Кринари

Номер патента: 1062579

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Григорьев, Евграфов, Кринари, Халитов

МПК: G01N 23/207

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, объектов, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...под Углом 2 8, а плоскость образца подсоответствующим ему углом сд к направлению прямого пучка и приводядетектор и держатель образца в совместное синхронное вращение такимобразом, что угловое положение образцаи детектора 6 в каждый моментудовтелворяет соотношению:5 о 9 о= ки6 асс со 5и 6 65)гоотры элементари прямой ресос -со 5 Со(со Во 5н у доопар амной ячейщетки; де где- число натурального ряда0; 1; 2 и т.д.После этого повторяют указанную операцию для всех значений 9 г и, регистрируя при этом интенсивность рассеянного излучения, устанавливают углы дифракционных максимумов для отражений общего положения,Б основу способа положены особенности дифракции.рентгеновских лучей на поликристаллических объектах с ярко выраженной аксиальной...

Номер патента: 526811

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Кринари

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, рентгеновского, силикатов, слоистых, фазового

...поверхностью, образованной нормалями к плоским сеткам ЙИ;и - число натурального ряда.Теоретические значения улл могут быть вычислены исходя из идеализированных структурных моделей изучаемых фаз с помощью обычных приемов геометрической кристаллографии, Точечность -+ 2 оказывается при этом вполне достаточной, что позволяет проводить вычисления прафичеоки на сетке Вульфа.В-третьих, полуширина дифракционных максимумов, зарегистрированных в координатах интенсивность - угол у неподвижным счетчиком квантов различна для рефлексов, относящихся к разным, системам кристаллитов, и примерно одинакона для рефлексов, относящихся к одной системе кристаллитов, поскольку степень ориентированности частиц каждой системы определяется их формой и...

Номер патента: 420919

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Казанский, Кринари

МПК: G01N 23/20

Метки: гальванических, покрытий, рентгеновский

...покрытие, текстурированцость покрытия по направлению 222 уменьшается, а по направлению 311 несколько возрастает. Это приводит к значительному изменению величиныотношения интенсивностей дифракционных максимумов 311 и 222,Другой причиной уменьшения отношения311/222 является увеличение толщины покрытия (до 40 мкм и более) или увеличение плотности катодцого тока (до 1,2 а,дм и более).Покрытия с такими параметрами в данном случае также должны быть отбракованы. Установив экспериментально для каждого конкретного объекта пороговую величину отношения 311/222 можно на ее основе разделять 10 все контролируемые покрытия на годные инегодные.Для чисто серебряных гальванических покрытий, полученных из цианистого электролита с реальными для...