Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов на поверхностную и объемную составляющие
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 445928
Авторы: Вольфсон, Финкельштейн
Текст
(32) Приоритет Кл.01 т 31/2 Государстеенный омнтет Сонета Миннстраа СССР по делам изобретений н открытий(72) Авторы изобретения сон и Е. Я. Финкельштейн Е,Латвийской ССР 1) Заявитель Институт элек ельной техник и и выч СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ОБРАТНОГО ТОКАКРЕМНИЕВЫХ ДИФФУЗИОННЫХ МЕЗА-ДИОНА ПОВЕРХНОСТНУЮ И ОБЪЕМНУЮ СОС ОВВЛЯЮШИЕ уктивность;ьерная емко де- бар- прохностн мость,составляю По йф свод полного о1оставляющей определению разност тока и его объемной дитс тног О иод большой прямой ток, в ого обеспечивает измерени ти и проводимости, измер ичина кото-, индуктивнояют одноврешую провоактивнуюИско- авляюшей реактивную составляю и, индуктивность 1 и ляющую проводимости еличину объемной сост т по установленной з рхностную составляю( еш мо С2,о О,( ф (1) ост 1+0,2 ависимости,(ую - как ах ов 4Изобретение относится к электронной технике и может быть применено для изме рения параметров полупроводниковых приборов,Известен способ определения величиныобъемной и поверхностной составляющих обратного тока германиевых транзисторов.Этим способом невозможно измерить указанные параметры кремниевых диффузионныхмеза-диодов.Сущность предложенного способа заключается в следующем. Экспериментальноустановлено, что объемная составляющаяобратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов зависит от индуктивности,; и проводимости при большом прямом токеи от барьерной емкости при нулевом смешении и может быть выражена следующейформулой;,Для осуществления способа измеряют полный обратный ток ьо, пропускаемый через испытуемый диод, затем при нулевом смешении измеряют фарьерную емкость С, пропускают через испытуемый- проводимость, где 15 Составитель Б.челнокова7 Орловская Гекред К,КарандашовХорректор Л,Орлова О Заказ,Я ф/ Изд. М ЯЯ, ТиражЩ Подписное ЦИ 1 ИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г 59, Бережковская наб., 24,разность полного обратного тока и объФ емкой составляюшей (, Предмет изобретения ф 1Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов .на поверхностную и объемную составляющие путем пропускания прямого тока через исследуемый прибор, измерения пол, ного обратного тока, измерения объемной ,составляющей обратного тока и определения поверхностной . составляюшей тока как .разности полного обратного тока и объемной срставляюп;ей, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышегпгя точности измерений, измеряют при,нулевом смешении барьерную емкость, измеряют индуктивность и активную составляющую проводимости и . определяют объемную составляющую тока5 по формуле;
СмотретьЗаявка
1827343, 05.09.1972
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ АКАДЕМИИ НАУК ЛАТВИЙСКОЙ ССР
ВОЛЬФСОН ЕВА ШАЕВНА, ФИНКЕЛЬШТЕЙН ЕХЕСКЕЛЬ ЯЗЕПОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: кремниевых, составляющие, объемную, разделения, обратного, меза-диодов, поверхностную, диффузионных
Опубликовано: 05.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-445928-sposob-razdeleniya-obratnogo-toka-kremnievykh-diffuzionnykh-meza-diodov-na-poverkhnostnuyu-i-obemnuyu-sostavlyayushhie.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов на поверхностную и объемную составляющие</a>
Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления
Номер патента: 1581149
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Ефанов, Брылевский, Чашников, Кардо-Сысоев, Грехов, Шеметило, Смирнова
МПК: H01L 29/04
Метки: обратного, восстановлением, высоковольтный, резким, диод, сопротивления
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...
Способ изготовления кремниевых диффузионных диодов
Номер патента: 140499
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Сущик, Недобейко, Брук, Фронк, Ратенберг
МПК: H01L 21/329
Метки: диффузионных, диодов, кремниевых
...14.Высушенные пластины помещают в печь, где в течение нескольких часов при высокой температуре порядка 1300" производится окисление поверхности пластин кремния. После охлаждения пластин на их по. верхность наносятся соединения, содержащие необходимые легирующие элементы, которые при высокой температуре образуют совместно с двуокисью кремния стекловидные слои, Для создания выпрямляющих переходов на кремнии р-типа используется водный раствор ортофосфорной кислоты, а на кремнии г-типа - водный раствор буры.Пластины с нанесенными на окисную пленку составами вносятся для проведения диффузии в печь, температура которой должна быть не ниже точки образования жидкого стекловидного слоя на поверхности кремния.Во время этого процесса на пластинах...
Способ повышения коэффициента усиления по току кремниевых диффузионных р—р-л-транзисторов
Номер патента: 240852
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Ржанов, Пресс, Никонов, Носиков, Берников
МПК: H01L 21/322
Метки: диффузионных, повышения, усиления, току, р—р-л-транзисторов, коэффициента, кремниевых
...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...
Способ определения типа проводимости базового слоя меза диода
Номер патента: 1712906
Опубликовано: 15.02.1992
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: типа, диода, проводимости, базового, меза, слоя
...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...
Кремниевый диффузионный транзистор
Номер патента: 546042
Опубликовано: 05.02.1977
Автор: Добкин
МПК: H01L 21/22
Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор
...в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация...