G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 1238153

Опубликовано: 15.06.1986

Автор: Черепко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, ферроакустическое

...записываемых в ЗУ, выдает сигнал на первый вход элемента 31 ИЛИ, который затем поступает на вход обнуления счетчика 33 и на вход сброса триггера 32. Таким образом, блок управления 1 возвращается в исходное состояние после записи всего объема ЗУ.В режиме считывания производится обнуление счетчика 33 и триггеров 32 - 32 з аналогично режиму записи. Затем на вход 21 режима считывания поступает положитель. ный потенциал, а на вход 22 режима записисоответствуют замаскированным разрядам, по которым сравнение не производится. На первые входы элементов 39 РАВНОЗНАЧНОСТЬ подаются постоянно потенциалы с соответствующих выходов регистра признака, а на их вторые входы с частотой тактовых импульсов поступают с выходов усилителей считывания...

Номер патента: 1238154

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Вайсман, Горобец, Ильчишин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменных, магнитной, насыщения, пленке, скорости, стенок, тонкой, феррит-гранатов

...Н;", гоставляет порядка 0,3 от величины основоо магнитного поля Н, по линии нулевого градиента. Вводят и увеличивают задержку между импульсамц генераторов 7 и 8 до получения на нулевой отметке окуляра микроскопа 6 55 полосового домена 10 (фиг. 4 а). Фиксируют величину задержки(фиг. 4 в) между импульсами генераторов 7 и 8. Увеличивают задержку до перемещения полосового домена 10 (фиг. 46) на контрольную отметку окуляра. Фиксируют величину задержКи 12. Скорость насыщения о определяют по формулеЧ -а2где Е - расстояние, на которое переместился полосовой домен;1 - время задержки между импульсамиосновного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки;12 - время задержки между...

Номер патента: 1241286

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Зарипов, Каримова, Петрова

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, элемент

...оси проволоки. Эффективная площадь сечения проволоки 1может иметь значение, настолько близкое к значению эффективной площадисечения пленки 3 (толщина которой 1 -2 мк), насколько это позволяет техно- ЗОлогия осаждения пленки, что значительно расширяет пределы микроминиатюризации элемента памяти. Представляется возможным изготовить элементы памяти диаметром 0,01-0,1 мм и З 5длиной 5-10 мм.Предлагаемый элемент памяти работает следующим образом.При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля элемент 40памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг.1),соответствующее точке "установки"петли гистерезиса на фиг. 3. При этомэлемент памяти фактически является 45постоянным магнитом, так как направления...

Номер патента: 1243034

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Гиль, Легоцкая, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...8 ЦМД.В режиме считывания данных необходимо генерировать в регистр связи два управляющих ЦМД, которые, 25 заполняя первую 9 и вторую 10 динамические ловушки ЦМД по второму итретьему каналам предпочтительногопродвижения ЦМД, позволяют считываемой информации без дополнительнойобработки поступать в регистр 15 идалее к элементу 19 считывания ЦМД.При выполнении операции полногосуммирования ЦМД одноименных разря. -дов операндов по второму 17 и третьему 18 предпочтительным каналам про.)движения ЦЩ последовательно поступают соответственно в первую 9 и вторую 10 динамические ловушки ЦЩ.При поступлении домена в динамическую ловушку 10 ЦМД путем подачи импульса тока в токопроводящую шину переключателя ЦМД производится вывод домена из динамической...

Номер патента: 1243035

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Дударенко, Савицкий, Соловьев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, доменосодержащего, запоминающем, кристалла, магнитных, модуле, установки, цилиндрических

...кристаллодержателя 3 золотой и алюминиевой микропроволокой 5, а установку 30 экрана на кристаллодержатель 2 осу.ществляют путем гальванического сое.динения ленты 4 с другой стороной кристаллодержателя 2 7 фиг. 4). Для осуществления гальванического соединения ленты 4 с поверхностями кристаллодержателя 2 на них вжиганием наносят предварительный слой серебра 6. Вместо серебра можно использовать и другие припои, имеющие хорошее сцепление с керамикой и лентой 4из проводящего материала,Формула изобретения Способ установки доменосодержащего кристалла в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в отверстии кристаллодержателя и установке экрана,на кристаллодержатель, о т л...

