считывания30 и ЗС.48307 Предмет изобретения Составитель Л. Шумиловедактор...

Номер патента: 486374

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Данилов, Жариков

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропных, вакуумной, конденсации, магнитных, пленок

...относительно источника паров магнитного сплава О так, чтобы пучок атомов падал под прямымуглом к боковому относительно направления двпжеия краю подложи и кондспсиру ют слой г 1 оловинпой толщины. Затем подложку располагают так, чтобы пучок атомов падал 5 под прямьи углом к прогпвоположпому краю,и кондснсируют второй слой, доращивающий пленку до требуемой толщины.Сочс а 1 ием двух 1 рпемоь конденсации сло.ев с псод;1 ородвым по площади полем анизоо тропин создается новый эффект - однородность поля анизотропии участков сплошных или дискретных пленок, расположенных на общей гОдчожкеОписываемый способ поясняется чертежом.25 Подогретая нагревателем 1 плоская полированная подложка 2 дважды продвигается вдоль силовых линий магнитного...

Номер патента: 486375

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Лапир, Редько, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...детектор поляризованного света. Запоминающие элементы расположены в узлах матрицы управляющих проводников 6 и 7, каждый из которъх имеет две 20 ветви 8, обхватывающие отверстие 11 вмаске,Симметрично относительно отверстия рав.енеи ферромагнитные пленочные аппликации 9 и 10.25 Предложенное устройство раоотает следующим образом.Храпение и запись информации в ЗУ осуществляется известными способами как в запоминающем устройстве с произвольным до.30 ступом.Заказ 3239/14 Изд. ЛЪ 1841ЦНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений113035, Москва, Ж.35, Рауш Тираж 648 Подписное Совета Министров СССР открытий кая наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Для считывания информации одновременно подаются токи по проводникам 6 и 7 выбранного...

Номер патента: 491154

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Савин, Шахнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, матрица, постоянного, устройства

...твистора в местах К недостаткам таких матриц памяти следует отнести необходимость в двухполярных импульсах считывания, невысокую плотность размещения информации в матрице и сложность конструктивно-технологической реализации подобных устройств,Целью изобретения является повышение надежности работы матрицы на твисторах и снижение потребляемой мощности.Поставленная цель достигается тем, что адресные шины выполнены таким образом, чтобы в запоминающем элементе, хранящем код 1, прямая и обратная ветви шины располагались с разных сторон твистора, что дает сложение полей проводов шины, а в запоминающем элементе, хранящем код О, прямая и обратная ветви располагаются с одной стороны твистора. При этом происходит взаимная компенсация полей...

Номер патента: 500544

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Карый, Севериновский

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...форми 35рователей 7, 10 и выходы дополнительныхформирователей 13, 16 подключены к разрядной шине 3, а выходы формирователей8, 11 и выходы дополнительных формирова 40телей 14, 17 - к разрядной шине 4.Устройство работает следующим образом,На входные шины записи 18-23 подаются сигналы кода записи, Блок управлениязаписью 36 вырабатывает сигнал, разре 45шаюший запись информации. Элементы И24-35 вырабатывают сигналы, запускающие соответствующие формирователи 6-17.Если на шины 18-20 поступает, например,код ф 111 ф, а на шины 21-23 код ОООО", тосрабатывают формирователи 6-8 положительных токовых пмпульсов и дополнительныйформирователь отрицательных токовыхимпульсов (амплитуда тока последнего, атакже всех остальных дополнительных формироват...

Номер патента: 504245

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Карый, Ремизов, Севериновский

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, оперативное

...и записи информации,Устройство работает следующим образом.С блока синхронизации 9 по шине " считыванне" 7 на вход блока 5 и на прямой входэлемента запрета 10 поступает сигнал считывание 12, а по шине " запись" 8 навход блока 6, и на инверсный вход элемента 10 поступает сигнал запись 13, Свыхода элемента запрета 10 на вход усилителя; 11 поступает сигнал "выход элементазапрета" 14. По сигналу 12 блок 5, в соответствии с кодом адреса, выдает в одну изадресных шин импуль адресного тока 15.На время действия сигнала 14, переднийфронт которого совпадает с передним фронтом сигнала 12, включается усилитель 11,Амплитуда адресного тока 15 при этомопрецаляется парамеграми блока. 5. Послеокончания действия сигнала 14 усилитель11 включается а...

