G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 1327183

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Захарян, Красовский, Кузнецов, Леонтьев, Раев, Шотов

МПК: G11C 11/14

Метки: данных, доменной, памяти, преобразования, формата

...устройства и соединены с соответствующими входами данных блоков 1 памяти на ЦМД, буферный регистр 15, входы первой группы которого являются входами данных второй группы устройства и соединены с шинами 16 ввода данных, входы второй группы соецинены с выходами элемента И 12, первым выходом мультиплексора 11, выходом элемента И 17 и шиной 18 запроса передачи данных, а выходы являются выходами второй группы устройства и соединены с соответствующими шинами 19 вывода данных, прйчем последний выход соединен с первым входом элемента И 13, третий счетчик 20, счетный вход которого соединен с выходом элемента И 12, а выход - с входом установки единицы триггера 21, шина 22 подтверждения передачи, соединенная с входом установки нуля триггера 21...

Номер патента: 1327184

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Дробноход, Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...в обратном зеве ка стороне, противоположной свободному концу проводника, становится большей, а на стороне свободного конца проводника .становится меньшей. Это приводит к тому, что глубина Формовки проводника по всей его длине становится равномерной,Сохранение угла наклона плоскостей технологических струн в обратном зеве равным углу наклона плоскостейтехнологических струн при прямом зеве обеспечивает одинаковые условияформовки проводника при плетении последующих витков адресных обмоток припрокладке проводника как слева направо, так и справа налево со сторонывершины угла, образованного плоскостями технологических струн. Сформированные проводники перемещают к адресным обмоткам, заливают компаундоми извлекают технологические...

Номер патента: 1328846

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук, Овчаренко

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...шину аннигиляторов 11 ЦМД подаются импульсы тока, уничтожающие (1-1) разрядов блока в каждом -м регистре ввода (1=0,К). При поступлении разряда а, в позицию 16 -1)-го дополнительного тока 5 регистра ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется параллельный ввод блока информации из основного 4 и дополнительных 5 регистров ввода в регистры хранения информации. При считывании блок информации, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, достигает позиции 17 основных переключателей-репликаторов 8 и переводится импульсом тока отрицательной полярности, подаваемым в токопроводящую шину основных переключателей-репликаторов ЦМД, из регистров хранения информации в основной 9 и дополнительные 10 регистры...

Номер патента: 1332378

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Барьяхтар, Зиновук, Ковтун, Коновалов, Приходько, Соболев

МПК: G11C 11/14

Метки: границ, доменных, направления, поляризации

...ДГ осуществляют следующим образом.Воздействуют на магнитную пленкуодновременно высокочастотным магнитным полем, направленным вдоль осилегкого намагничивания пленки, инизкочастотным магнитным полем, направленным вдоль ДГ, определяют изменение сигнала поглощения высокочастотной энергии доменными границами и по знаку производной этого изменения судят о направлении поляризации ДГ,Физическая сущность предлагаемогоспособа состоит в следующем. В доменной границе, не содержащей неоднородности типа блоховских линий или точек Блоха, можно выделить два возможнык направления поворота намагниченности, а именно правовинтовое и левовинтовое.Изменение поля Н, приложенноговдоль ДГ, приводит к изменению эффективной массы ДГ, следовательно,...

Номер патента: 1334178

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, плоских, репликатор

...1 и выходной 2каналы продвижения ПМД сформированыразмагничивающими полями (Н, ) высококоэрцитивных ферромагнитных1-образных аппликаций, которые в 25области соединения формируют У-образную аппликацию 6.Репликатор плоских магнитных доменов работает следующим образом.Под действием наносекундного импульсного магнитного поля Ьи однородного магнитного поля Й низкокоэрцитивная ферромагнитная пленка 3в области действия размагничивающегополя (Н) 1-образной аппликацииМок 35переходит в однодоменное состояние,в результате чего обеспечивается условие для синхронного направленногоперемещения информационных доменов.Так как область соединения У-образ 40ной аппликации 6 шире 1-образной аппликации, что соответственно приводит к уменьшению Нв этой...

