Патенты с меткой «кристаллах»

Номер патента: 1112407

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Киселев, Орлов, Сидоров, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, кристаллах, органического, основе, поверхности, полимера, разделительного, рельефом, сглаженным, слоя, формирования

...к деструктуризации токопроводяших аппликаций на основе сплава ал юминий - медь. с уменьшением их устойчивости к токовым импульсам, а также к разрушению ионно-имплантированного доменосодержащего слоя, и вызывает возникновение жестких ЦМД, имеющих поле коллапса существенно большее, чем поле коллапса нормальных ЦМД,Целью изобретения является повышение надежности формирования разделительного слоя путем снижения температуры термообработки.40Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования разделигельного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимерадоменосодержаших кристаллах, основанному на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей...

Номер патента: 1151868

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Даценко, Пахомов

МПК: G01N 21/25

Метки: ароматических, кристаллах, органических, полимерах, примесей, растворимости, соединений

...4-аминодифенила в дифениламине и растворимость дефениламина .в 4-аминодифениле. Навески растертых 45 веществ помещают в ячейки цилиндра, приливают воду и при 20 С содержимое перемешивают в течение 15 сут. Затем из каждой части ячейки на анализ отбирают твердую фазу, сушат и ана лизируют ее состав спектрофотометриче ски.Навеску 20 мг дифениламиновой фазы, содержащей 4-аминодифенил, помещают в пробирку, растворяют в 55 0,5 мл октана, приливают 5 мл воды, 0,3 мл 0,2 н. соляной кислоты и охлаждают в течение 5 мин в ледяной 868 4воде, затем добавляют 0,2 мл 207-гораствора нитрата натрия и встряхивают содержимое в течение 1 мин,после чего приливают 0,2 мл О, 17.-ного раствора о-нафтола в 1 н, щелочи. Через 10 мин водный слой...

Номер патента: 860650

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Колчанова, Сметанникова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66, H01L 37/00

Метки: коэффициента, кристаллах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эттингсгаузена

...область температуре 2эо 1 с)де ОпрстРлениР РГО изклассического термомагнитцого эффекта принципиллено невозможно,551;ель дости.лется те.(, что берутматериал, кое(цент рация рдгцг)геснеехносителей тока е;кгтсрсм гдов)етВоряет услое)ию:(2)р, огреву электроцнс(го гдзд по тсмперятуры Те, грев(,юцей темпрятуру решетки т цд величицу зтохлажпают его по температуры с(,2 -150 К, а градиент температуры соз -дают путем освещения кристалла сц( -том иобласти собс твенного ног оше -Ония, энергия которого 1. уговлетвс -ряет условию2 0сА) 3 ;,1(с,(о " Яо(3)где С - ширицд здпрешеццой эоны15по.ТуГ ро 30; (с кдсс - энер гия процольцого оптиоческ ого фотона Б Го:упреввслцике,Г - заряп электрона,2 г,Г(1 - эффективная масса рдвс(цсного цоситечя тока;и -...

Номер патента: 713243

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Васильев, Кисловский, Кунина, Лифшиц, Чудаков

МПК: G01N 21/59

Метки: кристаллах, поглощения, показателя

...фотоупругой константы для выбранной комбинациинаправлений лазерного луча иизмерения линейной части приращения разности хода.Данный способ основан на кратковременном индуцировании термоупругих,напряжений при лазерном воздействиии синхронной динамической регистрации линейной части приращения двупреломления с помощью монохроматизированного излучения, которое не оказывает заметного воздействия накристалл. Существенное отличие способа состоит в том, что лазерныйлуч пропускается параллельно поверхности пластины через боковые торцы,а не нормально к ней; Измерениелинейной части приращения производится в направлении, перпендикулярномповерхности в средней ее части. Такие условия дают возможность прямыхизмерений объемного поглощения,так как...