Номер патента: 496956

Опубликовано: 25.02.1976

Автор: Стрелков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, магнитопленочное

...намагничивания, совпадающей с осью проволоки 1. После этого шина 6 с помощью переключателя 7 подключается к 4 источнику тока 9, полярность которого противоположна полярности источника тока 8, а величина тока недостаточна для перемвгничиввния проволоки 1, но достаточна для смещения доменной границы вдоль О этой проволоки. Процесс записи может быть начат сразу после подачи импульса запуска от генератора 14 в обмотку 13. В результате часть проволоки 1, охватываемвя этой обмоткой, перемагничивается в противопо 4ложном направлении, и в проволоке 1 образуется доменная граница, ко.орвя сразу же начинает распространяться вдоль проволоки 1 поц действием магнитного поля шины 6, создаваемого током источника 9. Информация на магнитной пленке 3...

Номер патента: 511880

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Рене, Хуберт

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, магнито-пленочного, подложка, устройства

...магнитнои памяти с тонкими магнитными пленками. Провод 2 выполняют из материала, хорошо проводящего электричество, например серебра, меди, алюминия. В данном случае этим материалом является сплав никеля с бериллием. Слой 3 спла ва никеля и олова на провод 2 осаждают у, но также изготовить элементыной памяти, Хотя только часть эторойства используется для изготовледложки, устройство описывается пол, так как подложка интересна имен, что ее можно применять для вы -ия элементов магнитной памяти.511880 3Провод 2, используемый для изготовления подложки 1, сделан из сплава меди ибериллия и имеет диаметр порядка 60 мк.Этот провод, намотанный на барабан 5,разматывается с барабана под воздействием ролика 6, смонтированного на валу...

Номер патента: 531191

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: анизотропные, записи, информации, магнитные, пленки

...быть больше поля аизотро. пии. В противном случае при уменьш 1 пти поля На ниже поля анизотропии рсзко увеличивается пол Нрз и соответственно резко уменьшается разность (Нрр - Нрз), определяющая допустимые прелель 1 изменения поля Нр Для считыван 1 я информации без ее разрушения амплитуда адресного поля долж. на быть меньше поля анизогропии.1 СД(=:( ИПИ Заказ 5422/126 Тир(аж 772 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, уд. Проектная, 4 Однако такой способ записи информации не позволяет осуществлять запись и неразрушающее считывание информации при одной и той же ампли. туде адресного поля, что приводит к невозможности организации накопителя по экономичной системе 2,5 Д (единственно возможным является применение системы 2 Д) и усложняет управление...

Номер патента: 532130

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...В то же время коэффициент 6 пропорционален ширине канала, поэтому ограничение величины а не повышает чувствительность считывающего устройства.С целью повышения чувствительности магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов в нем наклонный участок канала распространения доменов выполнен в виде гребенки с параллельными ветвями, оси которых расположены под углом 20 - 40 к оси легкого намагничивания магнитной пленки.На фиг. 1 и 2 изображены возможные конструкции магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов.Устройство содержит низкокоэрцитивный канал 1, предназначенный для управляемого распространения домена обратной намагниченности по высококоэрцитивной магнитной пленке 2 и...

