Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
союз советскихСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 19) Я ,0 31/ я)з А ТЕНИ длинои волн и при сниж 100 вт/м в зования зав ния распол соцветий,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗОБ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Опытное проектно-конструкторское технологическое бюро по механизации овощеводства(56) Авторское свидетельство СССР И. 1119632, кл. А 01 8 9/16, 1987.(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАСТЕНИЙ В УСЛОВИЯХ ЗАЩИЩЕННОГО ГРУНТА Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к способам выращивания растений в условиях защищенного грунта, и может быть использовано для выращивания растений способами гидропоники, аэропоники или агрегатопоники.Известен способ выращивания растений, включающий облучение растений источниками света, расположенными над растениями, при этом регистрируют температуру верхнего уровня листовой поверхности и сравнивают ее с заданной, а источники света перемещают в вертикальной плоскости по результатам этого сравнения.Недостатком известного способа является снижение урожайности из-за спадания соцветий вследствие недоиспорениях с них влаги.Целью изобретения является повышение урожайности.Указанная цель достигается тем, что в способе выращивания растений в условиях защищенного грунта, включающем облучение растений в процессе их культивирования осуществляют облучение энергией с 1780654 А 1(57) Область применения; сельское хозяйство, в частности овощеводства защищенного грунта, Сущность изобретения: выращивание растений осуществляют, используя их облучение энергией с длиной волны 7200-, 8700 нм, Обработку проводят путем установки источников излучения около растений на уровне соцветий, в нОчное время и при снижении солнечной радиаций ниже 100 Вт/м, 2 табл. ы 7200-8700 нм вйочное время нии солнечной радиации ниже период от бутонизацийдо ббраязей, п)5 Й этом источник излучеагают у растений на уровне пособ осуществляют следующим обр В теплице поддерживают температуру ,20-25 С, Между рядами растений устанавливают низкотемпературные ИК-излучатели. При этом излучатели располагают ниже уровня верхней листовой поверхности на уровне (или чуть ниже) соцветий, обеспечивая их максимальную облученность, Излучатели устанавливают, с возможностью их перемещения в вертикальном направлении соответственно росту растений и поворотов.При появлении бутонов включают ИК- излучители. Включение проводят в ночное время и при солнечной радиации ниже 100 Вт/м . Облучение ведут до массовой завязи1780654 Таблица 1 Таб 2 Составитель С, КуваеТехред М.Моргентал Корректор Н, Милюко Редактор Т, Полионова Заказ 4224 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Пройзводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина,плодов. Экспериментальные данные приведены в табл. 1 и 2.Облучение в период развития листьев (до бутонообраэования) или в период развития и созревания плодов не оказывает существенного влияния на урожайность, но ведет к дополнительным энергозатратам, Поэтому облучение в эти периоды не целесообразно.Расположение излучателя над растением ведет к тому, что бутоны (цветы), располагающиеся под листьями, слабо обогреваются, что снижает урожайность,1 формула изобретенияСпособ выращивания растений в условиях защищенного грунта включающий облучение растений в процессе их5 культивирования, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения урожайности, облучение осуществляют энергией с длиной волны 7200-8700 нм в ночное время и приснижении солнечной радиации ниже 10010 вт/м в период от бутонизациидо образования завязей, при этом источники излучениярасполагают у растений на уровне соцветий,
СмотретьЗаявка
4858756, 13.08.1990
ОПЫТНОЕ ПРОЕКТНО-КОНСТРУКТОРСКОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО ПО МЕХАНИЗАЦИИ ОВОЩЕВОДСТВА
ВОЛЬФ МАНУИЛ НИКОЛАЕВИЧ, ГАРБУЗ ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ, ГАЛИЦКИЙ ВЛАДИСЛАВ ИВАНОВИЧ, ОЛЕЙНИКОВ ЮРИЙ ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, грунта, защищенного, растений, условиях
Опубликовано: 15.12.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1780654-sposob-vyrashhivaniya-rastenijj-v-usloviyakh-zashhishhennogo-grunta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта</a>
Субстрат для выращивания моркови в защищенном грунте
Номер патента: 1409167
Опубликовано: 15.07.1988
Авторы: Андроникашвили, Зардалишвили, Кикодзе, Цицишвили, Шатиришвили
МПК: A01G 31/00
Метки: выращивания, грунте, защищенном, моркови, субстрат
...в емкость, содержащую ранее полученнуюсмесь, в следующем соотношении компонентов, мас,7: калийзамещенный цеолит 43,0, свиной навоз 43,0; серпантин 13,0; шлам электролитическогопроизводства двуокиси марганца 1,О,Порции этой смеси по 7 кг были рассы 55паны в три горшочка.Через семь дней в горшки были высеяны семена моркови. Спустя 12 днейпосле этого в горшках появились первые всходы моркови. В вегетационномпериоде проводили обычнье поливы культуры, а полное выращивание н сборкорнеплодов завершался по истечение90 дней со дня насыпки рассады в горшочки.Б результате было достигнуто повьппение содержания в моркови сахарадо 22% каротина до 30 мг 7, и витамина С до 4,9.При этом длина корнеплода 151 см,диаметр 5,2 см, длина стеблей...
