G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 1109800

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Бухштаб, Васильева, Гал, Касаткин, Кузнецова, Куликов, Малютин, Седых, Тимофеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, каналами, магнитных, низкокоэрцитивными, пленок, плоских, продвижения, тонких, ферромагнитных

...силу пленки, примыкающей к каналам. Затем на протравленную часть магнитомягкой пленки наносят магнитожесткую пленку. Таким образом, исчезает необходимость в обменном взаимодействии ,между магнитомягкой и магнитожест-, кой пленками, так как коэрцитивная сила пленки вне каналов определяется минимальной коэрцитивной силой или протравленной части магнитомягкой пленки, или магнитожесткой пленки, В то же время магнитожесткая пленка устраняет полученный в результате . травления перепад в толщине магнитомягкой пленки, уничтожая существовавшие на краях канала рассеивания, и одновременно может служить материалом для магнитожестких аппликаций для регистра сдвига на ПМД с локальными полями стабилизации (ЛПС) .На фиг. 1 изображена конструкция...

Номер патента: 1109801

Опубликовано: 23.08.1984

Автор: Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...на ЦМД и ог раничивает верхний предел рабочих мест накопителя. Кроме того, недостатком этого накопителя на ЦИД является необходимость разрезания или скрайбирования пластины магнитоодноосного материала на отдельные ЦМД- кристаллы, имеющие прямоугольную фор" му, что не позволяет использовать полностью и рационально материал с ЦМД и приводит к существенным потерямзО материала (до 40) при разрезании пластины.Наиболее близким техническим решением к изобретению является накопитель информации, который содержит маг 35 нитоодноосную пленку с ЦМД, накопительные регистры, размещенные на поверхности магнитоодноосной пленки и подключенные к генератору ЦМД и к устройству считывания цМд,и источник 4 О постоянного магнитного поля, перпендикулярного...

Номер патента: 1109802

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Брякин, Вашкевич, Говоров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, полосовых, поля, цилиндрических

...ЬС-генератора периодических колебаний, а выход подключен кизмерительному блоку и генератору пи.лообразного тока.Пои этом блоК обнаружения изменения частоты содержит генератор эталонной частоты, два счетчика и пороговый элемент, причем первый вход первого счетчика является входом блокаобнаружения изменения частоты, второй вход первого счетчика подключенк выходу генератора эталонной частоты и входу второго счетчика, выхоцкоторогосоединен с третьим входомпервого счетчика, выход которого подключен к входу порогового элемента,выход которого является выходом блока обнаружения изменения частоты,На чертеже изображена блок-схемапредложенного устройства.Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических ипзлосовых магнитных...

Номер патента: 1109803

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Иванов, Косов, Милованов, Рассказов, Савельев, Фокин

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, доменного, запоминающего, сигналов, тактирующих, устройства, формирования

...первого элемента ИЛИ, первый и второй входы которого являются соответственно первым и вторым входом блока, другой вход счетчика тактов соединен с выходом первого элемента И, первый вход которого подключен к выходу счетчика времени, а второй вход - к выходу триггера, один иэ входов которого соединен с выходом второго элемента ИЛИ, первый вход которого является третьим входом блока, а второй вход подключен к выходу второго элемента И, первый и второй входы которого являются соответсТвенно четвертым и пятым входами блока, второй вход триггера соединен с выходом третьего элемента ИЛИ, первый вход которого соединен с первым входом первого элемента ИЛИ, а второй вход - с выходом третьего элемента И, первый вход которого соединен с выходом...

Номер патента: 1112407

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Киселев, Орлов, Сидоров, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, кристаллах, органического, основе, поверхности, полимера, разделительного, рельефом, сглаженным, слоя, формирования

...к деструктуризации токопроводяших аппликаций на основе сплава ал юминий - медь. с уменьшением их устойчивости к токовым импульсам, а также к разрушению ионно-имплантированного доменосодержащего слоя, и вызывает возникновение жестких ЦМД, имеющих поле коллапса существенно большее, чем поле коллапса нормальных ЦМД,Целью изобретения является повышение надежности формирования разделительного слоя путем снижения температуры термообработки.40Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования разделигельного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимерадоменосодержаших кристаллах, основанному на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей...

