G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 809372

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Медников, Ольховский, Редько, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...регистра 3. Регистры 2- 404 состоят из неимплантированных смежных дисков 7 и 8. На поверхности пленки 1 расположены также две токопроводящие петли 9, магнитосвязанные срегистрами 2 и 3. Магнитооднооснаяпленка имеет градиент состава по толщине и поэтому является носителеммагнитных доменов 10 и 11 с разнымидиаметрами. Неимплантированные диски 8 регистра 4 хранения информациивыполнены с меньшим диаметром поотношению к дискам 7 регистров 2 и 3ввода и вывода информации,Устройство работает следующим образом.55При записи информации генератор 5создает домены 10 большего диаметра,которые затем поступают на вход регистра 2. По структуре из дисков 7ЦМД вводятся в петлю 9, и через петлюпропускается импульс тока. Под действием магнитного поля,...

Номер патента: 809373

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Ломов, Скобелин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, продвижения, цилиндрическихмагнитных

...б) притягивающий полюс образуется на узком конце аппликации 2 , а также на вершине аппликации 3, н ЦИД 5 растягивается, захватывая аппликации 2 и 3. Когда вектор Н займет положение, показанное на Фиг. 2 в, на аппликации 2 образуется отталкиаающий ЦМД полюс, а на аппликации 3 притягиваищий полюс сместйтся 15 на левую среднюю часть и ЦМД 5 переместится вслед. эа притягивающим полюсом. При положении вектора Н показанном на Фиг, 2 г, притягивающий полюс образуется на нижней части аппли кации 3 и ЦМД 5 переместится вслед за перемеСтившимся полюсом. При положении вектора Но,показанном на фиг. 2 д притягивающий полюс образуется на правой средней части аппликации 3, ку- . да соответственно переместится ЦМД. При положении вектора Н ,...

Номер патента: 809374

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Ломов, Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитный, переключатель

...4 хранения информации, примыкающих к последнему неимплантированному диску б регистра 3 ввода-вывода информации, расположены дополнительные последовательно расположенные НСД 7, магнитосвязанные с 15 токовой шиной 8, подключенной к источнику тока 9. Магнитоодноосная пленка 1 находится в параллельном ее плоскости вращающемся магнитном поле источника магнитного поля 10. Ре гистр ввода-вывода информации 3 соединен с генератором ЦМД 11.Магнитный переключатель работает следующим образом.Генератор ЦМД 11 с частотой враще ния плоскостного поля источника 10 поставляет в регистр 3 ввода-вывода информации информационную последовательность ЦМД 2, которая перемещается вдоль периферии неимплантированных дисков 5 к диску б. Если при равномерном...

Номер патента: 809385

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Апивала, Факторович

МПК: G11C 11/14, G11C 19/08

Метки: кольцевой, регистр, сдвиговый

...смежными параллельными участками каналов 2 продвижения магнитных доменов. Шина 6 записи, выполненная в виде меандра, расположена в месте пересечения прямолинейного участка канала 2 с шиной 5 удержания доменов между соответствующими З 0ветвями стоп-шины 4, Блок 7 считывания информации соединен с каналами 2продвижениям магнитных доменов.Кольцевой сдвиговый регистр работаетследующим образом,При подаче импульса записи в шину 6 в канале 2 зарождается домен 3, Затем ко всей пленке. прикладывается однородное продвигающее поле, которое вызывает рост записанного домена в обе40 стороны вдоль оси легкого намагничивания, Одновременно с приложением оцнородного продвигающего поля в стоп-ши. ну 4 подаются импульсы тока. Поле, созданное этим током, в...

Номер патента: 824306

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Былов, Левицкий, Оганезов, Щучкин

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающегоустройства, накопитель

...проводниками, в отверстиеподложки установлен кристаллодержатель, выполненный в вцце рамки из термостабильногоматериала, в отверстии которой расположенкристалл иэ доменосодержащего материала, асоединительные проводники расположены наплоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла нэ доменосодержащегоматериала,На чертеже изображен накопитель.824306 Га 88 оставитель В, Розентальехред А, Ач Корректор М, Де Редактор Н. Рогулич аказ 73 Тираж 645 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретбиий и Открьггий3035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5 Патент", г. Ужгород, ул. Проектная Филиал Он содержит магнитопровод 1, источники магнитных полей управления - источник 2 а по. стоянного магнитного...