Номер патента: 532133

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Беккер, Якобсон

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...изобретения явлеятсяплотности записи информации. В оп запоминающеи матрице это достигается тем,что в ней кипер выполнен из изоляционныхшайб, расположенных на ЦМП, торцы шайбпокрыты ферромагнитной пленкой с немаг 5 нитным зазором,На фиг. 1 показана описываемая матрица;на фиг. 2 - кипер.Описываемая матрица содержит ЦМП 1,разрядные шины 2, на которые нанесены0 ЦМП, адресные обмотки 3, охватывающиеЦМП, и изоляционные шайбы 4 с магнитным покрытием на торцах, расположенныхмежду адресными обмотками. Шайба выполнена из изоляционного материала с отверстием, имеющим диаметр, достаточный для свободного прохождения ЦМП, Торцы шайбы покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором а, необходимым для уменьшенияиндуктивности разрядных шин....

Номер патента: 533982

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...канала распространения плоских магнитных доменов, выходной участок которого выполнен симметрично относительно оси канала.На фиг, 1 и 2 изображены возможные конфигурации магниторезистивного устройства,Устройство содержит канал 1 распрострапения плоских магнитных доменов, расположенный в тонкой магнитной пленке 2 и имеющий выходной участок 3, симметричный относительно оси 4 канала. Ось канала направлена параллельно оси 5 легкого намагничивания пленки 2. Измерительный узел подключают к контактным площадкам б, 7 и 8, Два плеча симметричной структуры измерительного узла включают в измерительную схему как смежные плечи моста, причем контактная площадка 7, пересекаемая осью 4 канала, является общим контактом двух смежных плеч...

Номер патента: 533986

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов, Яценко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...киперами 2.Такая матрица характеризуется малой технологичностью,Цель изобретения - повышение технологичности запоминающей матрицы.Это достигается тем, что в предлагаемую запоминающую матрицу введены гофрированные листы изоляционного материала, образующие в одной плоскости параллельные друг другу трубчатые отверстия, в которых расположены разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, адресные проводники и магнитные киперы расположены на внешней поверхности гофрированных листов изоляционного материала. На фиг. 1 показана предлаганающая матрица; на фиг. 2 - сечна фиг. 1; на фиг. 3 - матрицана фиг. 4 - то же, общий вид.Запоминающая матрица содержит разрядные проводники 1 с ферромагнитной пленкой 2, помещенные в расположенные в одной...

Номер патента: 538420

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...с фотолитографии этих слоев.Поставленная цель достигается путем того, что в предложенном магниторезистивном устройстве для считьвания плоских магнитных доменов, содержащем расположенный в тонкой магнитной пленке участок низкокоэрцитивного канала распространения доменов, окруженный высококоэр. цитивным участком пленки и соединенный с контактными выводами, контактные вьводы выпол538420 2 иг. иг Составите Ю. РозентальЛикович едактор Л. Утехина ехред оррек каз 5724/3 Тираж 720 ИИПИ ГосударственногПодлисноенистров ССС омитета Сове изоб й и открыти по дел035, Мо 35, Раушская наб., д ква,илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 иены в виде высококоэрцитивных участков магнитной пленки, отделенных от остальной пленки изолирующими...

Номер патента: 538423

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Жучков, Ломов, Мочалов, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитная, памяти, ячейка

...токовых проводдля управления 5 и 6 различным образом: подками, между ними, над ними, - в зависимосзначения, условий работы и технологическихостей изготовления устройства,пластине 1 в присутствии постоянного поляя, создаваемого источником 3 и направленрепендикулярно к поверхности пластины,ромагнитной аппликацией 4, играющей рольстатической ловушки, находится домен 2.538423 ЦНИИПИ Зак дпнсное раж 7 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, чл, Проектная 3Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, и накладываемого на поле смещения, цилиндрический домен 2 начинает перемещаться в плоскости пластины в направлении 5 максимального уменьшения суммарного мапщтного поля, т. е. вдоль...