Номер патента: 1226208

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Андриевская, Киселев, Клещинский, Лунев, Розенберг

МПК: G01N 23/20

Метки: анионов, кристаллах, положения, рутила, структурой, типа

...титана. Интенсивности рефлексов измеряются на дифрактометре 2 О ДРОК,0 в СцК -излучении. Полученные результаты сведены в таблицу. Изобретение относится к методам расшифровки структуры кристаллов.Целью изобретения является повышение экспрессности и точности определения положения анионов в кристаллах со структурой типа рутила,имеет вид: Материал Интенсивность (имп) 1 ло 1 ссс 1 ясо сп 5546 17813 0,3113 0,295 0,3819 0,300 ТО 7874 20615 Погрешность в определении координаты составляет 0,57. Использование предлагаемого способа сокращает время эксперимента 35 и позволяет уменьшить погрешность определения координаты. Формула изобретения4 О Способ определения положения анионов в кристаллах со структуройСоставитель Т. ВладимироваРедактор...

Номер патента: 1233021

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Гриднев, Даринский

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллах, превращения, твердых, типа, фазового

...период колебаний - электронно"счетным частотомером 18, Внутреннее трение Ч вычисляют по формуле1. А1 п -д,Ю А,где О,- внутреннее трение;16 А и А- уровни дискриминации;Н - число колебаний, соот"ветствующее изменениюамплитуды от А, до А 1,Уровни дискриминации А, и А в15 амплитудном дискриминаторе 17 выбирают такими, чтобы 1 п (А/А )=Птогда Я " = 1/Ы,Далее включают программное регулирующее устройство 15, обеспечиваю 20 щее требуемую скорость нагрева (илиохлаждения) Т, и регистрируют температурную зависимость Ч , проходящуючерез максимум вблизи точки ФП. Затемнагреватель 8 отключают и образецохлаждают, после чего вновь нагревают с другой скоростью нагрева и регистрируют зависимость Ч (Т) . Дляопределения рода ФП в исследованномобразце...

Номер патента: 1260789

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Важенин, Стариченко

МПК: G01N 24/10

Метки: варианты, времени, дипольных, его, комплексов, кристаллах, ориентационной, парамагнитных, релаксации

...образец второй импульс той же амплитуды и длительности, но другого знака, в результате чего образец переходит в другое монодоменное состояние, т. е. направление спонтанной поляризации (спонтанной деформации) изменится. Времена релаксации , которые можно измерять по временной зависимости интенсивности ЭПР- сигнала после второго импульса, ограничены неравенством т ) 3( (быстрее процессы искажены переориентацией доменов) . Для получения максимальной амплитуды временной зависимости интенсивности нужно, чтобы ко второму импульсу концентрации дипольных комплексов были практически равновесными. Это достигается при Т) Зт, Следовательно, длительности импульсов электрического поля (механического напряжения) и интервал между ними должны...

Номер патента: 818298

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Кириченко, Максимов

МПК: G02F 1/13

Метки: жидких, кристаллах, транспарант, управляемый

...слойжидкого кристалла, полупрозрачноедиэлектрическое зеркало и второй поляроид, скрещенный по отношению к 55первому.На чертеже изображен управляемыйтранспарант с использованием эффекта вращения плоскости поляризации света, работающий на отражениеОн состоит из двух стеклянных пластин 1 и 10, на внутренние стороны которых нанесены прозрачные электроды 2 из двуокиси олова. К ним прикладывается управляющее электрическое напряжение П между прозрачныЦОРми электродами 2 последовательно относительно луча записи помещены слой фотопроводника 3, слой 4 жидкого кристалла обратной связи, полупрозрачное диэлектрическое зеркало 6, первый поляроид 7 и модулирующий слой 8 жидкого кристалла. На последнем осуществляется запись информации. Толщины слоев 4 и...