Номер патента: 1336103

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Волков, Гревцов, Костин, Лебедев, Минеев, Романов, Сперанский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопителей, цилиндрических

...1 импульсов поступают на первый вход блока 11 выделения управляюцих импульсов. На второй вход блока выделения управляющих импульсов подают ся электрические импульсы с последнеговыхода распределителя 3 импульсов. Блок выделения управляющих импульсов в зависимости от кода на шине 16 управления может работать в двух режимах: с фиксированной задержкой получения управляющего импульса относительно нулевой фазы интегрируемого напряжения и с дискретно нарастающей задержкой получения управляющего импульса относительно нулевой фазы синтезируемого напряжения. Два ука занных режима работы обеспечиваются приподаче с шины управления на второй вход элемента ИЛИ 15 сигнала логической единицы, который с выхода элемента ИЛИ поступает на первый вход...

Номер патента: 1336104

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Клейменов, Кобыляков, Наумов

МПК: G11C 11/14

Метки: двухканальный, доменной, памяти, формирователь

...от источника 5 питания на его выходных выводах возникает ЭДС противоиндукции. Величина этой ЭДС больше напряжения дополнитель 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Формула изобретения 1. Двухканальный формирователь тока для доменной памяти, каждый канал которого содержит два последовательно соединенных управляемых ключа, управляющие входы которых являются входами разрешения записи формирователя тока, выход одного ключа соединен с источником питания отриного источника 22 питания на величину открывания диода 14 рекуперации энергии и падения напряжения на открытом ключе 18.В источнике магнитного поля вращения микросхемы формируется спадающий сигнал, обусловленный разрядом энергии. Скорость изменения спадаюгцего сигнала характеризуется величиной...

Номер патента: 1336105

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Захарян, Красовский, Кузнецов, Леонтьев, Матвеев, Прохоров, Раев, Шотов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменное, запоминающее

...адреса подпрограммы применительно к микропроцессорному комплекту К 1804 следующий. Если код микроинструкции равен О 01, два старших бита адреса подпрограммы поступают на схему 35 формирования адреса микрокоманды 40 из регистра 28 режима, в противномслучае - из регистра 24 микрокоманд.Содержимое регистра 28 режима передается через мультиплексор 33 по сигналу,формируемому с выхода логических схемИ 29, 30, 31 и НЕ 32. Схема 35 формирования адреса микрокоманды формирует адрес подпрограммы обслуживания того типа ДИМ, который используется в накопителе. Выполняется чтение текущего адреса в блоке 15 ДИМ. Управляющая информа ция, задающая временную диаграмму работы конкретного типа ДИМ, поступает от блока 37 микропроцессорных секций по группе...

Номер патента: 1336106

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, плоских

...4 в форме ромба. Край аппликации 4 (вершина ромба) расположена в одной вертикальной плоскости с торцом высококоэрцитивной ферромагнитной 1-образной аппликации 5, размагничивающее поле Н"к которой формирует канал продвижения ПМД.Генератор ПМД работает следующим образом.Под действием наносекундного импульсного магнитного поля Н. известной величины и формы в ферромагнитной пленке 1 возбуждается высокочастотное сползание доменных границ, При приложении однородного магнитного поля Нл, удовлетворяющего условию( Нр + Нлок) ) Нл) )Нл.крит., (1) где Н; - текущее значение однородногомагнитного поля;Н - размагничивающее поле низкокоэрцитивной ферромагнитнойпленки в области действия НН - размагничивающее поле предварительно насьпценной...

Номер патента: 1339654

Опубликовано: 23.09.1987

Автор: Карпенко

МПК: G11C 11/14

Метки: интегральных, магнитных, памяти, схем

...входом элемента 18 задержки, выхоц которого соединен спервым входом элемента И 25 и с входом элемента 19 задержки, выход которого соединен с первым входом элемента И 24, К-входом триггера 27 ис входом элемента 20 задержки, выходкоторого соединен с первым входомэлемента И 31 И-НЕ 26 и с входом элемента 21 задержки, выход которого соединен со счетным входом счетчика 29.Выход элемента И 24 является первымвыходом 11 блока 2 управления, выход элемента ИЛИ-НЕ 26 является четвертым выходом 14 блока 2 управлениявыход триггера 27 является третьимвыходом 13 блока 2 управления,Блок 3 оперативной памяти предназначен для хранения текущих значений числа сбоев, выданных накопительными регистрами проверяемой магнитной интегральной микросхемы, Каждо -му...

