G11C 11/14 — тонкопленочных

Номер патента: 237288

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Клейман

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, пленочных, ферритовых, элементов

...штянгях В Оолясть индукт 017 я.На чс 17 тсже из 0017 яжеця конст 17; к 11 я ройствя.УотрОЙство содержит з 1 е 1 Т 17 и ческийагрсватсль (печь) 1 для прсдварительцсго нагрева феррита, исходную фсрритову 10 пластину 27, высокочастотныи ицдуктор А подложку 4 для осаждения пленки, нагреватель 5 подлохкки (пс 1 ь Вяц с хный колпак 6 и Основя" И;1 С 7.На электрический нагреватель 1, например, плоской формы помещена исходная фсррито- В я 51 и 71 я с т и ц я 7. В э л е к т р и ч с с к О м и я Г р с В я т с л с я выполнен пяз, в котором помешеца подложка 1, например, из монокристаллического .ЧпО. Нагреватель з закреплс:1 ца штангах 8 на требуемом расстоянии от пластины 7. Штз 1 и 8, выполненные из токопроводя 1 цего матерала, одновременно...

Номер патента: 238607

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Анилов, Воронин, Сербинов, Федосеев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминания, сигнала, теплового

...показано на чертеже,Оно содержит трехслойный элемент 1 со10 средним слоем из йодида илп хлорпда серебра, и крайними слоями из серебра, являющимися электродами 2, делитель напряжения д иисточник тока 4,Способ запоминания основан на авойсвве15 йодида серебра при 145,8 С менять структурукристаллической решетки, вместе с измененнем которой в точке фазового перехода резкоизменяется и электроцроводность образца,При температуре элемента, меньшей20 145,8 С, ток через него практически не идет, итемпература его определяется температуройокружающей среды. Если температура окружающей среды превышает 145,8 С, то ток,проходя через элемент, дополнительно нагре 25 вает его, причем количество выделяемого тепла пропорционально квадрату...

Номер патента: 239386

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Цветков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающий, элемент

...в протцвофазном состоянии.Толщина диэлектрического слоя а отделяющего шину считывания 5 от подложки 1 с пленкой считывания 2, существенно меньше суммарной толщины аа диэлектрических слоев, отделяющих эту же шину от подложки 3 с пленкой 4,В момент подачи в шину 5 импульса тока считывания 1, (фиг, 2, а) в обеих подложках 1 1 3 возникнут противоположно направленные токи возврата 1, и 12. расположенные зеркально относительно шины 5. Так как шина 5 гальванцчески связана подложками 1 ц 3 с помощью согласующего резистора, то возникшие в указанных подложках вихревые токи не будут растекаться по нцм, затухая со временем, а образуют замкнутый контур с шиной 5. Ток 1, будет больше тока 12 и будет увеличиваться с уменьшением велечцны а 1, В...

Номер патента: 244398

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Кон

МПК: G11C 11/14

Метки: тонкопленочных, элементовпамяти

...т изобретенияения тонкопленочных элеснованный на вакуумном металла на диэлектричеанесении верхних металлиотлицающийся тем, что, потребляемой мощности, на ющую пленку с высоким ффузии в диэлектрик под еского поля наносят плену диэлектрика, а на последпфирующий слой аморфхние металлические элекот са ле Известйы способы изготовления тойкопленочных элементов памяти, основанные на вакуумном осаждении пленки металла на диэлектрическую подложку и нанесении верхних металлических электродов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что на разогретую изолирующую пленку с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля наносят пленку металла и пленку диэлектрика, а на последнюю - тонкий демпфирующий слой...

Номер патента: 245179

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Клейман

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, пленочиых, ферритовых, элементов

...тока в дуговом разряде, приводя щую к неоднородности пленки; появление примесей; испарение в очень маленькой лунке, а не с поверхности пластины, что ухудшаег свойства пленок, вызывает малую скорость роста и неоднородность пленок, 25При предложенном способе все перечисленные недостатки исключены. Способ заключается в том, что источник феррита нагревают до температуры, при которой возрастает электропроводность феррита, например до 300 - 400 С, Зо после чего источник феррита нагревают токами высокой частоты.Способ поясняется чертежом.Источник феррита в виде ферритовой пластины 1 нагревают электрическим нагревателем 2 до температуры примерно 300 в 4 С, При этом электропроводность феррита значительно возрастает. Дальнейший нагрев и...