Номер патента: 1112408

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Бедертдинов, Раев, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...цель достигается тем, чтов канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены изолированныеодин от другого токопроводящие слои, в каждом из которых выполнена основная группапериодически расположенных отверстий, вкаждом токопроводящем слое выполнена дополнительная группа отверстий, причем ось,5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 соединяющая центры отверстий дополнительной группы, расположена параллельно исмещена относительно оси, соединяющейцентры отверстий есновиой группы, на расстояние, равное- О диаметров ЦМД,На фиг.изображена конструкция предложенного канала для продвижения ЦМДс двумя токопроводящими слоями и прямоугольными отверстиями (возможны варианты выполнения канала с другим...

Номер патента: 1116460

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Кандаурова, Памятных

МПК: G11C 11/14

Метки: доменами, информации, магнитными, носителя, полосовыми

...ось анизотропии, пластину вырезают под углом к оси наведенной анизотропии, не равным 90. Величина угла определяется из условия, чтобы доменные границы после размагничивания пластины переменным полем ориентировались вдоль проекции оси наведенной анизотропии на плоскость образца. Таким образом формируют в плоскости носителя преимушественную ось анизотропии. Величина угла зависит от величины и характера магнитной анизотропии конкретной пластины и различна для пластины разного состава.Для устранения остаточного влияния многоосной анизотропии, проявляюшегося в том, что часть доменных границ по своей ориентации отклоняется от преимугцественной оси анизотропии, на носитель дополнительно воздействуют магнитным полем, величину и...

Номер патента: 1117710

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Раев, Смирягин, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...изолированные один от другого токо. проводящие слои с выполненными в них,группами периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумябоковыми и двумя торцовыми стенками, покрайней мере одна боковая сторона отверстий выполнена вогнутой формы,На фиг. 1 изображены для варианта выполпения предложенного канала для продвиже.йия ЦМД; на фиг. 2 - распределениеуправляющего тока вблизи отверстий,Канал для продвижения ЦМД (фиг. 1 а)содержит магнитоодноосную пленку,1, на которой расположены токопроводящие слои 2и 3, изолированные друг от друга и отпленки 1 слоями диэлектрика 4 и 4В слоях 2 и 3 соответственно выполненыгруппы периодически расположенных отверс.тий 5 и б.Отличительной особенностью канала явля.ется форма...

Номер патента: 1117711

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Дмитриев, Иванов, Михайлов, Трубников

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, напряженности, пленок, поля, феррит-гранатовых

...цель достигается тем, что в устройство для измерения напряженности поля анизотропии феррит-гранатовых пленок, содержащее поляризационный микроскоп с источьиком поляризованного света, фотоприемник, оптически аяэанный с микроскопом, источник переменного магнитного поля, ориен. тированного вдоль оптической оси поляризаць- онного микроскопа, источник постоянного магнитного поля, ориентированного вдоль фокаль. ной плоскости поляризационного микроскопа, введены источник порогового напряжения, компаратор, блок управления, управляемый источник переменного тока, управляемый источник постоянноготока, индикатор в виде цифрового вольтметра и согласующий элемент в виде резистора, причем входы компаратора подключены к выходам фотоприемника и...

Номер патента: 1119078

Опубликовано: 15.10.1984

Автор: Клейменов

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, доменной, памяти, продвижения, формирования

...потенциала, а другие к эмиттерам соответствующих транзисторов 21. Недостатком прототипа является нессимметричность тока в источнике магнитного поля вращения, связанная с неравенством величин напряжения источников питания. 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 50 55 На чертеже приведена схема блока формирования тока продвижения для доменной памяти через одну из катушек.Формирователь тока продвижения для доменной памяти состоит из двух последовательно соединенных ключей 1, 2, выполненных на транзисторах 3, 4 разной проводимости. Параллельно каждому транзистору включены ограничительные элементы в виде обратно-смещенных диодов 5, 6, два источника питания 7 и 8 соединены последовательно между собой. Источник магнитного поля 9, в виде катушки...

