G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 911619

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ломов, Самров, Скобелин, Статейнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, поля, приборов, формирователь, цилиндрических

...канала продвижения (фиг. 3). Магнитное .поле управления Й в зависимости от формы токов 11 и 1 имеет определенный годограф 1 О (фиг. 2-4).Каждый элемент или узел прибора на ЦМД . и весь. прибор в целом характеризуется минимальным годографом 11 функционирования, определяемым как минимальное значение 6 при каждом угловом положении, необходимым для функционирования данного элемента, узла илиприбора (Фиг. 3). Формирователь работает следующим образомПротекающие в катушках 1 и 2 токи создают магнитные поля Ни Н , Так как катушки ортогональны, то и Й Й. Мгновенное значение Н = к 11. При определенной конструкции,к = к, 55 Предлагаемое устройство позволяет для приборов на ЦМД, в которых плоскость .рабочего кристалла находится под углом (90 с) по...

Номер патента: 911620

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Грабенко, Калинович, Олейник

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитопленочной, матрицы

...в связи с их малой упру 43 гостью, особенно при нагревании выше температуры .стеклования полимера, эта зависимость существенна, Полимерный подслой используется в состоянии с фиксированной минимальной упругостью, достигаемой нагреванием до размягчения, Регулировка же величины поля анизотропии осуществляется путем изменения толщины пленки.На .фиг. 2 показана часть матрицы: магнитная пленка 1 толщиной О,термопластичное покрытие 2 подложки,подложка 3, при выключенном магнитном поле, комнатной температуре и несфор.1 мированной аниэотропии. Через Р 1 обозначена минимальная толщина, воз/ можная для данного носителя информации.формирование анизотропии происходит следующим образом.На размягченном слое не происходит торможения деформации...

Номер патента: 911621

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Киселев, Козленко, Котунов, Нам, Николаев, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...конструкцияпредлагаемого запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первыйслой 2 диэлектрика, управляющиетоковые шины 3, второй слой 4 диэлектрика, доменопродвигающие аппли-,кации 5, немагнитный разделительныйслой 6 и пленочный постоянный маг-,нитУстройство работает следующим образом.Пленоцный постоянный магнит 7 состава Зв(Со, Ре), нанесенный наразделительный немагнитный слой б,например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем поле до уровня, обеспечивающего приприменяемой толщине слоя .6 величинуопорного поля в магнитооднооснойпленке 1, соответствующего примерносередине области существования ЦМД,Этим создается условия для функционирования...

Номер патента: 912064

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Джеймс, Питер, Ю-Ссу

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...1 в канале определяет направление распространения ЦМД. Использование предлагаемых ферромагнитных элементов допускает возможность наличия дефектов и изменение зазора 4 (фиг. 1) между элемен тами и предусматривает меньшее количество элементов на период канала для продвижения ЦМД.Устройство работает следующим образомПусть дчя определения вектор поля уп.20 равления Нч вращается против часовой стрелки и занимает последовательно положения А, В, С и Д. Соответствующие положения растянутого ЦМД на элементе 1 изображены на фиг. 2 - 5. Переход ЦМД с одного элемента 125 на соседний происходит под действием удлиненного притягивающего полюса, возникающе го на этом элементе (фиг. 2). Форма ЦМД (степень его растяжения) зависит от положения домена под...

Номер патента: 917211

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Мелихов, Нецветов, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: генерации, доменов, магнитных, цилиндрических

...рас . положены параллельно плоскости магнитоодноосной пленки, а центры круговых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитоодноос 5 ,ной пленки. аНа чертеже изображена конструк- ция устройства для генерации ЦМД, используемого для осуществления предлагаемого способа. 30устройство для генерации ЦМД содержит немагнитную подложку 1, иа которой размещена эпитаксиально выращенная магиитоодноосная пленка 2, содержащая домены. На укаэанной пленке 2 расположен петлевой проводник 3любой известной конструкции, позволяющей генерировать цилиндрический магнитный домен в месте расположения петли, и изолирующий слой 4, на котором сформирована круговая обклад- ка 5 конденсатора, Вторая обкладка...