Номер патента: 1339655

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Костин, Усов, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащего, корпус, кристалла

...издвух чашеобразных половин 10,На практике кристаллодержательвыполнен литьем под давлением, причем провода перед опрессовкой скрепляют клеящим компаундом в областиопрессовки в группы из четырех отрезков проводов 2 первыми копцами водной плоскости, а вторыми концамисвободно, при этом в центральнойчасти отрезки проводов уложены в дваряда по два провода, Использован провод типа ПЭТВ ф 0,4 мм. Общая высота рамки 1 мм,После опрессовки в кристаллодержателе выполняют паз фрезерованием судалением изоляции и части проводникана первых концах отрезков проводов 2.Общие габариты кристаллодержателя10 х 100 - 13 х 13 х 1 мм,Вторые концы проводов 2 выступаютиз фасок по углам кристаллодержателя,Кристалл 3 размещают в отверстии...

Номер патента: 1341679

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Вайсман, Герасимчук, Ильчишин, Семенцов, Хома

МПК: G11C 11/14

Метки: автосмещения, монослойных, отжига, пленок, создания, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 1 13416Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающихустройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Цель изобретения - упрощение технологии получения эпитаксиальныхферрит-гранатовых пленок с. автосмещением, 10Способ осуществляется следующимобразом.Подложку с нанесенной на нееэпитаксиальной Феррит-гранатовойпленкой (ЭФГП) помещают в вакуумнуюотжиговую камеру, обеспечивающуюградиент температуры по поверхностипленки не более двух градусов. Производится безмасляная откачка объемакамеры до величины давления порядка10" мм рт,ст. Включают нагревателькамеры и температуру поднимают дозаданной со скоростью, не превышаюощей...

Номер патента: 1341680

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, накопителей, пленках, устройств, цилиндрических

...запоминающих устройств на цилиндрических магнит; ных пленках (ЦМП),Цель изобретения - повышение на- дежности изготовления накопителей путем исключения проникновения клея в каналы матриц соленоидов числовых обмоток при их склеивании в пакет.В соответствии с предложенным способом изготовления накопителей для запоминающих устройств на ЦИП осуществляют следующим образом.Растягивают технологические струны за противоположные концы и перемещают матрицы соленоидов числовых обмоток вдоль технологических струн, скрепляют матрицы соленоидов числовых обмоток между собой и закрепляют на основании, извлекают технологические струны после полимеризации клеевых швов между матрицами, устанавливают торцовые панели с металлизи- р" рованными отверстиями и...

Номер патента: 1341681

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Мамалуй, Сирюк, Ярош

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, магнитоодноосной, пленке, решетки, формирования, цилиндрических

...формирование решетки импульсныммагнитным полем н поле смещения,Как видно из фиг.1, с ростом положительного.поля смещения диаметр домена с 1 уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличиваетсяПериод решетки аот поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки отполя смещения показана кривой 2 нафиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать;плотность увеличивается при Н0уменьшается при Н, ) 0 (фиг,1,таблица),На фиг,2 показано влияние полясмещения на. параметры решетки ЦМДпленки (УБпй.цба) (Ребе)О, ,сформированной при воздействии суйерйоэицииполей, С ростом величины приложенного при формировании решетки гголожительного поля...

Номер патента: 1348906

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Барьяхтар, Дорман, Ковалев, Манянин, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: пленок, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект...

Номер патента: 1352533

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Дроздович, Сморж, Човнюк, Шутовский

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 135Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц.В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим. образом. Вместо, обычно применяемых в качестве технологических струн основы стальных проволок выбирают проволоку, изготовленную из материала, обладающего, эффектом памяти формы, например нитинола (50 никеля, 50 титана). Вначале нитиноловую проволоку нагреовают до 200 С, затем ее подвергают растяжению до тех пор, пока поперечный диаметр нитиноловой проволоки не...