Номер патента: 550674

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Коренев, Петровых

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель, ферроакустический

...5, расположенные в спирали 2, тонкие магнитные пленки 6, поглощающий материал 7, магнитострикционные преобразователи 8 с контактными площадками 9. Дополнительная подложка 10 (см. фиг. 2) содержит вторую спираль 11 шины записи-считывания с контактными площадками 12 и 13.Подложки 1 и 10 в собранном накопителе расположены токопроводящими слоями друг к другу вплотную, причем токопроводящие слои изолированы. В токопроводящих слоях подложек 1 и 10 вытравлены спирали 2 и 11 шины записи-считывания, причем они расположены соосно и соединены встречно через центральные контактйые площадки 3 и 12.В радиальные пазы 5, прорезанные в первой спирали 2, уложены магнитные пленки 6, один конец которых закреплен в центре подложки 1 поглощающим материалом...

Номер патента: 552637

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Бухникашвили, Долидзе, Меркулова, Смирнов, Смирнова, Титова

МПК: G11C 11/14

Метки: записи, информации, магнитном, материаленосителе, термомагнитной

...моментов, до температуры выше точки ко,.1 енсаци вне области температурного гпстерезпса, а запись нулей производят при температуре термоста- О билизации импульсным магнитным полем,формула изобретения Составитель М. СухаревТехред А. Овчинникова Корректор Л. Брахнийа Редактор С. Заика Заказ 987/10 Изд,362 Тираж 769 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 совпадающим по направлению с полем записи.Таким образом, запись и стирание информации магнитными полями одной полярности осуществляют за счет использования явления разворота магнитных моментов при переходе через точку компенсации, а сохранение записанной информации...

Номер патента: 562865

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Жучков, Ломов, Мочалов, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...4. Перед экраном 10 расположен источник 11 поляризованного света, С другой стороны пластины 1 расположены анализатор 12,фотоприемник 13, выполненный в виде двухнезависимых светочувствительных элементов,выходы которых включены по дифференциальной схеме 14.Работа запоминающего устройства протекает следующим образом.Нулевое состояние ячейки характеризуется присутствием цилиндрического домена 2,формируемого источником поля смещения 3под свободным концом аппликаций 4, единичное - присутствием домена 2 под ее среднимуглом, а индикационное - под петлей 5. Запись едпни гной информации в выбраннуюячейку осуществляется с помощью последовательности токовых импульсов, поступающихв проводники 8 и 5 от дешифраторов 9 и 7.При этом полярность импульсов...

Номер патента: 566267

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Красноперов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...его распределение между струн, что может привести к возникновению локальных растягивающих напряжений и разрыву провода при его доформовке в зоне схождения струй.Цель изобретения ви выаение надежности слособа иэгото ленин матриц ЗУ на ЦИП.Это достигается что в способизготовления матриц а ЦИП, осно" З 0 ванномна плетении о к матрицы н566267 формула изобретения Фчв, ЛРозентальйчук Корре оставитель ехред Й.Анд Редактор Н.Разумов С.ямалова 29митета Советатений и открыкая наб.,. д. каз Подписноенистров СССРй Филиал ППП Патентф, г.ужгород, ул,Проектная, 4 технологических струнах путем пропускания провода через эев, образо" ванный взаимным смещением технологических струн, вводят в зев вместе с проводом ограничительный стержень, 5 регулируют зев...

Номер патента: 575696

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Прохоров, Федотов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, переключатель, устройства, цилиндрических

...образующим отвегвой) канап продвиЦМД 2 содержит гнитные аппдикап ным ферромагнит образуют два вхо а пр ижения ая шина распоп Один иэ известных перЯююаержит Т- и и юбраеные аппликация образуи два выходных канапапрУправпяющая токовая шинТ-образным эпементом,пяющийся (второй выходнжения ЦМД.Другой перекпючатепьТ- и %-образные ферромвкоторые вместе с ф-образным эпементом передачиных и два выходных канапЦМД, а управпяющвя токо жена над соответствующими позициями,фобраэного эпемента.Однако функционаньные воэможности таких перекпючатепей доменов ограничены, так как они только переводят информационные потоки ЦМД со входа на один иэ двус его выходов, Второй перекпючатепь имеет два входных и два выходных канапа продвижения ЦМД,но спожная...