Номер патента: 824307

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...принципиальная схема ЗЯ.82430 7 3Предлагаемая ЗЯ содержит магнитоэриоосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены пересекающиеся изолированные УШ 3, магнитосвйзанные с основными 4 и дополнительными 5 ферромагнитными аппликациями, выполненными, например, ромбовидной формы,причем, дополнительные 5 ферромагнитные аппликации соединены со свободными концами основных 4 ферромагнитных аппликаций.Буквами Х и У обозначены входныелогические переменные (ВЛП), а буквами Р, Р, Р и Р,- позиции, которыезанимают ЦМД в ЗЯ при воздействии различных ВЛП.Предлагаемая ЗЯ работает следующим образом.Принимая,что "1" соответствует импульсному сигналу в УШ 3 одной полярности, а "О - импульсному сигналупротивоположной полярности.Под действием...

Номер патента: 824308

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Касаткин, Фиошкина

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...широких каналов 5 продвижения ПМД и магнитосвязвнные с плоской считывающей катушкой 6, выполненной в форме меандра. Ячейку 7 считывания первого регистра пересекает виток 8 считывающей катуш ки 6, ячейки 9 считывания второго регистра пересекает виток 10 считывающейкатушки 6,. ячейки 11, считывания третьего регистра пересекает виток 12 считывающей катушки 6. Каналы 2,3 и 4 ре гистроц соединяются с широкими каналами 4 при помощи разветвителей 13, Канал 2 первого регистра расположен между ячейками 9 считывания второго регистра, каналы 3 второго регистра расположены 20 между ячейками 11 считывания третьего регистра. Витки 8, 10 и 12 считывающей катушки соединены так, что катушка считывания имеет форму меандра.Работа матрицы осуществляется...

Номер патента: 824309

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Паринов, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, устройствана, цилиндрических

...рельефность слоеви вызванное ею снижение надежностифункционир ования 21.824309 4м устройстве, Кроме того, увеличенная вомного раз плошадь балластной чести шин эффективно выполняет роль радиаторВ, отводящего тепло от активных шин и равм 5 номерно распределяющего его по всей ле- площади устройства. Это приводит к снио- жению температуры узких участков токоем проводящих шин и уменьшает вероятностьих теплового разрушения, а также ослвб 1 О ляет локальный разогрев мвгнитоодноосес- ной пленки. Однако это достигается значительнь усложнением технологии изготовления.Бель изобретения - упрощение изготовления ЗУ на БМД.Поставленная цель достигается путе того, что в известном способе изготов ния ЗУ на БМД формирование токопров дящих шин...

Номер патента: 826420

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Антонов, Ломов, Миляев, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: 826420

...характера + Г, затягивающие ЦМД 5 в сторону участка двухслойной структуры и силы -Ц обменного характера, выталкивающие ЦМД 5 из-под двухслойной структуры (фиг. 2 а), Первые силы + Гвызваны стремлением ЦМД замкнуть свой поток рассеивания наиболее выгодным способом, т. е. через плос- О кость легкой промышленности, а вторые -Г вызваны тем, что на границе раздела двух материалов возникают механические напряжения и, если магнитострикционный эффект имеет знак -, а пленка 2 на границе со слоем 3 растянута, то область доменной границы ЦМД, находящаяся в области механических напряжений, обладает большей энергией по сравнению с областью доменной гра ницы, находящейся в зоне без напряжений, т, е, в однослойной зоне ЦМД, стремясь за нять...

Номер патента: 830564

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Жучков, Коростелев, Мочалов, Набокин, Шмелева

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменах, записи, информации, оперативноезапоминающее, цилиндрическихмагнитных

...смещения до величины,соответствующей существованию вмагнитоодноосной пленке устойчивыхЦМД, и снимают планарное магнитноеполе.Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1 а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 1 б) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо кенты противоположно полю 3 смещения. Если...

Номер патента: 830566

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Иванов, Ломов, Спиваков, Юдичев

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: датчик, магнитныхдоменов, магниторезисторный, считыванияцилиндрических

...такой датчик ограничено помагнитному смещению снизу из-затого, что растянутый ЦМД взаимодействует с токопроводящими шинамииз магнитного матери".ла, доменнаяграница цепляется за их края, Этосущественно сужает область устойчивой работы такого датчика помагнитному полю смещения.Цель изобретения - повышение надежности магниторезисторного датывания ЦМД,ая цель достигаетсяойство содержит нзо,расположенный междуной пленкой и токопроисторный датчик для. Д содержит магнитооду 1 с разделительным оторой расположена едовательно соеяиненных830566 Формула изобретения г.2акаэ 2897/32 Тираж 645 Подписное НИИ Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная ферромагнитных аппликаций 4, например шевронной формы, крайние изкоторых 5 и 6 соединены...

