Способ разделения обратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов на поверхностную и объемную составляющие

Номер патента: 1581149

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H01L 29/04

Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...

Номер патента: 140499

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Брук, Недобейко, Ратенберг, Сущик, Фронк

МПК: H01L 21/329

Метки: диодов, диффузионных, кремниевых

...14.Высушенные пластины помещают в печь, где в течение нескольких часов при высокой температуре порядка 1300" производится окисление поверхности пластин кремния. После охлаждения пластин на их по. верхность наносятся соединения, содержащие необходимые легирующие элементы, которые при высокой температуре образуют совместно с двуокисью кремния стекловидные слои, Для создания выпрямляющих переходов на кремнии р-типа используется водный раствор ортофосфорной кислоты, а на кремнии г-типа - водный раствор буры.Пластины с нанесенными на окисную пленку составами вносятся для проведения диффузии в печь, температура которой должна быть не ниже точки образования жидкого стекловидного слоя на поверхности кремния.Во время этого процесса на пластинах...

Номер патента: 240852

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/322

Метки: диффузионных, коэффициента, кремниевых, повышения, р—р-л-транзисторов, току, усиления

...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 546042

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Добкин

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузионный, кремниевый, транзистор

...в прилегающей к базе области эмиттера, обеспечивающего высокое значение коэффициента усиления, связано с сушествованием связи диффузионной длины неосновных носителей тока и концентрацией примеси и приводит к уменьшению времени жизни и коэффициента диффузии, определяющих значение диффузионной длины. В случае если примеси имеют градиент концентрации выше оптимального, малы геометрические размеры активной области эмиттера. Если 0 значение градиента концентрации примесиниже оптимального, мала концентрация примеси в активной области эмиттера,Для случая распределения примеси в прилегающей к базе области эмиттера по закок 2б ну Я" оптимальное значение градиентаконцентрации определяется по формуле4 й Мгрви ЬРР ЗР н"р ах- концентрация...