G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 1684810

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Гришин, Мартынович

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, информации, линиях, накопитель

...Т,Палий Заказ 3509 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Гатент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Через проводящий слой пропускается ток от источников переменного тока 6 и 6, сдвинутых по фазе на л/2, Суммарный ток, протекающий в слое 5, имеет постоянную амплитудуи вращается с частотой в, равной частоте переменного тока. Создаваемое током магнитное поле Н параллельно плоскости проводящего слоя и перпендикулярно направлению тока, т.е. вращается с той же частотой е. Величины Н исвязаны следующим соотношением;Н=2 л,где Н=Э, =мА/мкм - линейная плотность тока в металлическом слое.Вращающееся магнитное поле Н...

Номер патента: 1689989

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Гришин, Пермяков

МПК: G11C 11/14

Метки: криоэлектронный, регистр, сдвига

...слоя 2, Гокоподводы подключены к слою 2 в начале и в конце углубления, Генераторы вихрей б на входе в канал и детекторы вихрей 6 на выходе из канала условно не показаны,Регистр работает следующим образом, В начальный момент слой 2 находится в сверхпроводящем состоянии без вихрей 6, Вводят очередной вихрь б в начало углубления 3, ГД 8 Он занима 8 т ближэЙшую пОзицию 4, Подают импульс тока в.слой 2, за счет которого возникает сила Лоренца,смещающэя вихрь б поперек углубления 3 и вверх по уклону. Длительность импульса выбирается такой, чтобы вихрь 6 достиг первой боковой стенки и, взаимодействуя с уклоном зуба этои гтанки продвинулся вперед нэ ПОл шаГа сплошная линиЯ), ПроДвиГЗЯсь в утолщеннуо часть слоя 2, вихрь 6 удлиняется и увеличивает...

Номер патента: 1702425

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, динамических, линий, магнитной, пленке, характеристик

...5,При этом визуально можно наблюдать участок доменной границы с ВБЛ на фоне размытого изображения движущихся участков границы без ВБЛ, Затем в проводник 6 подается импульс тока, вызывающий возникновение высокочастотных импульсов тока подмагничивания в плоскости пленки 11 пл, параллельных доменной границе. Амплитуда импульсов оп составляет 3-10 Э, частота равна частоте импульсов поля смещения Нг (2-5 МГц). В зависимости от намагниченности в домвнной грани 11 е, полярности ВБЛ и полярности импульсов поля смещения Ну, полярность поля подмагничивания в плоскости пленки,Ьпл выбирается в фазе или противофазе с импульсами Н, При воздействии Ьпл уменьшается размытость наблюдаемого участка доменной границы, что позволяет более точно...

Номер патента: 1714679

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Дружинин, Краснов, Лунин, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: гранатовых, доменной, периода, пленок, структуры, феррит

...рассеяния обьектива 4 и окуляра 6обозначены соответственно как 1 й ФКак известно, предельный или граничный период бг пространственной структуры,освещаемой монохроматическим светом сдлиной волны А через конденсатор с апертурой Ак и наблюдаемой через объектив сапертурой Ао, определяется какАб =.+цгде и - относительный коэффициент пре-.ломления света иммерсионной среды, за-,полняющей пространство между ФГ, пленкой 1 и объективом 4.При приближении периода наблюдав; 5мой структуры к граничному (б бг) падаетконтраст изображения структуры, что связа-.но с изменением структуры оптическогосигнала, проходящего через объектив.Как известно, амплитуда оптического 10поля Я(х), которым освещается исследуемаяпространственная структура с...

Номер патента: 1714680

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Богатов, Дударенко, Сенкевич, Стариш

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...магнитного поля, пературы Кюри; на фиг,4 - температурная доменосодержащий элемент, расположен-зависимость области устойчивой работы доный между источниками переменного маг- . меносодержащего элемента и температур- нитного поля в ПМП, создаваемом 35 ная зависимость. магнитных параметров элементами коррекции постоянного маг-источника магнитного поля смещения, нитного поля. элементы температурной кор- Накопитель для ЗУ на ЦМД Содержит рекции ПМП из магнитомягкого материала экран 1, выполненный из магнитомягкого . с температурой Кюри ниже температуры материала, источники ПМП, выполненные в Кюри доменосодержащего элемента,: при виде пластин 2, элементы 3 коррекции постомыкающие к торцам источников ПМП 2) янного поля, выполненные в...