Номер патента: 1244720

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Епанчинцев, Силантьев, Шелухин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, цилиндрических

...доменосодержащей пленке образуют решетку ЦМД путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которогр нормально плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до Н (фиг, 1). Амплитуда импульса Н, йарастает от импульса к импульсу по ступенчатому закону. Длительность импульсазначительно превышает время коллапсйрования доменов. В паузах длительностью С между импульсами магнитного поля проводят анализ решетки ЦМД. В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при Н;, то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в полосовой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном...

Номер патента: 1244721

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...1 натягивают в качестве основы на ткацкомстанке. Затем путем поднятия ремиэок2 разводят технологические струны 1,образуя зев 3. Линия 4 расположениямест поднятия технологических струнрасполагается под углом к технологическим струнам за счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струнна заданный шаг. Поднятие ремиэок 2осуществляют на одинаковую высоту.Путем пропускания челнока 5 с проводом 6 в эев 3 располагают проводникчисловой обмотки 7 фпо линии, параллельной линии 4 расположения местподнятия технологических струн 1, Вэев помещают ограничительную прокладку 8. Путем перемещения ремиэок 2разводят технологические струны 1 впротивоположное от их нейтральногоположения...

Номер патента: 1246365

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, H03K 19/168

Метки: многофункциональный, пороговый, элемент

...ЦМД во входные каналы 4 продвижения ЦМД, взаимосвязанные с переключателями 13 ЦМД. В каждую группу входных каналов продвижения ЦМД, вэаимосвя занную с одной токопроводящей шиной переключателей 13 ЦМД, поступает число доменов, равное максимальному весовому коэффициенту. Этому числу рав- но число входных каналов продвиже ния ЦМД в одной группе, число позиций в одном кольцевом регистре сдвига ЦМД и число вспомогательных каналов ввода ЦМД, взаимосвязанных с одним основным каналом ввода ЦМД. 50Домены, поступившие по данной группе входных каналов продвижения ЦИД, продвигаются по информационному каналу 3 продвижения ЦИЦ и попадают в позицию 1 старшего входного канала в Ы данной группе, где они взаимодействуют с доменами в кольцевом регистре...

Номер патента: 1246366

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, H03K 19/168

Метки: магнитный, пороговый, элемент

...между ним и доменом, находящимся в данной динамической ловушке ЦМД, и, продвигаясь по дополнительному информационному каналу продвижения Ц 1 Д, поступает к следующей по порядку динамической ловушке ЦМД первой дополни-. тельной группы 20.Если число доменов, поступивших в дополнительный информационный канал продвижения ЦМД, превышает число динамических ловушек ЦМД в первой до" полнительной группе, то оставшиеся после заполнения динамических ловушек ЦМД домены выводятся к аннигилятору 5 ЦМД и уничтожаются.Старшие динамические ловушки ЦМД первой дополнительной группы динамических ловушек ЦМД заполняются в последнюю очередь.Затем ЦМД,продвигающиеся по основному информационному каналу 9 продвижения ЦМД, поступают к динамичес- ким ловушкам...

Номер патента: 1249585

Опубликовано: 07.08.1986

Автор: Низель

МПК: G11C 11/14

Метки: динамических, доменов, изображения, магнитных, формирования

...14 сравнения формируется сигнал длительностью в один период частоты импульсов синхоонизаиии который подается на установочный вход триггера 13 и формирует на его3 249 выходе импульс длительностью в одинпериод частоты импульсов синхронизации, фронты которого жестко привязаны к фронтам импульсов синхрониза- Фции. Импульсы с выхода триггера 13 поступают через формирователь 12 импульсов на управляющий вход электронно-оптического преобразователя 4 и формируют на его выходе иэображение ЦМД, как было описано. оЪДлительность импульсов, формируемых триггером 13 (в единицах угла поворота напряженности магнитного поля управления), при этом определяет 360ся как вгде и - емкость счетчиика 8. Частота следования этих импульсов равна частоте поля...

Номер патента: 1249586

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Заблоцкий, Мельничук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающем, магнитного, магнитных, поля, смещения, устройстве, формирования, цилиндрических

...магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насышения путем локального отжига, потзволяет плавно регулировать напряжен 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ность магнитного поля в запоминающем модуле без снижения временнойстабильности магнитов по отношению к процессам старения,П р и м е р, В соответствии спредлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных...

