G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 951396

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Антонов, Пафомов, Петровых, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...5 записисчитывания, магнитные экраны 6 и контактные площадки 7. С помощью контакт ных площадок отрезки 1 соединяютсяпоследовательно, причем контактныеплощадки 7- 1 и 7-2 являются входом ивыходом накопителя.Устройство работает следующим об- зоразом.Импульсом стирания, подаваемым через контактные площадки 7- 1 и 7-2,носитель информации устанавливаетсяв исходное однородное состояние намагниченности. При записи в соответствующие шины 5 подаются импульсы тока, которые возбуждают одиночный ультразвуковой импульс, распространяющийся вдоль отрезков 1, магнитосвязанныхс данными шинами 5. В цепь записи через площадки 7-1 и 7-2 подается информация в виде последовательностиимпульсов тока записи. При этом отрезки 1, подверженные...

Номер патента: 953670

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...в ячейкупамяти используется дополнительнаятокопроводящая шина 6, в которуюподается импульс тока, направленный по часовой стрелке, если в ячейку нужно записать "1", или импульстока, направленный против часовойстрелки, если нужно записать "0".При этом ЦМД 2 в первом случае займет одну из позиций 1-4 внешнегомагнйтного контура, а во второмслучае - одну из позиций 1-4 внутреннего магнитного контура.Считывание информации .из ячейкипамяти может быть осуществлено либо Ж3670 4путем опроса позиции 1 - 4 внешнего контура, либо путем опросапозиций 1-4 внутреннего контура,Во втором случае считывается инверсное значение хранимой информации.Одновременно с выполнением перечисленных функций ячейка памятиможет быть использована для выполнения...

Номер патента: 955193

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Литвинов, Никитов, Шепшелей

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...(1000-2000 Л ) пленки диэлектрика. При считывании МСВ воз-: ЗО; бчждаются микрополосковым преобраэова955193 формула изобретения аж 622 Подписное э 6447 ВНИИПИ филиал ППП "Пате Ужгород, ул.Проектная,4 телем 3 и распространяются вдоль пленок 1 и 2 ЖИГ. Если в положении А ре" гистра 1 находится ЦМД, то под действием его магнитного поля в пленке 1 в локальной области с размерами 26 будут меняться магнитные свойства (внутреннее поле, дисперсия и т.д.). Магнитостатическая волна, распространяющаяся вдоль пленки 1, будет тормозиться в указанной локальной области, и ее фазовая скорость изменится. Если 10 бы домена в положении А не было, то волна распространялась бы от воэбужцающего к приемному электроду вдоль пленки 1 в течение времени...

Номер патента: 955199

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...то полярность импульсов должна бать такой, чтобы импульсное магнитное поле Нц, создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно гюлю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника импульсного магнитного поля.ННоюгде Н- поле эародышеобразования. Затем поле смещения снижается до величиныН ННгде Н- поле коллапса ЦИД в даннойпленке.55 При этом в области 2 образуется регулярная решетка ЦМД, плотность ко" постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиент ного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей...

Номер патента: 955200

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Абрамов, Розенталь

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...Б,. В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних,Переменная Х представлена наличием или отсутствием ЦМД во входном З 5 канале продвижения ЦМД 4, а переменная у - наличием или отсутствием токавшине 7 управления. ЦМД, поданный на вход .устройства, в соотВетствии с вращением вектора поля Й 9 пос ледовательно проходит по позициям А, Б, В и поступает в позицию Г, магнитосвяэанную с шиной 7 управлекия.При наличии сигнала У, запрещающего переход ЩЧД в позицию А второго основ:45 ного выходного канала б, ЩЩ переходит в позицию Б первого основного выходного к анала 5, и далее по позициям В, ГА поступает на выход устройства, на котором реализуется Функция ХУ. В отсутствие сигнала У 1 ЩЦ поступивший в позицию Г входного канала...