Номер патента: 1352644

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, H03K 19/168

Метки: пороговый, элемент

...дополнительномуотводному каналу 7 продвижения ЦМДв сумматор 1 ЩЦ нли в информационныйканал 9 продвижения 1 ЩЦ. Домен, поступивший в динамическую ловушку ЦМДсумматора ЦК, продвигается в следующую соседнюю динамическую ловушку ЦМДсумматора 1 ЩЦ, если в одной из последующих динамических ловушек ЦМДотсутствует домен, или остается вданной динамической ловушке ЦМД впротивном случае. Домен из информационного канала 9 продвижения ЦМДпоступает в первую динамическую ло-,вушку ЦМД сумматора 1 ЩЦ по каналу 10предпочтительного продвижения ЦМД,если в одной из последующих динамических ловушек ЦИД сумматора ЦИД отсутствует домен, в противном случаепо основному отводному каналу 11продвигается в основной аннигиляторб 1 ЩЦ, где уничтожается,Входные каналы...

Номер патента: 1361625

Опубликовано: 23.12.1987

Автор: Бедертдинов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопитель, цилиндрических

...сторон от вывода имеются пазы 11 и 12, а концы шины соединяются со слоем проводника.Первый управляющий электрод 13 соединен с первым слоем проводника высокоомного участка шины, а общий электрод 14 соединен с первым, слоем проводника со стороны низкоомного участка шины. Второй слой проводника соединен с вторым управляющим электродом и общим электродом. Для выполнения участка 8 шины с повышенным сопротивлением по сравнению с участком 7 в нем выполнены отверстия 15. Датчик 16 ЦЩ расположен в конце канала продвижения ЦМД и вблизи отверстия, вытянутого поперек направления движения ЦМД и являющегося расширителем.ЦМД. На участке 7 выполнен дополнительный паз 17.Накопитель работает следующим образом.При продвижении ЦМД по каналу первый и...

Номер патента: 1363304

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...шин, причем ширина вырезов равна диаметру цилиндрического магнитного домена. 1 13633Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении накопителейинФормации на цилиндрических магнит 5ных доменах (ЦМД).Целью изобретения является повышение надежности генератора,ЦМД.На. Фиг,1 изображена конструкцияпредложенного устройства; на Фиг.2и 3 представлено распределение магнитного поля вокруг токопроводящих шин(разрезы А-А и Б-Б на Фиг,1 соответственно),Генератор ЦМД содержит магнито г,одноосную пленку 1 /Фиг,1/, напримермонокристаллическую пленку Феррит"граната, на поверхности которой методами напыления и ФотолитограФииустановлена токопроводящая шина 2,одна из продольных боковых сторонкоторой снабжена вырезом 3,...

Номер патента: 1363305

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Бедертдинов, Раев, Смирнов, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, информации, магнитных, накопитель, цилиндрических

...21 и 22, при этомвыходы 21 и 22 элемента И-ИЛИ соединены с входами 8 и 9 элемента ЗАПРЕТ-И 6,В основе работы накопителя лежитизвестный метод управления продвижением ЦМД с помощью токовых аппликаций и подаваемых в плоскости магнитоодноосной пленки последовательностейтоковых импульсов, Токовые импульсы,проходя по токопроводящим слоям, образуют в них магнитные полюса, которые взаимодействуют с ЦМД и обеспечивают движение последних.Накопитель .работает следующим образом. В режиме ввода ЦМД в регистры хранения от генератора 13 через элемент 15 в регистр 7, состоящий из токовых аппликаций, поступает информационная последовательность ЦМД. После включения переключателей 5 эта последовательность записывается в регистры 4, образованные...