Номер патента: 920837

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитной, образования, пленке, структуры, тонкой

...стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного...

Номер патента: 920838

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...записи ЦМД с шиной 25,Шины 23 и 25 соединены последовательно и заканчиваются выводами 26 и 27, а работа генераторов разделена по времени друг относительно друга на 180. щью ферромагнитных аппликаций и вращаю щегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющегося магнитного поля, а также с помощью токопроводящих шин и подаваемых по ним импульсов тока.Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса А, Б, В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.Запоминающее устройство работает следующим образом.Перед началом работы по выводам 26 и 27 и шине 24 генератора 22 подают импульсы тока, зарождают ЦМД, и заполняют, таким образом, единицами все ячейки первого дополнительного 5 канала продвижения ЦМД, В...

Номер патента: 920839

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Гловацкий, Зельдин, Смолов, Шумилов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, модуль

...6 ЦМД, дешифратор 7, накопитель 8 с произвольной выборкой информации, ге.- нератор 9 ЦМД, регистр 10 сдвига ЦМД, шины 11 и 12 управления переключателями ЦМД, шина 13 управления репликаторами ЦМД, шины 14 управления дешифратором, разрядные шины 15 накопителя, управляемый переключатель 16 ЦМД и второй аннигилятор 17 ЦМД.Предлагаемый запоминающий модуль функционирует следующим образом.Считывание информации из модуля производится только через накопитель 8, поэтому ничем не отличается от процесса считывания в известном устройстве за исключением того, что вместо генераторов путем подачи тока в шину 13 возбуждаются реплика- торы 5. Процесс репликации в данном случае аналогичен процессу генерации ЦМД в известном устройстве, поскольку в...

Номер патента: 920840

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Гришечкин, Игнатенко, Королева, Ломов, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...в форме полуокружностей, имеющих соответственно диаметры Р и д. Центры полуокружностей смешены друг относительно друга на расстояние 1 с О/4. Замыкаю 10 щие стороны 6 и 7 аппликаций 2 параллельны общей оси канала 8.Предлагаемый канал для продвижения ЦМД работает следующим образом. В плоскости аппликаций создается вра щающееся магнитное поле Н, которое намагничивает аппликации, создавая на их сторонах северные + и южные-полюса (см. фиг. 2) . Пусть для определенности домен 9 выходит на поверхность южным полюсом- . Тогда он будет притягиваться к северным + полюсам аппликаций и фиксироваться около них. При положении вектора Н, показанном на фиг. 2 а, притягивающие полюса + 25 расположены на концах двух соседних аппликаций 2 и 2 и магнитный...

Номер патента: 920842

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Касаткин, Семенов

МПК: G11C 11/14, G11C 19/08

Метки: доменах, магнитных, плоских, регистров, сдвига, селекции, элемент

...1 О (см. фиг. 2) ряды аппликаций под соседними шинами сдвинуты относительно друг друга на часть аппликаций, создающей магнитное поле определенной величины. Элемент селекции работает следующиразом.3Магнитожесткая аппликация намагничена таким образом, что создает отрицательное магнитное поле в лежащих под ней областях низкокоэртицивных каналах, препятствующее прохождению домена через эту область. Величина магнитного поля (см. 5 фиг. 3) зависит от ширины полоски (чем уже аппликация, тем больше поле). Для продвижения домена необходимо подать внешнее магнитное поле Н Нр, где Нов поле продвижения ПМД. Наиболее экономным будет случай, когда поле в промежутке между соседними аппликациями под одной шиной селекции и перепады полей за счет...

Номер патента: 926713

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Ильяшенко, Киселев, Паринов, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...ЦМД содержит магнитоодноосную пленку (не показана) наповерхности которой расположена основная ферромагнитная аппликация 1в Форме прямоугольника с размеромсторон, превышающим в 2-5 раэ номинальный диаметр ЦМД, к которому беззазора примыкает под углом от 30 до60 прямоугольная перемычка 2. Сосновной аппликацией 1 магнитосвязаны токовая шина 3 из немагнитногометалла и вспомогательные ферромагнитные аппликации 1 и 5. Предлагаемый переключатель работает следующим образом.В режиме переноса до момента перехода ЦИД на основную аппликацию 1 в токовую шину 3 подается импульс тока 1 п(фиг, 2 с 1), с помощью котоРого на Рнаружных краях этой вины создаются магнитные ловушки. Вследствие этого домен удерживЪется возле ближайшего...