Номер патента: 955201

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Есиков, Хмелевский

МПК: G11C 11/14

Метки: блоков, памяти, сигналов, считывания, ферроакустических

...усилителей, входы которых подключенык выходам соответствующих блоков 15 вычитания.На чертеже показана схема устройства для считывания сигналов изферроакустических блоков памяти.Устройство содержит управляемыеусилители 1 и 2, детектор 3, аттенюатор 4 и блоки 5 и б вычитания, Выходы усилителей соединены с выходными шинами, входы блоков вычитания -с входными шинами.Устройство работает следующим образом.Последовательность импульсов напряжения с основного носителя ферроакустического блока памяти посту пает на вход блока 5, а последова- в955201 Формула изобретения Составитель В. КостинРедактор Н. Гришанова Техред Т.Фанта КорректорЕ, Рошко Заказ б 60 Тираж 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 959160

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...путем их разведения, формовке про водника технологическими струнами, перемещении .сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, располагают плоскость разведенных технолс-ических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, пос-, ле чего совмещают плоскости зева в зоне плетения.На фиг. 1 изображен проводник, положение в момент закрытия зева; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - последовательное...

Номер патента: 960951

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Манянин, Прудников, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: генерации, доменов, магнитных, цилиндрических

...локальное изменение магнитных свойств феррит-гранатовой пленки. Линейные размеры области и ее конфигурация определяются в каждом конкретном случае топологией соз-,6 О даваемого ЦМД-устройства. При приложении к Феррит-гранатовой пленке поля смещения необходимой величины все свободные страйп-домены .коллапсируют, и сохраняются только страйп домены 4 (полосовые домены), связан" ные с областью 3. Величина напряженности поля смещения выбирается в диапазоне больше величины поля при коллапсе свободных страйпов и меньше величины поля при коллапсе ЦМД.На фиг. 2 приведена форма применяемого импульса треугольной формы планарного поля и отмечены моменты вре мени T, в г в фазах подъема и спада амплитуды напряженности импульса Н+ с указанием Н...

Номер патента: 960952

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Дьяков, Ломов, Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...регистр 2 хранения информации. Вывод информации, если она находится в регистрах 2 хранения информации, осуществляется либо в левый регистр 3 вывода, либо в правый - 3 . Для этого .слово сдвигают до позиций перед переключателями 7 (7) и соответствующим возбуждением шины 9 (9 ) слово переводится в регистр 13 (13 ) обмена, из которого соответствующим возбуждением шины 14 (14 ) - в дополнительные регистры 4 (4) хранения, сдвигается до положения перед переключателями 8 (8) и возбуждением шины 10 (10) переводится в регистр 3 (3) ввода- вывода. По регистру ввода - вывода информация (слово) последовательно сдвигается в датчик б (б) считывания ЦМД и в виде последовательных сигналов появляется на шинах 12 (12 ). Перемещение информации во всех...

Номер патента: 963091

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Балашов, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...хранимой в ЗУ информации 1 О при этом не происходит вследствие того, что НМД, поступивший в позиции 2, продвигаясь по каналу 2, 3, заполняет дополнительную динамическую ловушку компрессора (в случае хранения "1" постоянной информации) либо, распространяясь по каналу 2, 3, 4, 5, 6, 7, поступает в первую дополнительную динамическую ловушку ячейки памяти.При считывании постоянной информации,20 хранимой по выбранному адресу, в соответствующую адресную шину Х( подается импульсный сигнал, полярность которогопротивоположна сигналу считывания оперативной информации При этом срабаты вают дополнительные переключатели ХЧ( вывода информации, в результате чего ЦМД из позиции 8 независимо от состояния частей ячейки памяти, хранящих постоянную...

Номер патента: 963092

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...нафиг. 4 - эпюры управляющих токов.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которойрасположены регистры 2 хранения информации из Т- и С-образных ферромагнитных 535аппликаций 3 и 4, Ч-образные ферромагнитные аппликации 5, расположенные между Т-образными аппликациями 3 смежныхрегистров 2, каналы 6 продвижения ЦМДи токопроводящую шину 7. Вектор 8 уп 40равляюшего поля вращается по часовойстрелке.ЗУ работает следующим образом,А. Режим переключения ЦМД из регистров 2 в каналы 6 продвижения 11 МД, 45На фиг. 2 показано расположение доменов в регистре 2 и канале продвиженияБМД 6. При положении вектора управляющего поля Н, показанном на фиг, 2 ,в шину 7 подается импульс тока длительностью, равной половине периода...