Способ формирования продуктивной головки маточного растения при выращивании вертикальных отводков
Номер патента: 1477318
Опубликовано: 07.05.1989
Автор: Унгурян
МПК: A01G 1/00
Метки: вертикальных, выращивании, головки, маточного, отводков, продуктивной, растения, формирования
...сложности с таким образом сформированной головки трогается в рост 8 - 13 побегов, При достижении прироста 25- - 30 см проводят первое окучивание прироста, затем его повторяют еше 2 - 3 раза за лето. Холмики доводят до высоты 30 - 35 см с гем,1477318 3что у основания прироста образуется хорошо развитая корневая система. За лето второго года уложенный спиралью прирост прочно укореняется, в результате того, что проволока наносит раны равномерно по длине прироста и укоренение идет интенсивнее. Обычно в дальнейшие годы головка маточного куста состоит из центральной головки - это коротко обрезанный первоначальный прирост, и головокасателитов, обычно 6 - 7 штук, с которых осуществляют отделение отводков.Продуктивность маточника,...
Способ посадки древесных растений в каменистый грунт
Номер патента: 791331
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Баранов, Казарцев, Сериков
МПК: A01G 23/02
Метки: грунт, древесных, каменистый, посадки, растений
...поливтолько частично .способствует заполнению некоторых промежутков частицами почвы удобрений. Корневая система в этих случаях располагается вограниченном объеме и не проникаетв воздушные промежутки за пределыямки, что ведет к низкой приживаемости растений,Целью изобретения является улучшение приживаемости растений.С этой целью заделку корневойсистемы производят пульпой, содержащей в своем объеме 55-75 мелкозема, при этом подачу пульпы в поП р и м е р 1. Посадку осуще ствляли в высокогорной зоне на безлесных склонах при диаметре Фракции от 20 до 150 мм. Посадочное место подготавливали ломом. Диаметр посадочного места 200 мм, глубина 300 мм.30 В посадочное место погружали корневую Всесоюзный научно-исследовательский институт...
Способ выращивания гвоздики в защищенном грунте
Номер патента: 1371614
Опубликовано: 07.02.1988
МПК: A01G 9/00
Метки: выращивания, гвоздики, грунте, защищенном
...наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 41Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к цветоводству защищенного грунта.Цель изобретения - снижение затрат электроэнергии. 5Пример. Прерывистое дополнительное досвечивание гвоздики ремонтантной группы Сим в осенне-зимне-весеннее время осуществляется следующим образом: лампы типа ДРЛФ 400 подвешиваются над растениями гвоздики на высоте 70 см на расстоянии 1 О 1,5 м, интенсивность света 3000 лк. Дополнительное досвечивание начинают в период, когда естественный день ниже 11 ч. Устанавливают реле времени для прерывистой подачи электроэнергии, досвечивание проводят 60 мин с интервалом 30 мин, удлиняя день до 18 ч. Применение...
Способ выращивания растений в теплице и устройство для его осуществления
Номер патента: 978776
Опубликовано: 07.12.1982
Авторы: Бокышкин, Китлаев, Князев, Молодцов, Сыроватка
МПК: A01G 9/24
Метки: выращивания, растений, теплице
...короб размещен в грунте14. Перфорированная перегородка 13 ипленка 9 образуют в коробе 6 три полости по его высоте, иэ которых нижняя полость служит воздухопроводной, средняя -для наполнения слоем соломы 12 и верхняя - для питательного субстрата 10, размещенного между слоем соломы 12 и пленкой 9.Надземная часть растений находитсямежду коробом 6 и воздухосборниками 8.Устройство для выращивания растений втеплице содержит также систему управления подачей воздуха в короба 6 - растильни, состоющую из исполнительного механизма 16, терморегулятора 17, задвижки18 и термодатчика 19,Все устройство для выращивания растений устанавливают на основании теплицы20.Рабата устройства цля выращивания рас.тений заключается в заборе воздуха в зоне верхней...
Предыдущий патент: Субстрат для выращивания растений
Следующий патент: Устройство для выращивания растений
Случайный патент: Устройство для раздачи приточного воздуха