Номер патента: 926714

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменного, доменов, запоминающего, магнитных, одноуровневого, устройства, цилиндрических

...4 С-образной формы, элемент 5 ф 5 образования зародышевого домена в виде диска и управляющая токопроводящая шина 6 в форме полупетли, образующая на аппликации 3.уступ 7. Вектор 8 управляющего поля Нвращается 55 по часовой стрелке,Предлагаемый генератор ЦМД работает следующим образом. фНа фиг. 2 а,б,в,г,д,е показано расположение доменов на диске 5 и в канале 2 продвижения ЦМД в режиме генерации ЦМД. При положении вектора управляющего поля, показанном на Фиг. 2 б, в управляющую шину подается импульс тока 1 длительностью 0,25- 0,3 мкс (порядка 60 мА) такой полярности, при которой зародышевый домен, находящийся под диском, растягивается внутри управляющей шины, захватывается притягивающими полосами С-образной аппликации и, образуя...

Номер патента: 926715

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, компрессор, магнитных, цилиндрических

...расположены группами междудинамическими ловушками ЦМД 4, причемдополнительные аппликации 6 каждойгруппы расположены под углом по отношению к дополнительным аппликациям 2 впредыдущей группы,Компрессор ЦМД работает следующим образом,ЦМД 2, поступающий на вход Х ком"прессора ЦМД, отслеживая полюса 25аппликаций, возникающие под действием магнитного поля управления, вмомент времени, соответствующий Фа зе Ф. (А= Фл- Ф), деформируется врастянутый магнитный домен на 30первом элементе растяжения и вызывает смещение резидентного ЦМД изпервой динамической ловушки ЦМД 4на второй элемент растяжения и вмомент, когда направление векторамагнитного поля управления совпадает с направлением расположенияаппликации 6 во втором элементе растяжения,...

Номер патента: 928411

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Гал, Ищенко, Куликов, Малютин

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, направленной, передачи, пленках, синхронной, тонких

...поле, которое в участке 6 шины управленияпо направлению совпадает с направлением намагниченности в ПМД и имеетвеличину достаточную для того, чтобыинформационный домен переместилсяпод шину управления, При этом в зонах перемещения ПМД шина управления5 постоянно меняет свою ширину ( например просечки треугольной формы,(фиг, 1) и создает поле, имеющеекомпоненту градиента по ОТН, поддействием которой ПМД перемещаетсяпод углом к ОЛН справа налево, РостПМД вверх в заданный тактограниченлокальным полем в участке 7 шины управления, направленном противоположно направлению намагниченности в ПМД.В следующий такт (Фиг. 1 в) доменпод действием постоянных локальныхполей магнитожестких аппликаций вырастает вверх и своим верхним концомпопадает в...

Номер патента: 930382

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иевенко, Кожухарь, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, решетки, цилиндрических

...полеНо, и сканирующий узел 5, позволяющий перемещать образец 6 относительно плоского высокочастотного контура 1, который плотно прилегаетк поверхности диска образца 6 состороны исследуемой ТИП,Определение напряженности поляколлапса решетки ЦМД протекает следующим образом.Образец 6 занимает исходное положение в кювете сканирующего узла 5.Высокочастотный контур 1 вводитсяв начальное положение отсчета сканирующего узла 5. Обычно площадь контура выбирается равной площади чйпазапоминающего устройства (ЗУ), Если необходимо аттестовать образец в це.лом, выбирают контур площадью10 -10 мм , равной площади исслед 4дуемого образца. Для аттестации пленки на однородность контур должениметь меньшую площадь ( 1 мм ).В зазоре полюсных наконечников3...