Номер патента: 1365128

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, плоских

...перемещается по дополнительному каналу 7 и поступает на его выход, Увеличивая длительность импульса тока 1, можно переключить иэ основного канала : дополнительныи непрерывную последовательность ПМД. 28ну увеличения ведет к самопроизвольному возникновению,ПМД, генерирование которых обусловлено большой величиной размагничивающего поля перемычки 10. Токопроводящая шина 11 управления выполнена иэ немагнитного материала, в противном случае возникает опасность влияния локального магнитного поля токопроводящей шины на работу переключателя. Величина магнитного поля Н, возникающего вокруг аппликации 9 под действием тока 1 и в области ферромагнитной пленки 1 совгадающего по направлению с магнитным полем Н, (Й 4 1 Й), должна удовлетворять условию...

Номер патента: 1368919

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Захарян, Красовский, Кузнецов, Леонтьев, Матвеев, Раев, Шотов

МПК: G11C 11/14

Метки: данных, доменной, памяти, преобразования, формата

...ХХХна контрольных шинах 26) блок памятис произвольной выборкой 4 отключа 1368 Из контроллера по шинам 16 ввода данных поступает очередное М-разрядное информационное слово, которое записывается в М-разрядный буферный ре 5 гистр 15 по высокому уровню сигнала на шине 22 подтверждения передачи данных; при этом триггер 21 запроса передачи данных сбрасывается в ноль.В режиме чтения (низкий уровень 10 сигнала на шинах 2 и 24, высокий уровень по шине 27) каждый период управляющего поля информация с выходов группы из М блоков памяти на ЦМП 1 поступает на М-разрядный ре гистр 10 чтения. С выхода М-разрядного регистра 10 чтения информация поступает на входы второй группы муль - типлексора (М 1) 11, который осуществляет ее...

Номер патента: 1381595

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Карпенко, Пескова, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: интегральных, магнитных, памяти, схем

...порядка прохождения битов через отлельный накопительный регистр, то номер бита, вышедшего с некоторого на. коиительного регистра соответствует номеру считанного блока данных, поэтому для подрежима определения наработки на сбой накопительных регистров в счетчике битов фиксируется текущее число сигналов Новая страница. Если считанный бит не совпадает с эталоном, о чем свидетельствует наличие сигнала Ошибка, содержимое счетчика 4 заносится в блок 2.Первый сигнал Данные готовы сбрасывает Ю-триггер 10, устанавливая тем самым режим записи блока 2. Последовательность операций ио каждому сигналу Данные готовы следующая: в подрежиме определения наработки на сбой накопительных регистров содержимое счетчика 3 нара 1 цивается на 1, в то время...

Номер патента: 1382844

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Захарян, Красовский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...устойчивые ошибки, то по группе входов-выходов 23 устройства из контроллера 1 выдается ад" рес инАормационного блока с НКО и сообщение о необходимости перезаписи инАормации по данному адресу.Если НКО = О, то осуществляется анализ Алага КО, В случае КО = 1, т.еимеют место одна устойчивая и по крайней мере одна неустойчивая ошибки, контроллер 1 переводит .устройство в режим исправления ошибочного бита. Если КО = О, т,е. имеют место по крайней мере две неустойчивые ошибки, то выполняется переход О к следующему адресу инАормационного блока.Если первоначально блок 3 обнаружения и коррекции ошибок устанавливает Алаг БКО = О и Алаг КО = 1, то также производится повторное считывание инАормационного блока по текущему адресу из накопителя 9 и...

Номер патента: 1388946

Опубликовано: 15.04.1988

Авторы: Волошин, Коростелев, Лихачев

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, возбуждения, доменной, памяти

...выводу, а истоками - к второму вы.воду катушки 3 индуктивности. Конденсаторы 8 и . 9 включены между затвором и стоком, а резисторы 1 О и 11 - между затвором и истоком полевых транзисторов 6 и 7 соответственно. В исходном состоянии транзисторы 4, 5, 6, и 7 заперты, ток в катушке 3 индуктивности отсутствует. Блок возбуждения 1 эа ботает следую ци м образом.Источники 1 и 2 питания поочередно подключаются к катушке 3 индуктивности с помощью транзисторов 4 и 5, на базы которых с устройства управления поочередно подаются управяюцие сигналы в виде прямоугольных импульсов положительной полярности, сдвинутых по фазе друг относительно друга на 180, з результате чего в катушке 3 индуктивностн формируется двунаправленный ток треугсльной...