Номер патента: 251007

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вса, Родичев, Ховский

МПК: G11C 11/14

Метки: библиотека

...технические затруднения, в перспективе же эта задача разрешима, а следовательно, предлагаемый способ может найги практическое применение.Экспериментальная проверка описываемого способа переключения тонкой магнитной пленки была проведена ца установке.Для создания управляющего импульсного магнитного поля была изготовлена,полосковая линия. Нижняя полоска шириноц 20 лгл составлена из продольных шинок шириной 1,5 лы, вырезанных из фольгированного гетинакса, Толщина медной фольги 0,05 лл. Верхняя полоска составлена цз 27 медных проволок, диаметром 0,07 льи, равномерно распределенны: ца расстоянии 19 лл. Полосковая линия была нагружена на,сопротивление 75 ол.Импульс тока от генератора однократных импульсов передавался кабелем РКдлиной...

Номер патента: 251713

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ивашкин, Мар, Марковский, Переплетчиков, Тер, Шестаков

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитныхматриц, пленочных

...провод,ники образуют перепад по толщине высотой в 10 - :15 мклт.Г 1 ри вакуумном осаждении последующих изоляционных слоев получить надежное сцепление последних с нижележащими на подложке невозможно из-за,напряжений в местах перепадов по высоте.Согласно предложенному способу, проводящие слои получают путем приклеивания фольги с помощью органических лаков (клеев) при нагревании матриц и в присутствии магнитного поля в плоскости подложки,Это позволяет отказаться от накладного шлейфа на гибком диэлектрическом основании, обеспечивает точность совмещения шин (обмоток) с магнитными элементами и получение всех управляющих шин (обмоток) с малым омическим сопротивлением и высокоомным изоляционным слоем (не менее 50 мголт).- Р+05 мм Составитель В....

Номер патента: 259158

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Страхов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, матриц, пленочных

...матрица, .изготовленная по предлагаемому способу. В пластине 1 из ферромагнитного материала, например окоифера, любым из известных способов, например фрезерованием, делают пазы 2 требуемой глубины для размещения цилиндрическчх пленск 3. По рабочей поверхности 4 пластины перпендикулярно к пазам и огибая их, прокладывают управляющие шины 5, которые могутбыть изготовлены напылением, электрохимическим осаждением, а также приклеикой фольгированного диэлектрика. Изоляционные5 слои б могут быть нанесены .поверх шин непосредственно на цилиндрические пленки. В пазы помещают цилиндрические магнитныепленки и пазы закрывают второй пластиной 7.Последние две операции можно выполнять в10 обпатном порядке,С целью увеличения плотности...

Номер патента: 259432

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 11/14, G11C 27/00

Метки: 259432

...пленки, не покрытые сеткой, нагреваются до температуры, пропорциональной освещенности данной области изображе. ния, а участки пленки, закрытые сеткой, остаются холодными, Вследствие этого каждая элементарная площадка изображения по конт р будет ограничена линией постоянного градиента температуры, пропорционального освещенности этой площадки. Благодаря магнптострикционным свойствам пленки кочтур элементарной площадки перемагнитится, причем величина перемагнпченной области будег пропорциональна интенсивности освещения.С целью увеличения яркости язображения в качестве магнитной пленки целесообразно использовать тонкую ферромагнитную пленку с доменной структурой полосового типа, проявляющей дифракционные свойства в оптическом диапазоне,...

Номер патента: 262831

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Астахов, Нестеров, Нурмухамедов

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: магнитных, пленок, подложек, проволочных, цилиндрических

...узел калиб ровки 3, имеющий две вращающиеся в раз ные стороны волоки 4, Волоки отцентрирова ны и закреплены в обоимах 5, которые приводятся во вращение от двигателей б с автономной регулировкой числа оборотов. После узла калибровки проволока не имеет оваль ности в сечении, поверхность получается безпродольных царапин и рисок, следы обработки имеют благоприятное (круговое) направление. Шероховатость поверхности изготовленной подложки, оцениваемой по высоте не ровностей, менее 0,1 мк, Обработанная проволока тщательно промывается в узле очистки 2 (в спирте) и поступает в печь 7, где проходит терморихтовку и упрочнение. Термообработка ведется в среде аргона, насыщенного 15 парами спирта. Выходящая из печи подложканаматывается на приемный...