Номер патента: 1119079

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Козленко, Кордубан, Пухов, Соловьев, Чертов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...в области их перекрытия, выводные электроды, магниты, корпус и теплоотводящий наполни- тель 121.Недостатком известного устройства является также низкая надежность из-за высокой температуры нагрева кристалла за счет низкой теплопроводности материалов и зазоров между элементами конструкции.Цель изобретения - повышение надежности накопителя информации.Поставленная цель достигается тем, что в накопителе информации, содержащем основание с выводами, доменосодержащий кристалл, источник вращающегося магнитного поля управления, источник постоянного магнитного поля смещения и корпус, основание выполнено из поликристаллического диэлектрика в форме прямоугольной пластины со скосами по краям, с углублением и продольным отверстием в центральной...

Номер патента: 1119080

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Солощенко, Степанишин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, запоминающего, магнитного, магнитных, поля, устройства, формирования, цилиндрических

...ключа и блок управления ключами 2.Недостаток этого устройства - неудовлетворительная надежность.Цель изобретения - повышение надежности устройства формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах.Поставленная цель достигается тем, что в устройство формирования вращающегося 25 магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого...

Номер патента: 1123058

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Базаров, Щербакова

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, источник, магнитного, многокристалльного, накопителя, поля, постоянного

...нокаэан предлагаемыймагнитного поля, внутри которых на источник магнитного поля.коммутационной плате установлены до Он содержит корпус 1, пластины 2менсодержащие кристаллы 1113. магнитотвердого материала с полюсныНедостатком этого модуля является ми наконечниками 3, которые могутбольшая потребляемая мощность, быть как плоскими, так и клинообразНайболее близким по технической ными.сущности к изобретению является уст-Устройство работает следующим об 20ройство, содержащее корпус из магии- разом,томягкого материала, к верхней и ниж. В. устройстве создается ряд контуней стенкам которого прикреплены ров замыкания магнитного потока,пластины из магнитотвердого матерна-. число которых равно числу секций мнола с полюснымн наконечниками, между....

Номер патента: 1123059

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, неразрушающего, считывания, цилиндрических

...формирование протяженной магнитостатической ловушки (МСЛ) переменной длины. При этом длина МСЛ может равняться длине одной из полупетель или суммарной длине обеих полупетель, что обеспечивает растягивание домена, введенного из одной ветви регистра памяти, считывание соответствующей информации и последующее перемещение домена в другую ветвь регистра памяти. Продвижение домена через беззазорный по длине контур расширителя более надежно по сравнению с известными устройствами, так как домен не может выйти за пределы этого проводникового контура расширителя.На чертеже изображена конструкция предложенного устройства для не- разрушающего считывания ЦМД.Устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, изолированные друг от друга...

Номер патента: 1123060

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Епанчинцев, Катсон, Силантьев, Шелухин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, магнитоодноосной, параллельной, пленке, полосовой, структуры, формирования

...цель достигается тем,что согласно способу формированияпараллельной полосовой доменнойструктуры в магнитоодноосной пленке,основанному на воздействии на пленкупеременным магнитным полем, направленным перпендикулярно плоскостипленки, после воздействия на пленкупеременным магнитным полем плоскостьпленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьша-.ют амплитуду переменного магнитногополя до нуля,На чертеже изображено устройстводля реализации предлагаемого способа.Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке содержит соленоид 1, вставку 2, держатель 3 с кассетой 4, задающий гене 1 ратор 5 тока, образец б.В соответствии с предлагаемымспособом формирование...

Номер патента: 1124381

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Середкин, Фролов, Яковчук

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитный, носитель

...тем,что в магнитном носителе информации,содержащем диэлектрическую подложкус последовательно нанесенными йа неетермочувствительным и магниточувствительным слоями, причем магниточувствительный слой выполнен из ферромагнитного материала с одноосной анизотропией в плоскости слоя, термочувствительный слой выполнен из ферримагнитного материала с перпендикулярной плоскости слоя осью анизотропии35На фиг. 1 и 2 показан предлагаемый магнитный носитель информации вдвух состояниях.Устройство содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесентермочувствительный ферримагнитныйслой 2. На слой 2 нанесен магниточув 381 2ствительный слой 3 с намагниченностьюлежащей в его плоскости.Величина коэрцитивной силы материала слоя 2 15 кЗУ а слоя 3 2-3...