Номер патента: 830567

Опубликовано: 15.05.1981

Автор: Самоваров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: записи, информации, магнитной

...Кольцевой регистр 1 сдвига, генератор 2, датчик 3 считывания и 15 аннигилятор 4 ЦМД расположены на магнитоодноосной пленке 14.Устройство 1 работает следующим образом.Задающий генератор 6 выдает гармо- Яо нические колебания в блок 5 управления продвижением ЦМД и на Формирователь 11 импульсов. С выхода формирователя 11 импульсы поступают на вход ключевого элемента 10 и через делитель 9 на тактовый вход широтно-импульсного модулятора 7, на сигнальный вход которого поступает сигнал, подлежащий записи. Модулятор 7 осуществляет преобразование напряжения сигнала н длительность импульсов с частотой опроса,. задаваемой делителем 9. В простейшем случае это преобразование производится путем сравнения линейноизменяющегося напряжения и напряжения...

Номер патента: 830570

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Бегагоина, Белкин, Диженков, Молодцов, Феденев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающихустройств, магнитныхпленках, матриц, цилиндрических

...распределения компаунда и попадания его на струны, обеспечить сохранность крайних витков, чистоту торцов матрицы.Цель изобретения - повышение надежности изготовления матриц эа счет исключения расплетания крайних витков обмоток и и у ия ро ыхторцов матрицы.Цель достигается тно способу по авт.св.перед заливкой обмотоили лакировкой крайники обмоток закрепляютс помощью пластин излита.На чертеже изображена. сэации способа.Числовая обмотка 1 закреплена собеих сторон пластинами 2 на технологических струнах 3, Пластины 5 2 укладывают с двух сторон технологических струн 3 к обмоткам 1 матриц;после чего обмотки вместе с пластинами заливают компаундом, сушат,а затем растягивают технологические 20 струны за противоположные концыдо...

Номер патента: 830571

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Иванов, Миляев, Спиваков, Сурина, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающихустройств, цилиндрическихмагнитных

...слоем хрома),выполняет непосредственно рельеф поверхности пленки. При этом глубинаудаленного приповерхностного слояоблученных участков пленки определя20 г (калий бромистый) 5-7 мл (бром жидкий) 100 мл (вода дистиллированная) КВг Вг Н ,. и травителя для Сг-НС (солянаякислота) при комнатной температуре,сопровождающееся одновременным травлением облучением слоя пленки, приводит к возникновению рельефа ееповерхности, остающегося при полномудалении маскирующего покрытия ипозволяющего осуществить ориентациюуправляющих элементов относительнодоменопродвигающей структуры придальнейшем их формировании методамистандартной фотолитографии Формула изобретения 1, Способ изготовления запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах,...

Номер патента: 830572

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Клейменов, Наумов, Самров, Усов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижениемцилиндрических

...15 - с аналогичными точками вканале У, Точка соединения конца первой катушки 5 и канала второй катушки б связаны с шиной 16 питания.устройство для управления продвижением ЦЩ работает следующим образом,Логический сигнал с выхода узла11 Фазового управления поступает набазу транзистора соответствующего токового кл:оча и на вход инвертора. Навыходе инвертора Формируется логический сигнал, протинопоЛожный логическому сигналу на его входе. Перепад потенциала между противоположными логическими сигналами приложенк управляющему переходу транзисторатокового ключа и надежно запираетданный транзистор. Логический сигнална четырех выходах узла 11 Фазовогоуправления Формируетсятак, чтобыфазы их были 0-90-180-270 . Эпюрылогических сигналов на каждом...

Номер патента: 830573

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Бойко, Колумбет, Коцегуб, Помазан

МПК: G11C 11/14

Метки: доменами, цилиндрическимимагнитными

..., которая подключена одним концомк точке соединения эмиттера выходноготранзистора ключа 16 с коллекторомвыходного транзистора ключа 19, авторым концом - к точке соединениязмиттера выходного транзистораключа 17 - с коллектором .выходноготранзистора -ключа 18. Коллекторывыходных транзисторов-ключей 16 и17 - соединены вместе и подключенык шине 15 питания моста, а эмиттерывыходных транзисторов-кличей 18 и19 - соединены вместе и подключены котрицательному полюсу - Ед источникапитания. К каждому выходному транзистору ключей встречно-параллельноподключены диоды 20 - 23. Базы входных транзисторов ключей 16 и 18 соединены с входом 11, а базы входныхтранзисторов. ключей 17 и 19 - свходом 12 элемента ИЛИ 3.Устройство работает следующим...