Номер патента: 577564

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белкин, Корочков, Нахгальцев, Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...конструкция предлагаемого устройства ддя регистрации ЦМД,дано расположение магниторезисторных датчиков с МРД) относительно регистрируемогоЦМД, а также распределение радиальной компоненты поля рассеяния ЦМД в зависимости отрасстояния до границы домена.Известно, что эффект магнитосопротивления Ь///"с в пленке зависит от состава материала пленки, а эффективность МРД и величинавыходного сигнала определяются ддя данногосостава пленки и при прочих равных условияхвеличиной потокосцепления МРД с ЦМД, конструктивным исполнением МРД (формой) игеометрическими размерами (длиной) последнего. Как видно из чертежа, радиальная составляющая Н поля рассеяния ЦМД может20 перемагнитить не только средний виток, расположенный по границе ЦМД, но и...

Номер патента: 583479

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Прохоров, Сергеев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: дешифратор, магнитный

...позиции 14 и 15 расширителей доменов первого цикла дешифрирования а шина управления 8 охватываетдоменные позиции 16 и 17 расширителейдоменов второго цикла дешифрирования.Устройство работает следующим образом,В зависимости от того, при каком из двухвекторов управляющего поля (Н или Н)пропускается импульсный ток аннигиляциив управляющие токовые шины, на основнойрасширитель доменов 13 передается информация, поступающая только по одному извходных каналов дешифратора.Пусть необходимо передать информацию,поступаюшую по входу 3. Домены, продвигаюшие по каналам 3-6, растягиваются взполосовые домены на левых притягивающихполюсах аппликаций расширителей 9 первогоцикла дешифрирования при направ"енин вектора управляющего поля Н, Ток аннигиляции,...

Номер патента: 583481

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Белкин, Нахгальцев, Туманов, Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 19/02, G11C 19/08 ...

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...вдоль оси канала продвижения б 6 между соответствую шими торцами прямоугольных ФМЭ 2 и 3 20 симметрично отно ительно прямой, образующей ось канала продвижения ЦМД. Величина периода канала продвижения ЦМД определяется расстоянием между прямоугольными ФМЭ 2 и 3 и зависит от диаметра ЦМД. 25 Источником магнйтнэго поля управления яв ляются управляющие шины 7 и 8, расположенные над прямоугольными ФМЭ 2 и 3 симметрично относительно канвлв продвижения ЦМД. 30 Принцип действия устройства оноввн на последовательной генерации л агнитных полн сов на торцах прямоугольных ФМЭ импульсами тока чередующейся полярности, протеквюшего по управляющим шинам и создающего магнитное поле соответствующей поляр-. ности которое намагничивает прямоугольный ФМЭ...

Номер патента: 588559

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...1 магнитоодноосного материала, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 2, образующие пути 20 основного канала 3, дополнительного разветвленного канала 4, имеющего неразветвленную часть 5 канала, нижнюю ветвь 6 канала с элементом расширения 7, верхнюю ветвь 8 канала с элементом расширения 9, источник 25 доменов 10, а также элемент ограждения 11.Один из гальваномагнитных датчиков 12расположен над элементом расширения 7 нижней ветви, а другой гальваномагнитный датчик 13 расположен над элементом расшп рения 9 верхней ветви.Место магнитной связи 14 отстоит от датчиков 12 и 13 на одинаковом расстоянии. ЦМД 15 находится в основном канале 3, ЦМД 16, 17 находятся в дополнительном канале 4. Домены 15, 16, 17 содержатся в...