Номер патента: 1298625

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Большакова, Некрасова, Рудяк

МПК: G01N 27/83

Метки: внутренних, кристаллах, механических, напряжений, сегнетоэластиков, смешанных

...одноосные механические напряжения, которые вызываютперестройку доменной структуры кристалла и появление импульсов Баркгаузена, Последние снимаются электродами б и приводят к изменению токачерез сопротивление 8, включенноепоследовательно с кристаллом 1, Ссопротивления 8 импульсы напряженияподаются на блок 7 измерения, Затемот источника 5 тока на электроды6 подают переменное электрическоеполе, которое приводит кристалл 1в деполяризованное состояние, Далее от источника 5 тока на электроды 6 кристалла 1 подают постоянноеэлектрическое поле, которое вызывает перестройку доменной структурыкристалла, сопровождающуюся импульсами Баркгаузена,эти импульсы регистрируют блоком 7 измерения,Па кривым временной зависимости числа импульсов...

Номер патента: 1343326

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Гриднев, Даринский, Попов

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллах, превращения, сегнетоэлектрических, твердых, типа, фазового

...туры и ичины что,темп тли 3 ю щ с я т п фазового превращения опр висимости Сдс"(Т с целью ности оп турную з диэлектр деляют и пр повышения т 1 яют та е из з скачка ия еря емпе величине (спонтанн параметра перехода ризации Р) в точк а, определенной по сть изкочастРь Т 8/ тных ои п ских пот опр ового перех к ве ину по з от скоро исимо и высот наге Сос гавитель С, Бел Техред Л.Сердюкова ченко Обручар ек оров едакто Подписномитета СССРткрытий 7 каз 48 17/4 Тираж ИИПИ Росуарственного коизобретений и Ж, Раушска по дел 113035, Моск4/5 наб.,Проектная венно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород роизв Изобретение относится к Иэикохимическому анализу и может быть ис -вано при создании и прогпоэиросвойств сегнетоэлектриков ви температур их...

Номер патента: 1469398

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Кириченко, Смирнова, Харьковский, Черпак

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, кристаллах, одноосных, оптической, ориентации, оси

...волновода или металлического волновода с продольной щелью), источ ника 2 СВЧ, соединенного с волноводом 1 через блок 3 развязки, выход волновода 1 соединен через последовательно включенные волновод 4 и детектор 5 с индикатором б, Цилиндри ческий образец 7, вырезанный из исследуемого одноосного диэлектрического кристалла, установлен около волновода 1 с возможностью вращения вокруг своей геометрической оси 8 и оси 9, перпендикулярной оси 8 и продольной оси волновода 1, причем расстояние между боковой поверхностью цилиндрического образца 7 и волновода 1 меньше длины волны в свободном пространстве.Устройство для определения ориентации оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах основано на том, что резонаторы в виде...

Номер патента: 1481654

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Гриднев, Даринский

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллах, превращения, типа, фазового

...устройство, обеспечивающее требуемую скорость нагрева, и при амплитуде деформации х регистрируютю 1температурную зависимость Ц, про 10 ходящую через максимум вблизи точки ФП. Затем образец охлаждают, после чего вновь нагревают с той же скоростью нагрева, но при другой амплитуде деформаций х , и регистрируют 15Эзависимость Ч (Т). Для определения типа структурного ФП в исследуемом образце сравнивают величины пиков на кривых(Т), снятых при разных х которые увеличиваются с ростом 20 при собственном ФП и уменьшаются с ростом х,при несобственном ФП.Таким образам, ряд последовательных измерений Ч (Т) в исследуемом Способ определения типа фазовогопревращения в кристаллах, заключающийся в равномерном нагреве исследуе",мого образца в...

Номер патента: 1539609

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Громов, Сигаев, Шапурко, Штанько

МПК: G01N 21/33

Метки: водородсодержащих, ионных, концентрации, кристаллах, примесей

...равный 10 мА, в течение 5 мин,при этом отрицательный потенциал подавали на острийный электрод. По истечении 5 мин острийный электрод заменяли на плоский и избыточныронные центры выводили из крипри визуальном наблюдении в течение130 с. Затем кристалл охлаящали до к натной температуры. Концентрацию об" , разовавшихся гидрид-ионов определяли спектрофотометрически по полосе поглощения 248 нм.Результаты определения приведенытаблице.1539609 Результаты определения концентрации ОН -ионов (кол-во ионов/смэ ) 10 Концентра- Определенция вве- ная конценденной при- трациямеси ОН" Пример Материал образца Р об- разца 1 СзВг (0,005 мольн.Ж СзОН) 6,0 5,8 6,0 2КВг 1 2 3 0,34 0,32 0,34 3 СзВг 1(0,005 моль.Е 2 СвОН и 0,001 мольн.Ж 3 ВаВг) 6,0 6,0 6,0...