Номер патента: 1124382

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Гомон, Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...свойств. Кроме того, металлизированные токопроводящиедорожки, нанесенные на поверхностьматериала торцовых панелей, уменьшают эластичные свойства материала торцовых панелей, так как они по отношению к последнему имеют отличный отнего коэффициент линейного расширения,Указанный недостаток ограничиваеттемпературный диапаэрн работы накопителя и снижает его надежность.Цель изобретения - повышение надежности накопителя для оперативногозапоминакщего устройства путем устранения механических воздействий материала торцовых панелей на стержнис ЦИП при изменении температуры,Поставленная цель достигается тем,что в накопителе для оперативного за"поминающего устройства, содержащемчисловые обмотки, образующие соленоиды, с расположенными в них стержнями,...

Номер патента: 1125653

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...об"раэования зева их разведением, вплетения в технологические струны проводников числовых обмоток, перемещения сформованных витков чис-.ловых обмоток за зажим-разделитель,заливки полученных .обмоток послеокончания плетения компаундом иизвлечения технологических струн 13.Недостатком известного способа 15является низкий выход годных мат"риц, обусловленный различной величиной Формируемых,полуволн витковобмоток по длине матрицы.- минимальных в начале плетения матрицы и 2 Оувеличивающихся к концу плетенияматрицы.Цель изобретения - повышениевыхода годных матриц путем формотвания одинаковых витков числовых 25обмоток по всей длине матрицы,Поставленная цель достигаетсятем, что при способе изготовленияматриц запоминающих устройств на...

Номер патента: 1127003

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Службин, Темерти, Хохлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...причем смежные ферромагнитные аппликации повернуты относительно друг друга на 180 и гальванически связаны между собой.3 1127В предложенном канале для продвижения ЦМД выполнение и размещение токопроводящих шин и ферромагнитных аппликаций совместно с указанными связями, в том числе с .источником . внешнего магнитного поля, обеспечивают формированиемагнитостатической ловушки, .имеющей в отличие от прото- тина значительно больший градиент продвигающего поля, и в предложенном 10 устройстве нет элементов, меньших диаметра ЦИД.В таком канале формироваиие магнитостатических ловушек ОКИСЛ) обуславливается суммарным воздействием иеременного тока, подаваемого в пыны, и внешнего переменного магнитного поля с заданным сдвигом фазы относительно...

Номер патента: 1127004

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Водеников, Пятаченко, Руслякова

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленок, цилиндрических

...насыщения, коэффициента маг- величины Т (точкаА) до температурынитострикции и коэрцитивной силы маг- Т (точки В,С) в момент перехода конитной пленки.Цель изобретения - повышение надежности изготовления ЦИН путем одновременного, поддержания стабильностиих химического состава, толщины икристаллической структуры. 5 О можно, в раствор осаждения вводятПоставленная цель достигается тем,что согласно способу изготовленияЦИП, основанному на электролитическомосаждении слоя ферромагнитного сплавана немагнитную проволочную подложкой Иего термомагнитной обработке, в раствор осаждения периодически вводят дения солью указанного элемента поссоль одного из элементов осаждения ле снижения температуры и при умень1127004 4 3шенин температуры...

Номер патента: 1127005

Опубликовано: 30.11.1984

Автор: Клейменов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключателя, формирователь, цилиндрических

...катоды являются выходом формирователя тока, и второй накопительный элемент в виде конден:сатора, одна обкладка которого подсоЕдинена к аноду первого диода, а, другая " к шине нулевого потенциала.На фиг.1 изображена принципиальная схема предлагаемого формирователя тока; на фиг.2 - временные диаграммы основных сигналов при формировании импульсов тока ступенчатой формыФормирователь тока для переключателя ЦМД (фиг,1 содержит источник 1 питания, два ключевых элемента 2 и 3, входы которых подключены к шине нулевого потенциала, резистор 4, один вывод которого подключен к выходу первого ключевого элемента 2, а другой - к выводу дросселя 5, второй вывод которого подключен к источнику 1 питания, причем управляющие входы 6 и 7 ключевых...

