Формирователь тока для доменной памяти

(54) ФОПАМЯТИ (5 7) Из лительн вычи бретение от й технике и но для формполя враще вах на цили нах (ЦМД ЗУ ется повыше оси может быть исрования тока в ия в запоминающи дрических магнит Целью изобрете ие надежности зов тушках тройст ных дом ния явл+Е 1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 4345457/24-2417.12.87(56) Патент СЦЛ Р 431089кл. 365/6, опублик. 1982Заявка Японии 1 Р 61-30кп, С 11 С 11/14, 19/08,1 РОВЛТЕПЬ ТОКЛ ДЛЯ ДОМЕННОЙ устроиства эа счет улучшения формы тока. Формирователь тока для доменной памяти содержит ключевые элементы 1-4 на транзисторах, ограничительные элементы 5, 6 на диодах, катушку 7 поля вращения, ключевые элементы 8, 9 на транзисторах и ограничительные элементы 10, 11, выполненные на стабилитронах. Введение пятого и шестого ключевых элементов и двух стабилитронов позволяет изменять установившееся значение тока на участке формирования его спада и, тем самым меняян длительность спада, устранить ступеньку" при переходе от участка нарастания к участку спада тока, Улучшение формы тока позволяет повысить надежность ЦМД ЗУ за счет увеличения области устойчивой работы, 1 ил.Пзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения н запоминающих уст 5роистнах ца цилиндрических магнитныхдоменах (ЩД).Целью изобретения является повыше цие надежности устройстна за счетулучшения формы тока,На чертеже представлена схема формирователя тока для доменной памяти.Форгятрователь тока для доменнойпамят; содержит первый, второй, третий ц четвертый ключеные элементы151 - 4, выполцеттцые на транзисторах,первый 5 ц второй 6 ограничительныеэлементы цл диг 1 длх, катушку 7 полявращения, пятый 8 тт гзестой 9 ключевыеэлементы ца транзисторах и третий 10и четвертый 11 огрлттцчительные эле -менты ца стабилитроцах,На чертеже показаны первый 12,второй 131 третин 14 ц четвертый 15упранлятощие входы Формирователя тока,шина 16 ттсточцика питания с напряжением +Е тт шттттл 17 нулевого потенциала,Фор:тттронлтелт. тока для доменнойпамяти работает следующ 1 ттм образом,Перттод поля вращения раэбттвается 0на четыре равтгые части. При поступлецшт перлй последовательности импуль: 1 н цл первый управляющий вход12 откры злются ключевые элементы 1ц 2, 1:атутттт:л 7 поля вращения подключлетсп между шттттатзт 16 ц 17 птттация+Е тт нулевого поттеццилла, На ицдуктивности клтушктт 7 Формируется участок цлрастанття тока, Падениянапряжения ца открытом транзисторе 2 ттедостаточно для отпирания стабилцтрона 11 и он це влияет ца формированиеучлсттсл цлрастлцця тока, Во второйчетверти периода поля вращения втораяпоследовательность импульсов, поступающая на четвертый управляющийвход 15, отпирает транзистор 9, Одновременцо апираются ключи на транзисторах 1 и 2, ЭДС самоиндукции катушки 7 вы тынает отпирание диода 5и стабилитронл 11. Таким образом вкатушке 7 Формируется спадающий учлсток токаПостоянная времени спада тока определяется соотношением реактивного сопротинлетнтя катушки 7 и активного сопротттвлеттть цепи разряда, Напряжение цл стлнттлитроне 11 влияет наконечное усл 1 цие разряда и тем самым определяет длите.чьцость интервалавремени, в течегтие которого формируется спадающий участок тока, Приэтом устраняется так называемая1 11ступенька в форме тока и повышается его линейность в катушке 7 полявращения,В третьей четверти периода полявращения отпираются транзисторы 3и 4 и в катушке 7 формируется участок нарастания тока противоположнойполярности.В четвертой четверти периода последовательность импульсов, поступающая ца третий управляющий вход 14,отпирает транзистор 8, за счет ЭДСсамоиндукции в катушках 7 открываются диод 6 и стабилитрон 10, Такимобра.том формируется спадающий участок тока,Далее процесс формирования токапродолжается, начиная с первой четвертт 1 периода поля вращения,Таким образом, использование пятого и шестого ключевых элементов идвух стабилитронон в качестве третьего и четвертого ограттцчительных элеттентсв позволяет изменять конечные условия разряда (устаттовттнтоееся значениетока) и, соответственно, изменять длительность Формирования участка спапатока При этом устранчется 1 ступець 11ка три переходе от участка тока кучастку его спада, что обуславливаетповышение надежности за счет расшцреция бласти устоцчивой работы запоминающих устройств на ЦМД.Фо эмула изобретенияФормирователь тока для домеццой памя ни, содержащий четыре ключевых элемента, выполненных на транзисторахвкцочеццых по мостовой схеме таким обратом, что базы трацзцсторов первого и второго ключевых элементов объедице:ты и подключены к первому управляющзму входу формирователя, базы трлттисторон третьего и четвертого кшочевых элементов объединены и подключены к второму управляющему входу форттттрователя, эмиттеры первого и четв ртого транзисторов соединены с шиной пцтлцил, а эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к шине нулевого потетщиала, дна ограцичттте,тьных элемента ца диодах и катунку пэля врлгеттия 1 один вывод которойСоставитель В,ТопорковТехред А,Кравчук Корректор Т.Малец Редактор Л,Шандор Заказ 7048/52 Тираж 558 ПодписноеВШВ 1 ПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 11303 5, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул . Гагарина, 101 5 15240 соединен с катодом первого диода и подключен к коллекторам первого и третьего транзисторов, а другой вывод соединен с коллекторами второго и четвертого транзисторов, к которым5 подключен катод второго диода, аноды первого и второго диодов связаны с шиной нулевого потенциала, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью 10 повышения надежности за счет улучшения формы тока, формирователь содержит пятый и шестой ключи на транзисторах и третий и четвертый ограничи 90 6тельные элементы, выполненные на стабилитронах, причем первые выводы третьего и четвертого ограничительныхэлементов соединены с катодом соответственно первого и второго диодов,вторые выводы третьего и четвертогоограничительных элементов подключенык коллекторам соответственно пятогои шестого транзисторов, эмиттеры которых соединены с шиной нулевого потенциала, а базы подключены соответственно к третьему и четвертому управляющим входам формирователя,