Номер патента: 262972

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ефремова, Райторовский

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: памяти, элемент

...с началом тонкой магнитной пленки; 3 - пермаллоевая пленка; 4 в диэлектр; 5 в внутренн проводни,к.Амплитуда считываемого сигнала описываео элемента вдвое превышает амплитуду нала обычного элемента, где в качестве обре ния дме лагнитной плен- диэлектричесс проходящим и - считывания, ью увеличения ия тока запис, оследовательно так, что сигнавании в провомог сиг зобретение относитсяычислительной техникзапоминающих устройельных машин.звестны элементы павтонкой магнитной плестве подложки длянки используется полатонкая проволока изпа.едостатком известныхя амплитуда сигнал%-"НИ- Е 6 провода считывания - записи используется только внутренний проводник,Применение данного элемента памяти в накопителях большого объема ограничивается увеличением...

Номер патента: 263680

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бех, Корсунский, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, тонкопленочное

...усилителей.Это увеличивает объем ЗУ и уменьшает потребляемую мощность.На чертеже представлена схема описываемого устройства.Оно содержит накопители 1 и 2, з нающие элементы 8, числовые шины 4, ра очие разрядные шины 5, вспомогательные разрядные шины 6, формирователь тока записи 7, разделительный дроссель 8, дифференциальный усилитель 9 и транзисторы Т, - Т 4.Положительный эффект достигается путем отключения вспомогательной разрядной шины б от выхода формирователя тока записи 7 и входа транзистора Тв усилителя считывания и подключения ее только ко входу дополнительного транзистора, включенного параллельно транзистору Т Высвободившийся раз. рядный ток 1, подается в рабочую разрядную линию еще одного накопителя, которая...

Номер патента: 264466

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ефремова, Ильин, Копии, Райтаровский

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, элемент

...либо методом вакуумного напыления на стеклянные трубки, либо методом электролитического осаждения на проволоку из проводящего материала. Применяется и комбинированный метод, заключаОсцийся в том, что ца подлоукку каким-либо способом, например вакуумным 1 ли кимпческим, наносится металлический подслой, а затем электролитическим способом осаждается тонкая магнитная пленка,Предложенный элемент отличается тем, что сама пленка служит шиной записи - считывания. Это позволяет упростить элемент памяти,Предложенный элемент памяти изображен на чертеаке.Он выполнен на цилиндрической тонкой магнитной пленке 1, нанесенной на сплошную диэлектр 51 ескуо подлоокк 2. В качестве ц 1 и.ны считьНация - записи в эточ элементе ис.пользуется сама...

Номер патента: 269218

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бурнин, Дубровский, Красильников, Терехов

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, трица

...элементов памяти после их герметизации без нарушения конструкции.20В предлагаемой матрице эта цель достигается ссутехс помещения цилиндрической подложки, на которую нанесена ферромагнитная пленка, в немагнитную диэлектрическую тон костенную трубку.Концы трубок заливают компаундом, а сами оии помещаются в отверстия основания матрицыНа фиг. 1 изображен элемент памяти с ши ьсами записи и съема сигнала. помещенныйв защитную трубку, без герметизации заливочным материалом; на фиг. 2 - герметизированный элемент памяти с шинами управления, обший вид в разрезе; на фиг. 3 - основание матрицы с помещенными в него герметизированными элементами памяти; на фиг. 4 - основание матрицы с герметизированными элементами памяти в разрезе (разрез дан в...

Номер патента: 277862

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 11/14

Метки: лаагнитооптического, неразрушающего

...магнитооптического эффекта б (сигнала) от внешнего магнитного поля Н.Внешнее магнитное поле, которое меньшепорогового поля обратимого вращения Нр и больше коэрцитивной силы На по направлению параллельно плоскосги пленки, пере магни-швает тонкую ферромагнитную пленкус полосовыми доменами. Информация записана на пленке в виде нсскольких доменов, перпендикулярных первоначальному направлению полосовых доменов. Узкии пучок света 15 сканируется по пленке, причем плоскость падения свега выбрана перпендикулярной внешнему магнитному полю для осуществления магнитооптического экваториального эффекта Кгрра. Аналогичные результаты можно полу чнть на меридиональном и полярном эффектах Керра. Отраженный луч проходит через анализатор, ось поляризации...