Номер патента: 841041

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Маркелис, Пранявичюс

МПК: G11C 11/14

Метки: дляподавления, дозы, доменов, жестких, ионов, цилиндрическихмагнитных

...схема эксперимента и распрелеление дозы в образце,Образец облучался сканирующим ионным пучком относительно оси У, угол сканирования - 6. Имплантировались иоцы аргона, с энергией 50 кэВ, дозой Оц см ф и плотностью ионного тока в пучке 1 О мкА/смф На расстоянии 1 - 3 мм от имплацтируемой пленки 1 находился экран 2, которым закрывалась часть образца. Вследствие условий, в пленке феррит-граната после имплантации получены 3 различные области: не- облученная - 1, облученнаая с максимальной дозой Фо - 1 и цеолнородно облученная 11. Область 11 вследствие неоднородного облучения: при сканировании ионного пучка относительно оси У формируют с линейно изменяющейся дозой (фиг. 1 б)Ф(У) = Фсм (1) гдс д - ширина области 11, Фо - максимум дозы...

Номер патента: 841042

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Зельдин, Новожилова

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнит-ных, репликатор, цилиндрических

...изображена принципиальнаясхема предлагаемого репликатора ЦМД,Репликатор ЦМД содержит пленку магнитоодноосного материала, на которой рас; положены каналы продвижения ЦМД на магнитомягких аппликациях 1 - Ч 1, дополнительную магнитомягкую аппликаацию% и токопроводящую петлю И 11.841042 15 формула изобретения Составитель Ю. Розенталь Техред А. Бойкас Кор Тираж 645 ПодГосударственного комитета ССС елам изобретений и открытий сква, Ж - 35, Раушская наб., л. Патент, г, Ужгород, ул. Проек ктор Н Стен сноеР едактор В. Лазаренкоаказ 4778179ВНИИПИпоП 3035, Мфилиал 11 ПП 4/5ная,Цифрами- 7 обозначены позиции,занимаемые ЦМД во время работы репликатора.Зона репликации образуется позициями 1,2, 3 в первом канале и 5, 6 во втором,а также петлейЧ...

Номер патента: 841043

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Акинфиев, Арсланов, Ушаков

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, запоминающего, источник, магнитногополя, магнитных, устройствана, цилиндрических

...второй 7 и третий 8 ключи.Третий ключ 8 состоит из п-р-п транзистора 9, р-и-р транзистора 10, первого 1 ивторого 12 диодов. Сигналы управленияподаются на соответствующие входы 13 - . 16управления.В исходном состоянии все ключи закрыты,конденсатор 4 разряжен или заряжен дономинального значения положительного напряжения, и в соленоиде 5 отсутствует ра. бочий ток, создающий магнитное поле.Работа устройства начинается включением первого ключа 2, что приводит к дозаряду конденсатора 4 до номинальногозначения положительного напряжения, одновременно открывается ключ 8, конденсатор 4 начинает разряжаться через соленоид 5, возникает колебательный режимконтура 3 с соответствующей резонанснойчастотой. Через половину периода ток...

Номер патента: 841044

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнит-ных, цилиндрических

...дисков 4, Токоваяшина 5 имеет участок 6, край которогосовпадает с границей неимплантированногодиска 4 на протяжении длины, превышающей диаметр ЦМД 2. Ширина примыкающих к участку 6 участков 7 и 8, длины3 соторых равны трем диаметрам ЦМД. 2,превышает наименьшую ширину шины научастке 6. Шина 5 соединена с импульснымисточником 9 тока. Пленка 1 находится воащающемся плоскостном магнитном полеисточника 10.Генератор (фиг. 1) работает следующимобразом.В диапазоне направлений вектора плоскостного поля 0 :-ср зг источника 9 токаподается импульс в шину 5. Эксперименталь. ное изучение процесса зарождения ЦМДв феррит-гранатовой пленке состава= 1,8 мкм магнитными полями токовых шинразличной конфигурации показало, что зарождение ЦМД...