Номер патента: 963093

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: двухвходовых, доменах, и-запрет, логических, магнитных, цилиндрических, элементов

...в результате действия дестабилизирующих факторов, приводящих как к увеличению диа 40метра взаимодействуюих ЦМД (например при снижении величины поля смещения), так и к его уменьшению (например, при увеличении величины полясмещения),45В первом случае возможны следующие отказы в работе логического элемента:1 а. Поступивший в логический эле"мент ЦМД самопроизвольно отклоняется 50в отводной канал движения,1, б, Из двух поступивших ЦМД пеРвый только отклоняется в отводной канал, второй же продолжает движениепо предпочтительному каналу. 55Во втором случае могут возникнутьследующие нарушения работы логического элемента: 42 а. Поступившие входные ЦМД непокидают соответствующих предпочтительных каналов движения.2 б. Из двух поступивших ЦМД...

Номер патента: 963094

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Авинов, Галактионов, Карый, Севериновский, Чубаров

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, памяти

...29-31 амплитуды тока, например, резисторы, компенсирующие индуктивные элементы 32-34, например, дроссель, шунтирующие элементы 35 и 36,магнитопленочны элементы 37 памяти, разрядные шины 38На чертеже изображена также часть схемы запоминающего устрой ва - коммутатор 39 числовых шин с блоком 40 компенсации. Каждый из индуктивных элементов 32-34 последовательно с одним из ограничителей 29- 31 амплитуды тока подключен между входами рядом расположенных элементов 15-20 выборки смежных групп 1-4, например, элементов 18 и 19 групп 1 и 2, шунтирующий элемент 35 подключен параллельно первой числовой шине 5, а шунтирующий элемент 36 подключен параллельно последней числовой шине 14. Концы нечетных числовых шин 5,7 .,13 и начала четных...

Номер патента: 963095

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гомзина, Гришечкин, Зиборов, Игнатенко, Пучкова

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...для ЗУ на ЦМД содержит магнитоодноосную пленку,на которой расположены регистры 1 хранения информации, магнитосвязанные через обменные переключатели 2 с регистром 3 ввода-вывода информации, генератор 4 ЦМД, соединенный с началом регистра 3 ввода-вывода информации, конец которого соединен с детектором 5 ЦМД через элемент продвижения репликатора 6 ЦМД, и дополнительный регистр 7 ввода-вывода информации, начало которого соединено с началом регистра 3 ввода-вывода инФормации, а конец магнитосвязан с концом регистра 3 ввода-вывода через элемент связи репликатора 6 ЦМД. Накопитель работает следующим образом.,Запись информации в регистры хранения осуществляется от генератора 4 ЦМД через обменные переключатели 2. Информация, выведенная...

Номер патента: 963096

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Бегагоина, Диженков, Матросов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...в на" тяжении технологических струн, вплетении в них обмоток, заливке обмоток компаундом, сушке и извлечении технологических струн, на технологические струны при вплетении в них963096 4дотвращая тем самым нарушение изоляции обмоток матрицы и застревание те нологических струн в ее каналах. В отличие от жидкой смазки сухая смазка позволяет в дальнейшем при сборке матриц в пакет применять клеевые соединения без ухудшения качества клеевых швов. Составитель В. ВакарТехРед М.КоштУРа КоРРектоР Е. Рошко Редактор 8, Пилипенк аказ 7526/77 Тираж 622 ВНИИПИ Государственн по делам изобрет 113035, Москва, Ж, Подписноего комитета СССРний и открытийРаушская наб., д 4/ илиал ППП "Патент", г. Ужгор Проектна 3обмоток наносят сухую смазку, напри мер...

