Патенты с меткой «блоховских»

Номер патента: 1439678

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Прудников

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: блоховских, вертикальных, детектирования, линий, магнитооптический

...1=1 М (ЕЕ-Н,) Т,Участки ДГ, не содержащие ВБЛ, вовращающемся магнитном поле остаютсянеподвижными,40На чертеже указаны ширина ВБЛ Ламплитуда. поперечного колебания ДГамплитуда продольного смещенияВБЛ в ДГ Х. Направление намагниченности в центре ДГ указано стрелками,В центре ВБЛ намагниченность перпендикулярна плоскости ДГ,Стандартный магнитооптический способ детектирования движения ДГ обеспечивает надежное разрешение смеще 50ция ДГ ца величину большую 11 0мкм. Это требование накладывает ограничение ца амплитуду магнитчного поля Н ц период вращения Т:(И-Н ) Т -"с у55 Чтобы детектировать изолированные ВБЛ, расположенные ца расстоянии Ь друг от друга, амплитуда Х должна быть меньше Ь. Это накладывает второе ограничение на Н и Т11 2...

Номер патента: 1550583

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Иерусалимов, Мельников, Ходжаев, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, информации, линиях, накопителях, памяти, считывания

...опублик. 1986. ТЫВАЫИЯ ИНФОРМАЦИИ ВПАМЯТИ НА ВЕРТИКАЛЬНЫХЯХ.е относится к вычислии может быть испольроении запоминающих е, реализующем предлвблизи верхушек 1 ПДсобой группу замкнуных регистров, по кВБЛ, расположена грпроводников 2 дляобеспечения локального изменения поля ,смещения, необходимого для движения верхушек 3 ПД. Проводник 4 служит для зарождения Ц 1 Щ 5, меандрообразные двухслойные проводники 6 - для вывода ЦМД и их последующего считывания. При необходимости считать информацию из ПД 1 в проводник 4 подается импульс тока, обеспечивающий зарождение ЦМД 5 в определенных местах напротив соответствующих ПД (Фиг. 1). Затем, подавая сдвинутые по Фазе импульсы тока в группу проводников 2, вызывают движение верхушек ПД 3 (Фиг, 2)....

Номер патента: 1559378

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Дорман, Никонец, Сергиенко, Соболев, Шепилов

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, коэрцитивности, линий, подвижности

...гра" ницы, то, создавая резонансные усло" вия таких колебаний, можно осуществить переход ЦМД в плоский домен вследствие эллиптической неустойчивости кон"Фигурации ЦМД.По визуальному наблюдению перехода производят измерение р и Н с Длясэтого при двух Фиксированных частотахм, и Ы определяют амплитуду вращающегося поля Ни Нсоответственно,йЛ2с наступлением которых ЦМД растягивается в плоский домен, и из системыуравненийр,(Н- Н) =со, гр,(Н - Н,) = у гнаходят р, и Н,.Предлагаемый способ определениядинамических характеристик ВБЛ опробован на ряде ЦМД-содержащих пленокразличного состава. В частности, дляплен ки Л 1 В) з (РеСа) - О; ., имеющейтолщину -б мкм, намагниченность насыцения 2 С 1 Гс, поле эллиптическойнеустойчивости б 3,7 Э, Состояние...

Номер патента: 1596391

Опубликовано: 30.09.1990

Автор: Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, динамических, линий, характеристик

...2 во время осуществления способафиксируют, например, с помощью петлипроводника 4 с током, расположенной надповерхностью пленки 1.После разделения ВБЛ на изолированные пары на доменные границы полосовогодомена воздействуют высокочастотнымиимпульсами магнитного поля смещения, ко 15 20 25 30 35 40 гистрируют величину перемещения пар ВБЛ вдоль границы, Величину перемещения пар ВБЛ и известное значение напряженности магнитного поля, действующего на них, используют для определения подвижности и коэрцитивности В БЛ, Точность определения динамических характерис 1 ик ВБЛ повышается, т,к. разделение ВБЛ на изолированные пары позволяет исключить взаимное влияние пар ВБЛ друг на друга и более точно фиксировать их месторасположение в доменной...