Номер патента: 1127009

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Гал, Кузякин, Малютин

МПК: G11C 11/14, G11C 19/08

Метки: регистр, сдвига

...топологии фрагментов регистра сдвига; на фиг. 3 - процесс перемещения ПМД вдоль регистра; на фиг.4 диаграмма импульсов управляющих полей,Регистр сдвига (фиг. 1) содержитстеклянную подложку 1, на которую.нанесена тонкая магнитная пленка 2,первый изолирующий слой 3, слой управляющих проводников 4 н второйизолирующий слой 5. Подложка 1 помещена в плоскую управляющую катушку 6,создающую однородные управляющиеполя,Низкокоэрцитнвные каналы продвижения ПМД 7 (фиг. 2) формируется впленке 2 и выполнены в виде последовательно расположенных полос, разделенных зазорами (фиг. 2,а) величинакоторых не превышает ширину полосы,или сужениями (фиг. 2).Позиции хранения ПМД обозначенына фиг, 3 буквами А, Б, В и Г. Полный цикл перемещения Т (фиг. 4) состоит...

Номер патента: 1129652

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Костин, Прохоров, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменного, запоминающего, источник, магнитного, поля, устройства

...конструкцияпредложенного устройства,Источник вращающегося магнитногополя для доменного запоминающего устройства содержит две многовитковые обмотки1, последовательно и поочередно охватывающие основания 2 с доменосодержащими 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 кристаллами 3. Основания 2 скреплены направляющими штырями 4,Обмотки формируют из одного замкнутого и одного разрезного шлейфов изолированного провода, витки которого, прилегающие без зазоров друг к другу, скреплены клеем.Вследствие особенностей связи между обмотками источник имеет нечетное количество областей перекрытия обмоток, т.е. предназначен для нечетного количества оснований с кристаллами.Источник работает следующим образом.При подаче напряжений питания на выводы обмоток в...

Номер патента: 1129653

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Клин, Нам, Павлов, Соловьев, Тюменцева, Фомкин

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, элемент

...нагрузкой в магнитном поле, прикладывают стеклянную пластину с нанесенными на нее взаимно ортогональными токопроводящими шинами 1,Элементы памяти, созданные таким способом, имеют большую энергию переключения.Известны также элементы памяти, созданные на высококоэрцитивной пластине граната системой взаимно ортогональных токопроводящих шин 12.Однако переключение такого элементапамяти требует также больших энергетических затрат (ток переключения 0,6 А наячейку),Цель изобретения - снижение энергоемкости переключения элементов памяти.Поставленная цель достигается тем, что в элементе памяти, содержащем прозрачную диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитного диэлектрика и две группы взаимно ортогональных шин записи,...

Номер патента: 1130898

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Ковалева, Станина, Субботина

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...сигнал/помеха.Поставленная цель достигается тем,что в накопителе информации, содержащем элементы памяти в виде стержней 45с ЦТМП соединенных в каждом разряде1накопителя в мостовую схему, в однуиз диагоналей которой включен форьа; -рователь разрядных токов, а в другую - дифференциальный усилитель счи тывания, и адресные шины, каждая ад"ресная шина магнитосвязана с соответствующими стержнями с ЦТМП, расположенными в противоположных плечах мостовой схемы, 55На чертеже изображена приципиальная схема одного разряда накопителяинформации,Накопитель информации содержит стержни 1-4 с ЦТМП, включенные в мостовую схему, формирователь 5 разрядных токов, дифференциальный усилитель 6 считывания. На каждый бит информации используется два...

