Носитель информации

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) (1 1/14 14 С КОМИТЕТ ОТКРЫТИЯ СУДАРСТБЕННЬИЗОБРЕТЕНИЯИ П(НТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБР А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ ТЕ держиткоторой(54) (57) тель зова Н ФОРМАЦИИ е относи СИТЕЛЬ ислизобретен й техник ь и может быть роении запоминанове магнитныхит ными доменамияется расширениаботы носителя о при пос йств на о пл еноЦел е обл инфор гр ми маг ния яв сиз ти о ст лои гнит Изобретение относится к вычис тельной технике и можег быть исп вано при построении запоминающих ройств на основе магнитных плено плоскими магнитными доменами Целью изобретения являетс рение области устойчивой раб теля информации На фиг. 1 изображен пре носитель информации; на фиг чение А-А на фиг. 1. Носитель инфор электрическую по расположены колонзо 2 па стя расши оты но длагаемыи 2 - сеержит дина которой овательно магнитныхидной формации соддложку 1,ки последпленочных П единенных то ементов 2 па ти стрело.66(088.8)апз Маяп, Ч. ации. Носитель информациииэлектрическую подложку,асположены колонки послед единенных тонкопленочных магнитнь лементов памяти стрелов ысококоэрцитивный магни асположенный на участка нитнои пленки между элементами памяти, и управляющие шины. Нанесение высококоэрцитивного магнитного слояприводит к увеличению коэрцитивной силы на участках пленки под ним. Этопозволяет использовать для храненияинформации, соответствующей "1", более устойчивую конфигурацию намагни-,ченности, состоящую из трех участковс разным направлением намагниченности, разделенных доменными стенками,поэтому носитель информации имеетболее широкую область устойчивой работы. 2 ил мы, высококоэрцитивныи ма нын с 3, расположенный на участках тонкой магнитной пленки между элементами памяти и управляющие шины 4 и 5,Носитель информации изготавливают следующим образом.На диэлектрическую подложку 1 наносят известным методом магнитную пленку пермаллоя с коэрцитивной силой Нс = 2 Э. Затем с помощью фотолитографии Формирут из пленки пермал лоя колонки неразделенных друг от друга тонкопленочных однослойных маг нитных запоминающих элементов 2. ос ле этого наносят слой Фоторезиста, освобождают от фоторезиста поверхносФормула изобретения 30 оставитель Ю.Розентальехред Л,Олийнык Корректор Э.Лончаков Г,Гербе едакаказ 6088/52 55 дписное БН 1 ИПИ Государственного комитет 113035, Москва, по изобретениям и открытиям прн ГКНТ.-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,10 3 15135 участков магнитной пленки в колонках между магнитными запоминающими элементами и наносят магнитный слой 3 толщиной 50 нм с коэрцитивной силой Н = 100 Э, после чего полностью удаляют фоторезист.Носитель информации работает следующим образом.При записи "0" в отдельный элемент 10 2 по шине 4, расположенной над элементом перпендикулярно к колонке, и по шине 5, расположенной вдоль колонки, пропускают электрический ток. Магнитные ноля, созданные этими токами, 15 складываются и переводят намагниченность элемента в состояние, соответствующее 0, Дпя записи 1 используют тот же метод, но необходимы токи обратного направления, Дпя считывания О информации через колонку запоминающих элементов пропускают электрический ток и регистрируют изменение сопротивления при действии на выбранныйс элемент магнитного поля от проводника с током, расположенного над элементом,Нанесение высококоэрцитивного магнитного слоя приводит к увеличению ко 1 б 4эрцитивной силы на участках пленки под ним. Это позволяет использовать для хранения информации, соответствующей "1", более устойчивую конфигурацию намагниченности, состоящую из трех участков с разным направлением намагниченности, разделенных доменными стенками, поэтому предложенный носитель информации имеет более широкую область устойчивой работы. Носитель информации, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположены колонки последовательно соединенных тонкопленочных магнитных элементов памяти стреловидной формы и управляющие шины, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения области устойчивой работы носителя информации, он содержит высококоэрцитивный магнитный слой, расположенный на участках тонкой магнитной пленки между элементами памяти стреловидной формы.