Номер патента: 1251173

Опубликовано: 15.08.1986

Автор: Романов

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: запоминающих, коммутатор, магнитных, многоканальный, сигналов, считывания, устройств

...выбранного канала.В предлагаемом коммутаторе до 16 каналов) влияние информационной помехи практически полностью устраняется ,схема по фиг. 1) или находится в допустимых 11 ределах (схема по фиг. 2) при использовании пары диодов ца каждые 24 канала. Формула зобретения Многоканальный коммутатор сигналов считывания для магнитных запоминающих устройств по авт. св. Ьо 94234, отличагощийея тем, что, с целью ювышеция помехозащищенности многоканального коммутатора, оц содержит в каждом канале ключевые элементы в виде диодов, причем аноды диодов подключены к одним выводам соОтв(тствующих вторичных обмоток трансформатора, а катоды диодов к коллекторам соответствукппих грацзисторов. иг 1( оставитель 1 Сь 1 ехред И, Верее 1 и раж 543ВНИИПИ...

Номер патента: 1251177

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Власов, Мальцев

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, накопитель, пленках, цилиндрических

...работает следующим образом.Запись и считывание информации взапоминающих элементах 3 устройствапроисходят путем изменения направления (перемагничивания) в них векторанамагниченности. Изменение направления вектора в каждом запоминающем элементе 3 осуществляется под влияниемдвух электромагнитньгх полей, одно изкоторых создается при протеканииэлектрического тока в ЦМП 4, а другоеполе образуется как результирующеепри протекании электрического тока вадресных шинах 5, соответствующихданному запоминающему элементу 3, инаведении вихревых токов и полосе 7фолвгированного токопроводящего экрана 6.Поскольку результирующее поле вобласти запоминающего элемента 3обратно пропорционально расстояниюмежду проводниками, то выполнениеадресных шин 5 и...

Номер патента: 1254559

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Баранникова, Есиков, Пафомов, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитострикционный, накопителя, ферроакустического

...и распространяются дальше от 20 суммирования с прямыми ультразвуковыми импульсами, возбуждаемыми подследующими обмотками 3 возбуждения,Число обмоток 3 возбуждениявыбранотаким, что на выходе магнитострикционного преобразователя формируетсяультразвуковой импульс с амплитудой,необходимой для записи информации вферроакустическом носителе информации. Частота последовательного по- ЗО явления импульсов на выходах элемента 8, соответствующих входам фор"мирователей 4, определяется отношением скорости распространенияультразвукового импульса в материал ле электропривода 1 и расстояниеммежду обмотками 3.Обратные ультразвуковые импульсыот обмоток 3 достигают обмотки 6, Врезультате обратного магнитоупругого 4 О эффекта в ней наводится ЭДС от...

Номер патента: 1257834

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, H03K 19/168

Метки: логический, многопороговый, элемент

...динамической ловушкой ЦМД, превысило один из порогов срабатывания многопорогового логического элемента, на котором реализуемая много- пороговая функция равна нулю. Если домен поступает в основной выходной канал, то это означает, что значение линейной суммы входных логических переменных, определяемое состоянием основной динамической ловушки ЦМД, взаимосвязанной с основным выходным каналом продвижения ЦМД через выходной канал продвижения ЦМД первой группы, по которому поступил домен, превысило один из порогов многопорогового логического элемента, на котором реализуемая многопороговая функция равна единице. Таким образом, если максимальное значение сформированной в основных динамических ловушках линейной суммы входных логических...

Номер патента: 1259480

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, H03K 19/168

Метки: пороговый, элемент

...30 по входным каналам 5 продвиженияЦИД второй группы. Домены в информационном канале 3 продвижения ЦМД продвигаются в направлении основного аннигилятора 4 ЦИЦ, заполняя динамические ловушки ЦМД основных групп в со"ответствии со следующим правилом: если динамическая ловушка ЦИД свободнаот домена, то ЦМД из информационногоканала 3 продвижения ЦМД по каналу 6 40 предпочтительного продвижения ЦМДпоступает н данную динамическую ловушку, в противном случае домен непокидает информационный канал 3 про- .движения ЦМД за счет наличия сил маг 45 нитостатического взаимодействия между ним и доменом, находящимся в данной динамической ловушке 9 Щ, и, продвигаясь по информационному каналу3 продвижения ЦМД, поступает к сле- .50 дующей по...