Номер патента: 842958

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Прохоров, Раев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, переключатель, управляемый, цилиндрическихмагнитных

...растянутого домена на два ЦМД (фиг. 5 и 6). Домены,продвигающиеся по каналу 4 - 5 (фиг. 4 - 5 а или по каналу 6 - 7 (фиг. 6 а), растягиваются в полосовые домены, захватывающие своими концами оба канала (фиг. 5 б и фиг. 6 б), При следующих поворотах вектора управляющего поля эти концы полосовых доменов занимают соответствующие направлению управляющего поля позиции ЦМД каналов продвижения последних (фиг. 5 в, г и фиг. 6 в, г). При пропускании импульсного тока через шину управления каждый из полосовых доменов делится на два ЦМД, один из которых при дальнейшем вращении вектора управляющего поля продвигается по каналу 4 - 5, а другой - по каналу 6 - 7 (фиг. 5 д и фиг. 6 д).Управляемый переключатель ЦМД может работать в режиме выборочного...

Номер патента: 842959

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Гончарова, Косинов, Рабинович, Штельмахов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающихустройств, магнитныхпленках, матриц, цилиндрических

...удаляют основной и дополнительный ограничительные стержни. На фиг. 1 схематически показана операция ввода дополнительного ограничительного стержня; на фиг. 2 - операция выравнивания усилий зажатия основного ограничительного стержня; на фиг. 3 и 4 - соответственно, операции удаления основного и дополнительного ограничительного стержня.Устройство для изготовления матриц ЗУ на ЦМП (фиг. 1) содержит технологические струны 1, при взаимном смещении которых образуется прямой зев 2, подготовленный для формирования очередного полувитка вплетаемой обмотки, в который вводится провод 3 и основной ограничительный стержень 4, после зажатия которого струнами 1, переведенными в обратный зев 5, вводится дополнительный ограничительный стержень...

Номер патента: 842960

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Васильева, Касаткин, Кузнецова, Семенов

МПК: G11C 11/14

Метки: регистр, сдвига

...9. Кроме того, регистр сдвига содержит домены 10 - 14 (фиг. 2).Проводники продвижения проходят над аппликациями 4 - 7 (фиг, 2), которые имеют, например, вид полосок. Аппликации 4 - 7 расположены асимметрично относительно проводников 9. Низкокоэрцитивные каналы 2 расположены между аппликациями на равном расстоянии от их краев. Направление намагниченности в аппликациях противоположно направлению намагниченности доменов 10 - 14.В случае магнитожестких аппликаций размагничивающие поля от аппликаций, возникающие за счет магнитных зарядов на краях полосок, создают поддерживающее магнитное поле в области низкокоэрцитивного канала, где расположен домен 10, которое помогает удержанию домена, и стирающее магнитное поле в областях...

Номер патента: 851489

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Ильяшенко, Паринов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, считывания, цилиндрическихмагнитных

...магнитоодноосную пленку 1, на которой расположен магниторезисторный датчик 2 с токоподводящими шинами 3, магнитосвязанный с расширителем 4 ЦМД на ферроф магнитных аппликациях 5, и дополнительные ферромагнитные аппликации 6, например, шевронной формы.851489 Формула изобретения нопро 3 пеяое Ицаеноя деоенеЕ 111 Ю. Розенйкас СоставительТехред А. Бо ТиражХ 45 дарственного изобретений Ж - 35, Рау нт, г. Ужго альКорректор Н. ШвыдкаПодписноеСССРтийб д, 4/5Проектная, 4 дактор Е. Дичинскаяказ 6368/73ВНИИПпо113035, МФилиал ППП И Госуделамосква,Пате комитет и откры шская на ул. Устройство работает следующим образом,В соответствии с движением управляющего магнитного поля домены перемещаются по расширителю 4 и датчику 2 в направлении справа налево....

Номер патента: 851494

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Ильяшенко, Паринов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитныхдоменов, переключатель, цилиндрических

...расположенной к ней под углом 30 - 60.На фиг. 1 изображена конструкция. переключателя ЦМД; на фиг, 2 а и б - параметры импульсов в управляюшей токовой шине в режимах переноса и деления домена соответственно.Переключатель ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположена ферромагнитная аппликация 2 П-образной формы с дополнительной прямоугольной перемычкой 3, магнитосвязанная с управляющей токовой шиной 4, а также вспомогательные ферромагнитные аппликации 5 , и 6 для соединения с регистром связи и информационным регистром соответственно.Переключатель ЦМД работает следующим образом.В режиме переноса до момента перехода ЦМД на вершину аппликации 2 в токовую шину 4 подается импульс тока 1, (фиг. 2 а), с помощью которого на...