Номер патента: 1716569

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Волков, Гомзина, Зиборов, Савотин

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменной, доменов, магнитных, памяти, считывания, узел, цилиндрических

...расширитель доменов, магнитно объединяющий обе разделенные части расширителя и аннигилятор доменов. Такое конструктивное выполнение узла считывания ЦМД повышает частотные свойства каждой части и дает воэможность увеличить считанный сигнал, так как детекторы обеих разделенных частей соединены через аннигилятор последовательно друг с другом, а подвижность двух укороченных доменов, синхронно проходящих. по каждой части расширителя, выше, чем подвижность одного длинного домена, проходящего через неразделенный расширитель и длиннь 1 й детектор,Сущность предложенного технического решения поясняется при помощи фиг,1 и 2,Узел 1 считывания ЦМД фиг.1) содержит детектор 2 доменов, расширитель 3 доменов из ферромагнитных аппликаций шевронной...

Номер патента: 1718271

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Аверьянова, Гулько, Мартыненко, Смишный

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНОВ(57) Изобретение относится кной технике и может быть исзапоминающих устройствах н из микро- диагонаы 5 и 6 моменты а выходе Оп 0 р (фиг. ет сигнал ационные (фиг, 2 в), ряд реги- оответстмоменты фронтампервого и второго синхроимпульсов, в первый и второй разряды регистра 15 записывается "Лог, 1", а по фронту третьего синхроимпульса в третий разряд записывается "Лог. 0". Помехи, возникающие в моменты времени О и а, не изменяют содержимого регистра 15. В момент времени тз на входах мажоритарного элемента 16 образуется кодовая комбинация 110, и на выход устройства поступит сигнал "Лог.1",Мажоритарный элемент "2 из 3" вырабатывает выходной сигнал...

Номер патента: 1718273

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Буркова, Середкин, Склюев, Яковчук

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитный, носитель

...слоев на основании того, что необходимое время отжига 5 уменьшается с уменьшением толщины слоя.Для исследования возможности использования слоистой пленки, содержащей чередующиеся слои В, В, Мп, в качестве носителя информации выбирают толщины 10 В от 250 до "1000 Аи Мп от 90 до 350 А, приэтом выдерживают атомное соотношение этих компонентов 1:1, Толщину прослойки редкоземельного элемента изменяют в пределах 30-400 Х, Изучены слоистые пленки с 15 общим количеством слоев 3, 7 и 11, при этомсуммарная толщина либо выдерживается постоянной, т,е. изменяют относительные толщины компонентов в указанных пределах, либо ее меняют, что позволяет просле дить изменение свойств в зависимости отколичества слоев при их постоянной толщине. Изменяя...

Номер патента: 1725255

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Горохов, Драчук, Иванов, Косов, Савельев

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменной, памяти, сигналов, токов, управляющих, формирования

...5 зеркально его напряжению в первом цикле в силу зеркальности состояний сдвигового регистра в этих циклах. Поэтому в течение первого и второго циклов работы на выходе преобразователя 5 формируется ступенча-. тое напряжение, середины ступенек которого соответствуют положительной полуволне синусоидального напряжения - напряжению первой полуволны. Аналогичным образом в третьем и четвертом циклах работы на выходе преобразователя 5 формируется напряжение второй полуволны, в точности повторяющее напряжение первой полуволны,С выхода преобразователя 5 напряжение двух полуволн поступает на сигнальный вход коммутатора 12, управляемого логическими элементами И 19 и 20. В отсутствии (низком уровне) стартстопного сигнала на входной шине 24...

Номер патента: 1727173

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Горохов, Драчук, Коновалов

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, доменной, памяти, питания

...Ез на его втором входе, и на выходе элемента 17 появляется сигнал единичного уровня, по которому уровень выходного сигнала элемента ИЛ И 18 изменяется с единичного на нулевой, Нулевой сигнал с выхода элемента ИЛИ 18 по второму входу элемен20 25 30 40 секунд), а выходное напряжение Е 1 источ 55 та И 19 запрещает формирование на шине 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти и одновременно переводит диод 23 несимметричного элемента 21 в непроводящее состояние. После отключения диода 23 накопленная в конденсаторе 24 элемента задержки 21 энергия удерживает коммутатор 6 в рабочем состоянии, задерживая отключение питающих доменную память напряжений на шинах 10 и 11 на время, необходимое для окончания незавершенных циклов работы...