Номер патента: 930383

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, доменов, запоминающего, магнитных, одноуровневого, переключатель, устройства, цилиндрических

...пленку 1, на которой расположены 1-образные 2 шевронные 3 и С-образные 4 Ферромагнитные аппликации, образующие входные 5 и выходные 6 каналы продвижения ЦМД, а также основная 7 и дополнительная 8 токопроводящие шины. Вектор 9 управляющего поля Нупр вращается по часовой стрелке.Переключатель ЦМД работает следующим образом.А. Режим переключения ЦМД из входных каналов в выходные каналы продвижения ЦМД. На фиг. 2 (а-е) показано .расположение доменов во входном и выходном каналах. При положении вектора управляющего поля НПР (фиг. 2 б) в управляющую шину входного канала подается импульс тока 1 длительностью, равной половине периода вращения НпР, и такой полярности, при которой домен может растянуться только по верхней границе...

Номер патента: 930384

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...с переключателями 8 и 16. Каналы 4 и 5 соединены с датчиками 25 и 26 считывания ЦМД.Предложенное ЗУ работает следующим образом.8 режиме записи от генератора 7в канал 4 поступает. информация ввиде налиция "1" или отсутствияЦМД (нОн). При положении А векторауправляющего магнитного поля Н О ЦМД оказываются под переключателями8 и 16, соответственно и под перемычками 10 и 18. В этот момент пошинам 15, 20, 21 и 24 подают импульс тока длительностью, равной пом ловине периода поля Ну, В моментВ вектора Н ЦМД из-под перемычек10 и 18 переходят соответственнопод перемычки 14 и 19. Таким образом осуществляется запись ЦМД-ин 2 в Формации в регистры 3 с одновременным стиранием (выбрасыванием) старойЦМД-информации регистров 3.Считывание...

Номер патента: 936026

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Барьяхтар, Бесклубенко, Горобец, Ильчишин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...микрокатушкой 3, впостоянный электрический сигнал, пропорциональный этому изменению.Блок регистрации 8, в качестве которогоиспользуется осциллограф, позволяет контролировать сигнал, поступающий на дискриминатор 7 последовательно через блоки 5и 6, а также работу самого дискриминатора 7,В качестве блока интерпретации выходной информации 11 может быть использованстандартный запоминающий осциллографс соответствующей частотной х ар актер и стикой.Устройство работает следующим образом.Перед процедурой считывания измерительный генератор 4 настраивается на определенную частоту 9 определяемую перпендикулярной дифференциальной магнитнойвосприимчивостьюхдрф. локального участка ТМП без ЦМД, являющегося сердечником микрокатушки 3, соизмеримой по...

Номер патента: 936027

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Кулик, Леонов, Мурашев, Петров

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...следующим образом.На валики 1 (фиг. 1) станка для плетения матриц натягивают в качестве основы технологические струны 2, в которые последовательно вплетают числовые и экранирующие обмотки плетеного полотна 3 изготавливаемой запоминающей матрицы. Для этого механизмом станка раздвигают технологические струны 2, образуя зев, через который пропускают челнок (на чертеже не показан) с проводом. При каждом движении челнока выполняют один полувиток обмотки полотна 3. При этом технологические струны 2 с вплетенными витками обмоток перемещают относительно линии движения челнока, а сформированные обмотки отделяют от зоны плетения зажимом-разделителем (на чертеже не показан).После окончания плетения полотна 3 изготавливаемой матрицы на...

Номер патента: 940236

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Силантьев, Столяров, Тугарин, Шибаев

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, магнитоодноосных, пленок, силы

...схеме, дифференциальный усилитель 8, регулятор 9 напряжения питания фотоприемников, синхронный детектор 10, задающий генератор 11, управляемый аттенюатор 12 усилитель 13 мощности, измерительный элемент 14 в виде эталонного резистора генератор 15 пилообразного напряжения, пиковый детектор 16, двухкоординатный регистрирующий блок 17 и блок 18 управления.В блок 3 формирования магнитного поля помещается образец 4 эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки. Пучок света с источника 1 проходит через поляризатор 2, образец 4, анализатор 5, расщепляется на два пучка света, которые поступают на фотокатоды приемников б и 7. Балансировка фотоприемников осуществляется регулятором 9 напряжения питания фотоприемников таким образом, что постоянная...