Номер патента: 1259481

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук, Фомин

МПК: G11C 11/14, H03K 19/168

Метки: пороговый, элемент

...й доменом, находящимся в основной динамической ловушке 7 Ц 1 Щ, и, продвигаясь по информационному каналу продвижения ЦМД, поступает к следующей по порядку основной динами ческой ловушке ЦМД. Если число входных ЦМД, поступивших в информационный канал продвижения ЦМД, превышает значение порога срабатывания порогового элемента, то все оставшиеся после заполнения поступают через позицию 1 информационного канала продвижения ЦМД в канал 5 аннигиляции ЦМД, и уничтожаются аннигилятором 15 ЦМД. При поступлении первого домена из оставшихся в информационном канале продвижения ЦМД в позицию 1 ЦМД, находяпнейся во второй дополнительной динамической ловушке 10 ЦМД, иэ позиции 11 поступает н позицию 111 отводного канала 11 и далее в первую дополни"...

Номер патента: 1261011

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Андреев, Ляшенко, Цаплин

МПК: G11C 11/14

Метки: вращающегося, доменах, информации, источник, магнитного, магнитных, накопителя, поля, цилиндрических

...Рамка 3, несущая все катушкиопускается в коробку 5, в которой по углам уста новлены стойки 6 с резиновыми амортизаторами 7. Расстояние между обмотками 1 и 2 и крышкой 8 с рабочим столиком 9 фиксируется выступами на крышке 8, которыми рамка 3 прижимается к резиновым амортизаторам 7. В патрубок 10 заливается охлаждающая жидкость. Патрубок 11 являет. ся сливным. Для исключения искажения поля и потерь на вихревые токи элементы конструкции выполнены из изоляционного материала.Устройство работает следующим образом.Токи, обеспечивающие вращающееся ма;- нитное поле, подают в обмотки 1 и 2 элементы 4. Обмотка 1 создает з рабочей плоскости магнитное поле, горизонтальная составляющая которого плавно спадает ио краям, а вертикальная составляющая...

Номер патента: 1262570

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14, G11C 15/02

Метки: ассоциативное, запоминающее

...О на вход -го элемента И - ЗАПРЕТ 12 по.зиции 18. Если в -й динамической ловушке 7 ЦМД отсутствует домен, т. е. слово соответствует. ключу поиска и должно быть считано, то последовательность продвигается в направлении предпочтительного продвижения к выходу 1-го элемента И ЗАПРЕТ 12 позиции 20. Далее она продвигается по участку 1-го канала 11 сопряжения позиции 20, 24 и 25 и попадает в позицию 26 -го канала 11 сопряжения в четный момент времени, если за 1, считать момент нахождения первого разряда считываемой последовательности в позиции 27 -го регистра 3 хранения. Выведенная из любого К-го регистра 3 хранения, кроме 1-го т.е. К = 1), последовательность ЦМД прямого кода слова поступает на вход К-го элемента И - ЗАПРЕТ 12 позиции...

Номер патента: 1265855

Опубликовано: 23.10.1986

Автор: Топорков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, магнитных, памяти, цилиндрических

...или отсутствия маркера достаточно считать одну из и страниц с последовательными логическими адресами (например, на фиг.2 страницу с адресом 855.: бА = 3; поскольку в ней не содержит-ся маркера, то его не будет и в страмницах с адресами А = 4 и А = 5).Если остаток в считываемой страницене равен (и), то следующей считываемой страницей будет страница с физическим адресом на (7 +1) большим,гчем физический адрес считанной страницы (на фиг.2 - страница с логичес ким адресом 7). Если же остаток всчитанной странице равен (и), тоследующей считываемой страницей будет страница с физическим адресом набольшим, чем физический адрес счи танной страницы (на фиг.2 - послесчитывания страницы с логическИм адресом 11 необходимой перейти к считыванию...