Номер патента: 1727174

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Иерусалимов, Подолынный, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...6, узел записи ВБЛ и узел считывания в виде групп 7 и 8 проводников, расположенных вблизи верхушек полосовых доменов,Устройство работает следующим образом.Генератор 5 создает необходимую для записи информации кодовую последовательность ЦМД, которые по каналу продвижения 6 подаются к верхушкам ПД 3, ЦМД располагаются напротив верхушек ПД и с помощью группы 7, 8 проводников производится преобразование наличия ЦМД в наличие ВБЛ в верхушках ПД. Далее ВБЛ продвигаются по доменным границам ПД,которые стабилизируются элементами стабилизации 2, Для считывания информации используют преобразование наличия ВБЛ в наличие ЦМД, которое осуществляется узлом считывания. Надежная стабилизация ВБЛ осуществляется за счет разницы на 5 10 15 20 25 4...

Номер патента: 1730681

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Никоненко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, инфомрации, неразрушающим, считыванием, элемент

...должна быть не менее 30 нм, а ширина не мере 1,5 мкм, так как за этими границами теряется устойчивость магнитного состояния элемента. Устойчивое хранение информации в таких элементах невозможно, Если толщина элемента более 60 нм, наблюдается снижение продольного сигнала.На фиг. 1 схематично показан запоминающий элемент, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг, 3 - осциллограмма сигнала с запоминающего элемента; на фиг, 4 - графин зависимости приведенного сигнала элемента от его ширины для магнитострикционного сплава пермаллой состава 89;11 и сплава состава 81:19 с околонулевой магнитострикцией (толщина элементов 50 нм); на фиг. 5 - временные диаграммы токов записи и выборки в режиме записи (а) и выборки (б). На...

Номер патента: 1737510

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Захарян, Маркаров, Меликьян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...шинычерез регистр записи 19 в микропроцессор 17. Затем, по внутренней шине ввода данных 3 передается в блок обнаружения и коррекции ошибок 2, где формируются контрольные разряды. После этого, происходит запись информационного блока посредством блока записи б в накопитель (НКТ) на ЦМД 7.В режиме чтения информационный блок под управлением микропрограммы считывается из накопителя на ЦМД 7 и поступает через блок считывания 8 в блок обнаружения и коррекции ошибок 2, затем, по внутренней шине ввода данных 3 через буферный регистр 21 в микропроцессор 17 и далее через регистр чтения 20 на системную шину. В случае обнаружения ошибки в информационном блоке на соответствующем выходе блока обнаружения и коррекции ошибок 2 появляется флаг НКО...

Номер патента: 1737511

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Захарян, Маркаров, Меликьян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...микропрограммного управления. Под управлением микропрограмм информационный блок принимается с системной шины через регистр записи 30 в микропроцессор 28, Затем по третьему выходу 22 контроллера 1 передается в блок обнаружения и коррекции ошибок 3, где формируются контрольные разряды, После этого происходит запись информационного блока посредством блока записи 8 в накопитель на ЦМД 9,В режиме чтения информационный блок под управлением микропрограммы считывается на накопителе на ЦМД 9 и поступает через блок считывания 10 в блок обнаружения и коррекции ошибок 3, затем по внутренней шине 21 через буферный регистр 32 в микропроцессор и далее через регистр чтения 31 на системную шину,В случае обнаружения ошибки в информационном блоке на...

Номер патента: 1751813

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Науман, Служеникин, Шумкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, информации, памяти, считывания

...14 формируется импульсный входнойУстройство считывания информации сигнал для дифференциального ограничитеобнаруживает считанный сигнал "1" на Фо- ля 11. Последний формирует дифференцине помех (считанного сигнала "0"). Опера- альный сигнал ограничения, полярностьция обнаружения осуществляется с которого противоположна полярности счипомощью амплитудно-временной селекции, 50 танного сигнала А фиг,3). С помощью резистора 14 регулируется амплитуда сигнала держивается уровень напряжения на его ограничения;: входах близким к нулевому уровню,Дифференциальная нагрузка 4 являет- При поступлении строб-импульса В на ся общей для дифференциального усилите- стробирующий вхЬд 15 дифференциальный ля 3 и дифференциального ограничителя 11, 5 ключ 7...