Номер патента: 277863

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Кон

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, тонконленочных, элементов

...40 в и коммутируемого тока до 30 яа и сокращения технологического цикла, аморфная пленка диэлектрика осаждается в атмосфере элементарного селена на пленку металла с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля при комнатной температуре подложки, после чего при той же температуре подложки наносятся верхние металлические электроды. Например, на изолирующую подложку, нагретую до температуры 50 - 60 С, при вакууме 2 10-4 ля /т. Ст. наносится пленка металла, хорошо диффундирующего под действием электрического поля в диэлектрик (например,о1 п, Ад и др.), толщиной 5000 - 6000 А, Затем на эту же подложку при комнатной температуре в атмосфере элементарного селена при 5 давлении -10-з,ц,я рт. вт. термическим...

Номер патента: 278764

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Галанский, Гинцев, Михайлов

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: значением, коэрцитивной, пленок, повышенным, силы, ферромагнитных

...комнатной температуры извлекают из вакуумной камеры, производят измерение нх магнитных параметров и затем помещают в ванну с химическим раствором для проведения операции химического травления поверхности.Поскольку магнитные пленки имеют поли- кристаллическое строение, то повышение коэрцитивной силы происходит за счет избирательного локального травления очень малых по площади участков поверхности пленки, занимаемых границами кристаллитов и различного рода включениями, В результате этого общая толщина пленки остается практически неизменной, что существенно для получения необходимых эксплуатационных характеристик.Зависимость коэрцитивной силы от неоднородностей толщины пленок приближенно описывается выражением Л, =СО - з, где Н, -...

Номер патента: 282428

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков, Циолковска, Ярославцев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...4/5 Областная типография Костромского управления по печати ческие струны из материала, имеющего относительное удл нсние не менее 40%,Предмет изобретения1. Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках, состоящий в том, что на ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны, в которые последовательно вплетают обмотки, после окончания плетения заливают обмотки компаундом или лакируОТ, а затем извлека 1 от технологические струны, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов матриц и устранения деформации обмоток, в процессе изготовле 5 ния технологические струны перемещают, а сформированные обмотки отделяют от зоны плетения зажимом-разделителем,2, Способ по п. 1,...

Номер патента: 288048

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бех, Корсунский, Павлусь, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: 288048

...путем добавления лонолнительнык разряднык шин, проходящи: нал компенсирующим разрядными шинами и замкнутыми между собой вне матрицы. Поле рассеивания запоминающик элементов пронизывает дополнительные и компенсирующие шины. Изменение этого поля при считывании 10 вызывает ток в короткозамкнутык дополнительнык шинак, который препятствует быстрому изменению магнитного потока, окватывающего компенсирующие шш 1 ы и, следовательно, появлению помеки от считаниы: сигналов в компенсирующик шинах. Таким образом. величина полезного сиптала, считанного с рабочей шины, не зависит от состояния намапшченности соседник запоминающик элементов.Предлагаемый накопитель пзобрджен начертеже. Он состоит из тонкопленочиык матриц 1, адрсснык шин 2, разрялнык...

Номер патента: 292191

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Пилипос

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, матрица, устройства

...4. Перпендикулярно проводам отделенные тонким слоем 5 проходят шины 6 поперечного поля, обхватывая проволоки сверху и снизу. Две из этих шин являются шинами единиц и две нулей (т. е. в запоминающих элементах, находящих.ся под этими шинами, во всех словах записаны соответственно единицы и нули).Первоначальная запись информации в эти элементы производится следующим образом. Возбуждается шина единиц, затем на зигзагообразную шину подается импульс напряжения определенной полярности. Это напряжение трансформируется в контур слова за счет взаимоиндукции его плоской части с зигзагообразной шиной, Ток, протекающий по контуру, в результате этого запишет под шиной единиц во всех словах единицы. Аналогично записываются нули.Передача информации в...