Номер патента: 1654872

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Мелихов, Пащенко, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, верхушке, детектирования, домена, линий, магнитооптический, полосового

...Калибровка конкретного фотоприемного устройства для заданной частотыпеременного поля Н обеспечиваетнепосредственное определение числаВБЛ в верхушке ПД.П р и м е р. Иагнитооднооснаяпленка (У, В 1) (Ре, Са)0, толщиной9,8 икм с параметрами 4 Р 1 = 120 Э,Н, = 0,5 Э, 0 = 25, о = 0,3, /и =50 10 си/с содержит, полосовой домен. В верхушке ПД постоянным планарным полем Н = 12 Э, направленным вдоль ПЛ, закреплены ВБЛ, Переменное планарное ноле Н = 4,5 Э частотой 35 КГц, перпендикулярное ПД, вызьг вает колебание ВБЛ. Пленку помещают в стандартный поляризационный микроскоп К 1 Ни освещают поляризованным светом лазера ЛГ. Диаметр светового пятна в верхушке ПД 5 мкм. Сигнал- отклик регистрируют фотоприемным устройствои ОЭУи усиливают...

Номер патента: 1654873

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Иерусалимов, Ходжаев, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, запоминающее, информации, линиях, накопителях, памяти, считывания

...либо ВБЛ отсутствует в верхушке домена. При подаче в проводники 7 импульса тока создается локально изменяемое магнитное поле, которое вытягивает верхушки доменов. При этомиз-за возникающей гироскопической силы движение верхушки домена, не содержащей ВБЛ, отклоняется От прямолинейного (Фиг.2 б), а движение верхушки, которая содержит ВБЛ,являетсяпряиолинейным (фиг,2 а). Дальнейшеедвижение верхушек доменов, содержацихВБЛ, и стабилизация их положения осуцествляется под действием магнитногополя, создаваемого токовыми петлями8. Это локальное магнитное поле растягивает только верхушки доменов, содержацие ВБЛ, н в то же время создаетпотенциальный барьер для движения Отклоненных верхушек доменов, которыене содержат ВБЛ. Причем растянутыеверхушки...

Номер патента: 1684810

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Гришин, Мартынович

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, информации, линиях, накопитель

...Т,Палий Заказ 3509 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Гатент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Через проводящий слой пропускается ток от источников переменного тока 6 и 6, сдвинутых по фазе на л/2, Суммарный ток, протекающий в слое 5, имеет постоянную амплитудуи вращается с частотой в, равной частоте переменного тока. Создаваемое током магнитное поле Н параллельно плоскости проводящего слоя и перпендикулярно направлению тока, т.е. вращается с той же частотой е. Величины Н исвязаны следующим соотношением;Н=2 л,где Н=Э, =мА/мкм - линейная плотность тока в металлическом слое.Вращающееся магнитное поле Н...

Номер патента: 1702425

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, динамических, линий, магнитной, пленке, характеристик

...5,При этом визуально можно наблюдать участок доменной границы с ВБЛ на фоне размытого изображения движущихся участков границы без ВБЛ, Затем в проводник 6 подается импульс тока, вызывающий возникновение высокочастотных импульсов тока подмагничивания в плоскости пленки 11 пл, параллельных доменной границе. Амплитуда импульсов оп составляет 3-10 Э, частота равна частоте импульсов поля смещения Нг (2-5 МГц). В зависимости от намагниченности в домвнной грани 11 е, полярности ВБЛ и полярности импульсов поля смещения Ну, полярность поля подмагничивания в плоскости пленки,Ьпл выбирается в фазе или противофазе с импульсами Н, При воздействии Ьпл уменьшается размытость наблюдаемого участка доменной границы, что позволяет более точно...

Номер патента: 1795519

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Розенблат, Юрченко

МПК: G11C 11/14

Метки: ассоциативное, блоховских, вертикальных, запоминающее, линиях

...же совокупность отличительных признаков и проявляющие при этом те же свойства, что и предлагаемое техническое решение, т.е. предлагаемое техническое решение, по мнению авторов, соответствует критерию "существенные отличия".На фиг,1 и 2 изображены элементы ассоциативного запоминающего устройства на ВБЛ соответственно в момент ввода слова опроса и в момент осуществления логической операции сравнения,Устройство содержит магнитаодноосную пленку 1 с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки. На поверхности пленки расположены стабилизированные полосовые домены 2, содержащие ВБЛ 3, генераторы 4 ЦМД 5, каналы ввода 6 и вывода 7 ЦМД, детекторы ЦМД 8, каналы продвижения верхушек полосовых доменов 9, совмещенные с...