Номер патента: 1765846

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Алексеев, Ковалев, Минкина, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, запоминающего, сигналов, тактирующих, устройства, формирователь

...сигналов 21 и выходы 22 блока.Дешифраторы (фиг, 2) выполнены на логических элементах НЕ, И, ИЛИ, в которых выходы регистра 14 или регистра 15 соединены через элементы НЕ 23 или непосредственно с элементами И 24, элементы И 24 подсоединены к элементу ИЛИ 25.На фиг. 3 показана электрическая схема формирователей сигналов (одного из группы формирователей сигналов 21), включающая логические элементы и триггер, Входными элементами формирователей сигналов являются элемент И-НЕ 26 и элемент И 27, подсоединенный к элементу ИЛИ-НЕ 28, а выходным элементом является триггер 29.Формирователь работает следующим образом,Вначале производится асинхронный или синхронный установ в "0" триггера 12, первого регистра 14, второго регистра 15 и...

Номер патента: 1765847

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитного, магнитной, одноосной, пленке, поля, эффективного

...во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное...

Номер патента: 1767531

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...10 и 11 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13 и 14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников(находятся в одной плоскости),Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Н и подключено к источникам тока (на фигурах не показаны).В качестве диэлектрика может использоваться диоксид кремния, проводники могут быть выполнены из алюминия методами микроэлектроники (напыление сплошного слоя, фотолитография, травление), а магниторезисторный элемент - из пермаллоя,Устройство для считывания ЦМД работает следующим образом.ЦМД любым известным способом, например, двумя проводниками в форме меандра, продвигается в область вырезов 4 и 7 к 5 10 15 20 25 30 симметрии вырезов совмещены, а точки...

Номер патента: 1767532

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Подкорытов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...от отверстия создается магнитное поле, направленное встречно полю смещения, Такая область с пониженным значением поля смещения создает в слое магнитоодноосного материала МСЛ, притягивающую ЦМД.Продвижение доменов по каналу основано на взаимодействии ЦМД с последовательно создаваемыми токами управления в слоях 2,3 и 4 МСЛ. Токи в слоях 2 и 3 выбираются из условия создания на краях отверстий 5 и 6 МСЛ равной глубины, обеспечивающей перемещение ЦМД, В связи с тем, что слой 3 расположен дальше от магнитоодчоосного материала, чем слой 2, ток в нем больше (практически на 20 - 30), За исходное состояние примем такой момент, когда в проводниках 2 и 3 токи протекают в противоположных направлениях, причем в проводнике 2 он отрицательный, в...

Номер патента: 1767533

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Горохов, Драчук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, формирователь

...режиме иллюстрируется векторнойдиаграммой фиг,2.Векторная диаграмма построена для ну"левой фазы входного сигнала Ох (неинвертированный вход операционного усилителя2), так как вектор О (вектор ОА) направленпо действительной оси диаграммы, Вектортока катушки 4 (вектор ОЕ) также направлен по действительной оси, поскольку токнагрузки в усилителе с глубокой отрицательной обратной связью по току в точностисовпадает по форме и фазе с его входнымнапряжением. Вектор напряжения на катушке 4 О, (вектор ОН) складывается из век50 55 тора ее индуктивной составляющей А (вектор ОО), опережающей вектор тока катушки , на 90, и вектора ее активной составляющей Ок (вектор ОН), совпадающей по направлению с вектором тока катушки, Пренебрегая падением...

Номер патента: 1770986

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Проценко

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: блок, доменах, запоминающего, информации, магнитных, считывания, устройства, цилиндрических

...ко вторым выводам магниторезистивныхдатчиковНа чертеке приведена схема блока считывания информации для запоминающегоустройства на цилиндрических магнитных доменах,Устройство содержит детектор 1 доменов, выполненный по мостовой схеме. В одни смежные плечи мостовой схемы включены располокенные на магнитоосной пленке доменной микросхемы рабочий и компенсационный магниторезистивные датчики 2 и 3 считывания. Первые выводыэтих датчиков объединены и подключены к первому выходу источника 4 питания, а их вторые выводы подключены через разделительные элементы 5 и 6 в виде конденсаторов ко входам усилителя 7 считывания, выход которого является выходом устройства,Другие смежные плечи мостовой схемыдетектора 1 доменов образованы обмотками 8...