Номер патента: 1265856

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Огнев, Топорков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти

...синхроимпульса на кодовую шину 21 такта на кодовой шине 22 "Прием" ус. танавливается разрешающий потенциал и осуществляется занесение М-разрядного слова во входной регистр 5 числа, а триггеры 8 обнуляются. ющего регистра 7 позиционного кода вразряд (2). Таким образом, в следующем такте информация будет заноситься в разряд (И-) соответствующего регистра 9 числаНесмотря на то, что "1 те -г перь находится в разряде (2) .регистра 7 и на выходе соответствующего элемента НЕ 17 уровень "1", после окончания синхроимпульса из-за того, что соответствующий триггер 8 находится в нулевом состоянии, на выходах соответствующего элемента И 13 и элемента ИЛИ 15 присутствуют запрещающие потенциалы, и сдвига содержимого со= ответствующего регистра 9 не...

Номер патента: 1269207

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Кандаурова, Памятных

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменами, записи, информации, магнитный, магнитными, многоосный, носитель, полосовыми

...исходного (старого) полосового магнитного домена и формирование нового домена с ориентацией Т существенно отличной от остальной части домена. Например, если в исходной системе полосовых доменов векторы 1, ориентированы почти перпендикулярно к плоскости пластины, то в перемагниченных участках домена векторы 1, могут составлять с плоскостью различные углы (например, 0,20, 35 и 55) в зависимости от кристаллографической ориентации пластины. Новый домен легко сдвигается в планарном как однородном, так и градиентном магнитном поле. Изменяя ориентацию поля Нотносительно кристаллографических осей носителя, можно создавать внутри неподвижных доме 1нов подвижные домены с отличающимися одна от другой ориентациями 1,.Новый подвижный домен в...

Номер патента: 1270799

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Безручко, Мироненко, Фаткулин, Цепляев

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...информация,Кнопочным переключателем 15 запускается задающий генератор 16 и синхросигналы с дешифратора 21 поступают на счетчик 18, который производитперебор адресов ЗУ 27.Первоначально информация, содержащая сведения о дефектах контролируемого блока, из ЗУ 27 переписывается в регистр 26, откуда она пересылается в запоминающий блок 9. Еслитакая информация отсутствует, то вЗУ 27 заносится предварительно нуле-вая информация, которая затем через3 12707регистр 26 переписывается в заломи.;ающий блок 9, Эта перепись производ. тся следующим образом, 3 регистрс25 на выходе 5 ч устанавливается сиг нал, разрешающий работать элементамИ 29, 31. Сигналы с дешифратора 21поступают на счетчик 7, который перебирает адреса блока 9, а сигналы,проходящие...

Номер патента: 1273997

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Болдырев, Крупский, Куперман, Мощинский, Чельдиев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, матрица

...в выбранной инйормационной ячейке 3.Рассмотрим работу запоминающей матрицы на конкретном примере. Пусть необходимо записать код информации 1 в информационную ячейку ц с координатами ХУ (Фиг.2) . Для записи кода "1" по соответствующему проводнику группы 5 подается импульс тока записи 1 у, а по соответствующему проводнику группы 6 подается импульс тока записи 1 х. Под действием магнит ного поля импульсов тока записи 1 х и 1 у происходит намагничивание ячейки о в состояние, соответствующее коду инормации "1", Для записи кода информации "О" в ячейку о полярность импульсов тока 1 х и 1 у необходимо изменить на противоположную, При чтении инормации изинформационной ячейки р по проводнику группы 5 подается импульс тока 1 у, полярность...

Номер патента: 1273998

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Иерусалимов, Половинкин, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, полосовых, продвижения

...линией 5, к колонкам аппликаций, где преобразуется вполосовой домен, Полосовой домен 6продвигатеся по колонкам аппликапийвдоль оси 5. Под действием поля Нврмагнитные полюса, наводимые этимполем в аппликациях, создают магнитостатистические ловушки ( МСЛ),обеспечивающие растяжение и продвижение доменов, при этом верхушки доменов магнитосвязаны с допелнительными аппликациями 3, При отключенииполя Н аппликации 3 остаются намагниченными, так как они выполненыиз Ферромагнитного материала с повышенной коэрцитивной силой. Таким образом, верхушки ПМД остаются в МСЛ,которые фиксируют их положение ипрепятствуют стягиванию полосовыхдоменов в ЦМД, что повышает надежность канала продвижения полосовыхмагнитных доменов.Чтобы аппликации 3 могли...