Номер патента: 963097

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Зельдин, Новожилова

МПК: G11C 11/14

Метки: аннигилятор, доменов, магнитных, цилиндрических

...этой аппликации - клинообразный выступ.Щель в ферромагнитной аппликации может быть выполнена в форме клина.3 96309На фиг. 1 и 2 дана конструктивная схема предлагаемого аннигилятора ЦМД.Аннигилятор ЦМД,содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположена ферромагнитная аппликация 2, магнитосвязанная с аппликацией 3 канала продвижения ЦМД, Буквами а-в обозначены положения доменных ловушек в различные моменты времени : а - .положение доменной ловушки, занимае мой вторым ЦМД в момент поступления первого. ЦМД; б- положение доменной ловушки, занимаемой первым ЦМД в момент его поступления; в - положение доменной ловушки в момент слияния 15 первого и второго ЦМД.Достигаемый в предлагаемом устройве эффект определяется разделением во...

Номер патента: 964732

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Беккер, Михайлова, Петрушина

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающих, магнитных, матриц, плоских

...силы магнитной пленки осуществляют путем формирования в поверхност.ном слое подложки участков с пористойструктурой, 5На чертеже представлена последовательность изготовления запоминающихматриц на ПМД в соответствии с предложенным способом,Сущность предложенного способа 1 Озаключается в следующемНа поверхность подложки 1 из стекла, содержащего легкорастворимые компоненты, например натриевоборосиликатное (НБС), проводят фотолитографию 2, освобождая от фоторезистаучастки 3 поверхности подложки, гденеобходимо создать высокое значениеНс магнитной пленки. Эти участки подложки выщелачивают в кислотах, например в соляной, для получения пористыхучастков 4 подложки 1. Затем на поверхность подложки с периодическойструктурой пористых...

Номер патента: 970467

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Балашов, Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...каналов продвижения ЦМД, а разряд второго слова, например а - в позиции 8 регист. 65 ра связи и основных переключателей 1 Ч ввода- вывода, откуда при подаче импульса тока положительной полярности в токопронодящую шину переключателей ввода-вывода они вводятся в регистры хранения.В предлагаемом накопителе для ЗУ помимо функции приема, хранения и выдачи данных выполняются логическиеоперации ЗАПРЕТ и КОНЬЮНКЦИЯ, которыеобладают свойствами функциональной полноты, а также операции правых и левых сдвигов.При выполнении операций праного илевого сдвигов считываемое слово выводится из регистров хранения в регистр связи и поступает .в позиции 9 одноименных дополнительных переключателей Х 11 ввода-вывода, откуда при подаче импульса тока...

Номер патента: 970468

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Водеников, Иващенко

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленок, цилиндрических

...сплава и обеспечивает изменение его химического состава и увеличение 3, до нулевого значения,магнитного сплава и дальнейший нагрев пленки до 200-250 С при термомагнитной обработке в инертной атмосфере или с защитным покрытием не приводит к изменению химического состава, так как диффузионные процессы при 5 указанных температурах за время прохождения пленки через печь не успевают оказать влияние на перераспределение компонентов слоя ферромагнитного сплава, 10На химический состав слоя ферромагнитного сплава наиболее эффектив" но воздействует температура электролита при осаждении ферромагнитного сплава. Поэтому целесообразно по результатам сравнения коэффициента маг нитострикции с эталонной величиной ,регулировать температуру осаждения...

Номер патента: 970469

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Казаченко, Королюк, Костылев, Кузнецова, Романов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...выбран ного запоминающего элемента устанавливается в одно из двух устойчивых Ь 5 состояний, которые соответствуют либо коду "1", либо коду "О",При считывании информации из формирователя тока запоминающего устройства в выбранную числовую шину 1 по". дают импульс тока, создакший магнитное поле, под действием которого вектор намагниченности выбранного запоминающего элемента поворачивается,ми шинами 1 и препятствует распространению магнитного поля выбранной числовой шины 1 на соседние запоминающие элементы, т.е. локализует действие данного магнитного ноля в зоне выбранного 33, Кроме того, при считывании информации часть магнитного кипера 3 образует цепь с наименьшим магнитным сопротивлением для заьыкания магнитного потока выбранного...