Номер патента: 1770987

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Курочкин, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...информации 5. Когда канал ввода-вывода 6 заполнится ЦМД, включаются регистры хранения информации 5 и ЦМД из канзла ввода-вывода поступают в регистры 5, а ЦМД из регистров 5 поступают в канал оводз-вывода 6. Далее по каналу ввода - вывода 6 ЦМД поступают о узел считывзния 8, Рассмотрим более подробно продвижение ЦМД через зазор в регистрах 5 хранения информации. Направление поля смещения выбрана таким, что при положительных токзх 1, 12 ЦМД фиксируется в МСЛ, обрззуашейся у нижнего козя отверстий 9,10, В исходном состоянии ЦМД 18 и 19 (фиг.2) находятся в положении, определяемом положительным током 11 и отрицательным токам 1 э. При этом МСЛ абрззаозна нижним кроем отверстия 9 и верхним краем отверстия 11 для ЦМД 18 и верхним краем...

Номер патента: 1783578

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ахуткина, Балбашов, Дидосян, Лыков, Четкин

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитооптический, транспарант, управляемый

...правляющей катушки, На противоположную сторону пластинб) эффект "накопления" деформации ДГ 55 ки ортоферрита 1 нане н рпри ее движении, э знацит, ир, з ацит, и уменьшение нальные шины записи 2 (столбцы) инадежности системы, удержания 3 (строки) информации, (Возв) наличие градиентного поля,оля, создаю- можно нанесение структуры шин и магнитовщего одиночную Д, приводящДГ, и иводящее к необхо- отдельно на кварцевые подложки с помещедимости корректировкректировки амплитуды нием пластинки ортоферрита между ними),Расстояние между строками равно периоду страйп-структуры ортоферрита. Стрелками указаны направления намагниченности в магнитах и доменах,На фиг. 2 изображена реальная структура полосовых доменов в пластинке ортоферрита иттрия...

Номер патента: 1788523

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменных, доменосодержащей, магнитоодноосной, пленке, рандошкина, скорости, стенок

...на расстояние, большее характерного размера локальной неоднородности в пленке внаправлении перемещения ДС,Локальную неоднородность в доменосодержащей пленке формируют локальнымуменьшением толщины пленки, с помощьюлокальной ионной имплантации, путем воздействия на пленку сфокусированным импульсным лазерным излучением с длинойволны в области поглощения доменосодержащей пленки, путем пропускания импульса тока через токопроводящий резистивныйэлемент, находящийся в контакте с доменосодержащей пленкой, или путем импульсного акустического воздействия на пленку.Сущность изобретения заключается вследующем. Экспериментально установле.но, что при импульсном перемагничиваниимагнитоодноосных пленок, в частности, монокристаллических пленок...

Номер патента: 1790006

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Службин, Темерти, Ястребов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...и пространстве магнитнымрельефом, создаваемым протекающими токами.За исходное состояние примем такое,когда канал ввода - вывода 2 свободен отЦМД, а регистры хранения информации 3заполнены ЦМД 24 и 25, находящимися впозициях, обозначенных как А,Считаем, что при положительном направлении тока 2, 2", 3 и 3" домены фикси 1790006руется в позициях А, Г канала ввода - вывода 2 и А , Г регистров хранения информации 3 соответственно.Накопитель может работать в одном из трех режимов: запись, считывание или поиск информации.В режиме записи информации ЦМД 26 и 27 зарождаются в узле генерации 6 и путем подачи в проводники 2 и 2" двухфазных разнополярных импульсов тока (фиг. 3), сдвинутых друг относительно друга во времени на одну четверть периода,...