Номер патента: 591957

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Абрамов, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...следующим образом.По дополнительному перпендикулярному каналу 5 от источника ЦМД 6 на каждый период управляющего поля поступают домены 2, что соответствует поданной информационной единице,По основному информационному каналу 4 может поступать единица или нуль, выраженные соответственно наличием или отсутствием доменов в канале продвижения.В случае отсутствия домена в позиции В основного канала 4 домен, находящийся в позиции В дополнительного канала 5, беспрепятственно проходит в позицию Г, находящуюся в месте пересечения 8 каналов, и далее по позициям А, Б, В,дополнительного кайала проходит под дополнительным датчиком 1 О. Поле рассеивания ЦМД изменяет сопротивление датчика 10, На выходе мостовой схемы имеется сигнал 0...

Номер патента: 591958

Опубликовано: 05.02.1978

Автор: Красноперов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...25 Цель изобретения - повышение надежности изготовления матриц,Для этого формовку провода производят последовательно каждой парой соседних струн в порядке их расположения в направлении свободного конца провода, а струны при этом располагают веерообразно.На. чертеже показано расположен ментов устройства, позволяющего осупредложенный способ.Устройство содержит струны 1, процбд 2, ремизную рамку 3, упоры 4.При смещении ремизной рамки 3вверх (вниз) между струнами 1 образуется зев, в который вводится провод 2. Веерообразное расположение струн обеспечивается пропусканием половины подвижных струн в отверстия ремизной рамки. Эти отверстия располагаются по прямой, образующей угол с параллельными щелями на этой же рамке. Через параллельные...

Номер патента: 597005

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Гостев, Домин, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: адаптивный, запоминвающий, элемент

...домена обратной намагниченности (сриг. 2 В), который является вреди 5 м для работы устройства. При продолжении процесса продвиженияграницы в ту и другу)о торону, что часто бывает псооходимо прц работе адаптивного элемента, будут возникать все цовыс и нос)ые домены обратной намагниченности и будут существовать не одна, а несколько до)с"ПНР)х грации (например как это показано ца фиг. 2). )то приводит к тому, что отнощсние плоцадсй доменов с противоположными направлениями ндмдгничеццости усредцяется, все более стреми ся к единице в процессе адаптации и становится невозможным изменить его в сторону увеличения илп уменьшения. В итоге уменьшается диапазоп считываемых сигналов с адаптивно)о элемента, уменьшается число устойчивых состояний,...

Номер патента: 602994

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Ломов, Паринов, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/00, G11C 11/14, G11C 11/155 ...

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...разделенных слоем 4 из нел 1 агнитного материала, и подключенный одной стороной к общей шипе 5. К этой жо шине подключен магниторезистивный датчик 6 расположенный ио втором (нижнем ) ферромагнитном слое 7 у других копцов тех же полушевропов.Полушеироны 2 верхнего слоя расположены таким образом, что входят с зазором между полушевронами 8 нижнего слоя,Датчики 1 и 6 подключены по мостовой 20 схеме с помощью резисторов 9 и 10 к балансному усилителю 11 шинами 12 и 13. Ферромагнитные аппликации расширения и продвижения ЦМД расположены на разделительном немагнитпом слое 14, нанесенном 25 па магнитоодноосную пленку 15 с 0 МД 16, например эпитвксивльную феррит-гранатовую пленку, выращенную на нел 1 агнитном гранате 17. Источник питания 18...

Номер патента: 604031

Опубликовано: 25.04.1978

Автор: Райнхард

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитный, накопитель

...слой 4 и дополнительно нанесенный проводящий слой 5.На немагнитную упругую подложку 1 нанесено несколько параллельных и в одном направлении полностью насыщенных магнитомягких слоев 3, которые с помощью также немагнитного связующего слоя 4 электрически изолированы от несущего растра тонко 1 о магнитотвердого слоя. На слой 2 при помощи известных средств динамических магнитных запоминающих устройств наносится поперечная запись распределения амплитуд. Внешний магнитный поток рассеяния этой записи пронизывает магнитомягкие слои 3 и намагничивает их настолько, что сила поля выключения слоев 3 сдвигается позитивно или негативно, в зависимости от места, однако, не вызывает там перенамагничивания. С помощью проволочных витков слоя 3 возможно...