Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов

.Е.Хавич,й физик тных 6.ельств С 11/ техни ено СССР 196. СЛ ОСУДАРСТВЕИКЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЙМПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗО(56) Зтепфельдер А,цилиндрических магиМ.: Мир, 1983, с. 4Авторское свидетИ 2 1414184, кл. С 11 54) СТРУКТУРА ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ 57) Изобретение относится к облас функциональной электроники и может быть использовано в устройства памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД). Целью изобретения является повьппение надежности продвижения ЦМД вдоль канала, Устройство содержит не- магнитную подложку 9, на которой расположен слой-носитель 2 ЦМД и слой 3 с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость", в котором сформированы каналы 4 продвижения ЦЩ в виде смежных дисков и канавки 5. Заряженные границы 6 расположены на краях дисков 4, ЦМД 7 расположен на краю диска 4 участка 8 с повышенной одноосной анизотропией Н - вектор 1 напряженхности поля управления. 1 ил.-зНА Изобретение относится к функциональной микроэлектронике и может бытьиспользовано в устройствах памяти нацилиндрических магнитных доменах(ЦМД).Целью изобретения является повышение надежности продвижения ЦМД вдольканала.На чертеже представлена предлагае - 0мая структура,Структура содержит вектор 1 напряженности поля управления Н , лежащийв плоскости слоя-носителя 2 ЦМД и слоя3 с магнитной анизотропией типа "легкая.плоскость", в котором сформированы каналыпродвижения ЦМД в видесмежных дисков, канавки 5, заряженныеграницы (стенки) 6, находящиеся накраях дисков, 1 Щ 7, участок 8 с повышенной одноосной анизотропией и немагнитную подложку 9.Структура работает следующим образом,Поле управления Нвращается в 25плоскости слоев, вызывая передвижениезаряженных стенок 6 вдоль периметрасмежных дисков в каналах 4 продвижения, ЦМД 7, притягиваясь к заряженнойстенке 6, следует за ней до места сопряжения смежных дисков, где притягивается заряженной стенкой следующего диска, которая появляется на краюдиска после поворота поля управленияоН, -1 па 180 . В течение этого поворота ЦМД 7 находится в месте сопряжения дисков, 1 фЩ 7 не переходит надругую сторону канала ч продвижения,так как одноосная анизотропия участка8 под диском увеличена, что создает 10для ЦМД 7 энергетический барьер. ЦМД7 не покидает диск, перемещаясь вслое-носителе П 1 Щ в сторону вытравленной канавки 5, так как притягиваетсясмежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД,Изложенное можно пояснить следующимобразом. Энергия ЦМД - Е определяетсяформулой Е - энергия, связанная с полемрассеяния Ц 1 рЩ,Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и бе"ГА НаТ.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД подсмежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краюсмежного диска будет уменьшаться, таккак за пределами диска НА меньше. Таким образом, при повышении однооснойанизотропии под смежным диском ПМДбудет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает энергия ЦМД, так как увеличиваетсяноле рассеяния и связанная с ним энергия Е в формуле (1). Исходя из изложенного, ясно, что на краю смежного диска в слое-носителе ЦМД имеетсяпотенциальная яма", ЦМД будет "привязан" к краю диска и в процессе движения вдоль канала не будет уходитьпод смежные диски. Таким образом, увеличивается надежность продвижения ЦМДвдоль каналаП р и м е р . Структура продвиженияЦМД в микросхеме может быть изготовлена следующим образом.На подложку ГГГ ориентации 1111наращивают слой-носитель ЦМД и слой смагнитной анизотропией типа "легкаяплоскость" методом жидкофазной эпитаксии Феррит-гранатов,Вариациями состава и замещениями ионов в решетке феррита-граната слоя-носителя ЦМД и слоя с плоскостной анизотропией добиваются требуемых характеристик. Например, слой- носитель ЦМД имеет отрицательную константу магнитострикции, тогда слой, в котором формируются структуры продвижения, должен иметь параметр решетки больше, чем у материала-носителя ЦМД, тогда слой с плоскостной анизотропией будет сжат, а слой с ЦМД растянут и в нем возрастет одноосная анизотропия. В месте свободном от слоя со смежными дисками анизотропия слоя с ЦМД будет меньше, так как эти участки не деформированы.Смежные диски формируются в слоес плоскостной анизотропией методамифотолитографии и ионно-плазменногораспыления.Заказ 6088/52 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 515135 формула изобретенияСтруктура для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащая немагнитную подложку, на которой размещены слой-носитель цилиндрических магнитных доменов и лежащий на его поверхности магнитный слой с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость", в котором сформированы каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов 17 6в виде последовательности смежных дисков, окруженные вытравленными канавками, о т л и ч а ю щ а я с я тем,что, с целью повьппения надежностипродвижения цилиндрических магнитныхдоменов вдоль канала, под поверхнос"тью смежных дисков слой-носитель цилиндрических магнитных доменов выполнен с увеличенной одноосной анизотропией.