Номер патента: 982083

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Казаченко, Романов

МПК: G11C 11/14, G11C 8/00

Метки: адресной, блок, выборки, запоминающего, устройства

...12 импульсов выходы второгоформирователя импульсов 13 подклю"цены к концам первичной обмотки им"пульсного трансформатора 14, концывторичной обмотки которого соединены с входами клюцей 10 и 11.Блок адресной выборки работает50следующим образом,Для выборки одного из транзисторов матрицы и подачи тока в соот-; ветствующую адресную обмотку 3 от крывается один из ключей 10 и один из ключей 11, После включения второ- го Формирователя импульсов 13, имею" . щего низкое выходное сопротивление, напряжением с вторичной обмотки импульсного трансформатора 14 начинается заряд входных емкостей транзисторов 2, подклюценных к вь,бранной базовой шине ч. При этом постоянные времени заряда входных емкостей всех транзисторов 2, кроме выбранного,остаютсл...

Номер патента: 982087

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Манянин, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...способу размеры канала продвижения ЦМД и.период транспортной структуры не зависят от геометрических размеров элементов продвижения ЦМД, в частности проводника с током, а зависят только от свойств доменосодержащего материала и параметров импульсного тока. Вследствие этого, предлагаемый способ продвижения оказывается работоспособным практически во всем. интервале температур от 4,2 К до температуры Нееля используемого ЦМД-материала (за исключением интервала монодоменности в том случае, ког. да ЦМД-материал имеет точку компенсации Т, ).На фиг. 1 изображена гребенчатая доменная структура в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной границей между ними; на фиг. 2 и 3 - некоторые варианты кодировки информации (расположения ЦМД в...

Номер патента: 982088

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Зубаускас, Маркялис

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, поля, цилиндрических

...плотности, ионного токав пределах 0,01-4 мкА/см при по 2стоянной дозе имплантированных ионов, роИмплантацию проводят при Фиксированной дозе внедряемых ионов, а изменение поля коллапса осуществляют варьированием плотности ионного тока,Согласно существующим теоретическим 25представлениям изменение плотностииойного тока существенно влияет накинетику возникновения и коническуюплотность дефектов в облучаемомкристаллическом материале. 30Тип ионов выбирают в соответствиис целью имплантационного легированияданного гранатового материала. Энергию имплантируемых ионов определяютв соответствии с требуемой толщинойлегированного материала. Требуемуюдозу определяют экспериментальнымпутем. Плотность ионного тока нерекомендуется выбирать более 5...

Номер патента: 988200

Опубликовано: 07.01.1983

Автор: Эндру

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...электропроводящем слое определяет последовательность градиентов поля и,.тем самым, точное движение ЦМД в каждый момент. От.носительное размещение может быть таково, что отверстия в каждой паре могут .быть смещены относительно друг50 друга вдоль оси движения ЦМД, быть смещены в боковом направлении по отношению друг к другу или иметь как первое, так и второе смещение вместе,Накопитель для запоминающего устройства работает следующим образом.Ввод ЦМД в накопитель осуществля" ется с помощью генератора 8 ЦМД,возбуждаемого с помощью источника 9 импульсов тока. Считывание ЦМД в накопителе осуществляется после их предварительного растяжения ромбовидным расширителем 10 ЦМД с помощью тонкопленочного магниторезистора 11, сигнап с которого...

Номер патента: 991505

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Кузин, Никонец, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...в результате их магнитостатического взаимодействия к образованию ЦИД и в конечном итоге к формированию решетки цилиндрических. магнитных, аоменов. При необходимости изменений амплитуды и длительности импульсного магнитного поля, а также при необхо- бО димости изменения эоны формирования решетки ЦМД к доменсодержащей пленке требуется дополнительно приложитьвнешнее поле смещения, направленное параллельно оси легкого намагничиваю 65 Технико-экономические преимущества предложенного способа заключаются в значительномупрощении существующих устройств формирования решеток ЦИД, в ускорении процесса формированиями в значительном расширении эоны формирования решетки ЦИД; в снижении энергоемкости устройств, использую-. щих реше.тки ЦМД. Формула...