Номер патента: 940237

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Вахмистров, Гугнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитного, магнитных, микросборках, поля, создания, цилиндрических

...размещена одна из токонесущих обмоток, токо несущие обмотки, расположенные на выступах противолежащих 20внутренних граней сердечника, включены последовательно и согласно одна с другой, причем один из концов каждой токо- несущей обмотки пропущен через отверстие выступа смежной внутренней грани сердечника.940237 Составитель Ю. Розенталь Редактор С. Тараненко Техред А. Бойкас Кор ре кто р В. Си н инка я Заказ 4676/74 Тираж 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/6 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4На чертеже изооражена конструкция предложенного устройства.Устройство для создания магнитного поля управления в микросборках на ЦМД содержит...

Номер патента: 942133

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Игнатьева, Куликов, Яковлев

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...б . магниторежсторные элементы, электропрэодящая перемычка 6,соединяющая вторые концы элементов 4и 5 и.один конец токового расширителя7 доменов, и узел 8 регистрации до 30менов со входами 9-11. Другой конец 12токового расширителя доменов являетсявходом устройства, подключаемым к источнику импульсов тока. 133наводит в контурах, образуемых полукольцами элементов 4 и 5, ЭДС, которая вызывает токи 17 и 18, образующие папение напряжения 0 на резисторах 13 и 14.При подаче через расширитель 7 импульса 19 тока (фиг. 3) противоположной импульсу 16 полярности; вокруг расширителя 7 образуется магнитное поле, приводящее к коллапсу растянутого домена, При отсутствии ЦМД 2 в позиции считывания полосовой домен не образуется, при этом Ь=О, и...

Номер патента: 942144

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Епанчинцев, Журба, Нюнько, Силантьев, Суровов, Тугарин, Шелухин, Шибаев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, периода, пленках, страйп-структуры

...3, анализатор 44 44 и попадает на фотоприемник 5. С выхода фотоприемника электрический сигнал от полосовой страйп-структуры усиливается предварительным усилителем 8, затем формирователь 9 выделяет полезный сигнализ полного сигнала и преобразует видеосигнал в цифровую форму. С выхода усилителя-формирователя 9 видеосигнал в шще серии импульсов поступает на вход счетчика 10 и через смеситель 14 выводится на экран видеоконтропьного блока 15, На экране формируется увеличенное изображение феррит-гранатовой пленки в виде чередующихся черных и белых полос. С помощью формирователя 16 исмесителя 14 на экране видеоконтрольногоустройства формируются измерительные визиры. Перед началом измерения оператор перемешает Визиры на измеряемый участок...

Номер патента: 942145

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, информации, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...Другой переклточатель ЦМД (для переключения в обратную сторону) образован за счет магнитных связей дополнительного канала продвижения ЦМД с каналом ввода информации, а также указанного расположения токопроводящей шины.Для последнего переключателя ЦМД также требуется одна полоска токопроводяшей шины.За счет выполнения канала ввода информации из (К )-образных ферроматнитных аппликаций удается уменьшить расстояния между регистрами хранения (т.е. период элементов продвижения в каналах ввода или вывода информации).В свою очередь это дает возможность или повысить плотность записи, или уменьшить плошадь кристалла, или увеличить степень резервирования регистров хранения и исправления ошибок, или скомпенсировать влияние промежутков между...

Номер патента: 942146

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Журавель, Косинов, Косинова, Човнюк

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...3На фп. 1 схематично изображено устройство, реализуюшее предлагаемый способ, операция образования петли из провода нв стороне полотна, протнвоположной свободному концу провода; на 4 вг. 2 - го же, операция извлечения ограничительной прокладки в сторону .впетлиУстройство содержит эев 1, образованный взаимным смешением технологических струн 2, в который вводится провод 3 и ограничительная прокладка 4, в также петлеобразуюшие штыри 5,Устройство работает следуюшнм обрв, эоке Величина петли выбирается такой,чтобы после полной формовки полувитковпровода петля уменьшилась до полногоохвата крайней струны.5 Поскольку при таком способе изготовления матриц отсутствует натягиваюшее , воздействие на провод в процессе егоформовки, а пополнение...