Номер патента: 1573440

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Белый, Еременко, Харченко

МПК: G02F 1/09

Метки: антиферромагнитных, доменов, кристаллах, топографирования

...магнитного поля вдоль направ 25 ления распространения света, а кристаллографцческой оси Е параллельно направлениям поля и света. Изменение направления ЛФМ вектора на противоположное при фиксированных величине и направлении внешнего магнитного поля приводит к изменению знака линейного двупреломленця линейно полярцзованного света, Это обстоятельство дает возможность различать состояние АФМ кристалла с противоположно ориентированными АФМ векторами.В отсутствие магнитного поля оптическая индцкатриса кристалла представляет собой элЛипсоид вращения, ось 4" которого совпадает с осью симметрии высокого порядка. Сечение индикатрисы плоскостью, перпендикулярной оси высокого порядка, в данном случае С 1, является окружностью, радиус которой...

Номер патента: 1587460

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Кострицкий

МПК: G02B 5/18, G02B 5/32

Метки: восстановления, голограмм, кристаллах, фазовых, фоторефрактивных

...поляризационных геометрий для определения у связан с Формой тензора КРС для точечной группы симметрии С, к которой принадлежат ниобат и танта 45 лат лития, Для номинально чистых и легированных кристаллов ниобата лития получены следующие значения оптической активности (см. таблицу), Родолжение таблицыз 0,01 0,35 0,05 0,90 1,110:Ре При прохождении линейно поляризованного света через фоторефрактивный кристалл с записанной фазовой голограммой происходит изменение гирационных свойств кристалла под действием света, т.е. наблюдается изменение состояния поляризации света, проходящего через кристалл (фотогирационный эффект). Плоскость поляризации проходящего через кристалл света отклоняется от направления поляризации падающего света на угол...

Номер патента: 1642354

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Миронов, Тимохин, Тонконогов

МПК: G01N 27/24

Метки: водородными, дефектов, концентрации, кристаллах, связями, термоактивационный, типа

...площади под кригой соответствующего максимума. Способ позволяет с большой степенью надежности определятьтип и кочцентрацию дефектов, особенно в кристаллах, содержащих водородные свя;и. случае 88 сут), Второй образец (или ряразцов) помещают в раствор КНчОН. (сСледующим этапом снимают спектр фь термостимулированных токов (ТОТ) деполя- Я ризации природных непрокаленных образ- ( ) цов, который является эталоным, Спектр у ТСТ снимают следующим обпазом, Обра- р зец устанавливают между электоодами, Фиксируют температуру поляризации (в данном случае Тп = 300 К) в течение 20 мин, После этого подклю ают постоянноеФ электрическое поле с напряженностью Еп/Еп = 2 10 В/М. Поляризацию осуществляют в течение времени тп / тп = 15 мин.Затем образец быстро...

Номер патента: 1716407

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Алешко-Ожевский, Погосян

МПК: G01N 23/20

Метки: амплитуд, деформаций, кристаллах, локальных, пьезорезонаторов, сдвиговых, упругих

...составляет с иэображениями большинства дислокаций максимальный угол, повышает чувствитель ность способа, так как при этом величинаизменения изображения дислокаций максимальна. Исследования показали, что при использовании первой гармоники колебаний, когда на толщине кристалла укладывается 45 одна полуволна ультразвуковых колебаний,эффект "расщепления" изображения дислокаций максимален и ярко выражен, При третьей и пятой гармониках колебаний также имеет место эффект "расщепления", но 50 его величина при этом в несколько раз меньше. Для увеличения чувствительности способа также необходимо, чтобы изображение дислокации составляло с вектором дифракции возможно больший угол, так как "рас щепление" максимально при угле 90 иотсутствует...