Номер патента: 293267

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бех, Корсунский, Павлусь, Чернецкйй

МПК: G11C 11/14

Метки: 293267

...его работы.Требуемый положительный эффект достигается добавлением в накопитель проводников, проходящих рядом с числовыми проводниками и по концам замкнутых на проводящее осно ваяние. Возникающий в дополнительных проводниках ток взаимоиндукции вызывает в проводящем основании ток противоположного направления, благодаря чему устраняется растекание токов Фуко по основаньпо.25 Предлагаемый накопитель изображен начертеже.Он состоит из магнитных пленок 1, диэлектрической подложки 2, числовых проводников .т, разрядных проводников 4, токопроводящего 30 основания 5 и дополнительных проводников 6.Корректор Г. С. Мухина Редактор Б. С, Панкина Заказ 430,8 Издат.211 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 293268

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гин, Ленивцев, Погодина, Райтаровский, Яцкевич

МПК: G11C 11/14

Метки: 293268

...процускяегся ток для получения цпркулярцоц осц легкого намагничивания, подложка сл жцт проводником зяп;сц-счцтывац:1 я в элсмецтях запом няО 1 ц;х устройствпроводцц:.Ох возб,ждсцця в пяраметроцях.В случае подложек - стеклянных полыхш шцдров для тех же целей нужно пропускать вц 1 трц подложек проводники, что требует дополнительной трудоемкой технологП 1 еской операции. Кроме того, х 1:нцмальцый диаметр стекляшых цилиндрцескцх подложек ограничен величиной 0,3 х вследствие техно.293268 Б = 0,4 17 аа/с.и,25 Предмет изобретен пя Составитель В. М. Щеглов Редактор Б. С. Нанкнна Техред А, Я, Левина Корректор Г. С. МухинаЗаказ 526/13 Издат. хв 240 Тираж 473 ПодписноеИНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР...

Номер патента: 296151

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бех, Корсунский, Михайлов, Чернецкнй

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...матрицы, формирователей Т адресного тока, дсшифраторов 8 адреса, ключеи 9, генератора 10 запуска формирователей адресного тока, входов 11 импульсов тока считывания и 5 12 тока записи, вентилей 13, 14, секцнонированной липни задержки 15.Устройство работает следующим образом.Ток считывания выдается формирователями/ тока, запуск которых производится гснсра тором 1 при поступлешш импульса считывания на вход 11, Адрес числа, поступающий на кодовые ншны адреса, определяет выбрашгый дешнфраторамн 8 1 ормирователь и ключ 9, которые включают один из вентилей 6 координат ной матрицы выборки чисел. Если выбираетсяблизлежащее к усилителям считывания 3 и разрядным формирователям 4 число, то при поступлешш на входы вентиля 13 импульса...

Номер патента: 299871

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бех, Лио, Тно, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...дешифратора, формирователя 8 стробов и усилителя 9 считывания.Устройство работает следующим образом.Считывание числа из накопителя производит ся в результате переключения запоминающихэлементов 1 током в шине 2, полученным при возбуждении одного из формирователей б и одного из ключей 7. Считанный сигнал через время задержки в разрядной шине 3 посту- О пает на вход усилителя 9 считывания. Стробусилителя считывания вырабатывается прл прохождении импульса запуска строба, поступающего из устройства управления накопителем, через вентиль б, управляемый открытым 5 ключом 7, на линию 4 задержки, а затем наформирователь 8 строба.Линия 4 задержки и вентили 5 расположены на одной из плат электронного обрамления накопителя и не влияют на его...

Номер патента: 299872

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Беркович, Формозов

МПК: G11C 11/14, G11C 15/02

Метки: i(natehtho-miie, кдя_би5лиотена••, плл

...тока, циркулирующегов основном запоминающем контуре 4-5-6-7-8-9;возможно также дополнительное состояниеХ, возникающее, когда циркулирует ток в 10дополнительном запоминающем контуре 10-1112-13.Предлагаемая запоминающая ячейка работает следующим образом.Операция основной записи производится путем подачи импульсов тока в шины 1 и 3, врезультате чего запирается криотрон записи18; в шину 2 подается импульс записи, который оканчивается, когда откроется криотрон18, Направление циркуляции записанного то ока, т. е. состояние О нли 1, определяетсяполярностью импульса в шине 2. Переводячейки в состояние Х осуществляется путемзаписи информации в дополнительный запоминающий контур 10-11-12-13. В этом случае 25становится невозможной циркуляция...