Номер патента: 942147

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Журавель, Косинов, Косинова, Човнюк

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...1 О Х-образного пересечения технологических струн в направлении свободного конца провода.Причем перемещение осуществляют путем ввода в зев винта с нарезкой, переходящей на конце в буравчик с шагом, равным удвоенному расстоянию между струнами, и его вращения вокруг продольной оси.На фиг. 1 показан схематически Про цесс расположения струн Х-образно и смещения Х-образного пересечения прк вращении винта вокруг продольной оси; на 4 вт. 2 - схема устройства дпя реализации предлагаемого способа, 25Устройство содержит зев, образованный взаимным смешением технологичеоких струн 1 и 2, в который вводится провод 3 и винт 4, имеющий нарезку 5 и буравчик 6, 30Устройство работает следующим образом.Струны 1 и 2 расходятся, образуя зев. При...

Номер патента: 942148

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Журавель, Косинов, Косинова, Човнюк

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...вверз. Это щ:вводит к появлению фшахматки" и внутренних обрывов. Цель изобретения - повышение надежности запоминаюших матриц.Поставленная цель достигается тем, чго в способе изготовления запоминаюших матриц при пропускании проводов щсловых обмоток размещают начало каждой числовой обмотки в том же зеве, во и канщ предыдущей киперной обмоткиэНа чертеже изображено размещение числовых и киперных обмоток.. Составитель Ю. Розентальр С. Юско Техред А.Бабинец Корректор М. Демчик з 4853/46 Тираж 622 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам .изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб.,4/5 филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Э 94214Способ осуществляют следующим образом.При плетении числовых 1 - 3 и...

Номер патента: 945901

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Барсуков, Есиков, Новицкий, Пафомов, Петровский, Петровых

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель, ферроакустический

...диэлектрическуюподложку с пазом и контактами по еепериметру, носитель информации, выпол Оненный в виде проволоки магнитострикционного материала, размещенной в пазеподложки и соединенной с соответствуюшими контактами, и шины возбуждения,соединенные с соответствующими контактами, введен формирователь магнйтногополя, выполненный в виде двух пластинмагнитного материала, расположенных параллельно друг другу.и подложке с зазором, во второй пластине магнитного материала выполнены пазы петлеобразнойформы, соединенные с пазом диэлектричес"кой подложки отверстиями, выполненнымив первой пластине магнитного материала,а шины возбуждения размещены в пазах рвторой пластины магнитного материала.Кроме того, паз диэлектрической подложки выполнен...

Номер патента: 947909

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...фиг,З О - г показано расположение доменов в регистре хранения ив канале считывания информации, При положении вектора управляющего поля 10 н зяб (фиг.30) в токопрово)вящую шину подается импульс тока длительностью равной половине периода управляющего поля и полярностью,при которой информационный домен, находящийся на С-об разной аппликации регистра хранения, при дальнейшем вращении вектора Н (фиг.ЗБ) растягивается по верхней границе токопроводящей шины и фзахватывается притягивающими полюса ми С-образной аппликации канала считывания, Величина амплитуды импульса тока .около 20 мА. При дальнейшем повороте вектора Н пр (фиг.ЗВ) домен, вследствиемагнйтного барьера, созданного импульсом тока по нижней границе шины, не движется по притягивающим...

Номер патента: 951395

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...информации 1, 2 и 3, В своюочередь, это вызывает выталкиваниеЦМД иэ позиции 1 динамических лову"шек ч.ы . разрядных компрессоров,5 4магнитосвязанных с к-ыми ячейками па 1 Ч Чмяти, в позиции 21 каналов 1, 2 , 3и 4, оканчивающихся в нечетных динамических ловушках адресных компрессоров Я,Последние ЦМД, в свою очередь, выталкивают ЦМД в четных динамическихловушках компрессоров К из позиций 2 в позиции 3 , вызывая сдвигЦМД в динамических ловушках д-ыхразрядных компрессоров, расположенныхвыше 1-го адресного компрессора, исчитывание .требуемой информации датчи.ками считывания ЦМД Й,Следовательно, для вывода ранеехранимой информации иэ запоминающегоустройства требуется 0,75 такта(такт - время одного оборота векторамагнитного поля...