Номер патента: 853674

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Вахмистров, Гугнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндри-ческих

...является уменьшение потребляемой мощности и повышение надежности канала для продвижения ЦМД.Поставленная цель достигается путем того, что в канале в слое диэлектрика выполнены углубления, расположенные между ферромагнитными аппликациями.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного канала для продвижения ЦМД.Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены слой диэлект8536744ребляемая мощность и повышается надежность канала для продвижения ЦМД,Формула изобретения 3рика 2 с углублениями 3 и ферромагнитные аппликации 4.Как известно, домен стремится занять положение, соответствующее минимуму его энергии. Ферромагнитные аппликации канала, взаимодействуя с ЦМД, уменьшают...

Номер патента: 858098

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, устройствах, цилиндрических, цифровых

...С и 2 на рас стояние, необходимое для возникновения сил магнитного взаимодействия БМД, достаточных для осуществления требуемой логической обработки информации. В случае наличия АД только в одной из критических 15 позиций С или 2 происходит его продвижение к функциональным выходам запрета в позицииили 6 . Если в критических позициях устройства присутствуют два ЙЧД, то вследствие действия сил отталкивания 20 они появятся на функциональных выходах "Коньюнкции в позициях Е и Н.Наиболее вероятной причиной отказов устройств на ЦМД является уменьшение щаметра информационных доменов, нахо дяшихся в критических позициях при их взаимодействии, что приводит к значительному снижению сил взаимодействия. как между ЮЧД, так и между ЫМД и...

Номер патента: 858099

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канала, магнитных, одного, перемещения, продвижения, цилиндрических

...позиции, занимаемые ПМЙ во время работы устройства.Работа устройства, функционирующего в соответствии с предложенным способом, 15 протекает следующим образом.Катушки управления питаются двумя, сдвинутыми по фазе на 90 эл. градусов, токами Э., З, при этом. векторЙу поля управления проходит после- М довательно положения с 1, Ь, с, сЯ Вместе с вектором Й поля управления ЦМО 6 проходит последовательно положения д, , с, д, передвигаясь по каналу 7. В момент времени ЙБМД, 5 находится на вертикальной перемычке Т- образной аппликации, как показано на фиг. 1. При этом ток Зи соответственно попе в катушке 3 будут максимальны (фиг. 3), а ток ) и поле в катушке 4 30 равны нулю. Вектор Йполя будет находится в положении 4 . В этот момент...

Номер патента: 858100

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Клейменов, Наумов, Самров, Усов

МПК: G11C 11/14

Метки: формирователь

...которого линейно нарастает и показана на графике фиг. 2 в.На втором участке сигналом со второй дополнительной шины управления открывается ключ 5 и одновременно подтверждается открытие ключа 4. При этом в источнике 7 магнитного поля начинается разряд энергии, а в источнике 8 магнитного ноля - накапливание энергии тока заряда. Ток разряда источника 7 магнитного поля протекает по цепи, состоящей из ключей 2 и 4. Ток заряда источника 8 магнитного поля протекает через ключи 4 и 5. Через ключ 4 одновременно протекают точки различных источников магнитных полей.На третьем участке открываются ключи 2 и 3 и происходит накопление энергии в источнике 7 магнитного поля. Ток в источнике 7 магнитного поля через открытые ключи линейно нарастает....

Номер патента: 858101

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Лысый

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...способа содержит технологическиеструны 1, вплетаемый в них провод 2,ограничительный стержень 3 с держателем ии которого помещен втеля 4 выступает ия матриц ЗУ на едующим обр азам, ежду струнами 1 с ев вводят со стороны ом зева между ними тельный стержень 3 тверстии которого прьэможнос 1 ью свобод- направлении его проагают стержень 3 в ны плетения зева и вв сторону свобод, т,е. под некоторымзадают расположеннои струнами с меньши.жателю 4 с проводом ещения по линии форстержень 3 в таком ют зее. Юля этого 1 в сторону занрыввтруиы 1 встречают и своем пути ограничительный стержень 3, который задерживает в открытом зеве участки струн 1 от вершин углов зева между ними до мест касания со стержнем Э.,Пругие участки струн 1 от мест касцния их со...