Номер патента: 304627

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бел, Нестеров, Шахнов

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающих, матриц, устройстввсесоюзная

...диэлектрике, пропускают через валки, формирующие необходимый профиль, а группу нижних токопроводя д щих шин вытравливают на жестком фольгированном основании. Процесс,изготовления матрицы поясняется чертежами, где на,фиг. 1 представлена гоф рированная группа .верхних токопроводящих шин; на фиг. 2 - подложки с магнитным покрытием, смонтированные на нижнем основании с группой токопроводящих шин; на фиг. 3 - запоминающая матрица в:собран- ЗО ном виде,Верхняя группа токопроводящих шин 1, вытравленная на гибком фольгированном диэлектрике 2, пропущена через валки с зубцами трапецеидальной формы (на чертеже не показаны). В результате, получена гофрированная система, представленная на фиг. 1. Подложки с магнитным покрытием 3 смонтированы,на...

Номер патента: 305508

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вахмистров, Живулин, Зельдин

МПК: G11C 11/14, G11C 5/00

Метки: магнитной, матрица, намяти

...размещены пз монокрг элементыСтороны 5 кого нам а ированы по осям легО Матрица магнитной памяти на неъ агнитнойплате с отверстиями, отличггюгцался тем, что, с целью уменьшения величин управляющих токов и сигналов помех, элементы памяти для хранения инфо. мацпп выполнены в виде раъгки из монокристалличсской ферритовой пленки а стороны рамок ориентированы по осям легкого навгаггпппгвания ферритового монокрпсталла. Изобретение отчосится к области з нающих устройств. Известна матрица ной памяти на немагнитной плате с р стиями.Однако известная матрица требует дополнительных аппаратурных затрат,Отличием предлагаемой матгицы является то, что элементы памяти выполнены в виде рамок из монокристаллической ферритовой пленки, стороны которых...

Номер патента: 306501

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Субботин, Эрглис

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...Проводники У, 4, 6 расположены цад пленками по одну сторону металлической платы, а проводники 3", 4", 6" - по другуо сторону этой платы.Устройство работает следующим образом.Адресный ток от ключей 5 проходит по проводникам б и б" к диодаы 7 и 7" дешифратора, далее по проводникам У и ", 8 и Ь" поступает в адресные ключи 9. Ток записи информации в одном разряде поступает из формирователя 10 разрядного тока через симметрирующий трансформатор 11 ца проводники 4 и 4". Прц протекании адресного тока с, (см, фиг. 1) через ключ 9 возникает падение напряжения /, на этом ключе. Вслед. ствие изменения потенциала части проводников У и 3" через паразитный конденсатор 13, включенный между адресными и разрядыми проводниками, проходит ток помехи....

Номер патента: 308459

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Амосова, Волкова, Галухина, Тер

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, тонкопленочный, элемент

...агнитный слой нитных пленках, окиси германия, счет неоднородваемой диффуенку моноокиси м, не треслоя беО, и времени а при из- значительростыщины турыроцесс обом едмет изобретен Тонкоплено щий магнитн ложку напыл тем, что, с ц 25 силы магнитн ложкой наненапример,Данное изобретение относится к области запоминающих устройств, в частности, к средствам производства элементов памяти.Известен способ получения тонких магнитных пленок, Способ состоит в осаждении на подложку посредством испарения в вакууме по меньшей мере одного слоя хрома и слоя кобальта, покрывающего слой хрома. Процесс нанесения этих слоев должен происходить при строго определенной температуре, а именно 300 С для кобальта и 250 С для хрома, Коэрцнтивная сила Н, при...

Номер патента: 318994

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Брук

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающего, матрица, устройства

...(адресных и сигнальных шин); на фиг. 3 - процесс образования отдельных запоминающих элементов. Адресные шины 1 и сигнальные 2 прошитыдвумя оголенными проводами 8, 4. Прошивку осуществляют по принципу сшивания ткани на швейной машине. В,результате все места 5 скрещения адресных и сигнальных шин оказываются обвязанными двумя проводами, образующими непрерывную цепь. На прошивку из двух оголенных проводов после обработки их поверхности осаждается тонкий ме таллический слой б, например олово, назна.чение которого - устранение шероховатостей на поверхности голых проводов и механическое закрепление узлов переплетений б. После осаждения металлического слоя из 15 сравнительно легкоплавкого металла, например олова, всю матрицу погружают в...