Хавич

Номер патента: 1513517

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Гаевский, Красин, Ксиров, Малаховский, Нецепляев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, структура, цилиндрических

...не покидает диск, перемещаясь вслое-носителе П 1 Щ в сторону вытравленной канавки 5, так как притягиваетсясмежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД,Изложенное можно пояснить следующимобразом. Энергия ЦМД - Е определяетсяформулой Е - энергия, связанная с полемрассеяния Ц 1 рЩ,Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и бе"ГА НаТ.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД подсмежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краюсмежного диска будет уменьшаться, таккак за пределами диска НА меньше. Таким образом, при повышении однооснойанизотропии под смежным диском ПМДбудет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает...

Номер патента: 1300561

Опубликовано: 30.03.1987

Автор: Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...для продвижения ЦМД.Каььал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которойпоследовательно расположены пермаллоевыеэлементы 2 в форме несимметричных полудисков, у которых приемные перемычки3 выполнены большей длины, чем передающие перемычки 4, и расположены под углом я=43 - 47 к оси канала, причем зазор о между смежными несимметричными 5полудисками 2 равен среднему значениюди ам етра ЦМД г.Указанное расположение элементов 2 поотношению к оси канала позволяет минимизировать расстояние между приемной 3 ипередающей 4 перемычками, которое в данном случае равно ширине зазора о (илидиаметру ЦМД д), что примерно в 1,8 раза меньше, чем в прототипе. В результате этого градиент магнитных нолей рассеивания увеличивается в 1,8...

Номер патента: 1112407

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Киселев, Орлов, Сидоров, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, кристаллах, органического, основе, поверхности, полимера, разделительного, рельефом, сглаженным, слоя, формирования

...к деструктуризации токопроводяших аппликаций на основе сплава ал юминий - медь. с уменьшением их устойчивости к токовым импульсам, а также к разрушению ионно-имплантированного доменосодержащего слоя, и вызывает возникновение жестких ЦМД, имеющих поле коллапса существенно большее, чем поле коллапса нормальных ЦМД,Целью изобретения является повышение надежности формирования разделительного слоя путем снижения температуры термообработки.40Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования разделигельного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимерадоменосодержаших кристаллах, основанному на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей...

Номер патента: 1089626

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Выгоцкий, Ильяшенко, Киселев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...при работев режиме переноса информации,Горизонтальный балочный элементслужащий приемной частью устройствав режиме переноса, отстоит от горизонтального участка С-образногс элемента на расстоянии 2-2,5 номинального диаметра домена, Такое расстояние необходимо для предотвращениярастяжения домена между горизонтальным балочным элементом и С-образнымэлементом ц режиме пассивнсго прохождения, Это приводит к необходи -мости увеличивать длину участка проводниковой шины между горизонтальнымучастком С-образного элемента до 4номинальных диаметров домена, вследствие чего увеличивается сопротивление проводниковой шины переключателя и ухудшаются энергетическиехарактеристики устройства, 1089626Цель изобретения - снижениепотребляемой мощности и...