Номер патента: 1273999

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Захарян, Красовский, Кузнецов, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...микропрограммы считывается из накопителя 7 и поступает через блок 8 считывания информации в блок 2 обнаружения и коррекции ошибок, затем по внутренней шине 4 вывода данных через буферный регистр 21 в микропроцессор 17 и далее через регистр 20 чтения на системную шину.В случае обнаружения ашибок.в инйормационнам блоке на соответствую., щем выходе блока 2 обнаружения и коррекции ошибок появляется Флаг КО или НКО.Через элемент ИЛИ 9 эти сигналы передаются на вход счетчика Оошибок и увеличивают на единицу егосодержимое. Кроме того, флаги КОи НКО поступают на соответствующиеинформационные входы блока 11 памятии записываются по текущему адресу, 5хранимому в регистре 22 текущего адреса.После чтения информационного блока из накопителя 7...

Номер патента: 1275428

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Габышева, Гиль, Нестерук, Фомин

МПК: G06F 7/50, G11C 11/14

Метки: сумматор

...второй группы расположено по Квыходных каналов второй группы, следовательно, по этим каналам может поступить от одного до Кдоменов, что соответствует минимальному и максимальному остаткам от деления линейной суммы на модуль сумматора. Если на пути продвижения ЦЩ в канале вывода ЦМД имеется дополнительная динамическая ловушка ЦМД второй группы, содержащая домен, то вследствие наличия сил магнитостатического взаимодействия между доменом в дополнительной динамической ловушке и доменом в канале вывода ЦМД последний поступает в канал принудительного продвижения ЦЩ, магнитосвязанный с данной дополнительной динамической ловушкой ЦМД 9, и далее по каналу разрушения ЦМД 12 в аннигилятор 13 ЦМД. Таким образом, на выход сумматора поступают только...

Номер патента: 1275536

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Бойко, Колумбет, Коцегуб, Помазан, Скомров

МПК: G11C 11/14

Метки: буферным, доменной, накопителем, памяти

...памяти в буферный накопитель, Выполняется это в следующей последовательности, С блока 3 постоянной памяти считывается первый 50 код интервала, три разряда (28, 29 и 30) которого записываются в счетчике 4 временных интервалов, а четвертый разряд (31), где хранится признак интервала, запоминается на триггере 36 блока записи-считывания, Первый Кьд интервала равен шести, признак кода интервала равен едини 536 4це, Поступающие на регистр 5 сдвига(фиг, 1) импульсы СдВ (21) обеспечивают поразрядную выдачу слова на шину 13 и запись этого слова через элемент ИЛИ 7 и шину 14 в буферный накопитель. Каждый разряд слова, который появляется на шине 13 через элементы ИЛИ 7 гоступает параллельно навсе входы буферного накопителя, нозаписывается код...

Номер патента: 1275537

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Липанов, Рогов, Статейнов, Фадеев

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: встроенного, доменной, памяти, функционального

...комбинации соединены с входами дешифратора 29, выход которого является выходом блока 12 контроля адреса.Предлагаемое устройство работает следующим образом.В содержимое доменной памяти однократно вводятся две тестовые страницы информации, которым присвоен адрес в младшем разряде, равный нулю и единице соответственно, одна страница содержит в своем составе исправляемую ошибку; а другая - не- исправляемую, причем адрес ошибок вводится в виде кода в содержимое этих страниц, служебная информация хранится в содержимом доменной памяти на протяжении всего времени ееэксплуатации, Функциональный самоконтроль производится после каждого включения источников электропитания всоответствии с временной диаграммой(фиг, 2),Сигнал "Установка исходного...

Номер патента: 1275538

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Гиль, Легоцкая, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...12 ЦИД подаются импульсы тока, уничтожающие (1 с) разрядов слова данных в каждом -м регистре 6 ввода (О с ь с Е) . При пос- туплении разряда а в (1-1)-й дополнительный регистр 6 ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется параллельный ввод слова данных из основного 4 и дополнительных 6 регистров ввода информации в регистры 3 хранения информации,При считывании информации слово данных, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, попадает.в переключатели-репликаторы 8 ЦИД и пе-. реводится импульсом тока отрицательной полярности, посылаемым в токо- проводящую шину переключателей-реп 275538 2 ликаторов 8 ЦМД из регистров хранения информации в основной 9 и дополййтельные 10 регистры вывода...