Номер патента: 1130899

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Тимошечкин

МПК: G11C 11/14

Метки: выявления, дефектов, доменах, интегральных, магнитных, схемах, цилиндрических

...их регистрацию осуществляют вотраженном свете. В частности, можно для облегчения регистрации наповерхность доменосодержащей пленки перед нанесением управляющих структур напылить отражающий слой и наблюдать домены со стороны нерабочей поверхности пленки . Если для перемагничивания доменосодержащей пленки используют импульсы магнитного поля с длительностью фронта менее 0,05 мкс, то на процессперемагничивания сказываются динамические эффекты. При этом минималь3 1130 ная амплитуда импульсного поля, при которой на данном центре зародышеобразования появляется домен с обратной намагниченностью, зависит от длительности фронта импульса. При5 длительности фронта импульса более 0,5 мкс на процесс перемагничивания сказывается...

Номер патента: 1133618

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...полюса А, Б, В и Г, соответствующие положениям вектора управляющего поля Н которые взаимодействуют с ЦМДуи обеспечивают движение последних.НИ работает следующим образом.При включении магнитного поля управления, вращающегося по часовой стрелке, от генератора 7 записи ЦМД Б 0 15 Ю 25 30 35 8 Ц через переключительный элемент 8 по каналу 6 с частотой вращения магнитного поля управления, т.е. на каждый период поля управления, продвигается записываемая информация в виде отсутствия или наличия инфор" мационных ЦМД 2, Заполняя канал 6, ЦМЦ попадают либо под переключательные элементы 12 ключей 10 ввода- вывода, либо оказываются в непосредственной близости (на 0,25- 0,75 периода поля управления) от элементов 12.Если в регистрах 4 хранения содер...

Номер патента: 1133619

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Бойко, Гомон, Косинов, Кузьменко, Парака

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, накопителей, пленках, устройств, цилиндрических

...накопителей для ЗУ на ЦМП.Поставленная цель достигаетсятем, нто согласно способу изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП,основанному на устанбвке на основание плетеных полотен числовых обмо"ток, закреплении их между собойи на основании, установке на их боковые поверхности эластичных торцо-,вых панелей, установке стержней, покрытых ферромагнитной пленкой,в соленоиды числовых обмоток и формировании разрядных цейей путем соединения концов близлежащих стержней один с другим токопроводящими дорожками, нанесенными на эластичные торцовые панели накопителей, закрепляют эластичные торцовые панели перед установкой на боковые поверхности плетеных полотен числовых обмоток по периметру на жестких технологических рамках и освобождают их от...

Номер патента: 1137536

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Гомзина, Зиборов

МПК: G11C 11/14

Метки: ввода, доменах, информации, канал, магнитных, накопителя, цилиндрических

...и снижение надежности прк увеличении плотности записи ккформацкигЦель изобретения - расширение об- З 5ласти устойчивой работы канада вводаинформации для накопителя на ЦИД.Поставленная цель достигаетсятем, что в канаде ввода информацииддя накопителя нв Ц 3 Щ, содержащем ф 1магнктоодноосную пленку, на которойрасположены ферромагнитные элементыпереключения и элементы связи в форме асимметричных шевронов, элементыпереключения выполнены С-образной фор 45мы и расположены последовательно, акаждый элемент связи расположен между смежными элементами переключения,причем вершина его магнитосвязака с.одним концом одного элемента переключения, а конец соответствующей.перемьяки элемента связи магнитосвязан с другим концом смежного...

Номер патента: 1140170

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Гогин, Пилексин, Пыхтина, Станина, Стяжкина, Шадрина

МПК: C25D 17/10, G11C 11/14

Метки: магнитных, осаждения, пленок, подложку, цилиндрических

...прикреплены две анионитовые мембраны 5 в форме прямоугольного параллелепипеда, предназначенные для разделения анодного и катодного пространств, внутри каждой анионитовой мембраны 5 равномерно по ее длине расположены группы платиновых анодов 6, выполненныхв виде штырей или плоской пластины. Концы анодов выведеньна крьпку аиодной коробки и заканчиваются клеммами 7 для подвода электрического тока извне.Устройство работает следующим образом.Перед началом рабдть технологической линии проволочную подложку 4 устанавливают в анодную коробку 1,затем в нее заливают электролит и сверху закрывают крышкой 2 с прикрепленными к ней анионитовыми мембранами,в которых установленыплоские аноды. Через отверстия в крышке электролит заливают также в...