Номер патента: 1795519

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Розенблат, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: ассоциативное, блоховских, вертикальных, запоминающее, линиях

...же совокупность отличительных признаков и проявляющие при этом те же свойства, что и предлагаемое техническое решение, т.е. предлагаемое техническое решение, по мнению авторов, соответствует критерию "существенные отличия".На фиг,1 и 2 изображены элементы ассоциативного запоминающего устройства на ВБЛ соответственно в момент ввода слова опроса и в момент осуществления логической операции сравнения,Устройство содержит магнитаодноосную пленку 1 с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки. На поверхности пленки расположены стабилизированные полосовые домены 2, содержащие ВБЛ 3, генераторы 4 ЦМД 5, каналы ввода 6 и вывода 7 ЦМД, детекторы ЦМД 8, каналы продвижения верхушек полосовых доменов 9, совмещенные с...

Номер патента: 1809465

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Горохов, Драчук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, продвижения, формирователь

...Ссоставляющей полного сопротивления катушки у 1 = щЬ, в результате чего вектор напряжения Ос-о на конденсаторе (вектор 0) и вектор Оь индуктивной составляющей сопротивления катушки (вектор Я) взаимно компенсируются и вектор напряжения Оу-о на выходе усилителя 1 мощности (вектор ОЕ) равен сумме вектора напряжения Овос на резисторе 4 обратной связи и вектора напряжения Овк на активном сопротивлении катушки (вектора ОГ, равного вектору АВ),С увеличением емкости конденсатора 3 до значения Сц 2 р его сопротивление снижа 1ется до величины ф = С +, в РеМСо+2 о зультате чего вектор напряжения Осц 2 о на конденсаторе (вектор ОН) не полностью компенсирует вектор напряжения Ок индуктивной составляющей напряжения на катушке (вектор ОА),.оставляя...

Номер патента: 1829047

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Гришин, Мартынович, Пермяков

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных

...шина разр зания 7 полюсового магнитного домена 9 (фиг.4), Токовая шина переброса 8 размещена между тупиковой частью и самим каналом переброса,Генератор работает следующим образом,При пропускании импульса тока через шину генерации б (фиг.5), магнитное поле которого превышает критическое значение для материала пленки Нс = Фо/2 Г 21 (где Ф - квант магнитного потока, Л- глубина проникновения магнитного поля в сверх- проводник,- длина когерентности) на краю пленки возникает полосовой домен 9 с шириной 2,2 /Ь, где й - толщина пленки (фиг,4 а, домен заштрихован), который прорастает вглубь пленки. Верхушка полосового домена достигает тупиковой части канала переброса 3 и входит в нее (фиг,46). При пропускании импульса тока той же полярности через...

Номер патента: 1829048

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Аверьянова, Гулько, Кривошеев, Мартыненко, Смишный, Строяновская

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, запоминающего, устройства, формирователь

...и отрицательным полюсами источника питания 19.На фиг.1 приведена функциональная схема формирователя тока треугольной формы для доменного ЗУ; на фиг.2 - временные диаграммы сигналов управления и эпюра тока в катушке,Формирователь Т,Т.Ф. для доменного ЗУ содержит управляющие входы 1, 2, 5, 12, 15, 16, токовые ключи 3, 4, 7, 14, 17, 18, диоды рекуперации энергии 6, 8, 11, 13, источники питания 19, 20, выходы 9, 10 для подключения катушки управления, причем токовые входы ключей 3, 17 соединены с положительным полюсом источника питания 19, токовый выход ключа 3 соединен с токовым входом ключа 4, анодом диода 6, катодом диода 8 и выходом 9 формировате 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 ля, токовый выход ключа 17 соединен с токовым входом...

Номер патента: 1837361

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G11C 11/14

Метки: гранатовых, границ, доменных, пленок, подвижности, феррит

...селектора 12 формируются строчныесинхроимпульсы (фиг,2 в) с периодом повторения 64 мкс, а на втором выходе - кадровые синхроимпульсы (фиг,2 б) с периодом 20 мс."5 Кадровый синхроимпульс устанавливает триггер 16 в единичное состояние(фиг.2 д) и одновременно перепадом Гзапускает одновибратор 23, на выходе которого формируется импульс низкого логического уровня 20 (фиг.2 г), длительность которого регулируется в пределах 0-20 мс. После окончания этого импульса на выходе одновибратора 23 появляется высокий уровень, разрешающий прохождение строчных синхроимпульсов 25 через элемент И 19. При этом первым жеимпульсом с выхода элемента.И 19 триггер 16 перебрасывается в нулевое состояние, в результате чего на выходе элемента И 19 формируется...