Номер патента: 1716458

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Акопова, Гогорян, Перелыгин

МПК: G01T 5/10

Метки: выявления, кристаллах, оливина, треков, тяжелых, ядер

...При низких температурах процесс травления протекает очень медленно.Верхняя граница 400 г/л определяется пределом растворимости трилона Б. Нижняя граница 250 г/л - предел, при котором еще обеспечивается травление в избирательном режиме (ч . /ч = 180), При давльнейшем уменьшении койцентрации трилона Б травитель изменяет свойства в процессе травления, что приводит к изменению профиля протравленного трека.При повьппеиии концентрации щавелевой кислоты до 40 г/л резко повышается скорость травления вдоль трека по сравнению с прототипом.При дальнейшем повышении концентрации г 1 авелевой кислоты С 50 г/л скорость травления уменвщается, треки по" лучают ступенчатый характер из-за заблокирования канала треков интенсивно выделяющимися отходами...

Номер патента: 1728737

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Демьянец, Кузьмина, Никитенко, Стоюхин, Терещенко

МПК: G01N 21/64

Метки: ассоциатов, дефектов, кристаллах, присутствия, точечных

...жидкого азота исследуется красная люминесценция кристаллов.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.По стандартной методике снимают спектр фотолюминесценции кристаллов ЕпО в области длин волн 650-800 нм. Оптимальные условия сьемки соответствуют температуре жидкого азота, что отвечает максимуму в зависимости красной люминесценции от температуры. Возбуждение образца проводится линией ртутной лампы (например, ДРТ) с длиной волны 405 нм, так как максимум в спектре возбуждения красного излучения приходится на диапазон 400 - 410 нм, и другие линии излучения пампы менее эффективны. В используемой установке излучение ртутной лампы ДРТмонохроматизируется с помощью входного монохроматора МДР-З, спектр люминесценции исследовался на...

Номер патента: 1755127

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Шапурко

МПК: G01N 21/33, G01N 21/62

Метки: водородсодержащих, ионных, концентрации, кристаллах, примесей

...поглощения гидрид-ионов в течение времени, необходимого для прекращения прироста интенсивности в полосе поглощения собственных электронных центров окраски, на полосе поглощения собственных электронных центров окраски,Сущность способа иллюстрируется следующими примерами:П р и м е р 1, Для определения концентрации водородсодержащих ионов был взят монокристалл бромистого цезия с введенной в шихту при выращивании гидроокисью цезия 0,005 моль,о), Кристалл диаметром 16 мм и длиной 15 мм помещали в ячейку для электролитического окрашивания, представляющую собой плоский и острийный электроды, помещенные в нагревательное устройство, После выдержки кристалла в течение 15 мин при 550 С через него пропускали электрический ток, равный 10 мА, в...

Номер патента: 1770843

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Карпова, Комар, Мигаль, Терейковская

МПК: G01N 21/19

Метки: визуализации, кристаллах, микронеоднородностей

...осуществляется следующим способом.Свет от источника 1, пройдя через конденсор 2, светофильтр 3 и поляризатор 4 становится линейно поляризованным, Затем свет проходит через матовое стекло 5 и исследуемый кристалл 6 и анализатор 9. Изображение кристалла б в поляризованном свете получаем с помощью обьектива 10 на экране 11. Микронеоднородности и различного рода остаточные напряжения в кристалле создают сложную картину двойного лучепреломления на экране, однозначная интерпретация которой невозможна, Однако если в кристалле с помощью приспособления 7 создать напряжения чистого изгиба, то картина на экране 11 существенно изменяется, Центральная часть кристалла, в которой отсутствует напряжение, создает на экране темную нейтральную...