Номер патента: 991506

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Довгий, Сиренко, Субботина, Ходосов, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменами, информации, магнитными, магнитооптического, носителей, параметров, цилиндрическими

...конная надежность, обусловленная неод- тактно связанной с конусообразной нородным давлением, оказываемым на втулкой, шток механически связан структуру узлом давления. ,с опорной шайбой через отверстияв станине и стопорной гайке, а катушки Гельмгольца механически связаны С концентратором в областиразмещения предметной шайбы.На чертеже показано устройстводля магнитооптического измерения 5параметров носителей информации сцилиндрическими магнитными доменами,разрез.Устройство содержит катушки 1Гельмгольца, станину 2, .стопорную 10гайку 3, шток 4, опорную шайбу 5,концентратор 6, конусообразную втулку 7 и предметную шайбу 8, в которойможет быть установлен носитель инФормации в виде диска эпитаксиальной феррит-гранатовой...

Номер патента: 995124

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...которой сформирован канал продвижения ЦМД 3 ввиде последовательно расположенныхнеимплантированных смежных дисков 4Токовая шина 5 имеет прямоугольныйучасток б, размеры которого превышают период канала 3, Край ЪБ участка б пересекает границу. одного нздисков 4 в единственной точке В, Токовая шина 5, соединенная с токопроводящим слоем 7, подключена к импуЛьсному источнику тока 8, Пленканаходится во вращающемся плоскостноммагнитном поле, создаваемом источЗ 0 ником 9В качестве тока проводящего слоя7 на поверхности дисков 4 может бытьоставлено проводящее покрытие, используемое в качестве маски при проведении ионной имплантации.Работа предлагаемого генератораЦМД осуществляется следующим образом.При подаче импульса тока- надлежащей полярности...

Номер патента: 997098

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Борисов, Брагин, Зайончковский, Козлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающих, магнитных, устройств, цилиндрических

...ЦМД проводится имплантация ионов в 5 приповерхностный слой доменосодержащей пленки с последующим термическим отжигом при температуре, меньшей температуры эпитаксиального наращивания. Это приводит к существенному уменьшению ростовой анизотропии и тем самым Фактора качества в приповерхностном слое из-за установления статистического распределения редкоземельных ионов по додэкаэдрической подрешетке феррограната вслед ствие резкого увеличения скорости дифФузии, стимулированной большим числом вакансий, созданных в результате ионной имплантации. При этом ростовая анизотропия и фактор качест-о ва на остальной глубине эпитаксиальной пленки остаются практически неизменными, так как указанные параметры существенно снижаются только в случае...

Номер патента: 999106

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Домин, Мазо, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: матрица, обучающаяся

...происходит управляемое сползание доменных границ в тонких магнитных пленках и общее изменение в них суммарной намагниченности, которая отождествляется со значением записанной информации, Сползание доменных границ в ту или инуюсторону в тонких магнитных пленках 1(вправо или влево) определяется полярностью импульсов поля, и существует возможность направленного изменения в сторону увеличения или умень. 6 4щения общей суммарной намагниченности тонкой магнитной пленки. Если та или иная тонкая пленка находится под действием только переменного или только постоянного магнитного полей, то сползания доменной границы не происходит и, следовательно, хранимая в такой тонкой магнитной пленке информация остается без изменения.Считывание информации...

Номер патента: 999107

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...продвижение ЦМД осуществляется с помощью 2-.образных аппликаций, расположенных в регистрах,хранения и в канале продвижения ЦИД,находящихся на смежных, магнитосвя-.занных 2-образных аппликациях(Фиг. 2 с 1 8) При следующем поворотеуправляющего поля на 90 ф ЦМД приходят только на массивные ковшеобраз-.ные части 2-образных аппликаций(фиг. 2), Такой переход доменов происходит вследствие неравнозначностимагнитных полей аппликаций наводимых полем управления Н 1 у, магнитное полемассивной аппликации, притягивающее домены, намного больше магнитного поля аппликации с нормальными размерами. Б. Вывод информации из регистров На Фиг. 30- д показаны этапы продвижения доменоВ О 1, О,1 и О в регист/ р рах 3 и в канале 2 продвижения ЦИД.При вращении...