Способ формирования разделительного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимера в доменосодержащих кристаллах

,801112407 А ЗСЮ б 1 1 4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,н двтарснаму свЮвтВЪствм Ь Ю 3(54) (57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РАЗ ДЕЛИТЕЛЪНОГО СЛОЯ СО СГЛАЖЕННЪ(М РЕЛЪЕФОМ ПОВЕРХНОСТИ НА ОСНОВЕ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛИМЕРА В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩИХ КРИСТАЛЛАХ, основанный на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей термообработке сформированной пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности формирования разделительного слоя путем снижения температуры термообработки, термообработку проводят при темпера. туре не выше 280 С, а в качестве органичес. кого полимера используют полиамидокисло. ту на основе пиромилитового диангидрида и диаминодифенилового эфира, растворенную в диметилформамиде.12407 Составитель Ю. РозентальТехред И. Верес Корректор О. ТнгоТираж 574 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытийП 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патентэ, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 едактор В. ДанкоЗаказ 6068/36 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на.ци пиндрических магнитных доменах (ЦМД).Известен способ сглаживания рельефаповерхности доменосодержашего слоя с токопроводящими аппл икациями путем форм ирования методами фотолитографии разделительного слоя 11.Этот способ весьма сложен для практической реализации и не обеспечивает полОностью сглаженную поверхность перед напылением пермаллоя.Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ формирования разделительного слоя со сглаженным 15 рельефом поверхности на основе органического полимера в доменосодержащих кристаллах, основанный на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей термообработке сформированной пленки. Прн этом за счет действия центробежных сил и сил поверхностного натяжения формируется пленка разделительного слоя, сглаживаю.щего рельеф токопроводящих аппликаций и исключающая образование в дальнейшем 25 ступенек в пермаллоевых аппликациях 12,Однако для полной полимеризации материала, используемого в известном способе,требуется довольно высокая температура термообработки - 450 С, что приводит к деструктуризации токопроводяших аппликаций на основе сплава ал юминий - медь. с уменьшением их устойчивости к токовым импульсам, а также к разрушению ионно-имплантированного доменосодержащего слоя, и вызывает возникновение жестких ЦМД, имеющих поле коллапса существенно большее, чем поле коллапса нормальных ЦМД,Целью изобретения является повышение надежности формирования разделительного слоя путем снижения температуры термообработки.40Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования разделигельного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимерадоменосодержаших кристаллах, основанному на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей термообработке сформированной пленки, термообработку проводят при температуре не выше 280 С, а в качестве органического полимера нсполь зуют полиамидокислоту на основе пиромилитового диаигидрида и диаминодифенило-. вого эфира, растворенную в диметилформамиде.В соответствии с предложенным способом ф качестве исходното материала для форми. рова ни я раздел ител ьного слоя может быть использован лак АД(ТУ-05-1608-80), представляющий собой раствор полиамидокислоты на основе пиромилитового ангидрида и диаминодифенилового эфира в диметил. формамиде с концентрацией 12 - 14 о/о сухого остатка.Формирование разделительного слоя со сглаженным рельефом поверхности в соответствии с предложенным способом осуществляют следующим образом.С целью обеспечения требуемой толщины разделительного слоя исходный продукт лак АДрастворяют в диметилформамиде (ГОСТ 20289-74) в соотношении 1:1 об.г после чего полученный раствор наносят на подложки со сформированным проводннковым слоем путем центрифугирования при скорости вращения 3000 - 5000 об/мии, Скорость вращения выбирается из этого диапазона скоростей равной тому значению, которое обеспечивает требуемую конструкцией доменосодержащего кристалла толщину разделительного слоя.После завершения. операции нанесения лака полученная пленка подвергается термообработке, в процессе которой осуществляется удаление растворителя и полимеризация органического материала с образованием плотной пленки, обладающей высокой адгеэией к ранее нанесенным слоям. Для исклю чеиия возможности усадки пленки разделительного слоя при дальнейших термообработках ее задубливание производится при 280 С на воздухе в течениеч, Эта температура не превышает температур воздействия на доменосодержащий кристалл на других стадиях его изготовления и не вызывает ни деструктирования материала токопроводящих аппликаций, ни возникновения жест: ких доменов в доменосодержащем слое.Использование предложенного способа обеспечивает по сравнению с известными следующие преимушества: формирование разделительного слоя со сглаженным рельефом поверхности при умеренных температурах; увеличение выхода годных изделий эа счет снижения температурных воздействий.Ожидаемый годовой экономический эффект от использования предложенного способа составит ориентировочно 80366 руб,