Номер патента: 1392593

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Болдырев, Дорохин, Куперман, Чельдиев, Шакирова

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, накопитель

...выполненных из магниторезистивного материала, и участков 4, на которых поверх магниторезистивного материалананесен слой высокопроводящего материала. Координатные шины 5 второйгруппы отделены от Фин первой группыизолирующим слоем 4 (не показан).Координатные шины первой и второй группвыполнены в виде последовательно соединенных участков в форме разомкнутых колец, магнитосвязанных с монодоменными областями соответственнострок и столбцов матрицы запоминающих элементон.Устройство работает следующим образом.Режимы записи и хранения информа 40ции аналогичны соответствующим режимам работы накопителя по прототипу.Однако вследстние снижения сопротивления координатных шин первой группыза счет шунтирования частей 4 высо 45проводящим материалом на...

Номер патента: 1397969

Опубликовано: 23.05.1988

Автор: Проценко

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, магнитных, устройства, формирователь, цилиндрических

...5 - от вывода 12 к отводу 19. При этом между первым выводом 11 и вторым выводом 16 авто- трансформатора 4 формируется импульс 22 напряжения переключения (фиг.2), а между первым выводом 12 и,вторым выводом 17 автотрансформатора 5 формируется импульс 23 напряжения разрезания (фиг.2). Амплитуда импульса выбирается из условия обеспечения требуемого тока переключения и тока разрезания в шине управления переключателемрегликатором и определяется соотношением числа витков обмотки автотрансформатора между первым и вторым выводом и числа витков между первым выводом и отводом. Длительность импульсовопределяется длительностью управляющихсигналов 20 и 21 на управляющих входахключевых элементов 2 и 3,Под действием импульса напряженияразрезания...

Номер патента: 1399815

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Нецветов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...11 и 12 тока соеди 45 иены соответственно с первым и вторым выходами синхронизатора 13, Устройство должно быть размещено в поле смещения Н , создаваемом источником 14 поля смещения.Устройство работает следующим образом.Пусть с помощью запуска от синхронизатора 13 первый источник 11 тока формирует импульсный ток 1, положительной полярности (фиг. 2), который поступает непосредственно в проводник 2 в виде меандра, а через диод 9 - в прямолинейный проводник 5 ограничителя (ток 1 ).Тогда при указанномна фиг. 1 направлении поля смещенияНв позиции 1 канала продвижениядоменов магнитоодноосной пленки 1формируется магнитостатическая ловушка (МСЛ) для ЦМД эа счет локальногопонижения вертикальной составляющеймагнитного поля с анутренних...

Номер патента: 1401517

Опубликовано: 07.06.1988

Автор: Бедертдинов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, носитель

...потенциального рельефа. Этот рельеф возникает вследствие локальной анизотропии намагни. чен ности МДП 2, вызываемой напряжением в ее кристаллической решетке, которое создается нанесенными на ее поверхность фиксаторами 5 и 6. Позиции пары ВБЛ определяются знаком магнитострикции МДП. Для указанного на чертеже направления напряжений в МДП пары ВБЛ будут фиксироваться в областях, близких к середине полосы 5 и правого края полосы 6. Соседние позиции пар ВБЛ разделены потенциальным барьером. Продвижение пар ВБЛ в соседние позиции выполняются обычным образом, например, с помощью изменения величины поля смещения.Способ изготовления носителя информации включает нанесение на поверхность магнитострикционной доменосодержащей пленки слоя материала...

Номер патента: 1410099

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Дударенко, Канатчиков, Соловьев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, источника, магнитного, магнитных, модуле, поля, смещения, цилиндрических

...параллельность поверхностей наконечников, Трудоемкостьизготовления Г-образных пластин посравнению с корпусом типа "пенал"снижается. Формула изобретения 10 Составитель Ю.Розенталь Редактор А,Лежнина Техред М.Ходанич Корректор Г,РешетникЗаказ 3485/48 Тираж 590 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открырий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Нроктая, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных 5 доменах (ЦИД).Целью изобретения является упрощение способа и повышение надежности изготовления источника магнитного поля смещения.На чертеже показана...