Номер патента: 1782323

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Колесников, Кострицкий, Маньянов

МПК: G03H 1/18

Метки: кристаллах, периодических, сегнетоэлектрических, структур

...меньше, чем для электро нов и голограмма "живет" более длительноевремя, чем время, необходимое для работы ОЗУ. Для получения стабильной (живущей несколько лет), контрастной периодической структуры, полученную "протонобусловленную" фазовую голограмму обрабатывают врасплаве монокарбоновой кислоты, В качестве активной среды может быть взята любая монокарбоновая кислота (оксинафтойная, пальмитиновая, бензойнаяФ и др.), служащая источником ионов Н для топотактической реакции протонного заме,+ +щения О =Н, которая преимущественно протекает в областях с повышенной концентрацией протонов (по эстафетному характеру). Следствием этого является дальнейшее увеличение концентрации протонов в вышеупомянутых областях. Сегнетоэлектрический кристалл...

Номер патента: 1790762

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гриднев, Попов, Шувалов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, зарядом, известным, концентрации, кристаллах, сегнетоэлектрических, точечных

...потенциала по четным степеням поляризации;К - корреляционная постоянная.Предлагаемый способ основан на ис" пользовании различного характера движения сегнетоэлектрических доменных границ, взаимодействующих с точечными дефектами кристаллической решетКи, в электрических полях различной амплитуды В слабых полях, меньших, чем пороговое поле Е, происходит малое упругое смещение доменных границ относительно закрепленных точечных дефектов, т.е. их небольшой прогиб между ближайшими точками закрепления. В этом случае наблюдается слабая зависимость ерш от амплитуды электрического поля, В полях, боль" ших, чем Е, отдельные изогнутые участки доменных границ отрываются от закрепляющих тбчечных дефектов, затем начинается лавинообразное...

Номер патента: 1806343

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Калашникова, Коломина, Наумов, Пашков, Сидорюк

МПК: G01N 21/21

Метки: кварца, кристаллах, напряжений

...света в напряженном кристалле кварца отличается от соответствующего угла в ненапряженном кристалле.Получаемая в экспериментах точность установки угла поворота плоскости поляризации всего в 0,5 делает предлагаемый способ контроля напряжений в кристаллах кварца по чувствительности и точности контроля превосходящим известные способы,П р и м е р 1. Кристалл правого кварца в виде пластины, вырезанной перпендикулярно оптической оси, толщиной 40,5 мм помещался между скрещенными поляризаторами так, чтобы свет проходил вдоль оптической оси. В качестве источника светаиспользовалась 2-ая гармоника излучениятвердотельного лазера длиной волны Л =0,53 мкм, Для получения сходящегося луча5 света перед кристаллом помещалась положительная линза...

Номер патента: 1795738

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Щепина

МПК: G01N 21/62

Метки: кислороди, концентрации, кристаллах, люминесцентный, свечения, фторсодержащих, центров

...меньше на порядок, то есть, 7 нс). затем, выявляются характеристические полосы в.спектре КЛ, Пользуясь табл.1, где приведены сведения по спектральным характеристикам примесных центров в лейкосапфире, осуществляют идентификацию полос с тем или иным видом примеси, В следующей операции способа измеряют интенсивность характеристических полос и определяют количественное содержание примеси по градуировочному графику: .=л,С), где- интенсивность характеристических полос, С - концентрация примесных центров),Для установления этой зависимости необходимы пробы с заранее известным составом - эталоны, С помощью эталонов строится кривая зависимости интенсивности полос от концентрации - так называемый градуировочный график (фиг.1), которым...

Номер патента: 1271155

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1501806

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Полонский

МПК: G11C 13/04

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла его насыщают водородом до концентрации отрицательных ионов замещения водорода 5 1016 - 3 1018 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1725695

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Трофимов

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночным импульсом с плотностью тока электронов в импульсе, равной или большей 182 А/см2, или последовательностью импульсов с плотностью тока в импульсе, равной или большей 6 А/см2, с суммарной поглощенной дозой, равной или большей 0,6

Номер патента: 511755

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/205

Метки: n+-слоев, арсенида, галлия, кристаллах, пленках

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2 10-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 10-4 атм.